中科院
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中科院的研究所信息中科院(中国科学院)是中国最高科学技术研究机构之一,于1949年由中央人民政府成立。
中科院由面向国家发展需求和科学前沿的研究所、实验站、自然科学研究中心、工程技术研究中心、创新中心、大科学实验装置和高技术创新企业等组成,是我国自然科学研究和高新技术创新的重要基地和智力支撑。
中科院的研究所拥有雄厚的科研实力和丰富的科研资源。
研究所的科研团队由一批在各自领域具有国际影响力的科学家组成,包括院士、优秀青年科学家、国家杰出青年科学基金获得者等。
研究所的科研设施和仪器设备先进完备,为科学家的研究提供了有力支持。
研究所还建立了一系列合作机制和交流平台,与国内外其他科研机构、高校、企业等开展合作研究,推动科研成果的转化和应用。
中科院的研究所在科学研究、人才培养和科技创新方面取得了许多重要成果。
从科学研究的角度来看,中科院的研究所在自然科学、社会科学、工程与技术等领域取得了多方面的突破。
在自然科学领域,中科院的研究所在新一代信息技术、材料科学、能源科学、生命科学等前沿领域取得了一系列重要成果,为国家的技术进步和创新发展做出了巨大贡献。
在社会科学领域,中科院的研究所在经济学、法学、心理学、社会学等领域开展了一系列深入研究,为国家的社会经济发展和社会治理提供了重要支撑。
在人才培养方面,中科院的研究所致力于培养和选拔一流的科学家和人才。
研究所设有博士后流动站、硕士研究生培养点、博士研究生培养点等,培养了一大批优秀的科研人才。
中科院的研究所还积极开展国际合作与学术交流,引进国外优秀的科学家来中科院工作或开展合作研究,培养本土科研人员,促进国际科学交流与合作。
在科技创新方面,中科院的研究所主动适应国家经济社会发展需求,将科学研究成果转化为实际应用并推动科技创新。
研究所积极与企业、政府等合作,开展技术研发、技术转移等工作,推动科技成果产业化,为国家的经济发展和社会进步做出了积极贡献。
总之,中科院的研究所作为我国最高科学技术研究机构,具有雄厚的科研实力和丰富的科研资源,在科学研究、人才培养和科技创新等方面发挥着重要作用。
中国科学院有多少个研究院?一、中国科学院的研究院体系中国科学院是由中国科学院院部和中国科学院的各个研究所组成。
中国科学院院部负责协调和管理全院的工作,而研究所则是中国科学院的基本单位,负责具体的科学研究和技术开发。
二、中国科学院的研究院数量截至2020年,中国科学院共有104个研究所。
这些研究所涵盖了物理、化学、生物、地学、工程技术等多个学科领域,是我国科学研究的重要力量。
三、中国科学院的著名研究院在中国科学院的104个研究所中,有一些研究所因其在相关领域的重大成果和卓越贡献而成为科学界的佼佼者。
以下是其中的几个著名研究院:1. 中国科学院物理研究所(简称“中国物理”)中国科学院物理研究所是中国科学院最早成立的研究所之一,也是我国最重要的物理研究机构之一。
该研究所以物理学为主要研究方向,涉及到了凝聚态物理、高能物理、量子信息等多个前沿领域。
中国科学院物理研究所在高能物理、凝聚态物理等领域取得了一系列重要的研究成果,为我国物理学的发展做出了巨大贡献。
2. 中国科学院生物物理研究所(简称“生物物理”)中国科学院生物物理研究所是我国生物医学研究的重要机构之一。
该研究所致力于生命科学的前沿研究和交叉学科研究,在结构生物学、生物医学工程等领域取得了多项重要成果。
中国科学院生物物理研究所在细胞生物学、蛋白质结构解析等方面处于国际领先水平,为我国生物医学研究的发展做出了重要贡献。
3. 中国科学院计算机网络信息中心(简称“中科院网络中心”)中国科学院计算机网络信息中心是我国网络与信息技术领域的重要研究机构,负责中国科学院的信息化建设和网络技术研究工作。
中科院网络中心在信息安全、大数据分析和网络技术等领域有着丰富的研究经验和突出贡献,为保护我国信息安全和推动信息技术创新发展发挥了重要作用。
四、中国科学院的研究院在科学研究中的作用中国科学院的研究院在我国科学研究中发挥着重要作用。
首先,研究院是我国科技创新的主力军,为国家经济社会发展提供了重要支撑。
