一种基于多孔硅微腔光学特性的气体传感器的研究_李志全
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文章编号:1007 − 6735(2020)05 − 0448 − 05DOI: 10.13255/ki.jusst.20190906004一种可见光波段气体传感器的设计与研究罗世忠, 王 琦, 孙光瑀, 张大伟(上海理工大学 光电信息与计算机工程学院,上海 200093)摘要:为了设计一种性能优越的气体传感结构,提出一种亚波长介质光栅/电介质/金属衬底混合波导结构,基于导模共振效应,在反射光谱中形成4个窄带共振缺陷峰。
选用多孔硅作为波导层,基于多孔硅的折射率可调特性,通过观察共振波长的漂移实现样本气体浓度的动态监测,分析结构的传感特性。
结果表明,3个窄带共振峰的灵敏度分别为300,350,400 nm/RIU,品质因数分别可以达到120,152.2,307.7/RIU,检测精度高,皆可用于气体传感。
关键词:气体传感器;亚波长光栅;导模共振;多孔硅;品质因数中图分类号:O 433 文献标志码:ADesign and analysis of a visible light band gas sensorLUO Shizhong, WANG Qi, SUN Guangyu, ZHANG Dawei(School of Optical-Electrical and Computer Engineering, University ofShanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China)Abstract: In order to design a gas sensing structure with superior performance, a hybrid waveguide structure consisting of a subwavelength dielectric grating, a dielectric layer and a metal substrate was proposed. Based on the guided mode resonance, four narrow-band resonance defect peaks were formed in the reflection spectrum. Porous silicon was used as the waveguide layer. Based on the refractive index tunable properties of porous silicon, the structure can realize the dynamic monitoring of sample gas concentration by observing the drift of the resonance wavelength, and the analysis of sensing characteristics of the structure. The results illustrate that the sensitivity of three narrow-band resonance peaks are 300, 350, 400 nm/RIU respectively. And the figure of merit can reach 120, 152.2, 307.7/RIU respectively.The structure has a high detection accuracy and can be used for gas sensing.Keywords: gas sensor; subwavelength grating; guide mode resonance; porous silicon; figure of merit导模共振(guide mode resonance, GMR)是指外部传播的衍射场与受调制波导的泄漏模之间产生耦合,当入射光参数或光栅结构参数发生极小变化时,光栅衍射波的传播能量发生剧烈变化的现象[1-2]。
专利名称:多孔硅基VO纳米颗粒复合结构气敏传感元件的制备方法
专利类型:发明专利
发明人:梁继然,张颖,吴文豪
申请号:CN202011185310.7
申请日:20201030
公开号:CN114441599A
公开日:
20220506
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件的制备方法,涉及气敏传感器技术领域,用于解决多孔硅对NO2气体响应灵敏度低的问题,所述制备方法包括以下步骤:清洗单晶硅片;利用电化学腐蚀法制备多孔硅;利用化学气相输运沉积在多孔硅基底沉积VO2纳米颗粒,形成多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件。
通过巨大的比表面积和异质结结构,多孔硅基VO2纳米颗粒复合结构气敏传感元件在室温下对NO2气体的灵敏度有较大的提高,同时有着良好的选择性。
申请人:天津大学
地址:300072 天津市南开区卫津路92号
国籍:CN
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基于多孔硅微腔微阵列的制备及检测陈位荣;贾振红;吕小毅;李鹏【摘要】我们结合光刻和电化学腐蚀方法,成功在单晶硅衬底上制备出一个8×8的一维多孔硅光子晶体微腔的微阵列器件,微阵列的每个阵列单元直径300μm,间距200μm.研究了这种微阵列在633nm激光入射情况下的光学特性.利用我们制备的多孔硅光子晶体微腔的微阵列器件,借助数字图像测量方法,可实现快速的检测.本文的研究结果可应用于生物传感器阵列的检测.【期刊名称】《新疆大学学报(自然科学版)》【年(卷),期】2016(033)003【总页数】4页(P313-316)【关键词】多孔硅;微腔;微阵列【作者】陈位荣;贾振红;吕小毅;李鹏【作者单位】新疆大学物理科学与技术学院,新疆乌鲁木齐 830046;新疆大学信息科学与工程学院,新疆乌鲁木齐 830046;新疆大学信息科学与工程学院,新疆乌鲁木齐 830046;新疆大学物理科学与技术学院,新疆乌鲁木齐 830046【正文语种】中文【中图分类】TP212.3;O433.40 引言多孔硅是一种易于制备、具有巨大比表面积和海绵状形貌的纳米硅材料,其生物亲和性好,是优良的生物材料,具有良好的化学稳定性,能形成多种光子晶体结构,在生物传感领域具有广泛的应用[1−3].