电工电子技术基础练习题
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23、半导体整流电路中使用的整流二极管应选用( D )。
A．变容二极管 B．稳压二极管 C．点接触二极管 D．面接触二极管
24、把交流电转换成直流电的过程叫 ( B )。A．变压 B．整流 C．稳压 D．放大
25、放大电路设置静态工作点的目的是 ( B )。
A．提高放大能力 B．避免非线性失真
C．获得合适的输入、输出电阻 D．输出信号电压大、电流小
23、由与非门构成的基本 触发器的初态 =0，根据下面的输入信号画出 、 。
24、根据电路图和U2的波形画出RL的电压波形图。
25、如图当B端为正时电流的通路是什么？
26、根据下图所示电路，分析D1正负极接反时所产生的后果？
27、根据下图所示电路，分析V2击穿所产生的后果？
28、根据下图所示电路，分析V3脱焊时所产生的后果？
1、点接触型二极管的特点？
2、三极管具有放大作用的内部条件？外部条件？
3、共射极基本放大电路中基极偏置电阻RC的作用？
4、硅管和锗管的伏安特性主要区别在哪里？
5、图中的1—5分别代表伏安特性曲线的什么？
6、指出三极管输出特性图中饱和区、放大区、截至区分别应该在什么位置。
7、直流稳压电源的四个组成部分各自的作用是什么？
16、如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（B）。
A．反向B．近似等于零C．不变D．增大
17、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（A）。
A．发射极B．集电极C．基极 D．无法确定
18、晶体管的穿透电流ICEO是表明（A）。
10、根据下面的输入波形A、B，分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
12、根据下面的输入波形A、B，分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
13、根据下面的输入波形A、B，分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
14、根据下面的输入波形A、B，画出异或门输出Y。
15、由与非门构成的基本RS触发器的初始状态Q=1，根据下面的输入信号画出Q、 。
A．2 B．3 C．4 D．8
二、填空题：
1、PN结正偏时呈现低电阻，电路中有较大的电流流过。PN结反偏时呈现高电阻，电路中电流很小。
2、晶体三极管的主要用途，一是组成 电路，二是组成 电路。
放大、开关
3、晶体三极管工作在放大状态的外部电路条件是、。
发射极正偏、集电极反偏
4、晶体三极管工作在截止状态的外部电路条件是、。
A．阻容 B．变压器 C．电容 D．直接
32、下列关于三极管具有电流放大的内部条件错误的是 ( D )。
A．基区做得很薄，掺杂浓度很低 B．发射区掺杂浓度高
C．集电区面积大，掺杂浓度低 D．发射区掺杂浓度低
33、某三极管工作在放大状态，Ib=20μA,Ic=1.4mA,当Ib=40μA时，Ic=3.4mA,则其β为( B )。
21、测得某一PNP硅管三个极的电位是：VB =3.2V，VE =2.5V，VC =7V，则该管工作在（A）。
A．线性放大状态 B．饱和工作状态
C．截止工作状态 D． 反向击穿区
22、二极管两端加上正向电压时( B )。
A．一定导通 B．超过死区电压才会导通
C．超过0.3V才会导通 D．超过0.7V才会导通
电工电子技术基础练习题（1）
1、固定偏置放大电路如图所示，已知 ， ，晶体管的电流放大系数β=100，欲满足 ， 的要求，试求电阻 ， 的阻值。
2、电路如图所示，已知晶体管的 =60， ， =0.7 V，试求:(1)静态工作点IB，IC，UCE。
3、电路如图所示，已知晶体管 ，计算电路的静态值IB，IC，UCE。
3、PN结的特性是 ( B )。
A．正、反向都导通 B．正向导通、反向截止
C．正、反向都截止 D．正向截止、反向导通
4、半导体二极管的主要特点是具有（C）
A．电流放大作用 B．电压放大作用C．单向导电性D．双向导电性
5、理想二极管的正向电阻为（C）
A．无穷大 B．为0C．约为几千欧D．约为几十千欧
6、如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（D）。
发射极反偏、集电极反偏
5、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态。
NPN、放大
6、静态分析的两种方法分别是和。
近似估算法、图解法
7、在半波整流中，二极管的电流与流过的电流相等。
平均、负载
8、电容滤波电路是将的直流电变成的直流电。
脉动、平滑
A．组合B．时序C．触发器D．以上都不是
