半导体三极管主要技术参数

常用PNP三极管参数PNP三极管是一种常用的半导体器件，常被用于电子电路中的放大、开关、稳压等功能。

了解其常用参数对于理解和应用该器件是非常重要的。

1.电流放大倍数（β值）：PNP三极管的电流放大倍数指的是集电极电流（Ic）与基极电流（Ib）之间的比值。

它是指三极管的放大能力，一般值在10～500之间，不同型号的三极管有不同的β值。

2. 最大集电极电流（Ic max）：指在特定工作条件下，三极管所能承受的最大电流值。

超过该值后会导致器件过热甚至损坏。

3. 最大集电极-基极电压（Vce max）：指在特定工作条件下，三极管集电极与基极之间所能承受的最大电压值。

超过该值后会导致器件击穿。

4. 饱和区和截止区：PNP三极管有两个特殊的工作区域。

饱和区指的是当基极电流（Ib）足够大，使得集电极电压（Vce）很小甚至接近零时，三极管处于饱和状态。

截止区指的是当基极电流（Ib）非常小且集电极电压（Vce）较大时，三极管处于截止状态。

5.输入电压偏置和输出电压偏置：PNP三极管的工作需要正确定义基极和发射极之间的电压偏置。

输入电压偏置指的是基极电压与发射极电压之间的差值，输出电压偏置指的是集电极电压与发射极电压之间的差值。

6. 最大功率（Pmax）：指三极管能够承受的最大功率。

超过该值后会导致器件过热甚至损坏。

7.最大工作频率（fT）：指能够在频率上最大工作的三极管。

这个参数对于高频应用非常重要。

它取决于三极管内部结构和材料的特性。

8. 热电阻（θja）：指三极管的热耦合特性，即用于散热时三极管芯片与环境间的温度差。

热阻越小，散热效果越好，越有利于保护器件。

9.尺寸和引脚布局：PNP三极管通常有标准的引脚布局，如基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。

这些尺寸和引脚布局使得三极管易于焊接和安装。

10. 各种参数受到温度影响：PNP三极管的性能受到温度的影响。

特别是电流放大倍数（β值）和最大集电极电流（Ic max）会随着温度的变化而变化。

1. 电流放大系数、ββ直流（静态）电流放大系数β=___C B I I ΔΔβ=C B I I 交流（动态）电流放大系数当晶体管接成共射极电路时，注意：和β 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且I CEO 较小的情况下，两者数值接近β 常用晶体管的β 值在20 ~ 200之间由于晶体管的输出特性曲线是非线性的，只有在特性曲线的近于水平部分，I C 随I B 成正比变化，β 值才可认为是基本恒定的表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据2.31.5Q 2Q 1大放区例：在U CE = 6 V 时，在 Q 1 点 I B = 40μA, I C = 1.5mA ； Q 2 点 I B = 60 μA, I C =2.3mA15375004β===C B ...I I Δ231540Δ006004β-===-C B ....I I 在以后的计算中，一般作近似处理：β = β在 Q 1 点，有由 Q 1 和Q 2点，得2. 集-基极反向截止电流 I CBOI CBO 是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大温度↑→I CBO ↑I CBO 3. 集-射极反向截止电流（穿透电流）I CEOμA I CEO I B = 0+–I CEO 受温度影响大。

温度↑→ I CEO ↑，所以I C 也相应增加。

三极管的温度特性较差μA +–E C4. 集电极最大允许电流I CM集电极电流I C上升会导致三极管的β值的下降，当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为I CM5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO当集-射极之间的电压U CE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。

手册上给出的数值是25︒C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO6. 集电极最大允许耗散功耗P CMP CM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管 P C≤P CM =I C U CE硅管允许结温约为150︒C，锗管约为70~90︒CI CM 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区I CU CEO I C U CE = P CM安全工作区U (BR)CEO温度对晶体管参数影响1、温度每增加10︒C，I CBO增大一倍。

