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《模拟电子技术基础》习题参考答案

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18.

《模拟电子技术基础》习题及参考答案

、填空题：

半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由 少数载流子形成，其大小决定 于温度，而与外电场无关。

10. 一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是： A脚为12

伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管,A为发射（E）极,B 为基（B）极，C为集电（C）极。

11. 稳压二极管工作在 反向击穿区，主要用途是稳压。

12. 稳压二极管稳压时是处于 反向偏置状态，而二极管导通时是处于 正向偏置状

态。

13. 晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而 下降。共基极电路比 共射极电路高频特性好。

场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是 可变电阻区、恒流区、击穿区。 电子线路中常用的耦合方式有 直接耦合和电容耦合。

通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级 放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

某放大电路空载输出电压为4V,接入3KQ负载后，输出电压变为3V,该放大电路 的输出电阻为1KQ。

为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用 直流负反馈。为稳定交流输出电1.

2.

3.

4.

5. PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为 正向偏置（正偏），反之称为 反向偏置（反偏）。

PN结最重要的特性是 单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在 NPN型三极管 中，掺杂浓度最大的是 发射区。

晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6.

7.

8.

9. 晶体三极管的集电极电流lc=XLB所以它是电流控制元件。

工作在放大区的晶体管，当IB从10卩A增大到20卩A，IC从1mA增大到2mA

它的P为100，a为1。

通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进

入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚 x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、 2.4伏、1.7伏，则可判断出X、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、 发射（E）极。

14.

16.

17.

压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用 串联负反馈。

负反馈使放大电路增益下降，但它可以 扩展通频带，减少失真。

乙类功率放大器在理论上最高效率为 78.5%，它存在的主要问题是交越失真。 低频功率放大电路常采用 乙类工作状态来降低管耗，提高输出功率和效率。

OCL电路是双电源互补功放，OTL是单电源互补功放。

选择题：

1. P型半导体中的多子是（B ） 。

A.负离子 B .空穴 C .正离子 D

2. N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（

A.电子 B .空穴 C .三价硼元素 D

3. P型半导体是在本征半导体中加入（ C

A. 电子 B. 空穴 C. 三价硼元素 D.

4. PN结加正向电压时，其正向电流是由（A ）的。

A.多数载流子扩散而成 B .多数载流子漂移而成

C.少数载流子扩散而成 D .少数载流子漂移而成

5. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 （B ） 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B .前者正偏、后者反偏

B. 前者正偏、后者也正偏 D .前者反偏、后者正偏

6. 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为

UCCF -6V，UECF -3.1V，则这只三极管是（D ） 。 19.

20. 负反馈放大电路产生自激振荡的幅值平衡条件是 AF

21.

23.

24. 1.相位平衡条件是 △巾AF=±（ 2n+1）n其中n=整数。

反馈系数F= Xf/Xo ;反馈深度是1+AF。

在差动放大电路中，若U1=20mV,U=0mV则电路的差模输入电压为

20mV，共模输入电压为10mV。

差分放大电路能够抑制 共模信号，放大差模信号。

衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最主要指标是 共模抑制比（KCMR 。

按照通带与阻带的相相互位置不同， 有源滤波电路通常可分为以下几类 低通滤波器 （LPF）、高通滤波器（HPF）、带通滤波器（BPF）、带阻滤波器（BEF）和全通滤波器（APF）。

26.

28. 整流电路的目是 将交流变为直流。

29.

30. 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是 V 2U2。

.电子

D ）。

.五价磷元素

）物质后形成的

五价磷元素

UBc= -3.3V， A. NPN型硅管 B . NPN型锗管 C . PNP型硅管

7. 测得三极管各电极对地的电位分别为 VCF6V, VEF-0.6V, 状态为（B ）。 D . PNF型锗管

VE=0V,该三极管工作 A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态

8. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为 5V, 1.3V, 1V,

则这只三极管是（B ）。

A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管

9. 共集电极放大电路（射极输出器）的主要特点是 （C

A. 电压放大倍数小于1，

B. 电压放大倍数大于1，

C. 电压放大倍数小于1，

D. 电压放大倍数大于1，

10. 图示放大电路中，「、T2分别是（B ）

A.共集-共基 B .共射-共集C .共射-共基

11.设硅稳压管VD1和VD2的稳定电压分别为

可求出图中电路的输出电压UO为（C ） 。

A. 4.3V B . 8V C

14. 为稳定输出电压、增大输入电阻，应引入（A ）

负反馈。

A.电压串联 B .电压并联 C .电流串联 D .电流并联

15. 如果希望减小放大电路从信号源获取的电流， 同时希望增加该电路的带负载

能力，贝U应引入（D ） 。

A. 电流并联负反馈 B .电压并联负反馈

B. 电流串联负反馈 D .电压串联负反馈 D.PNP型的锗管

输入电阻小、

输入电阻小、

输入电阻大、

输入电阻大、 输出电阻大 输出电阻大 输出电阻小 输出电阻小

接法。

D .共集-共射 IkG

1=1=

5V和8V,正向压降均为0.7V ,

12. 硅稳压管在稳压电路中稳压时,

A. 正向导通状态 B.

C.反向截止状态 D.