43、对于上升沿触发的D触发器，它的次态取决于CP上升沿到达时______的状态( D )。
A．输出端QnB．输入信号DC．输出端 D．以上都不是
44、N个触发器可以构成能寄存位二进制数码的寄存器( B )。
A．N-1 B．N C．N+1 D．2N
45、存储8位二进制信息要个触发器( D )。
11、稳压管反向击穿后，其后果为（B）。
A．永久性损坏
B．只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
C．由于击穿而导致性能下降
D．不能再使用
12、稳压二极管常用( A )。
A．硅管 B．锗管 C．硅、锗管都可以 D．硅、锗管都不可以
13、常用来制造发光二极管的材料是 ( D )。
A．硅 B．锗 C．硅、锗 D．砷化镓、磷化镓
36、下图为哪种门电路符号( B )。
A．与非门 B．与门 C．同或门 D．异或门
37、下面电路实现的是逻辑关系是（ A ）
A．与逻辑 B．或逻辑 C．非逻辑 D．与非逻辑
38、下列等式不正确的是( C )。
A． = + + B．(A+B)(A+C) =A+BC
C．A( )=A+ D．AB+ C+BC=AB+ C
4、如图：若UCC=6V，RC=2kΩ,RB=200 kΩ, β=50,用估算法计算其静态工作点。
5、晶体管放大电路如下图所示：已知＝100，rbe=1kΩ，Vcc=24V，Rc＝3kΩ，Rb＝600kΩ，RL＝1.5kΩ，试近似计算：放大电路的输入电阻Ri；输出电阻Ro；电压放大倍数Au。
6、放大电路如图所示，晶体管的电流放大系数 ， ， = ， = ，RC=6k，RE =400，RL＝6 k，求：(1)计算静态工作点；(2)画出微变等效电路；
14、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE =1.7V，VB=1.4V，VC = 5V，则该管类型为（A）。
A．NPN型锗管B．PNP型锗管C．NPN型硅管D．PNP型硅管
15、图示的三极管接在放大电路中，该管工作正常，测得UBE =0.3V，则此管的类型为（A）。
A．PNP型锗管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．NPN型硅管
29、已知三极管处在放大状态，判断它的电极、管类型和材料。
30、已知三极管处在放大状态，判断它的电极、管类型和材料。
31、已知三极管三个电极的电位，试分析三极管的工作状态。
32、根据逻辑函数表达式画出相应的逻辑电路。
（1）
（2）
（3）
（4） +
33、根据所示电路写出相应的逻辑函数式。
34、根据表达式填卡诺图，并用卡诺图化简。
A．该管温度稳定性好坏的参数
B．该管允许通过最大电流的极限参数
C．该管放大能力的参数
D．该管反向击穿的特性参数
19、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（A）。
A．放大区B．饱和区C．截止区 D．反向击穿区
20、如果接在电路中某晶体管的基极与发射极短路，则（B）。
A．管子深度饱和B．管子截止
C．管子工作在放大状态 D．无法确定
9、直流稳压电源的类型有、 、。
串联型、并联型、开关型
10、稳压电路的作用是克服电网电压、负载及温度变化所引起的输出电压的，提高输出电压的。
26、多级放大电路总的放大倍数是各级放大倍数的 ( C )。
A．和 B．差 C．积 D．商
27、开关三极管的正常工作状态是 ( D )。
A．截止 B．放大 C．饱和 D．截止或饱和
28、三极管的开关特性是 ( D )。
A．截止相当于开关的接通 B．放大相当于开关的接通
C．饱和相当于开关的接通 D．截止相当于开关的断开，饱和相当于开关的接通
A．击穿B．电流为零C．电 流正常D．电流过大使管子烧坏
7、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D 、D 、D 的工作状态为（A）。
A．D 导通，D 、D 截止B．D 、D 截止，D3导通
C．D 、D 截止，D 导通D．D 、D 、D 均截止
8、二极管的最大整流电流是指 ( B )。
A．长期使用允许通过的最大反向电流
15、根据下面的输入波形A、B，画出异或门输出Y。
16、由下图给出的CP、J、K波形，画出上升沿触发的JK触发器（初态为0）的输出Q的波形。
17、画出下图的直流通路18、画出下图的直流通路
19、画出下图的交流通路20、画出下图的交流通路
21、画出下图的交流通路
22、由与非门构成的基本 触发器的初态 =1，根据下面的输入信号画出 、 。
B．长期使用允许通过的最大正向电流
C．加最大反向工作电压时的反向电流
D．加最大正向工作电压时的正向电流
9、二极管的最大反向工作电压一般规定为击穿电压的 ( C )。
A．四分之一 B．二分之一 C．1倍 D．2倍
10、稳Hale Waihona Puke 二极管工作时的特点是 ( D )。