常用三极管数据三极管是一种常用的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

三极管的性能参数对电路的工作性能起着至关重要的作用。

本文将介绍常用的三极管数据，匡助读者更好地了解和应用三极管。

一、三极管的基本参数1.1 饱和电流（Icmax）：三极管在饱和状态下的最大电流。

通常情况下，饱和电流越大，三极管的工作性能越好。

1.2 最大功耗（Pmax）：三极管能够承受的最大功率。

超过最大功耗可能导致三极管损坏。

1.3 最大耗散功率（Pdmax）：三极管在正常工作状态下能够承受的最大耗散功率。

二、三极管的频率参数2.1 最大工作频率（fT）：三极管能够正常工作的最高频率。

频率越高，三极管的响应速度越快。

2.2 输入电容（Cib）：三极管输入端的电容。

输入电容越小，三极管对输入信号的响应越灵敏。

2.3 输出电容（Cob）：三极管输出端的电容。

输出电容越小，三极管对输出信号的响应越灵敏。

三、三极管的放大特性参数3.1 峰值电流增益（hFE）：三极管的放大倍数。

峰值电流增益越大，三极管的放大效果越好。

3.2 输入电阻（Rin）：三极管输入端的电阻。

输入电阻越大，三极管对输入信号的影响越小。

3.3 输出电阻（Rout）：三极管输出端的电阻。

输出电阻越小，三极管对输出信号的影响越小。

四、三极管的温度特性参数4.1 温度系数（α）：三极管的基极电流随温度变化的系数。

温度系数越小，三极管的温度稳定性越好。

4.2 温度上升系数（β）：三极管的饱和电流随温度升高的系数。

温度上升系数越小，三极管的工作稳定性越好。

4.3 温度范围（Tj）：三极管能够正常工作的温度范围。

超出温度范围可能导致三极管性能下降。

五、三极管的封装参数5.1 封装类型：三极管的封装形式，如TO-92、SOT-23等。

不同封装类型适合于不同的应用场景。

5.2 封装材料：三极管封装的材料，如塑料、金属等。

封装材料的选择影响三极管的散热性能。

5.3 封装尺寸：三极管封装的尺寸，包括封装的长、宽、高等参数。

三极管参数详解
三极管是一种电子器件，它是由三个P型或N型材料构成的。

三极管具有放大、开关和稳压等多种功能。

由于三极管具有很多种类，下面分别介绍不同种类的三极管的参数。

1. NPN三极管
NPN三极管是由两个N型半导体夹一个P型半导体构成的。

NPN三极管是一种常见的三极管。

下面介绍NPN三极管的几个重要参数：
（1）最大耐压：指三极管的最大工作电压。

在超过此电压后，三极管会发生击穿。

（4）放大系数：也称为电流增益，指输出电流与输入电流之比。

在放大电路中，使用NPN三极管时，需要保证其放大系数在一个可接受的范围内。

3. MOSFET
MOSFET又称MOS场效应管，是一种通用的高频低噪声功率放大器。

MOSFET的导通与截止是通过施加控制电压来实现的。

其控制电压可以是电压、电流、光等。

下面介绍MOSFET 的几个重要参数：
（1）阈值电压：MOSFET的导通与截止需要一个阈值电压来控制，这个电压即为阈值电压。

当控制电压小于这个电压时，MOSFET处于截止状态；当控制电压大于这个电压时，MOSFET处于导通状态。

（3）最大电流：指MOSFET的最大电流负载能力。

在超过此电流后，MOSFET会被烧毁。

（4）漏极电流：指MOSFET导通时从漏极流过的电流。

4. JFET
（4）增益：指JFET的放大倍数。

三极管规格书摘要：1.三极管概述2.三极管的分类3.三极管的主要参数4.三极管的结构和工作原理5.三极管的应用领域正文：一、三极管概述三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种常见的半导体器件。

它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、脉冲发生器等电子电路中。

根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和PNP 型。

二、三极管的分类1.按照结构分类，三极管可以分为三极管晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