13. 场效应管实质上是一个（

A. 电流控制电流源器件

B. 电压控制电流源器件 工作在（ B 反向电击穿状态 反向热击穿状态 ）状态。

） 。

B .电流控制电压源器件

D .电压控制电压源器件

）。

.反馈环内所包含的干扰和噪声 .输入信号中的干扰和噪声

（B ） 。 C16. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（B

A.输入信号所包含的干扰和噪声 B

C•反馈环外所包含的干扰和噪声 D

17. 负反馈放大电路产生自激振荡的条件为

18. A. AF 0 B . AF 1 C 图示的负反馈放大电路中，级间反馈的 反馈类型是（D ） 负反馈。

A. 电流并联

B. 电压并联

C. 电流串联

D. 电压串联 AF 1 D AF

fl」 *-V(^

19.

20.

21.

22. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它（

A.只能放大直流信号 B.只能放大交流信号

C.不能放大交流信号 D.可以抑制共模信号

双端输出的差动放大电路能抑制零点漂移的主要原因是（ B

A.电压放大倍数高 B .电路和参数对称性好

C•输入电阻大 D .采用了双极型电源

为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用（ C

A.直接耦合电路 B.

C.差动放大电路 D.

差动放大电路用电流源代替长尾电阻

A.提高差模电压增益 B.

C.提高输入电阻 D. )o

23. 为了减小温度漂移，通用型运放的输入级大多采用

A.差动放大电路 B

C.共射电路

24. 如图所示的互补对称功放电路中，

才能正常工作。

A. T2 为 PNP

B. T1 为 NPN T2 为 NPN

C. T1 为 PNP T2 为 NPN

D. T1 为 NPN T2 为 PNP 阻容耦合电路

反馈放大电路

艮是为了（ D ） 。

提高共模电压增益 提高共模抑制比

（A ） 。

.共集电路

.OCL互补对称功放电路

所采用的三极管应是（ ),

25. OCL互补对称功放电路中，引起交越失真的原因是 （D ） 。

A. 输入信号大 B .三极管的电流放大系数太大

B. 工作电源电压太高 D .三极管输入特性非线性

26. 在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为（D ） 。

A. 180° B . 3600

B. 270° D .介于 180° 和 360° 之间

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（华北电力大学主编）模拟电子技术基础习题答案

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（华北电⼒⼤学主编）模拟电⼦技术基础习题答案

模拟电⼦技术基础习题答案

电⼦技术课程组2018.8.15

⽬录

第1章习题及答案 (1)

第2章习题及答案 (14)

第3章习题及答案 (36)

第4章习题及答案 (45)

第5章习题及答案 (55)

第6章习题及答案 (70)

第7章习题及答案 (86)

第8章习题及答案 (104)

第9章习题及答案 (117)

第10章习题及答案 (133)

模拟电⼦技术试卷1 (146)

模拟电⼦技术试卷2 (152)

模拟电⼦技术试卷3 (158)

第1章习题及答案1.1选择合适答案填⼊空内。

（1）在本征半导体中加⼊元素可形成N型半导体，加⼊元素可形成P型半导体。A. 五价

B. 四价

C. 三价

（2）PN结加正向电压时，空间电荷区将。A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

（3）当温度升⾼时，⼆极管的反向饱和电流将。A. 增⼤

B. 不变

C. 减⼩

（4）稳压管的稳压区是其⼯作在。A. 正向导通

B.反向截⽌

C.反向击穿

解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C1.2.1写出图P1.2.1所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管是理想的。

（1）（2）（3）

图P1.2.1

解：（1）⼆极管导通U O1=2V （2）⼆极管截⽌U O2=2V （3）⼆极管导通U O3=2V1.2.2写出图P1.2.2所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝0.7V。

（1）（2）（3）

图P1.2.2

解：（1）⼆极管截⽌U O1=0V （2）⼆极管导通U O2=-1.3V （3）⼆极管截⽌U O3=-2V1.3.1电路如P1.3.1图所⽰，设⼆极管采⽤恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各⼆极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。

图P1.3.1

解：⼆极管D1截⽌，D2导通，U O=-2.3V1.3.2电路如图P1.3.2所⽰，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。设⼆极管正向导通电压可忽略不计。