中科院补助标准一、背景介绍中科院(中国科学院)作为国家最高学术机构和全国自然科学与高技术的综合研究与发展中心,承担着国家重大科技基础设施的建设、科学研究和技术创新等重要使命。
为了推动科学研究的发展,中科院设立了补助标准,用于支持科研项目和科研人员的发展。
二、补助标准的意义中科院补助标准的设立对于科研项目和科研人员来说具有重要的意义。
首先,补助标准能够鼓励科研人员积极投身科学研究,提高科研人员的积极性和创造力。
其次,补助标准能够为科研项目提供必要的经费支持,确保科研项目能够顺利进行。
最后,补助标准还可以提高科学研究的水平和影响力,促进国家科学技术的发展。
三、补助标准的分类中科院的补助标准可以分为以下几类:1. 科研项目补助标准科研项目补助标准主要涉及到科研项目的经费支持。
根据科研项目的不同性质和规模,中科院为科研项目设定了不同的补助标准。
例如,对于重大科研项目,中科院将提供更多的经费支持,以确保项目的顺利进行。
2. 科研人员补助标准科研人员补助标准主要用于支持科研人员的科研活动和个人发展。
中科院为科研人员设定了科研经费、差旅费补助、住房补贴等多种补助标准,以满足科研人员的各种需求。
3. 学术交流补助标准学术交流是科学研究中不可或缺的一部分,中科院通过设立学术交流补助标准来支持科研人员进行国内外学术交流活动。
补助标准包括差旅费、会议费、出版费等多个方面,以鼓励科研人员广泛参与学术交流。
4. 科技成果转化补助标准科技成果转化是科学研究的最终目标之一,中科院通过设立科技成果转化补助标准来支持科技成果的推广和应用。
补助标准主要包括技术转让费、科技成果鉴定费等,以激励科研人员积极参与科技成果的转化工作。
四、补助标准的适用范围中科院的补助标准主要适用于中科院旗下各个研究所和科研机构。
在申请补助时,科研人员需要提供相应的申请材料,经过立项和评审程序,最终确定是否符合补助标准及具体的补助金额。
五、补助标准的效益及问题中科院的补助标准在促进科研项目和科研人员的发展方面发挥了重要作用。
中科院骨干人才、核心人才认定标准一、背景介绍我国科学院(以下简称中科院)是我国最高级别的科学研究机构之一,拥有众多优秀的科研人才。
为了更好地选拔和培养具有卓越科研能力的人才,中科院制定了骨干人才和核心人才认定标准,以便对其进行相应的评定和支持。
二、骨干人才认定标准1. 学术水平骨干人才应该具有较高的学术水平,已在国内外权威期刊上发表过一定数量的高水平学术论文,或者已取得相关学术成果并在同行业具有一定的影响力。
2. 学术贡献骨干人才应该在所在领域有明显的学术贡献,能够主持国家级或国际级科研项目,并取得显著成果,对学科发展有重要影响。
3. 学术声誉骨干人才应该在学术界享有较高的声誉,被同行所认可并给予肯定,能够成为所在领域的技术和学术标杆。
4. 学术潜力骨干人才应该具有较高的学术潜力,有望在未来在所在领域取得重要的学术突破,并成为学科领域的领军人物。
三、核心人才认定标准1. 突出贡献核心人才应该在所在领域有非常突出的贡献,能够在国际上产生重要影响,对学科发展做出不可替代的贡献。
2. 领军能力核心人才应该具有较强的领军能力,能够在科研项目的组织和实施中发挥重要作用,并对团队成员产生积极的影响。
3. 学术地位核心人才应该在学术界享有非常高的地位,被国际同行所认可并给予高度评价,是所在领域的领军人物。
4. 前沿研究核心人才应该致力于前沿领域的研究工作,能够提出并解决重大科学问题,对学科发展具有引领作用。
四、总结中科院骨干人才和核心人才认定标准旨在通过对科研人才的优秀表现进行评价和认定,以鼓励和支持他们在学术研究上的持续努力和突出表现。
这一认定标准的建立,为广大科研人员搭建了一个展示自己才华的评台,也为科研工作的持续发展提供了人才保障。
希望通过这样的认定标准,能够吸引更多的优秀科研人才加入到中科院的大家庭中,共同推动我国科学技术事业的蓬勃发展。
五、鼓励措施针对被认定为骨干人才和核心人才的科研人员,中科院实施了一系列的鼓励措施,以激励其在科研工作中取得更大的成就。
中科院分区标准
中科院分区标准是指中国科学院对全球科技期刊进行分类的一种标准。