2.按照材料分类，三极管可以分为硅晶体管和锗晶体管。

3.按照电流放大系数分类，三极管可以分为NPN 型和PNP 型。

三、三极管的主要参数1.电流放大系数：三极管的电流放大系数是指在输入端施加微小信号时，输出端电流与输入端电流之比。

2.截止区：三极管的截止区是指当输入端电流为零时，输出端电流也等于零的区域。

3.放大区：三极管的放大区是指当输入端施加正向电压时，输出端电流正向增大的区域。

4.饱和区：三极管的饱和区是指当输入端施加足够大的正向电压时，输出端电流不再随输入端电压增大而增大的区域。

四、三极管的结构和工作原理三极管主要由三个区域组成：发射区、基区和集电区。

发射区和集电区由P 型半导体制成，基区由N 型半导体制成。

当在发射区施加正向电压时，电子和空穴分别从发射区和基区注入，形成电流。

这个电流经过基区后，再流入集电区，从而实现信号的放大。

五、三极管的应用领域1.信号放大：三极管在信号放大器中具有广泛应用，可以实现微小信号的放大。

2.开关控制：由于三极管具有高速开关特性，所以在脉冲电路、振荡器和开关电源等领域具有重要应用。

3.振荡和脉冲发生：三极管可以用于制作振荡器和脉冲发生器，实现特定频率的信号产生。

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数题目三极管的主要参数包括直流参数，交流参数，极限参数。

A.正确B.错误答案：A三极管的主要参数有直流参数、交流参数、极限参数三类。

它们是选用三极管的依据。

三极管的分类三极管有多种类型:三极管如按结构可分为NPN型和PNP型;按所用的半导体材料可分为硅管和锗管;按功率可分为大功率管、中功率管、小功率管;按频率特性可分为低频管、中频管、高频管和超频管;按输人方式不同可分为普通三极管、光敏三极管、磁敏三极管;按封装内电路结构分为普通三极管、带阻三极管、达林顿三极管、差分对管、功率对管;按封装形式不同分为金属封装三极管、塑料封装三极管表面封装三极管、陶瓷封装三极管:按用途分为通用管、RF三极管列和达林顿管等;按安装方式分为插件三极管和贴片三极管。

1、大功率、中功率、小功率三极管按照耗散功率的不同,三极管可分为大功率三极管、中功率三极管、小功率三极管、极管功率不同,在封装形式上是有明显区别的。

一般来说功率大的，封装外形体积也就主一般可以从外形体积大小大致看出三极管的功率类型。

2.高低频三极管频率特性是三极管的重要指标。

一般把特征频率低于3MHz的三极管称为低频三极管;把特征频率高于3MHz而低于30MHz的三极管称为中频三极管;把特征频率高于30MHz而低于300MHz的三极管称为高频三极管;把特征频率高于300MHz的三极管称为超高频三极管。

超高频三极管也称微波三极管，其频率特性一般高于500MHz，主要用于电视机、雷达和导航等领域中处理微波波段（300MHZ以上的频率）的信号。

三极管的频率特性不能从它的外观看出，只能从型号参数中查到！半导体三极管的应用广泛，主要用途是利用其电流放大作用组成各种放大电路。

其次是在开关电路、逻辑电路以及作为驱动电路的应用。

npn三极管参数NPN三极管是一种普遍使用的半导体器件，也是最常见的一种晶体管形式。

它具有易于制作、可靠性高、发挥作用有效的等优点，因此成为了许多电子设备的重要组成部分。

NPN三极管的参数能够决定它的功能和性能，也是评价其质量的重要依据。

NPN三极管的基本参数包括：饱和电流（Ics）、集电极-发射极电压（Vbe）、发射极-漏极电压（Vce）、集电极-发射极电流（Ibe）和发射极漏极电流（Ice）。