《模拟电子技术基础》胡宴如 耿苏燕_课后答案精编版

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第1章 半导体二极管及其电路分析

`

1．1 某二极管在室温（300K）下的反向饱和电流为0.1pA，试分析二极管外加电压

在0.5V~0.7V之间变化时，二极管电流的变化范围。

解：由于 )1(−=TD

Uu

SDeIi

由题意知I

S=0.1pA，室温下U

T≈26mV，故当U

D=0.5V时，得

i

D=0.1×10－12×（126500

−e）A≈22.5μA

当U

D=0.7V时，得

mAAei

D3.49)1(101.026700

12≈−××=−

因此U

D在0.5~0.7V之间变化时，i

D在22.5μA~49.3mA之间变化。

1.2 二极管电路如图P1.2所示，二极管的导通电压U

D(on) =0.7V，试分别求出R为1kΩ、

4kΩ时，电路中电流I

1、I

2、I

O和输出电压U

O。

解：（1）R=1kΩ

假设二极管断开，可求得输出电压

VVU

O5.4

1119

'−=

+×−

=

可见，电路中二极管的阳极电位高于阴极电位1.5V，所

以，二极管处于导通状态，故

图P1.2

mAmAIIImAmAI

O6.1)3.57.3(3.5

1

212

=+−=+===mAmARUIVVU

LOOO

)9(7.37.3)1/7.3(/7.3)7.03(

−−−−=−==−=−−=

（2）R=4kΩ

假设二极管断开，可求得输出电压

VVU

O8.1

1419

'−=

+−

=×

可见，电路中二极管阳极电位低于阴极电位，二极管处于截止状态，所以

1 mAIImAmARUIVUUI

oLOOOO

8.18.1)1/8.1(/8.10

2'1

=−=−=−==−===

1.3 图P1.3所示各电路中，设二极管具有理想特性，试判断各二极管是导通还是截止，

并求出AO两端电压U

AO。

图P1.3

解：图（a）中，断开二极管V

1、V

2时，可得V

1、V

2正极电位均为10V，而V

1、V

2的负

极电位分别为0V和－6V，因此V

2的正偏电压大于V

1的，V

2优先导通，使U

AO=－6V。这样

模拟电子技术基础 王英主编教材 第2章作业参考答案

模拟电子技术基础 王英主编教材 第2章作业参考答案

第2章作业参考答案

一、选择题

1. B 2. B 3. B 4. B 5. A 6. C 7. C 8. D 9. A 10. B 13.B 14.B 15.

C 19.C 24.A 25.B 26.C 27.C 28.B 29.C

二 简答与计算题

31.

解：（1）偏置电流 IB=(UCC-UBE)/RB=（12-0.7）/240=0.047 mA

集电极电流 IC=βIB =40×0.047=1.88 mA

集-极电压 UCE=UCC-ICRC=12-1.88×3=6.36 V

（2）在静态时（ui=0）C1上的电压为0.7V（等于UBE），靠近晶体管基极端为正极；C2上的电压为6.36V（等于UCE），靠近晶体管集电极端为正极

（3）若使UCE=3V，则RB =β(UCC-UBE)/(UCC - UCE)=40(12-0.7)/(12-3)=50.2 kΩ

若使IC =1.5 mA，则RB=β(UCC-UBE)/ IC=40(12-0.7)/1.5=301.3 KΩ

（4）若UCC =10V，UCE =5V，IC=2，β=40，则

RC=(UCC - UCE)/ IC=(10-5)/2=2.5 KΩ

RB=β(UCC-UBE)/ IC=40(10-5)/2=100 KΩ

32.

解：偏置电流 IB=(UCC-UBE)/RB=[-6-(-0.2)]/200=-0.029 mA

集电极电流 IC=βIB =50×(-0.029)=-1.45 mA

集-极电压 UCE=UCC-ICRC=-6-(-1.45)×2=-3.1 V

33.

解：（1）IB= IC/β=1.55/50=0.031 mA，IE =(1+β) IB=(1+50) ×0.031=1.581 mA

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

·1· 《模拟电子技术基础》第4版习题解答

第1章 半导体二极管及其基本应用电路

一、填空题

1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。

1．2 在N型半导体中，多子是 ，少子是 ；在P型半导体中，多子是 ，少子是 。

1．3二极管具有 性；当 时，二极管呈 状态；当 时，二极管呈 状态。

1．4 2APl2型二极管是由半导体材料 制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料 制成的。

1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时 ，二极管的导通角 ，输出电压随输出电流的增大而 。

二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)

1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大

(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。

1．7当温度升高后，二极管的正向压降将 ，反向电流将 (a．增大；b．减小；c．不变)。

1．8利用二极管的 组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。稳压二极管工作在 状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。

三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)

1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。( )

1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。( )

1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。( )