该标准主要是为了方便科学家和研究人员在科技期刊中查找相关的研究成果,同时也是对科技期刊的一种评价标准。
中科院分区标准主要分为三个等级:一区、二区和三区。
其中,一区是指科技期刊的影响因子较高,研究成果具有较高的学术价值和影响力,是国际上公认的高水平科技期刊。
二区是指科技期刊的影响因子较为一般,研究成果具有一定的学术价值和影响力,是一些较为重要的科技期刊。
三区是指科技期刊的影响因子较低,研究成果具有一定的学术价值,但影响力较小,是一些较为普通的科技期刊。
中科院分区标准的制定是基于科技期刊的影响因子、被引频次、论文质量等多个因素进行评估的。
影响因子是指科技期刊的影响力大小,是衡量科技期刊学术水平的重要指标。
被引频次是指科技期刊中的论文被其他学者引用的次数,也是衡量科技期刊学术水平的重要指标。
论文质量是指科技期刊中的论文质量高低,包括研究方法、数据分析、实验设计等多个方面。
中科院分区标准的实施对于科学研究和学术交流具有重要意义。
一方面,科学家和研究人员可以通过查阅一区和二区的科技期刊,了
解最新的研究成果和学术动态,提高自己的学术水平和研究能力。
另一方面,科技期刊的分区也是对期刊编辑和出版社的一种评价标准,可以促进科技期刊的质量提高和学术水平的提升。
中科院分区标准是科技期刊分类和评价的重要标准,对于科学研究和学术交流具有重要意义。
科学家和研究人员应该根据自己的研究方向和需求,选择合适的科技期刊进行阅读和发表论文,提高自己的学术水平和研究能力。
中科院重庆分院的级别
摘要:
1.中科院重庆分院的概述
2.中科院重庆分院的级别和地位
3.中科院重庆分院的主要职能和研究方向
4.中科院重庆分院的历史沿革
5.中科院重庆分院的贡献和影响
正文:
【中科院重庆分院的概述】
中国科学院重庆分院,简称中科院重庆分院,位于重庆市南岸区学府大道33 号。
成立于1958 年,是新中国成立后,我国在西南地区建立的第一个综合性研究机构,具有重要的地位和影响力。
【中科院重庆分院的级别和地位】
中科院重庆分院是中国科学院的二级单位,属于正厅级事业单位。
它在我国的科学研究体系中,具有举足轻重的地位,为我国的科技发展和经济建设做出了巨大贡献。
【中科院重庆分院的主要职能和研究方向】
中科院重庆分院的主要职能是进行原创性、前沿性和战略性的科学研究,为国家的科技创新和服务社会经济发展提供智力支持。
其研究方向涵盖了物理、化学、生物、地理、资源与环境等多个学科领域。
【中科院重庆分院的历史沿革】
中科院重庆分院的前身为1958 年创建的中国科学院重庆办事处,1962 年正式更名为中国科学院重庆分院。
历经多次调整和改革,中科院重庆分院现已发展成为具有雄厚科研实力和人才储备的综合性研究机构。
【中科院重庆分院的贡献和影响】
中科院重庆分院自成立以来,承担了大量的国家自然科学基金、国家重点研发计划等科研项目,取得了世界领先的科研成果。
中科院出差住宿标准
嘿,朋友们!咱今儿来聊聊中科院出差住宿标准这档子事儿。
你说这出差啊,住宿可太重要啦!就好比咱出门得有双舒服的鞋,不然这一路得多别扭呀。
中科院的出差住宿标准呢,那可是有讲究的。
一般来说呀,会根据出差的地点和时间来安排。
你想想看,要是去个大城市,那住宿条件肯定不能太差吧,不然咋休息好呢,第二天还咋精神饱满地工作呀!但要是去个小地方,也得保证基本的干净整洁和舒适呀。
这就好像咱吃饭,不能顿顿大鱼大肉,但也不能老是馒头咸菜呀。
得根据情况来,该享受的时候享受,该节省的时候节省。
这住宿标准也是一样的道理呀。
咱说要是住得太差,那晚上睡不好,第二天迷迷糊糊的,工作能做好吗?那肯定不行呀!但要是太奢侈浪费了,那也不合适呀,毕竟咱是去工作,不是去享受度假的。
你再想想,要是两个人一起出差,住个标准间不就挺好嘛,还能互相有个照应,晚上还能讨论讨论工作呢。
但要是一个人出差,那就得根据自己的情况来选合适的房间啦。
有时候我就想呀,这住宿标准就像是一把尺子,得好好量一量,不能太长也不能太短。
长了浪费,短了又不舒服。
咱可不能小看这住宿问题,这可是关系到出差的质量和效率的大事儿呢!要是住得不舒服,那心情能好吗?心情不好工作能顺利吗?这一连串的反应可不得了哇!