饱和电流（Ics）是NPN三极管发射极和漏极之间的最大电流值，它决定着NPN三极管承受的最大电流量，从而影响着NPN三极管在使用负载电路中的运行稳定性。

集电极-发射极电压（Vbe）是NPN三极管的一个重要参数，它描述的是NPN三极管的正向电压，可以根据这一参数来推测NPN三极管的工作是否正常。

发射极-漏极电压（Vce）是NPN三极管在正向偏压作用下的输出电压，它受到NPN三极管的放大倍数的影响，可以用来评估NPN三极管的性能。

集电极-发射极电流（Ibe）是NPN三极管内部集电极到发射极之间的电流，它描述了NPN三极管的发射极基极和发射极的低压电压之间的电流，通常是衡量NPN三极管质量的重要参数。

发射极漏极电流（Ice）是NPN三极管的输出电流，与Vce的值有关。

它的大小决定了NPN三极管在正向偏压作用下能输出的最大电流量，因此它也是衡量NPN三极管质量的重要参数。

此外，NPN三极管还有一些其他参数，如放大倍数、线性度、最大转换频率等，这些参数也是衡量NPN三极管性能和品质的重要参考。

NPN三极管参数的质量完全决定了NPN三极管性能和品质，因此在购买NPN三极管时要特别注意其参数的质量情况，以保证NPN三极管的正常使用。

NPN三极管参数的质量是我们设计电子电路时的重要依据，因此要认真研究NPN三极管参数，以便对其有充分的了解，以便更好的运用NPN三极管来进行设计。

NPN三极管的参数是它的重要特性，它是确定NPN三极管功能和性能的重要参数，也是衡量NPN三极管质量的重要参考。

三极管工作原理及主要参数详解三极管（全称：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管），是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

介绍三极管的工作原理以及主要参数。

晶体三极管是p型和n型半导体的有机结合，两个pn结之间的相互影响，使pn结的功能发生了质的飞跃，具有电流放大作用。

晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型。

如图2-17所示。

（用Q、VT、PQ表示）三极管之所以具有电流放大作用，首先，制造工艺上的两个特点：（1）基区的宽度做的非常薄;（2）发射区掺杂浓度高，即发射区与集电区相比具有杂质浓度高出数百倍。

晶体三极管的工作原理三极管工作必要条件是（a）在B极和E极之间施加正向电压（此电压的大小不能超过1V）;（b）在C极和E极之间施加反向电压（此电压应比eb间电压较高）;（c）若要取得输出必须施加负载。