A．电压在大范围变化，电流变化小 B．电流在大范围变化，电压变化也大 C．电流在小范围变化，电压变化大 D．电流在大范围变化，电压变化小
A．变容二极管 B．稳压二极管 C．点接触二极管 D．面接触二极管
24、把交流电转换成直流电的过程叫 ( B )。A．变压 B．整流 C．稳压 D．放大
25、放大电路设置静态工作点的目的是 ( B )。
A．提高放大能力 B．避免非线性失真
C．获得合适的输入、输出电阻 D．输出信号电压大、电流小
23、由与非门构成的基本 触发器的初态 =0，根据下面的输入信号画出 、 。
24、根据电路图和U2的波形画出RL的电压波形图。
25、如图当B端为正时电流的通路是什么？
26、根据下图所示电路，分析D1正负极接反时所产生的后果？
27、根据下图所示电路，分析V2击穿所产生的后果？
28、根据下图所示电路，分析V3脱焊时所产生的后果？
1、点接触型二极管的特点？
2、三极管具有放大作用的内部条件？外部条件？
3、共射极基本放大电路中基极偏置电阻RC的作用？
4、硅管和锗管的伏安特性主要区别在哪里？
5、图中的1—5分别代表伏安特性曲线的什么？
6、指出三极管输出特性图中饱和区、放大区、截至区分别应该在什么位置。
7、直流稳压电源的四个组成部分各自的作用是什么？
16、如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（B）。
A．反向B．近似等于零C．不变D．增大
17、已知某晶体管处于放大状态，测得其三个极的电位分别为6V、9V和6.3V，则6V所对应的电极为（A）。
A．发射极B．集电极C．基极 D．无法确定
18、晶体管的穿透电流ICEO是表明（A）。
10、根据下面的输入波形A、B，分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
12、根据下面的输入波形A、B，分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
13、根据下面的输入波形A、B，分别画出或门输出Y1、或非门输出Y2。
14、根据下面的输入波形A、B，画出异或门输出Y。
15、由与非门构成的基本RS触发器的初始状态Q=1，根据下面的输入信号画出Q、 。
A．2 B．3 C．4 D．8
二、填空题：
1、PN结正偏时呈现低电阻，电路中有较大的电流流过。PN结反偏时呈现高电阻，电路中电流很小。
2、晶体三极管的主要用途，一是组成 电路，二是组成 电路。
放大、开关
3、晶体三极管工作在放大状态的外部电路条件是、。
发射极正偏、集电极反偏
4、晶体三极管工作在截止状态的外部电路条件是、。
A．阻容 B．变压器 C．电容 D．直接
32、下列关于三极管具有电流放大的内部条件错误的是 ( D )。
A．基区做得很薄，掺杂浓度很低 B．发射区掺杂浓度高
C．集电区面积大，掺杂浓度低 D．发射区掺杂浓度低
33、某三极管工作在放大状态，Ib=20μA,Ic=1.4mA,当Ib=40μA时，Ic=3.4mA,则其β为( B )。
21、测得某一PNP硅管三个极的电位是：VB =3.2V，VE =2.5V，VC =7V，则该管工作在（A）。
A．线性放大状态 B．饱和工作状态
C．截止工作状态 D． 反向击穿区
22、二极管两端加上正向电压时( B )。
A．一定导通 B．超过死区电压才会导通
C．超过0.3V才会导通 D．超过0.7V才会导通
电工电子技术基础练习题（1）
1、固定偏置放大电路如图所示，已知 ， ，晶体管的电流放大系数β=100，欲满足 ， 的要求，试求电阻 ， 的阻值。
2、电路如图所示，已知晶体管的 =60， ， =0.7 V，试求:(1)静态工作点IB，IC，UCE。
3、电路如图所示，已知晶体管 ，计算电路的静态值IB，IC，UCE。
3、PN结的特性是 ( B )。
A．正、反向都导通 B．正向导通、反向截止
C．正、反向都截止 D．正向截止、反向导通
4、半导体二极管的主要特点是具有（C）
A．电流放大作用 B．电压放大作用C．单向导电性D．双向导电性
5、理想二极管的正向电阻为（C）
A．无穷大 B．为0C．约为几千欧D．约为几十千欧
6、如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管（D）。
发射极反偏、集电极反偏
5、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态。
NPN、放大
6、静态分析的两种方法分别是和。
近似估算法、图解法
7、在半波整流中，二极管的电流与流过的电流相等。
平均、负载
8、电容滤波电路是将的直流电变成的直流电。
脉动、平滑
A．组合B．时序C．触发器D．以上都不是
43、对于上升沿触发的D触发器，它的次态取决于CP上升沿到达时______的状态( D )。
A．输出端QnB．输入信号DC．输出端 D．以上都不是
