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三极管-原材料规格书模板

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供应商LOGO

供 应 商 公 司 名 称

原 材 料 规 格 书

原材料名称描述

原材料英文名称描述

物料代码

拟制: 审核: 批准:

XXXX-XX-XX发布

供应商公司名称(供应商代码)

签章位置

供应商LOGO 物料名称描述

供应商公司名称 发布日期: XXXX-XX-XX 第2页 第5页

1. 产品简介 (例如产品功能描述和应用范围,产品执行标准)

2. 产品的命名规则和标志说明

3.电气参数(具体不同的管子选择具体的参数)

参数符号 测试条件 数值 单位

Symbol Test condition Rating Unit

最小值 典型值 最大值

Min Typ Max

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

IEBO

hFE

VCE(sat)

VBE(sat)

VBE

fT

Cob

hFE(1)分档/hFE(1) classifications:

极限参数

参数符号 数值 单位

Symbol Rating Unit

VCBO

VCEO

VEBO

IC

IB

PC

Tj

Tstg

ESD

range (HBM)

(MM)

MSD

range 供应商LOGO 物料名称描述

供应商公司名称 发布日期: XXXX-XX-XX 第3页 第5页

4. 封装/引脚/内部电路图

5. 特征曲线图

6.结构尺寸图 (工程图面, 封装尺寸)

7.可靠性试验项目(例如试验项目,试验条件,判定标准,如有必要可说明试验组别)

序号 实验项目 实验条件 判定标准

1 高温储存

2 高温反偏

3 耐焊接热

4 BE结高温反偏

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供应商公司名称 发布日期: XXXX-XX-XX 第4页 第5页

8.主要组成材料(要求有表面镀层处理的元器件除说明其本体组成材料外还需说明其表面镀层成份:例如元器件端电极,引线内外层成份)

序号 部件名称 材质、规格说明 备注

1 芯片

2 环氧

3 引脚 （需注明镀层结构和厚度）

4 焊线

9. 中国RoHS执行情况

材料名称/辅料名称

有毒有害物质或元素

铅

(Pb) 汞

(Hg) 镉

(Cd) 六价铬(Cr6+) 多溴联苯(PBB) 多溴二苯醚(PBDE)

备注：

1、“材料名称/辅料名称”指该规格书产品用的所有零部件或辅助材料

2、“有害物质限量”：请填写您的产品中六大物质的具体含量值，尤其是欧盟ROHS指令豁免项更需要填写清楚；单位“PPM”表示百万分之一，质量百分比浓度的单位

3、 其它相关名词含义以标准SJ/T11363--2006（电子信息产品有毒有害物质的限量要求）中相关解释为依据

10.包装方式(贴片编带,插件小袋装,个数,袋数,包装标识)

供应商LOGO 物料名称描述

供应商公司名称 发布日期: XXXX-XX-XX

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11. 使用注意事项

11.1 防静电事项

11.2 潮湿事项

11.3 焊接注意事项

11.4 装备注意事项

等等

12 在正常情况下产品上机不良率

13 备注声明该规格书/产品主要适用于何种应用范围;所列内容如有对我司不适用的条款需列出说明;

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三极管9018规格书

三极管9018规格书

佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 9018(3DG9018) 硅NPN半导体三极管/SILICON NPN TRANSISTOR 用途:用于AM/FM中放,本机振荡。/Purpose: AM/FM IF amplifier, local oscillator. 特点:PC大,fT高,频率飘移小。/Features: High Pc and fT, low frequency shift. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 数值 Rating 参数符号 Symbol 测试条件 Test condition 最小值 Min 典型值 Typ 最大值 Max 单位UnitVCBO IC=0.1mA IE=0 30 V VCEO IC=1.0mA IB=0 15 V VEBO IE=0.1mA IC=0 5.0 V ICBO VCB=12V IE=0 0.05 μA hFE VCE=5.0V IC=1.0mA 28 198 VCE(sat) IC=10mA IB=1.0mA 0.5 V fT VCE=5.0V IC=5.0mA 700 1100 MHz Cob VCB=10V IE=0 f=1.0MHz 1.3 1.7 pF hFE分档/hFE classifications: D:28～45 E:39～60 F:54～80 G:72～108 H:97～146 I:132～198 参数符号 Symbol 数值 Rating 单位 Unit VCBO 30 V VCEO 15 V VEBO 5.0 V IC 50 mA IB 10 mA PC 400 mW Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ 佛 山 市 蓝 箭 电 子 有 限 公 司 FOSHAN BLUE ROCKET ELECTRONICS CO., LTD. 9018(3DG9018)