所以呀,大家一定要好好了解中科院的出差住宿标准,按照规定来,这样既能保证工作顺利进行,又能让自己住得舒心。
总之呢,这中科院出差住宿标准就是咱出差路上的一个重要保障,咱可得重视起来,别不当回事儿!让我们都能在出差的时候住得安心,工作得顺心!。
中科院高等研究院中科院高等研究院,全称中国科学院高等研究院(简称CASIP),是中国科学院直属、以集聚国内外高水平科技人才、开展前沿交叉研究为主要任务的创新型研究机构。
下面是关于中科院高等研究院的700字介绍。
中科院高等研究院成立于2014年,是中国科学院为推进自主创新、培养高层次人才、增强科学家国际竞争力而设立的创新平台。
中科院高等研究院宗旨是通过开展创新性、前沿性的交叉研究,培养具有国际竞争力的青年科学家,促进科研人员跨学科、跨领域的合作交流,推动中国科学事业的卓越发展。
中科院高等研究院以打破传统学科壁垒、跨学科交叉为特色,强调开放、灵活的合作机制。
该院旨在培养青年科学家的创新能力,有效解决国家重大科学问题,并推动相关科学研究结果快速转化为现实产出。
通过开展前沿交叉研究,中科院高等研究院旨在推动不同领域科学家之间的交流合作,提高科学研究的整体水平。
中科院高等研究院设有多个研究所,每个研究所聚焦不同的研究领域。
例如,光子学研究所致力于光学与光子学领域的研究,通过开展光子学交叉研究,推动光学与光子学在信息技术、生物医学、能源等领域的应用;化学与材料科学研究院聚焦于化学与材料科学领域的研究,开展跨学科的研究,推动化学与材料科学的创新发展。
中科院高等研究院强调导师制和跨学科培养,为青年科学家提供优质的导师团队和广泛的学术资源,培养他们的创新意识和独立思考能力。
同时,该院鼓励科学家之间的跨学科合作,促进不同学科领域的交流与碰撞。
中科院高等研究院为青年科学家提供一个开放、自由的研究环境,鼓励他们在研究过程中尝试创新的想法,并与其他科学家合作解决科学问题。
中科院高等研究院致力于成为我国首屈一指的前沿交叉研究机构,培养出一批国际一流的科学家,推动我国科学事业的发展。
通过国际合作、学科交叉、人才培养等方面的努力,中科院高等研究院将为我国科学家提供更广阔的发展空间,为推动中国科学的进步和创新做出贡献。
中科院分区的标准中科院分区是中国科学院根据国内科研力量分布情况而制定的一种行政划分标准,用于推动科研合作、资源共享和优秀科研成果的集中发展。
中科院分区标准主要根据科研机构和人才的数量、质量、科研能力及科研成果等方面的指标进行评估,并根据评估结果划分不同的区域。
以下是对中科院分区标准的详细介绍和相关参考内容。
一、中科院分区标准的主要内容1.科研机构数量:评估一个地区科研机构的数量,并根据其数量在全国范围内逐级划分,数量越大的地区分级越高。
2.科研机构质量:评估科研机构的学科建设和学科影响力,通过评估机构的师资力量、科研经费和科研成果等方面的指标,来确定科研机构的质量水平。
3.科研能力:评估科研机构的科研能力和技术创新水平,包括科研成果转化能力、专利发明数量和研发经费投入等指标。
4.科研成果:评估科研机构的科研成果的质量和数量,包括发表的论文数量、引用率和论文影响因子等指标。
二、中科院分区标准的参考内容1.科研机构数量方面的参考内容:根据国内科研机构的分布情况,评估地区内科研机构的数量,包括各类高校、研究所、院士工作站等。
参考内容:各级科研机构的数量统计数据,包括各省级、地市级的科研机构数量。
2.科研机构质量方面的参考内容:评估科研机构的学科建设情况,包括学科专业的设置、师资力量、科研实力和学科影响力等。
参考内容:各级科研机构的学科建设情况,包括师资力量和科研能力等数据。
3.科研能力方面的参考内容:评估科研机构的科研能力和技术创新水平,包括科研成果转化能力、专利发明数量和研发经费投入等指标。
参考内容:各级科研机构的科研成果转化情况、专利发明数量和研发经费投入等数据。
4.科研成果方面的参考内容:评估科研机构的科研成果的质量和数量,包括发表的论文数量、引用率和论文影响因子等指标。
参考内容:各级科研机构的论文发表数量和影响因子等数据。
三、中科院分区标准的指导意义1.推动科研合作:根据分区结果,科研机构之间可以更好地开展合作,共享科研资源,提高科研成果的质量和数量。
中科院招收条件《中科院招收条件》我有一个好朋友叫小李,他呀,心中一直怀揣着一个科研梦,梦想着有一天能进入中科院大展身手。
有一天我们俩闲聊,他满脸憧憬地对我说:“你说像中科院这么高大上的地方,得啥样的人才能进去呢?”我想了想,这还真不是一两句能说清的事儿,今天就来说说中科院招收的那些条件。
中科院的招收类型丰富多样,不同的招收途径条件上也会有所差别。
先说说研究生招生吧。
如果是想报考中科院的硕士研究生,首先学业成绩那得相当不错。