44、N个触发器可以构成能寄存位二进制数码的寄存器( B )。
A．N-1 B．N C．N+1 D．2N
45、存储8位二进制信息要个触发器( D )。
11、稳压管反向击穿后，其后果为（B）。
A．永久性损坏
B．只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围，管子无损
C．由于击穿而导致性能下降
D．不能再使用
12、稳压二极管常用( A )。
A．硅管 B．锗管 C．硅、锗管都可以 D．硅、锗管都不可以
13、常用来制造发光二极管的材料是 ( D )。
A．硅 B．锗 C．硅、锗 D．砷化镓、磷化镓
36、下图为哪种门电路符号( B )。
A．与非门 B．与门 C．同或门 D．异或门
37、下面电路实现的是逻辑关系是（ A ）
A．与逻辑 B．或逻辑 C．非逻辑 D．与非逻辑
38、下列等式不正确的是( C )。
A． = + + B．(A+B)(A+C) =A+BC
C．A( )=A+ D．AB+ C+BC=AB+ C
4、如图：若UCC=6V，RC=2kΩ,RB=200 kΩ, β=50,用估算法计算其静态工作点。
5、晶体管放大电路如下图所示：已知＝100，rbe=1kΩ，Vcc=24V，Rc＝3kΩ，Rb＝600kΩ，RL＝1.5kΩ，试近似计算：放大电路的输入电阻Ri；输出电阻Ro；电压放大倍数Au。
6、放大电路如图所示，晶体管的电流放大系数 ， ， = ， = ，RC=6k，RE =400，RL＝6 k，求：(1)计算静态工作点；(2)画出微变等效电路；
14、已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE =1.7V，VB=1.4V，VC = 5V，则该管类型为（A）。
A．NPN型锗管B．PNP型锗管C．NPN型硅管D．PNP型硅管
15、图示的三极管接在放大电路中，该管工作正常，测得UBE =0.3V，则此管的类型为（A）。
A．PNP型锗管B．NPN型锗管C．PNP型硅管D．NPN型硅管
29、已知三极管处在放大状态，判断它的电极、管类型和材料。
30、已知三极管处在放大状态，判断它的电极、管类型和材料。
31、已知三极管三个电极的电位，试分析三极管的工作状态。
32、根据逻辑函数表达式画出相应的逻辑电路。
（1）
（2）
（3）
（4） +
33、根据所示电路写出相应的逻辑函数式。
34、根据表达式填卡诺图，并用卡诺图化简。
A．该管温度稳定性好坏的参数
B．该管允许通过最大电流的极限参数
C．该管放大能力的参数
D．该管反向击穿的特性参数
19、所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（A）。
A．放大区B．饱和区C．截止区 D．反向击穿区
20、如果接在电路中某晶体管的基极与发射极短路，则（B）。
A．管子深度饱和B．管子截止
C．管子工作在放大状态 D．无法确定
9、直流稳压电源的类型有、 、。
串联型、并联型、开关型
10、稳压电路的作用是克服电网电压、负载及温度变化所引起的输出电压的，提高输出电压的。
26、多级放大电路总的放大倍数是各级放大倍数的 ( C )。
A．和 B．差 C．积 D．商
27、开关三极管的正常工作状态是 ( D )。
A．截止 B．放大 C．饱和 D．截止或饱和
28、三极管的开关特性是 ( D )。
A．截止相当于开关的接通 B．放大相当于开关的接通
C．饱和相当于开关的接通 D．截止相当于开关的断开，饱和相当于开关的接通
A．击穿B．电流为零C．电 流正常D．电流过大使管子烧坏
7、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D 、D 、D 的工作状态为（A）。
A．D 导通，D 、D 截止B．D 、D 截止，D3导通
C．D 、D 截止，D 导通D．D 、D 、D 均截止
8、二极管的最大整流电流是指 ( B )。
A．长期使用允许通过的最大反向电流
15、根据下面的输入波形A、B，画出异或门输出Y。
16、由下图给出的CP、J、K波形，画出上升沿触发的JK触发器（初态为0）的输出Q的波形。
17、画出下图的直流通路18、画出下图的直流通路
19、画出下图的交流通路20、画出下图的交流通路
21、画出下图的交流通路
22、由与非门构成的基本 触发器的初态 =1，根据下面的输入信号画出 、 。
B．长期使用允许通过的最大正向电流
C．加最大反向工作电压时的反向电流
D．加最大正向工作电压时的正向电流
9、二极管的最大反向工作电压一般规定为击穿电压的 ( C )。
A．四分之一 B．二分之一 C．1倍 D．2倍
10、稳Hale Waihona Puke 二极管工作时的特点是 ( D )。
A．电压在大范围变化，电流变化小 B．电流在大范围变化，电压变化也大 C．电流在小范围变化，电压变化大 D．电流在大范围变化，电压变化小