多孔硅孔隙大小可控,内表面吸附性良好,多孔结构可捕获孔内不同尺寸大小的生物分子,同时也具有造价低廉,能与现有传统的硅加工技术兼容等特点,常用于高灵敏度的生物检测[4].目前已报道的各种多孔硅生物传感器,主要有利用多层光栅结构或者微腔结构,基于折射率变化[5−7]和荧光变化的两类传感器[8,9].基于折射率变化的生物传感器具有免标记的优点.其中,多孔硅微腔结构的传感器,是一种具有一维缺陷态的多孔硅光子晶体器件,其反射谱具有缺陷峰高透过率、线宽较窄的优良光学特性[10].结合多孔硅光子晶体技术,基于折射率变化检测的生物传感器可以获得极高的检测灵敏度[11,12].在生物芯片研究领域,具有布拉格结构的多孔硅传感器阵列已应用于生物传感[13].这类阵列因需要通过光谱仪逐一分析每一个单元的折射率的变化,很难应用于高通量、快速的生物检测.本文成功制备出一个8×8的多孔硅光子晶体微腔的微阵列,微阵列的每个阵列单元直径300µm,间距200µm.研究了微阵列在633nm激光入射情况下的光学特性.借助数字图像测量方法,分析了阵列单元反射率变化情况.制备的多孔硅光子晶体微腔的微阵列器件,可实现低成本、肉眼易观察、快速、实时且并行的测量.1 材料和方法1.1 多孔硅微腔的微阵列制作实验中采用的晶向为<100>,电阻率为0.03-0.04Ω·cm,厚度为400µm的P型单晶硅为载片.为了使整个微阵列具有相同的光学特性,用一个厚度均匀、对氢氟酸腐蚀有很好阻碍作用的掩模材料氮化硅[14].图1描述了制作微阵列的整个实验过程.图1 多孔硅微阵列制造过程的技术步骤步骤A,使用等离子体增强化学气相沉积法将氮化硅沉积在硅基底上,形成厚度为1.5µm的保护膜;氮化硅在硅片进行电化学腐蚀过程中用作掩蔽材料,因为它显示了在氢氟酸溶液中相对于光致抗蚀剂更好的抗腐蚀性,有效的保护硅片3-4 min.步骤B,在氮化硅薄膜上采用一个标准的光刻流程,得到一个8×8的平方掩模矩阵,每个阵列单元直径300µm,间距200µm,除圆形单元外的其它区域,都覆盖着Si3N4膜;步骤C,在CHF3/O2环境中用反应离子刻蚀法,按照掩膜板所示,刻蚀厚度为1.5µm,得到微阵列,图2为微阵列表面的扫描电子显微镜图;步骤D,通过单槽阳极电化学腐蚀法制备多孔硅微腔,黑暗和常温环境下对微阵列进行电化学腐蚀.图2 微阵列表面的扫描电子显微镜图图3 阵列单元表面的扫描电子显微镜图图4 一个阵列单元的中间(左)和边缘(右)位置截面的扫描电子显微镜图电化学腐蚀由两个腐蚀步骤组成:电解抛光和多孔硅微腔结构的形成.体积比为1:1的氢氟酸(浓度为40%)和酒精(浓度≥99%)的混合液作为电解液.对微阵列进行电解抛光,电流密度为400mA/cm2,得到一个13µm的微室;在得到的微室上进行多孔硅微腔的腐蚀,折射率为1.58的多孔硅层,电流密度为60mA/cm2,厚度为100nm;折射率为1.13的多孔硅层,电流密度为110mA/cm2,厚度为140nm;缺陷层,电流密度为110mA/cm2,厚度为560nm.介质层的总数为25层.电化学腐蚀完成后,微阵列中每个圆形单元成为多孔硅微腔,其它区域仍覆盖有厚约为1.05.µm的Si3N4膜.图3为腐蚀后多孔硅微腔的微阵列,其中一个阵列单元表面扫描电子显微镜图,多孔硅的孔径大小为30nm左右.图4为腐蚀后多孔硅微腔的微阵列中一个阵列单元的中间和边缘位置截面的扫描电子显微镜图.缺陷层厚度为560nm,整个多孔硅微腔厚度为3.3µm.1.2 多孔硅微腔微阵列表面光学特性的分析图5为多孔硅微腔的微阵列表面光学特性的检测光路.用氦氖激光器作光源,激光通过光阑A1,经过两个透镜L1和L2组成的系统进行准直扩束,再经过光阑A2时,控制光斑大小,使光斑正好覆盖样品表面,最后通过半反半透镜(5:5)到达数字相机.1.3 用数字图像显示阵列单元亮度波长为633nm的激光通过光阑,经过两个透镜准直扩束,控制光斑大小,使光斑正好覆盖微阵列,再经过半透半反镜L3垂直到达微阵列表面.用数字相机拍摄微阵列表面反射光情况如图6所示.图5 多孔硅微腔的微阵列表面光学特性的检测光路图6 数字相机拍摄激光垂直入射微阵列表面反射光情况多孔硅微腔微阵列表面和截面的扫描电子显微镜图和数字相机拍摄的图片都显示了微阵列中每个阵列单元很好的一致性和光学特性.2 讨论与分析阵列的每一个单元都是多孔硅微腔结构,是一种典型的含缺陷态的一维光子晶体.这种结构是由两个完全对称的布拉格反射镜和中间的法布里珀罗谐振腔构成[15].布拉格反射镜由低孔隙率层和高孔隙率层交替堆叠构成,分别对应于高折射率和低折射率的区域[16].布拉格反射镜与缺陷层的光学厚度满足以下关系[17]:其中dH,dL和dC分别是高、低折射率层和缺陷层的厚度;nH,nL和nC分别是两个对称分布的布拉格反射镜的高、低折射率和缺陷层的折射率;λc是多孔硅微腔的中心波长,m为整数.多孔硅微腔的缺陷态波长即光透射波长位于633nm.图7给出多孔硅微腔光透射波长处于633nm模拟仿真的反射谱图.图8为在相同的实验条件下,普通硅片制备出的多孔硅微腔,光透射波长处于633nm的实验反射谱图.从实验和模拟仿真的多孔硅微腔的反射谱图来看,实验室制备的多孔硅微腔结构较为成功.图7 光透射波长处于633nm的模拟仿真的反射谱图图8 光透射波长处于633nm实验反射谱图3 总结我们结合标准光刻工艺和单槽阳极电化学腐蚀法,设计并成功制备出多孔硅微腔的微阵列,研究了633nm激光垂直入射,多孔硅微腔的微阵列的光学特性.通过数字图像测量方法,克服了光谱仪不能并行测量微阵列每一阵列单元波长变化的困难,实现了低成本、肉眼易观察、快速、实时且并行的测量.本文的研究结果可应用于生物传感器阵列的检测.参考文献:【相关文献】[1]Tessier D C,Boughaba S,Arbour M,et al.Improved surface sensing of DNA on gas-etched porous silicon[J].Sensors and Actuators B:Chemical,2006,120(1):220-230.