当三极管满足必要的工作条件后，其工作原理如下：（1）基极有电流流动时。

由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。

于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。

（2）基极无电流流动时。

在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因而就没有集电极电流产生。

综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。

此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。

晶体三极管共发射极放大原理如下图所示：A、vt是一个npn型三极管，起放大作用。

B、ecc 集电极回路电源（集电结反偏）为输出信号提供能量。

常用三极管参数大全三极管是一种常见的半导体器件，主要用于放大电流和控制电流的流动。

下面是一些常用的三极管参数的详细介绍。

1. 最大电流 (Ic max)：这是三极管能够承受的最大电流。

当超过这个电流时，三极管可能会被烧毁。

2. 最大电压 (Vce max)：这是三极管的最大耐压能力，也就是能够承受的最大电压。

当超过这个电压时，三极管可能会发生击穿。

3.放大倍数(β)：也叫直流电流放大因子，表示输入电流和输出电流之间的比例关系。

β值越大，放大效果越好。

一般来说，普通的低功率三极管的β值在20到100之间。

4. 饱和电流 (Icsat)：当三极管被正确偏置并处于饱和状态时，电流的最大值。

一般来说，这个值应该小于最大电流的一半。

5.收集极电阻(Rc)：也叫输出电阻，表示三极管作为放大器时，输出端所呈现的电阻值。

一般来说，Rc越大，输出电阻越大。

6.音频频带宽度(fT)：这是三极管的最高工作频率。

对于放大高频信号，fT应该足够高，以保持信号的完整性。

7.噪声系数(NF)：表示三极管产生的噪音的大小。

通常用分贝(dB)为单位表示，值越小表示噪音越小。

8. 输入电阻 (Rin)：表示对输入信号的阻力。

一般来说，输入电阻应该足够大，以避免对信号源的影响。

9. 输出电阻 (Rout)：表示三极管的输出端对外部电路的负载能力。

一般来说，输出电阻应该足够小，以避免对外部电路的影响。

10.温度系数(TC)：表示三极管参数对温度变化的敏感程度。

一般来说，温度系数越小，三极管的性能越稳定。

除了上述常用的参数外，三极管还有很多其他参数，如频率响应、输入/输出电容、功率耗散、失真等等。

这些参数在不同的应用场合中具有不同的重要性。

总的来说，了解三极管的参数对于选择合适的器件、设计电路以及优化电路性能至关重要。

不同的应用需要关注的参数也有所不同，需要根据具体情况进行选择和权衡。

半导体三极管的极限参数半导体三极管是一种电子器件，广泛应用于电路设计中。

它有一些重要的极限参数，对电路设计和性能有着重要的影响。

首先，最重要的参数之一是最大封装功率（Pdmax）。

这是指三极管能够将电力转化为热量的最大量。

当超过这个功率极限时，三极管可能会损坏，甚至烧毁。

因此，在使用三极管时，我们必须确保设计电路的功耗不会超过Pdmax。

另一个重要的参数是最大耐压（VCEO）。

这是指三极管可以承受的最大集电极与发射极之间的电压。

如果电压超过这个极限，三极管的结构可能会破坏，导致器件失效。

因此，在设计电路时，我们必须确保电压不会超过VCEO的值。

此外，三极管还有最大集电电流（ICmax）的极限。

这是指三极管所能承受的最大电流。

当电流超过这个极限时，三极管可能会过载，发热过多，甚至导致器件永久损坏。

因此，在设计电路时，我们必须确保电流不会超过ICmax。

除了这些极限参数之外，还有一些其他的参数需要考虑。

例如，三极管的最大工作温度（Tjmax）是指器件能够正常工作的最高温度。

当超过这个温度时，三极管的性能可能会受到影响，甚至失效。

因此，在选择三极管时，我们需要考虑工作环境的温度范围，确保Tjmax能够满足需求。

此外，三极管的最大频率（fT）也是一个重要的参数。

它表示三极管能够工作的最高频率。

当工作频率超过这个极限时，三极管可能无法正常工作，导致信号失真。

因此，在设计高频电路时，我们需要选择具有较高fT值的三极管。

总之，半导体三极管的极限参数对于电路设计和性能至关重要。

通过合理地选择和使用三极管，我们可以确保电路的稳定性和可靠性。

同时，了解和理解这些参数，可以帮助我们更好地设计和优化电子电路，提高系统性能。

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数【实用版】目录1.三极管的主要参数- 直流参数- 交流参数- 极限参数正文三极管是一种常见的半导体元器件，被广泛应用于放大、开关、调制等电路。