一般来说,本科学历是基本要求,本科学校的背景虽然不能完全决定你的命运,但如果是重点院校的相关专业,也算是一个优势。
成绩方面,本科阶段的专业课程成绩一定要好,GPA最好能高一些,像那些经常在及格线附近徘徊的同学,恐怕就比较难了。
另外,在科研能力上要有一定的体现。
这怎么说呢?比如说你在本科期间参加过学校的一些科研项目,哪怕是跟着老师打打杂,也能增长见识积累经验嘛。
还有就是发表论文啦,要是能在一些知名的学术期刊上发表过论文,或者哪怕是学术会议论文,那可就很加分了。
有一次我认识的一个学长去参加中科院的研究生面试,他就提到自己在本科跟着导师做项目过程中,发现了一个小问题,经过自己琢磨外加导师的指导,写了一篇小论文发表了。
这在面试的时候立马让面试官眼睛一亮呢!英语能力也很重要。
毕竟中科院很多研究成果是需要面向国际的,而且要借鉴大量的国际前沿文献。
考研英语的成绩不能太差,听说读写四个方面都得有点真本事。
我记得有一对师兄弟一起报考中科院,师兄其他方面都不错,就是英语的口语不太好,一到英语面试的环节就磕磕巴巴。
师弟呢,虽然整体成绩稍逊一点,但英语流利得像是说母语,在综合考量下,师弟反而被录取了。
在博士研究生的招收上,要求就更高一筹了。
要有更扎实深厚的专业知识基础,毕竟博士是要在某个领域做深度研究的。
对科研能力那是要求更强,博士入学前就需要有清晰的科研规划,有自己想深入研究的课题方向。
一般还要求在相关领域已经有一定的科研成果积累,比如高质量的论文、发明专利之类的。
一、考试内容48号(一)半导体的电子状态:33623 037半导体的晶格结构和结合性质,半导体中的电子状态和能带,半导体中的电子运动和有效质量,本征半导体的导电机构,空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构,III-V族化合物半导体的能带结构,II-VI族化合物半导体的能带结构正门对面(二)半导体中杂质和缺陷能级:同济大学四平路硅、锗晶体中的杂质能级,III-V族化合物中杂质能级,缺陷、位错能级kaoyantj(三)半导体中载流子的统计分布共济网状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓度,杂质半导体的载流子浓度,一般情况下的载流子统计分布,简并半导体336 26038(四)半导体的导电性33623 037载流子的漂移运动,迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率及其与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程,电导率的统计理论,强电场下的效应,热载流子,多能谷散射,耿氏效应3362 3039(五)非平衡载流子院非平衡载流子的注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式,连续性方程式33623 037(六)p-n结考p-n结及其能带图,p-n结电流电压特性,p-n结电容,p-n结击穿,p-n结隧道效应336 26038(七)金属和半导体的接触济金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触整流理论,少数载流子的注入和欧姆接触200092(八)半导体表面与MIS结构共济表面态,表面电场效应,MIS结构的电容-电压特性,硅─二氧化硅系数的性质,表面电导及迁移率,表面电场对p-n结特性的影响48号(九)异质结共异质结及其能带图,异质结的电流输运机构,异质结在器件中的应用,半导体超晶格业(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象半导体的光学常数,半导体的光吸收,半导体的光电导,半导体的光生伏特效应,半导体发光,半导体激光,热电效应的一般描述,半导体的温差电动势率,半导体的玻尔帖效应,半导体的汤姆孙效应,半导体的热导率,半导体热电效应的应用,霍耳效应,磁阻效应,磁光效应,量子化霍耳效应,热磁效应,光磁电效应,压阻效应,声波和载流子的相互作用二、考试要求(一)半导体的晶格结构和电子状态1.了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
2.理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
3.掌握半导体中的电子运动规律,理解有效质量的意义。
4.理解本征半导体的导电机构,理解空穴的概念。
5.熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
