《模拟电子技术基础》习题参考答案
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-- 《模拟电子技术基础》习题及参考答案
一、填空题：
1. 半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2. 半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3. PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4. PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5. 晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6. 晶体三极管的集电极电流Ic=βIB所以它是电流控制元件。
7. 工作在放大区的晶体管，当IB从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8. 通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9. 测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10. 一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11. 稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12. 稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13. 晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。共基极电路比共射极电路高频特性好。
14. 场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15. 电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16. 通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17. 某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
18. 为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。为稳定交流输出电--
-- 压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用串联负反馈。
19. 负反馈使放大电路增益下降，但它可以扩展通频带，减少失真。
20. 负反馈放大电路产生自激振荡的幅值平衡条件是1••FA，
1. 相位平衡条件是△фAF=±（2n+1）π 其中n=整数。
21. 反馈系数F= Xf/Xo；反馈深度是1+AF。
22. 在差动放大电路中，若Ui1=20mV,Ui2=0mV，则电路的差模输入电压为
20mV，共模输入电压为10mV。
23. 差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。
24. 衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最主要指标是共模抑制比（KCMR）。
25. 按照通带与阻带的相相互位置不同，有源滤波电路通常可分为以下几类低通滤波器(LPF)、高通滤波器(HPF)、带通滤波器(BPF)、带阻滤波器(BEF)和全通滤波器(APF)。
26. 乙类功率放大器在理论上最高效率为78.5%，它存在的主要问题是交越失真。
27. 低频功率放大电路常采用乙类工作状态来降低管耗，提高输出功率和效率。
28. 整流电路的目是将交流变为直流。
29. OCL电路是双电源互补功放，OTL是单电源互补功放。
30. 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是√2U2。
二、 选择题：
1．P型半导体中的多子是( B )。
A．负离子 B． 空穴 C． 正离子 D． 电子
2. N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。
A. 电子 B． 空穴 C． 三价硼元素 D． 五价磷元素
3. P型半导体是在本征半导体中加入（ C ）物质后形成的
A．电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
4. PN结加正向电压时，其正向电流是由（ A ）的。
A．多数载流子扩散而成 B．多数载流子漂移而成
C．少数载流子扩散而成 D．少数载流子漂移而成
5． 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。
A． 前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏
B． 前者正偏、后者也正偏 D．前者反偏、后者正偏
6． 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为UBQ= -3.3V，
UCQ= -6V，UEQ= -3.1V，则这只三极管是( D )。
A． NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型硅管 D．PNP型锗管
7. 测得三极管各电极对地的电位分别为VC=6V，VB=-0.6V，VE=0V,该三极管工作
状态为( B )。 --
-- A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态
8. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V, 1V,
则这只三极管是（ B ）。
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
9. 共集电极放大电路（射极输出器）的主要特点是( C )。
A.电压放大倍数小于1，输入电阻小、输出电阻大
B.电压放大倍数大于1，输入电阻小、输出电阻大
C.电压放大倍数小于1，输入电阻大、输出电阻小
D.电压放大倍数大于1，输入电阻大、输出电阻小
10. 图示放大电路中， T1、T2分别是( B )接法。
A．共集-共基 B．共射-共集 C．共射-共基 D．共集-共射
11． 设硅稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，
可求出图中电路的输出电压Uo为( C )。
A. 4.3V B． 8V C． 5V D． 0.7V
12. 硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作在（ B ）状态。
A. 正向导通状态 B. 反向电击穿状态
C. 反向截止状态 D. 反向热击穿状态
13. 场效应管实质上是一个( C )。
A. 电流控制电流源器件 B．电流控制电压源器件
B. 电压控制电流源器件 D．电压控制电压源器件
14. 为稳定输出电压、增大输入电阻，应引入( A )负反馈。
A.电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联
15. 如果希望减小放大电路从信号源获取的电流，同时希望增加该电路的带负载能力，则应引入( D )。
A. 电流并联负反馈 B．电压并联负反馈
B.电流串联负反馈 D．电压串联负反馈
16. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是（ B ）。
A． 输入信号所包含的干扰和噪声 B．反馈环内所包含的干扰和噪声
C．反馈环外所包含的干扰和噪声 D．输入信号中的干扰和噪声
17． 负反馈放大电路产生自激振荡的条件为( B )。 --
-- A．0••FA B．1••FA C． 1••FA D．1••FA
18． 图示的负反馈放大电路中，级间反馈的
反馈类型是( D )负反馈。
A. 电流并联
B. 电压并联
C. 电流串联
D. 电压串联
19. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( D )。
A.只能放大直流信号 B.只能放大交流信号
C.不能放大交流信号 D.可以抑制共模信号
20. 双端输出的差动放大电路能抑制零点漂移的主要原因是（ B ）。
A. 电压放大倍数高 B．电路和参数对称性好
C．输入电阻大 D．采用了双极型电源
21. 为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用（ C ）。
A.直接耦合电路 B.阻容耦合电路
C.差动放大电路 D.反馈放大电路
22. 差动放大电路用电流源代替长尾电阻Re是为了( D )。
A.提高差模电压增益 B.提高共模电压增益
C.提高输入电阻 D.提高共模抑制比
23. 为了减小温度漂移，通用型运放的输入级大多采用( A )。
A． 差动放大电路 B．共集电路
C．共射电路 D．OCL互补对称功放电路
24. 如图所示的互补对称功放电路中，所采用的三极管应是（ D ），
才能正常工作。
A．1T为PNP，2T为PNP；
B. 1T为NPN，2T为NPN；
C. 1T为PNP，2T为NPN；
D. 1T为NPN，2T为PNP。
25. OCL互补对称功放电路中，引起交越失真的原因是( D )。
A． 输入信号大 B．三极管的电流放大系数太大
B． 工作电源电压太高 D．三极管输入特性非线性
26. 在甲乙类放大电路中，放大管的导通角为( D )。
A． 180o B． 360o
B． 270o D．介于180o和 360o之间 T2 T1
RL +V
-V ui --
-- 27. 与甲类功率放大器比较，乙类功率放大器的主要优点是（ C ）。
A. 不用输出变压器 B． 不用输出大电容
C． 效率高 D． 无交越失真
28. 某滤波电路的频率特性为2)(311jjAu•， 该电路是( A )。
A． 低通滤波器 B．高通滤波器 C．带通滤波器 D．带阻滤波器
29. 下列选项中,( C )不是直流电源的组成部分。
A.变压器 B.整流电路 C.放大器 D.稳压电路
30. 半波整流电路中，设输入电压的有效值为2U，则负载电阻LR上平均电压等于（ B ）。
A．29.0U B．245.0U C．2U D．22U
31. 图示理想运放的输出电压U0为（ C ）。
A．－6V B．－12V
C．＋12V D．＋6V
32． 共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（ B ）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ A ）失真。