要了解三极管的性能，我们需要关注它的主要参数，包括直流参数、交流参数和极限参数。

1.直流参数直流参数主要包括共射极直流放大倍数和集电极 - 基极反向截止电流。

共射极直流放大倍数是指在直流电路中，集电极电流与基极电流的比值。

这个值越大，说明三极管的放大能力越强。

集电极 - 基极反向截止电流是指在集电极和基极之间加上规定的反向电压时，流过的电流。

这个值越小，说明三极管的性能越好。

2.交流参数交流参数主要包括共射极交流放大倍数和集电极 - 发射极反向截止电流。

共射极交流放大倍数是指在交流电路中，集电极电流与基极电流的变化量的比值。

这个值越大，说明三极管的放大能力越强。

集电极 - 发射极反向截止电流是指在集电极和发射极之间加上规定的反向电压时，流过的电流。

这个值越小，说明三极管的性能越好。

3.极限参数极限参数主要包括集电极 - 基极反向饱和电流和集电极 - 发射极反向饱和电流。

集电极 - 基极反向饱和电流是指在集电极和基极之间加上规定的反向电压时，流过的最大电流。

这个值越小，说明三极管的性能越好。

集电极 - 发射极反向饱和电流是指在集电极和发射极之间加上规定的反向电压时，流过的最大电流。

这个值越小，说明三极管的性能越好。

总之，了解三极管的主要参数有助于我们更好地评估其性能，为电路设计提供重要依据。

三极管参数大全范文三极管是一种半导体器件，它具有放大和开关功能，被广泛应用于电子电路中。

以下是三极管的一些常见参数：1.最大耗散功率（Pd）：三极管在工作时会产生一定的热量，最大耗散功率表示器件能够承受的最大热量。

通常以瓦特（W）为单位。

2.最大收集电流（Ic）：三极管作为放大器时，通过其集电极的最大电流，通常以安培（A）为单位。

3.最大基极电流（Ib）：三极管放大时，通过其基极的最大电流，通常以安培（A）为单位。

4.最大封装温度（Tj）：三极管可以安装在不同的外壳中，最大封装温度表示器件可以承受的最高温度。

5.最大封装功率（Pc）：三极管在封装外壳中所能承受的最大功率。

6. 最大封装电压（Vcbo）：三极管收集极与基极之间的最高电压，通常以伏特（V）为单位。

7. 最大集电极-基极电压（Vceo）：三极管集电极与基极之间的最高电压。

8. 最大集电极-发射极电压（Vceo）：三极管集电极与发射极之间的最高电压。

9.倍数增益（β）：三极管在放大模式下的电流放大比例。

10. 饱和电流（Icsat）：三极管作为开关时，通过其集电极的最大电流。

11.截止频率（fT）：三极管在放大模式下的最大工作频率。

12. 输入电阻（Rin）：三极管放大器的输入电阻。

13. 输出电阻（Rout）：三极管放大器的输出电阻。

14. 最小反向传导（Yfs）：三极管放大时的反向电导。

15.最小反向电容（Cr）：三极管放大时的反向电容。

以上是一些常见的三极管参数，不同型号的三极管具有不同的参数范围。

这些参数对于设计电子电路和选取适当的三极管非常重要，因为它们直接影响着三极管的性能和可靠性。

半导体三极管的参数摘要：一、半导体三极管的基本结构和种类二、半导体三极管的主要极限参数三、半导体三极管的电性能参数及其意义四、半导体三极管的应用和型号正文：一、半导体三极管的基本结构和种类半导体三极管，顾名思义，具有三个电极，由两个PN 结构组成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b 表示）。

其他的两个电极成为集电极（用字母c 表示）和发射极（用字母e 表示）。

由于不同的组合方式，形成了一种是npn 型的三极管，另一种是pnp 型的三极管。

二、半导体三极管的主要极限参数半导体三极管的主要极限参数包括以下几个：1.集电极最大允许电流icm：半导体三极管允许通过的最大电流即为icm。

当集电极电流ic 增大到一定程度时，值便会明显下降，这时三极管不至于烧坏，但已不宜使用。

因此，规定值下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流icm。

2.集电极最大允许耗散功率pcm：集电极耗散功率实际上是集电极电流ic 和集电极电压uce 的乘积。

三、半导体三极管的电性能参数及其意义半导体三极管的电性能参数包括以下几个：1.VCEO--集电极- 发射结饱和电压：表示集电极和发射极之间的电压达到最大值时，三极管的电流不再增加，此时的电压即为集电极- 发射结饱和电压。