6.理解硅和锗的能带结构,掌握有效质量的计算方法。
7.了解III-V族化合物半导体的能带结构。
8.了解II-VI族化合物半导体的能带结构。
(二)半导体中杂质和缺陷能级1.理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
2.简单计算浅能级杂质电离能。
3.了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
4.了解III-V族化合物中杂质能级的概念。
5.理解点缺陷、位错的概念。
(三)半导体中载流子的统计分布1.深入理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。
2.深入理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。
3.深入理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
4.深入理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
5.理解并掌握一般情况下的载流子统计分布。
6.深入理解并熟练掌握简并半导体的概念,简并半导体的载流子浓度的表示方法,简并化条件。
了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应。
(四)半导体的导电性1.深入理解迁移率的概念。
并熟练掌握载流子的漂移运动,包括公式。
2.深入理解载流子的散射的概念。
3.深入理解并熟练掌握迁移率与杂质浓度和温度的关系,包括公式。
4.深入理解并熟练掌握电阻率及其与杂质浓度和温度的关系,包括公式。
5.深入理解电导率的统计理论。
并熟练掌握玻尔兹曼方程。
6.了解强电场下的效应和热载流子的概念。
7.了解多能谷散射概念和耿氏效应。
(五)非平衡载流子1.深入理解非平衡载流子的注入与复合的概念,包括表达式。
2.深入理解非平衡载流子的寿命的概念,包括表达式、能带示意图。
3.深入理解准费米能级的概念,包括表达式、能带示意图。
4.了解复合理论,理解直接复合、间接复合、表面复合、俄歇复合的概念,包括表达式、能带示意图。
5.了解陷阱效应,包括表达式、能带示意图。
6.深入理解并熟练掌握载流子的扩散运动,包括公式。
7.深入理解并熟练掌握载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式。
并能灵活运用。
8.深入理解并熟练掌握连续性方程式。
并能灵活运用。
(六)p-n结1.深入理解并熟练掌握p-n结及其能带图,包括公式、能带示意图。
2.深入理解并熟练掌握p-n结电流电压特性,包括公式、能带示意图。
3.深入理解p-n结电容的概念,熟练掌握p-n结电容表达式、能带示意图。
4.深入理解雪崩击穿、隧道击穿热击穿的概念。
5.了解p-n结隧道效应。
(七)金属和半导体的接触1.了解金属半导体接触及其能带图。
理解功函数、接触电势差的概念,包括公式、能带示意图。
了解表面态对接触势垒的影响。
2.了解金属半导体接触整流理论。
深入理解并熟练掌握扩散理论、热电子发射理论、镜像力和隧道效应的影响、肖特基势垒二极管的概念。
3.了解少数载流子的注入和欧姆接触的概念。
(八)半导体表面与MIS结构1.深入理解表面态的概念。
2.深入理解表面电场效应,空间电荷层及表面势的概念,包括能带示意图。
深入理解并熟练掌握表面空间电荷层的电场、电势和电容的关系,包括公式、示意图。
并能灵活运用。
3.深入理解并熟练掌握MIS结构的电容-电压特性,包括公式、示意图。
并能灵活运用。
4.深入理解并熟练掌握硅─二氧化硅系数的性质,包括公式、示意图。
并能灵活运用。
5.理解表面电导及迁移率的概念。
6.了解表面电场对p-n结特性的影响。
(九)异质结1.理解异质结及其能带图,并能画出示意图。
2.了解异质结的电流输运机构。
3.了解异质结在器件中的应用。
4.了解半导体超晶格的概念。
(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象1.了解半导体的光学常数,理解折射率、吸收系数、反射系数、透射系数的概念。
了解半导体的光吸收现象,理解本征吸收、直接跃迁、间接跃迁的概念。
了解半导体的光电导的概念。
理解并掌握半导体的光生伏特效应,光电池的电流电压特性的表达式。
了解半导体发光现象,理解辐射跃迁、发光效率、电致发光的概念。
了解半导体激光的基本原理和物理过程,理解自发辐射、受激辐射、分布反转的概念。
