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三极管规格书

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三极管规格书

摘要：

1.三极管简介

2.三极管的分类

3.三极管的结构

4.三极管的参数

5.三极管的应用

6.三极管的规格书内容

正文：

三极管，全称双极型晶体管，是一种常用的半导体器件。它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、发射器等电子电路中。根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。

三极管的结构由三个区域组成，分别是发射区、基区和集电区。发射区和集电区由同一种半导体材料制成，而基区则由另一种半导体材料制成。这种结构使得三极管具有电流放大的功能。

三极管有许多参数，如电流放大系数、截止电流、饱和电流等。电流放大系数是三极管最重要的参数之一，它决定了三极管的放大能力。截止电流是指三极管处于关态时，集电极电流为零的最小基极电流。饱和电流是指当基极电流增加到一定程度时，集电极电流不再增加，此时的基极电流称为饱和电流。

三极管广泛应用于各种电子设备中，如放大器、振荡器、发射器等。它具有体积小、重量轻、耗能低、寿命长等优点，因此被广泛使用。 三极管的规格书通常包含以下内容：三极管的型号、尺寸、电流放大系数、截止电流、饱和电流等参数。

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MMBT4403贴片三极管规格书

MMBT4403贴片三极管规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

MMBT4403 TRANSISTOR (PNP)

FEATURES Switching transistor MARKING ：2T MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -40 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -0.6 A PC Collector Power Dissipation 0.3 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)

Parameter SymbolTest conditions MinMax UnitCollector-base breakdown voltage V(BR)CBOIC=-100μA , IE=0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEOIC= -1mA , IB=0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBOIE=-100μA, IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-35V, IE=

FMMT619贴片三极管规格书

FMMT619贴片三极管规格书

%,-DQ,201󰀖 JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FMMT619 TRANSISTOR (NPN) FEATURE Low Saturation Voltage MARKING:619 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value

UnitVCBO Collector-Base Voltage 50 V VCEO Collector-Emitter Voltage 50 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 2 A PC Power Dissipation 0.35 W RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 357 ℃/WPCM Maximum Power Dissipation 0.625 W RθJA Thermal Resistance from Junction to Ambient (note 1) 200 ℃/WTJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~+150℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter SymbolTest conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBOIC=100μA,IE=0 50 V Collector-emitter breakdown voltage (note 2) V(BR)CEOIC=10mA,IB=0 50 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBOIE=100μA ,IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=40V,IE=0 100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 100 nA hFE(1) VCE=2V, IC=10mA 200 hFE(2) VCE=2V, IC=0.2A 300 hFE(3) VCE=2V, IC=1A 200 hFE(4) VCE=2V, IC=2A 100 DC current gain (note 2) hFE(5) VCE=2V, IC=6A 40 VCE(sat)1IC=0.1A,IB=10mA 20 mV VCE(sat)2IC=1A,IB=10mA 200 mV Collector-emitter saturation voltage (note 2) VCE(sat)3IC=2A,IB=󰀔󰀓0mA 220 mV Base-emitter saturation voltage (note 2) VBE(sat) IC=2A,IB=50mA 1 V Base-emitter on voltage (note 2) VBE(on) IC=2A, VCE=2V 1 V Output capacitance Cob VCB=10V, f=1MHz 20 pF Turn-on time t(on) 170 ns Turn-off time t(off) VCC=10V, IC=1A, IB1=-IB2=10mA 750 ns Transition frequency fT VCE=10V,IC=50mA, f=100MHz 100 MHz Notes : 1.Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic substrate measuring 15x15x0.6mm. SOT-23 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR

IC资料-三极管9018规格书

IC资料-三极管9018规格书

佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 9018(3DG9018) 硅NPN半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于AM/FM中放,本机振荡。/Purpose: AM/FM IF amplifier, local oscillator. 特点:PC大,fT高,频率飘移小。/Features: High Pc and fT, low frequency shift. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 数值 Rating 参数符号 Symbol 测试条件 Test condition 最小值 Min 典型值 Typ 最大值 Max 单位UnitVCBO IC=0.1mA IE=0 30 V VCEO IC=1.0mA IB=0 15 V VEBO IE=0.1mA IC=0 5.0 V ICBO VCB=12V IE=0 0.05 μA hFE VCE=5.0V IC=1.0mA 28 198 VCE(sat) IC=10mA IB=1.0mA 0.5 V fT VCE=5.0V IC=5.0mA 700 1100 MHz Cob VCB=10V IE=0 f=1.0MHz 1.3 1.7 pF hFE分档/hFE classifications: D:28～45 E:39～60 F:54～80 G:72～108 H:97～146 I:132～198 参数符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit VCBO 30 V VCEO 15 V VEBO 5.0 V IC 50 mA IB 10 mA PC 400 mW Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ 佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 9018(3DG9018)

大功率三极管2SC3907参数详情规格 电路原理PDF规格书资料

大功率三极管2SC3907参数详情规格 电路原理PDF规格书资料

1SPTECHSiliconNPNPowerTransistor2SC3907

DESCRIPTION

·Collector-EmitterBreakdownVoltage-

:V

(BR)CEO=180V(Min)

·GoodLinearityofh

FE

·ComplementtoType2SA1516

APPLICATIONS

·Poweramplifierapplications

·Recommendfor80Whighfidelityaudiofrequency

amplifieroutputstageapplicationsABSOLUTE

MAXIMUM

RATINGS(T

a=25℃)

SYMBOLPARAMETERVALUEUNIT

V

CBOCollector-BaseVoltage180V

V

CEOCollector-Emitter Voltage180V

V

EBOEmitter-BaseVoltage5V

I

CCollectorCurrent-Continuous12A

I

BBaseCurrent-Continuous1.2A

P

CCollectorPowerDissipation

@T

C=25℃130W

T

JJunctionTemperature150℃

TstgStorageTemperatureRange-55~150℃

2SPTECHSiliconNPNPowerTransistor2SC3907

ELECTRICALCHARACTERISTICST

C=25℃unlessotherwisespecified

SYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAX

UNIT

V

(BR)CEOCollector-EmitterBreakdownVoltageI

C=50mA;I

B=0180V

V

CE(sat)Collector-EmitterSaturationVoltageI

C=8A;I

B=0.8A2.0V

V

BE(on)Base-EmitterOnVoltageI