[2]Meskini O,Abdelghani A,TliliA,et al.Porous silicon as functionalized material for immunosensor application[J].Talanta,2007,71(3):1430-1433.[3]Low S P,Williams K A,Canham L T,et al.Evaluation of mammalian cell adhesion on surface-modified porous silicon[J].Biomaterials,2006,27(26):4538-46.[4]Dhanekar Sand Jain S.Porous silicon biosensor:current status[J].BiosensBioelectron,2013,41:54-64.[5]Huanca D R,Raimundo D,Sand Salcedo W J.Backside contact effect on the morphological and optical features of porous silicon photonic crystals[J].Microelectronics Journal,2009,40(4-5):744-748.[6]Lu XY,Xue T,Jia ZH,et al.Design and Realization of Label-free Optical Immunosensor Based on Porous Silicon Microcavities[C]//2008 International Conference on Optical Instruments And Technology:Advanced Sensor Technologies AndApplications,2009,8:7157.[7]Krismastuti FSH,Pace S,Voelcker N H.Porous Silicon Resonant Microcavity Biosensorfor Matrix Metalloproteinase Detection[J].Advanced FunctionalMaterials,2014,24(23):3639-3650.[8]Levitsky I A,Euler W B,Tokranova N,et al.Fluorescent polymer-porous silicon microcavity devices for explosive detection[J].Applied 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[14]ReaI,Lamberti A,Rendina I,et al.Fabrication and characterization of a porous silicon based microarray for label-free optical monitoring of biomolecular interactions[J].Journal of Applied Physics,2010,107(1):014513.[15]Ouyang Huimin,Lisa A DeLouise,Benjamin L Miller,et al.Fauchet Label-Free Quantitative Detection of Protein Using Macroporous Silicon Photonic Bandgap Biosensors[J].Analytical Chemistry,2007,79(4):1502-1506.[16]Li S,Huang J,Fand Cai LT.A porous silicon optical microcavity for sensitive bacteria detection[J].Nanotechnology,2011,22(42):6.[17]Zhang HY,Jia ZH,Lv XY,et al.Porous silicon optical microcavity biosensor on silicon-on-insulator wafer for sensitive DNA detection[J].Biosens Bioelectron,2013,44:89-94.。
专利名称:基于多孔硅三元结构微腔的光学免疫检测方法专利类型:发明专利
发明人:吕小毅,莫家庆,贾振红,钟福如,李锐
申请号:CN200910113551.8
申请日:20091203
公开号:CN101710118A
公开日:
20100519
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:一种基于多孔硅三元结构微腔的光学免疫检测方法,属于生物医药、食品安全和环境监测的技术领域。
该方法所采用的多孔硅微腔内上、下的Bragg结构分别由三种电流密度交替进行电化学腐蚀而形成,探针分子首先固定在多孔硅孔洞里,然后通过生物反应前后的光谱峰位变化进行检测目标分子浓度;同时利用不同腐蚀条件制备的多孔硅微腔的反射光谱或光致发光光谱进行编码载体,实现对抗原或抗体种类的标识。
这种光学免疫检测方法不仅兼具多孔硅和光子带隙结构传感器的诸多优异性能,而且结构稳定性很好,通过编码检测技术更是可以实现多元检测。
此外,由于采用的制备方法较为简单,价格相对低廉,有一定的商业应用前景。
申请人:新疆大学
地址:830046 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市天山区胜利路14号
国籍:CN
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多孔硅气体传感器
杨光;何金田;李新建;梁二军
【期刊名称】《传感器与微系统》
【年(卷),期】2004(023)009
【摘要】介绍了多孔硅气体传感器的原理和优点,综述了多孔硅气体传感器测量氮氧化物和几种有机气体的机理、方法及最新的研究进展,并分析了传感器的选择性和稳定性,展望了多孔硅气体传感器应用前景.
