例如, 锗的Eg为0.7电子伏, 则可计算出其λ0=1.8 μm , 即锗从波长为1.8 μm的红外光处就开始显示光电导特性, 因此锗可
用来检测可见光和红外辐射。
第5章 传感器技术
一般而言, 本征半导体(纯半导体)的临界波长大于掺 杂半导体。当光电导元件在一定强度的光的连续照射下, 元件 达到平衡状态时,
பைடு நூலகம்
从微观上看光照射物体这种现象, 其实质相当于具有能量
E的光子不断轰击物体的表面, 在这种情况下, 物体表面的电子吸
收了入射的光子能量后, 将其转化为克服物质对电子的束缚所做的
功, 而另一部分则转化为逸出电子的动能。如果光子的能量E大于
电子的逸出功A(逸出功A也称为功函数, 是一个电子从金属或半导
体 料表的面表逸面出状时态克有服关表),面则势电垒子所逸需出做。的若功逸,出其电值子与的材动料能有为关v,m02
光的频率低于红限频率时, 不论光强多大, 都不会产生光电发射现
象。反之, 入射光频率高于红限频率, 即使微弱的光强也会有电子
发射出来。
假设入射光的光频为ν, 光功率为P, 则每秒钟到达的光
子数为P/(hν), 假设这些光子中只有一部分(η)能激发电子, 则
可以简单估算出入射光在光电面激发的光电流密度 eP
(2) 按信号变换特征来分, 可以分为物性型传感器和结 构型传感器。所谓物性型传感器, 是利用敏感器件材料本身物理 性质的变化来实现信号检测的。例如, 利用水银温度计测温, 是 利用了水银的热胀冷缩的性质。所谓结构型传感器, 则是通过传 感器本身结构参数的变化来实现信号转换的。例如, 电容式传感 器利用了极板间距离的变化会引起电容量的变化这一性质。
第5章 传感器技术