2.ICBO--集电结反向饱和电流：表示当集电极和发射极之间的电压为负时，三极管的电流不再减小，此时的电流即为集电结反向饱和电流。

四、半导体三极管的应用和型号半导体三极管主要用于电流放大和开关作用，广泛应用于各种电子电路和设备中。

由于不同的型号和生产厂家，三极管的性能和参数可能会有所不同。

常见的三极管型号有2SC33740（或2SC3374B），蓝箭电子、江苏长江电子等。

常用三极管数据标题：常用三极管数据引言概述：三极管是一种常见的半导体器件，广泛应用于电子电路中。

了解三极管的数据对于电子工程师和爱好者来说是非常重要的。

本文将详细介绍常用三极管的数据，包括参数、特性以及应用。

一、三极管的基本参数1.1 放大倍数（hFE）：三极管的放大倍数是指输入信号与输出信号之间的放大比例。

不同型号的三极管的放大倍数范围广泛，普通在50至1000之间。

1.2 最大集电极-发射极电压（VCEO）：VCEO是三极管能够承受的最大集电极-发射极电压，通常以伏特（V）为单位。

这个参数决定了三极管能够承受的最大工作电压。

1.3 最大集电极-基极电压（VCBO）：VCBO是三极管能够承受的最大集电极-基极电压，也以伏特（V）为单位。

这个参数对于三极管的使用和安全性至关重要。

二、三极管的特性2.1 饱和区和截止区：三极管在工作时会处于饱和区和截止区两种状态。

在饱和区，三极管的集电极-发射极之间的电压较低，电流较大；在截止区，电压较高，电流很小。

2.2 频率响应：三极管的频率响应是指它对输入信号频率的响应能力。

普通来说，三极管的频率响应范围在几十千赫兹至几百兆赫兹之间。

2.3 温度特性：三极管的工作温度会影响其性能。

普通来说，三极管的温度特性是负的，即温度升高时，其放大倍数会下降。

三、三极管的应用3.1 放大器：三极管最常见的应用是作为放大器，将输入信号放大到所需的输出信号。

3.2 开关：三极管还可以用作开关，控制电路的通断。

3.3 振荡器：三极管还可以用于构建振荡器电路，产生一定频率的信号。

四、常用三极管型号及参数4.1 BC547：BC547是一种常用的NPN型三极管，其放大倍数在100至800之间，VCEO为45V，VCBO为50V。

4.2 2N3904：2N3904是另一种常用的NPN型三极管，其放大倍数在200至300之间，VCEO为40V，VCBO为60V。

4.3 2N2222：2N2222是一种常用的PNP型三极管，其放大倍数在100至300之间，VCEO为40V，VCBO为60V。

半导体三极管的主要参数有以下几个：1. 集电极最大允许电流（ICM）：半导体三极管允许通过的最大电流。

当集电极电流IC 增大到一定程度时，三极管的电流放大系数会明显下降，此时三极管尚可使用，但已不宜继续加大电流。

因此，规定IC 下降到额定值的2/3 时所对应的集电极电流为集电极最大电流ICM。

2. 集电极最大允许耗散功率（PCM）：集电极耗散功率实际上是集电极电流IC 和集电极电压UC 的乘积。

这是三极管能够正常工作的最大功耗，超过这个功耗值三极管可能会过热损坏。

3. 电流放大系数（hFE）：也称为电流增益，是指三极管输出电流与输入电流之比。

电流放大系数越大，说明三极管的放大能力越强。

4. 带宽（fT）：三极管在工作状态下，输出信号的频率响应受到限制，这个限制频率称为带宽。

带宽反映了三极管响应速度的快慢，带宽越宽，响应速度越快。

5. 输入阻抗（Zi）：三极管输入端的阻抗，影响三极管对输入信号的吸收能力。

输入阻抗越大，吸收能力越强。

6. 输出阻抗（Zo）：三极管输出端的阻抗，影响三极管驱动外部负载的能力。

输出阻抗越小，驱动能力越强。

7. 极性：半导体三极管有npn 型和pnp 型两种极性，分别由n 型半导体基底、p 型半导体基底和n 型半导体构成。

8. 温度系数：三极管的性能参数（如电流放大系数、带宽等）随温度的变化而变化的程度。

9. 饱和电压（Vceo）：当三极管的集电极电流IC 增大到一定程度时，集电极与发射极之间的电压达到峰值，此电压称为饱和电压。

10. 开启电压（Vge）：当三极管的基极电压Vb 大于开启电压时，三极管开始导通。

11. 关闭电压（Vce）：当三极管的基极电压Vb 小于关闭电压时，三极管截止。

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数摘要：一、三极管简介二、三极管的主要参数1.直流参数2.交流参数3.极限参数三、参数对三极管性能的影响四、总结正文：一、三极管简介三极管，全称为半导体三极管，是一种常用的半导体器件，具有放大和开关等功能。