2.了解热电效应的一般描述,半导体的温差电动势率,半导体的珀耳帖效应,半导体的汤姆孙效应,半导体的热导率,半导体热电效应的应用。
3.理解并掌握霍耳效应的概念和表示方法。
理解磁阻效应。
了解磁光效应,量子化霍耳效应,热磁效应,光磁电效应,压阻效应。
了解声波和载流子的相互作用。
中科院研究生院硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。
半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程,它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。
要求考生对其基本概念有较深入的了解,能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用,并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
一、考试内容(一)半导体的电子状态:半导体的晶格结构和结合性质,半导体中的电子状态和能带,半导体中的电子运动和有效质量,本征半导体的导电机构,空穴,回旋共振,硅和锗的能带结构,III-V族化合物半导体的能带结构,II-VI族化合物半导体的能带结构(二)半导体中杂质和缺陷能级:硅、锗晶体中的杂质能级,III-V族化合物中杂质能级,缺陷、位错能级(三)半导体中载流子的统计分布状态密度,费米能级和载流子的统计分布,本征半导体的载流子浓度,杂质半导体的载流子浓度,一般情况下的载流子统计分布,简并半导体(四)半导体的导电性载流子的漂移运动,迁移率,载流子的散射,迁移率与杂质浓度和温度的关系,电阻率及其与杂质浓度和温度的关系,玻尔兹曼方程,电导率的统计理论,强电场下的效应,热载流子,多能谷散射,耿氏效应(五)非平衡载流子非平衡载流子的注入与复合,非平衡载流子的寿命,准费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的扩散运动,载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式,连续性方程式(六)p-n结p-n结及其能带图,p-n结电流电压特性,p-n结电容,p-n结击穿,p-n结隧道效应(七)金属和半导体的接触金属半导体接触及其能级图,金属半导体接触整流理论,少数载流子的注入和欧姆接触(八)半导体表面与MIS结构表面态,表面电场效应,MIS结构的电容-电压特性,硅─二氧化硅系数的性质,表面电导及迁移率,表面电场对p-n结特性的影响(九)异质结异质结及其能带图,异质结的电流输运机构,异质结在器件中的应用,半导体超晶格(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象半导体的光学常数,半导体的光吸收,半导体的光电导,半导体的光生伏特效应,半导体发光,半导体激光,热电效应的一般描述,半导体的温差电动势率,半导体的玻尔帖效应,半导体的汤姆孙效应,半导体的热导率,半导体热电效应的应用,霍耳效应,磁阻效应,磁光效应,量子化霍耳效应,热磁效应,光磁电效应,压阻效应,声波和载流子的相互作用二、考试要求(一)半导体的晶格结构和电子状态1.了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。
2.理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。
3.掌握半导体中的电子运动规律,理解有效质量的意义。
4.理解本征半导体的导电机构,理解空穴的概念。
5.熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。
6.理解硅和锗的能带结构,掌握有效质量的计算方法。
7.了解III-V族化合物半导体的能带结构。
8.了解II-VI族化合物半导体的能带结构。
(二)半导体中杂质和缺陷能级1.理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。
2.简单计算浅能级杂质电离能。
3.了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。
4.了解III-V族化合物中杂质能级的概念。
5.理解点缺陷、位错的概念。
(三)半导体中载流子的统计分布1.深入理解并熟练掌握状态密度的概念和表示方法。
2.深入理解并熟练掌握费米能级和载流子的统计分布。
3.深入理解并熟练掌握本征半导体的载流子浓度的概念和表示方法。
4.深入理解并熟练掌握杂质半导体的载流子浓度的概念和表示方法。