1.2半导体三极管同步练

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：c2.当晶体管工作于饱和状态时，其_________a 发射结正偏，集电结正偏b 发射结反偏，集电结反偏c 发射结正偏，集电结反偏答案：a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案：b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案：b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案：c6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案：a7.与锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案：a8.温度升高，晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案：a9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案：b10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案：c11.温度升高，晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案：b12.温度升高，晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案：a12.温度升高，晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案：c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案：a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案：c16.对于电压放大器来说，越小，电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案：b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案：b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案：c19在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案：b20在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案：a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案：c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案：c25. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路。

二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。

2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。

3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。

4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。

三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。

（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。

（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。

（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。

（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。

2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。

3. 解释什么是三极管的放大作用。

4. 简述二极管整流电路的工作原理。

五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。

3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。

2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。

课题 3 ：半导体三极管【任务一】半导体三极管基础知识1．三极管的构造包括：（ 1）三个区，即：区、区、区；（ 2）三个极，即：极，用字母表示，极，用字母表示，极，用字母表示，（ 3）两个结，即：结、结。

2．因为半导体基片资料的不一样，三极管可分为型和型两类。

3．在下表中画出PNP、 NPN型三极管的构造图和图形符号。

NPN型三极管PNP型三极管结构符号结构符号4．三极管的电流放大作用（ 1）在下表中记录仿真切验数据，并进行剖析。

I B (mA)I C ( mA)I E ( mA)由表格中的数据可知，I B、 I C和 I E之间的关系式为：。

（ 2）依据基尔霍夫节点电流定律，在以下横线上写出NPN型和 PNP型三极管三个电极上的电流关系式综上所述三极管的电流分派规律为：。

（ 3）由仿真切验数据表能够得出，三极管的电流放大原理为：，即本质上是用基极电流I B的变化控制集电极电流I C的变化。

5．判以下三极管的基本联接方式（ a）（b）（c）【任务二】三极管的特征曲线及主要参数1．三极管的输入特征指的是在必定的条件下，加在三极管与之间的电压，和它产生的电流之间的关系。

2．三极管的输出特征指的是在必定的条件下，三极管与之间的电压与电流之间的关系。

3．在下表中画出三极管的输入输出特征曲线。

三极管输入特征曲线三极管输出特征曲线4．三极管的输出特征曲线分为以下三个区，在这三个区中，三极管的偏置电压特色为：（ 1）截止区：；（ 2）放大区：；（ 3）饱和区：。

【任务拓展】1．在晶体三极管放大电路中，测得三极管的三只脚的电位如右图所示，则该三极管所用资料为，管型为，1、2、3脚的名称分别1232V 2.7V 6V为、、。

2． 9012 和 9013 是我们最常用到的三极管，依据平常技术训练课老师所讲的，我们知道：图（a）所示9012 是（NPN型或是PNP型）三极管，图（ b）所示9013 是（ NPN型或是PNP型）三极管，图（a）所示的1、 2、 3 脚分别是极、极、极。

1半导体器件复习练习题二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。

A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。

A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。

A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区 B．反向截止区 C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。

A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。

A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。

A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 = 50，则复合后的β约为（）。