它由三个区域组成：n型区（发射极）、p型区（基极）和n型区（集电极）。

通过调整基极电流，可以控制集电极电流，从而实现信号的放大和开关。

二、三极管的主要参数1.直流参数直流参数主要包括静态工作点、静态电流和最大耗散功率。

静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态，它决定了三极管的放大性能和稳定性。

静态电流是三极管在静态工作点下的基极电流，它影响了三极管的电流放大系数。

最大耗散功率是指三极管在最大工作电流下所能承受的热功率，它限制了器件的输出功率。

2.交流参数交流参数主要包括交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗。

交流放大倍数是指三极管在交流信号下的电流放大能力，它决定了三极管的信号放大性能。

交流输入阻抗是指三极管在交流信号下的输入阻抗，它影响了信号的传输效果。

交流输出阻抗是指三极管在交流信号下的输出阻抗，它影响了负载的驱动能力。

3.极限参数极限参数主要包括最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度。

最大额定电压是指三极管能承受的最大电压，超过该电压可能导致器件损坏。

最大额定电流是指三极管能承受的最大电流，超过该电流可能导致器件过载。

最小工作温度是指三极管能正常工作的最低温度，低于该温度可能导致器件性能下降。

三、参数对三极管性能的影响直流参数、交流参数和极限参数共同决定了三极管的性能。

静态工作点的选择影响了三极管的放大性能和稳定性；静态电流的大小影响了三极管的电流放大系数；最大耗散功率决定了器件的输出功率；交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗影响了三极管的信号放大性能和驱动能力；最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度则决定了器件的可靠性和稳定性。

四、总结三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。

三极管有哪些主要参数？型号如何进行选择？选用三极管需要了解三极管的主要参数, 主要了解三极管的四个极限参数：I cm, BV CEO, P cm及f T即可满足95%以上的使用需要。

1、I cm是集电极最大允许电流，三极管工作时，当它的集电极电流超过一定数值时，他的电流放大系数β将下降。

为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为I cm。

所以在使用中当集电极电流I c超过I cm时不至于损坏三级管，但会使β值减小，影响电路的工作性能；2、BV CEO是三级管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。

如果在使用中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电电流，这种现象叫击穿。

三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降；3、P cm是集电极最大允许耗散功率。

三极管在工作是，集电极电流集电在集电结上会产生热量而使三极管发热。

若耗散功率过大，三极管将烧坏。

在使用中如果三极管在大于P cm下长时间工作，将会损坏三极管。

需要注意的是大功率的三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。

使用中一定要注意这一点。

4、特征频率f T。

随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率小功率三极管在电子电路的应用最多。

主要用作小信号的放大、控制或振荡器。

选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。

如中波收音机的振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高震荡频率为120MHz左右；电视机中 VHF频段的最高振荡率为250MHz左右：UHF 频段的最高振荡率接近1000MHz，因此工程设计中一般要求三极管的f T 大于3倍的实际工作频率。

所以可按照此要求来选择三极管的特征频率f T。

由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50Hz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。

小功率三极管BV CEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BV CEO大于电路中电源的最高电压即可。

查看文章三极管常用参数2009-11-08 22:41三极管参数VCEO,基极开路,集电极－发射极反向击穿电压。

VCBO,发射极开路,集电极－基极反向击穿电压。

VEBO,J集电极开路,发射结反向击穿电压。

VDSO, 漏源击穿电压。

ICM,集电极最大允许电流。

IDSM,最大漏源电流。

PCM,集电极最大耗散功率。

PDM,漏极最大耗散功率。

IC,集电极电流。

ID,漏极电流。

hFE,共发射极静态放大倍数。

gm,低频跨导,场效应管栅极电压对漏极电流的控制能力。

fT,特征频率。

td,延迟时间。

tf,下降时间。

一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。