【总页数】4页(P7-9,12)
【作者】杨光;何金田;李新建;梁二军
【作者单位】郑州大学,物理工程学院,河南,郑州,450052;郑州大学,物理工程学院,河南,郑州,450052;郑州大学,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052;郑州大学,教育部材料物理重点实验室,河南,郑州,450052
【正文语种】中文
【中图分类】TP212
【相关文献】
1.多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究 [J], 李东海;胡明;孙凤云;陈鹏;孙鹏
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3.结合LAPS及纳米多孔硅的气体传感器研究 [J], 宗小林;蔡华;余辉;王平
4.结合LAPS及纳米多孔硅的气体传感器研究 [J], 宗小林;蔡华;余辉;王平
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基于有序多孔硅的光学传感及分离材料的研究
赵伟洁;邬建敏
【期刊名称】《分析化学》
【年(卷),期】2009(037)0z1
【摘要】@@ 近年来由于有序多孔硅材料良好光学性能、生物兼容性和可控孔隙率以及膜厚度可变等等性能受到了越来越多的青睐.目前,多孔硅主要应用于微电子学、光学电子学、化学生物传感器以及药物缓释等领域~([1])及生物分离领域.【总页数】2页(P829-830)
【作者】赵伟洁;邬建敏
【作者单位】浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310058;浙江大学化学系微分析系统研究所,杭州,310058
【正文语种】中文
【相关文献】
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一种新型高灵敏度光学微环湿度传感器郭士亮;胡春海;李欣;王文娟;李志全【期刊名称】《发光学报》【年(卷),期】2014(035)008【摘要】提出了以聚酰亚胺(PI)为感湿材料的三耦合点单微环新型湿度传感器.外界湿度变化使得聚酰亚胺SOI微环谐振特性发生变化,最终通过谐振波长的漂移量确定湿度值.讨论了不同部位感湿时系统的传感特性,并且选择了最佳湿敏元件.数值模拟结果表明:与传统的单微环传感器相比,新型传感器具有较高灵敏度和测量范围,Through端口的自由频谱范围可提高3倍.三耦合点单微环谐振器整体结构可作为最佳湿敏元件,该传感器在10% RH~80% RH相对湿度范围内,灵敏度可达到0.98 nm/% RH,该结构为制备高灵敏度可集成微型湿度传感器件提供了一定的理论依据.【总页数】5页(P1009-1013)【作者】郭士亮;胡春海;李欣;王文娟;李志全【作者单位】燕山大学电气工程学院,河北秦皇岛066004;燕山大学电气工程学院,河北秦皇岛066004;哈尔滨工业大学控制与仿真中心,黑龙江哈尔滨150080;燕山大学电气工程学院,河北秦皇岛066004;燕山大学电气工程学院,河北秦皇岛066004【正文语种】中文【中图分类】O436【相关文献】1.基于U型波导耦合单微环结构的高灵敏度湿度传感器 [J], 李志全;王禄娜;李欣;张鑫2.一种新型光学微环谐振腔加速度传感器的研究 [J], 李志全;王文娟;郭士亮3.一种新型微纳无线湿度传感器的研制 [J], 蒋珂玮;张健;刘伟景;万丽娟;陶佰睿4.一种改进的微环谐振器耦合MZI型光学滤波器 [J], 宫原野; 董姗姗; 牛长流; 丁智; 沈志兴5.一种新型高灵敏度光电微压传感器 [J], 郑为民;钱浚霞因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。