三极管规格书

三极管规格书

第 1 页 共 2 页 三极管规格书

【原创实用版】

目录

1.三极管概述

2.三极管的分类

3.三极管的结构

4.三极管的参数

5.三极管的应用

6.三极管的规格书内容

正文

三极管，全称双极型晶体管，是一种常用的半导体器件。它具有三个控制电极，分别是发射极、基极和集电极，因此得名三极管。根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。

三极管的结构包括三个区域：n 型区、p 型区和 n 型区，分别对应发射极、基极和集电极。发射极和集电极之间的电流放大作用是通过基极电流的控制实现的。当基极电流流过时，发射极的电子会进入基极，再从基极进入集电极，从而实现电流的放大。

三极管的参数主要包括：电流放大系数、发射极电流、基极电流、集电极电流、集电极电压等。电流放大系数是衡量三极管放大能力的重要参数，发射极电流和基极电流是控制三极管工作的主要电流，集电极电流和集电极电压则是三极管输出电流和电压的主要参数。

三极管广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路中，是构成模拟和数字电路的重要基础元件。

三极管的规格书通常包含以下内容：器件型号、尺寸、电流放大系数、工作电压、工作温度范围、静态工作电流、动态工作电流、输入电阻、输 第 2 页 共 2 页 出电阻等。

长电2N4402三极管规格书

长电2N4402三极管规格书

A,Dec,2010 TO – 92 1. EMITTER 2. BASE 3. COLLECTOR JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 2N4402 TRANSISTOR (PNP) FEATURES z General Purpose Amplifier Transistor MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ MaxUnitCollector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= -0.1mA,IE=

0 -40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=-1mA,IB=

0 -40 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-0.1mA,IC=

0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-40V,IE=

0 -0.1μA Emitter cut-off current IEBO VEB=-4V,IC=

0 -0.1μ

A VCE=-1V, IC=

-1mA 30

VCE=-1V, IC=

-10mA 50 VCE=-2V, IC=

-150mA 50 150 DC current gain hFE* VCE=-2V, IC=

-500mA 20 IC=-150mA,IB=-15mA -0.4V Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)* IC=-500mA,IB=

三极管规格书 2

三极管规格书 2

第 1 页 共 2 页 三极管规格书

【原创实用版】

目录

1.三极管概述

2.三极管的分类

3.三极管的主要参数

4.三极管的结构和工作原理

5.三极管的应用领域

6.三极管的命名规则

7.三极管的发展趋势

正文

一、三极管概述

三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种常见的半导体器件。它具有放大和开关等功能，被广泛应用于放大器、振荡器、稳压器等电子电路中。三极管是现代电子技术的基础元器件之一，自 20 世纪 40 年代问世以来，其应用领域不断扩大，已经成为现代电子信息产业的重要组成部分。

二、三极管的分类

根据结构和材料不同，三极管可分为两类：NPN 型和 PNP 型。NPN 型三极管由两个 n 型半导体和一个 p 型半导体组成，而 PNP 型三极管由两个 p 型半导体和一个 n 型半导体组成。这两种类型的三极管具有相似的电路特性，但在实际应用中，由于材料和工艺的差异，它们的性能和使用范围有所不同。

三、三极管的主要参数

三极管的主要参数包括：电流放大系数（hfe）、截止电流（icbo）、 第 2 页 共 2 页 饱和电流（ics）、发射极电流（ie）、集电极电流（ic）等。这些参数决定了三极管的性能和适用范围，因此在设计和选用三极管时，需要根据实际需求选择合适的参数。

四、三极管的结构和工作原理

三极管的结构包括：发射极、基极和集电极。发射极和集电极之间的电流放大是通过基极电流调控的。当基极电流流过时，发射极的电子会进入基区，再从基区进入集电极，形成电流放大。三极管的工作原理主要基于半导体材料的 PN 结和场效应。

五、三极管的应用领域

三极管广泛应用于各种电子设备和电路中，如放大器、振荡器、稳压器、脉冲发生器等。此外，三极管还被用于数字电路和模拟电路，如逻辑门、触发器、滤波器等。随着科技的不断发展，三极管的应用领域还将继续扩大。

六、三极管的命名规则

三极管的命名规则主要根据其结构和材料来命名。通常，三极管的型号由三个字母组成，如 2N3904、9014 等。其中，第一个字母表示三极管的类型（N 表示 NPN 型，P 表示 PNP 型），第二个字母表示材料（如 A、B、C 等表示不同材料的硅晶体管），第三个字母表示特性（如 J 表示军用，T 表示特殊用途等）。