电子科技大学二零零四

2023电子科技大学各省招生计划及招生人数2023电子科技大学在四川的招生专业及人数2023电子科技大学在四川具体专业招生计划如下：地区专业招生计划学制招生名称科类计划性质四川电子信息类（“成电英才计划”拔尖创新人才实验班）10四年电子科技大学理工类普通四川物联网工程（“互联网+”复合型精英人才双学位培养计划）5四年电子科技大学理工类普通四川电子信息类（信息与通信）48四年电子科技大学理工类普通四川工科试验班（电子工程类）29四年电子科技大学理工类普通四川新能源材料与器件（“互联网+”复合型精英人才双学位培养计划）8四年电子科技大学理工类普通四川工科试验班（新材料、新能源与电子化学）2四年电子科技大学理工类普通四川智能电网信息工程（“互联网+”复合型精英人才双学位培养计划）10四年电子科技大学理工类普通四川工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）13四年电子科技大学理工类普通四川电子信息类（光电集成与光网络）13四年电子科技大学理工类普通四川工科试验班（智能仪器、智能控制）27四年电子科技大学理工类普通四川工科试验班（电子信息与地球科学复合培养）2四年电子科技大学理工类普通四川计算机科学与技术（国家“珠峰计划”拔尖人才实验班）5四年电子科技大学理工类普通四川计算机科学与技术（智能金融与区块链金融“双A”联合实验班）9四年电子科技大学理工类普通四川计算机科学与技术（“互联网+”复合型精英人才双学位培养计划）7四年电子科技大学理工类普通四川计算机类24四年电子科技大学理工类普通四川航空航天工程（智能无人机拔尖人才实验班）6四年电子科技大学理工类普通四川航空航天类（飞行器控制信息、无人机应用）8四年电子科技大学理工类普通四川数据科学与大数据技术（“互联网+”复合型精英人才双学位培养计划）4四年电子科技大学理工类普通四川数学类（大数据与智能计算、数学及应用、计算科学）11四年电子科技大学理工类普通四川电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）7四年电子科技大学理工类普通四川生物医学工程类（医工交叉、信息生物与基因工程）2四年电子科技大学理工类普通四川金融学（“互联网+”复合型精英人才双学位培养计划）7四年电子科技大学理工类普通四川经济管理试验班（管理与电子工程双学位）31四年电子科技大学理工类普通四川信息管理与信息系统2四年电子科技大学理工类普通四川微电子科学与工程19四年电子科技大学理工类普通四川信息管理与信息系统21四年电子科技大学文史类普通四川社会科学试验班（公共管理与法律复合人才培养）45四年电子科技大学文史类普通四川外国语言文学类36四年电子科技大学文史类普通四川电子信息类（信息与通信）11四年电子科技大学理工类国家专项四川工科试验班（电子工程类）17四年电子科技大学理工类国家专项四川工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）5四年电子科技大学理工类国家专项四川电子信息类（光电集成与光网络）4四年电子科技大学理工类国家专项四川工科试验班（智能仪器、智能控制）5四年电子科技大学理工类国家专项四川计算机类7四年电子科技大学理工类国家专项四川电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）4四年电子科技大学理工类国家专项四川微电子科学与工程2四年电子科技大学理工类国家专项四川电子信息类（信息与通信）11四年电子科技大学理工类高校专项四川工科试验班（电子工程类）5四年电子科技大学理工类高校专项四川工科试验班（新材料、新能源与电子化学）4四年电子科技大学理工类高校专项四川工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）6四年电子科技大学理工类高校专项四川电子信息类（光电集成与光网络）7四年电子科技大学理工类高校专项四川工科试验班（电子信息与地球科学复合培养）4四年电子科技大学理工类高校专项四川计算机类5四年电子科技大学理工类高校专项四川集成电路设计与集成系统（国家示范性微电子学院）50四年电子科技大学(沙河校区)理工类普通四川软件工程（国家示范性软件学院）180四年电子科技大学(沙河校区)理工类普通四川软件工程（“互联网+”培养实验班）27四年电子科技大学(沙河校区)理工类普通四川软件工程（工业软件）43四年电子科技大学(沙河校区)理工类普通四川临床医学16五年电子科技大学(沙河校区)理工类普通四川电子信息类(中外合作办学)（电子信息）98四年电子科技大学(沙河校区)理工类普通四川电子信息类(中外合作办学)（通信、微电子）107四年电子科技大学(沙河校区)理工类普通四川电子信息类(中外合作办学）（海南陵水国际教育创新区）52四年电子科技大学(沙河校区)理工类普通2023电子科技大学在云南的招生专业及人数2023电子科技大学在云南具体专业招生计划如下：地区专业招生计划学制招生名称科类计划性质云南电子信息类（信息与通信）21四年电子科技大学理工类普通云南工科试验班（电子工程类）19四年电子科技大学理工类普通云南工科试验班（新材料、新能源与电子化学）2四年电子科技大学理工类普通云南工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）9四年电子科技大学理工类普通云南电子信息类（光电集成与光网络）10四年电子科技大学理工类普通云南工科试验班（智能仪器、智能控制）10四年电子科技大学理工类普通云南工科试验班（电子信息与地球科学复合培养）2四年电子科技大学理工类普通云南计算机类17四年电子科技大学理工类普通云南航空航天类（飞行器控制信息、无人机应用）3四年电子科技大学理工类普通云南数学类（大数据与智能计算、数学及应用、计算科学）4四年电子科技大学理工类普通云南电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）6四年电子科技大学理工类普通云南生物医学工程类（医工交叉、信息生物与基因工程）5四年电子科技大学理工类普通云南电子信息类（信息与通信）6四年电子科技大学理工类国家专项云南工科试验班（电子工程类）4四年电子科技大学理工类国家专项云南工科试验班（新材料、新能源与电子化学）2四年电子科技大学理工类国家专项云南工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）2四年电子科技大学理工类国家专项云南电子信息类（光电集成与光网络）4四年电子科技大学理工类国家专项云南工科试验班（智能仪器、智能控制）2四年电子科技大学理工类国家专项云南工科试验班（电子信息与地球科学复合培养）3四年电子科技大学理工类国家专项云南航空航天类（飞行器控制信息、无人机应用）2四年电子科技大学理工类国家专项云南电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）2四年电子科技大学理工类国家专项云南生物医学工程类（医工交叉、信息生物与基因工程）5四年电子科技大学理工类国家专项云南工科试验班（电子工程类）2四年电子科技大学理工类高校专项云南工科试验班（新材料、新能源与电子化学）1四年电子科技大学理工类高校专项云南工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）1四年电子科技大学理工类高校专项云南工科试验班（智能仪器、智能控制）3四年电子科技大学理工类高校专项云南航空航天类（飞行器控制信息、无人机应用）1四年电子科技大学理工类高校专项云南数学类（数据科学与计算、数学及应用、计算科学）2四年电子科技大学理工类高校专项云南电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）2四年电子科技大学理工类高校专项云南生物医学工程类（医工交叉、信息生物与基因工程）1四年电子科技大学理工类高校专项云南微电子科学与工程1四年电子科技大学理工类高校专项2023电子科技大学在贵州的招生专业及人数2023电子科技大学在贵州具体专业招生计划如下：地区专业招生计划学制招生名称科类计划性质贵州电子信息类（信息与通信）16四年电子科技大学理工类普通贵州工科试验班（电子工程类）11四年电子科技大学理工类普通贵州工科试验班（新材料、新能源与电子化学）3四年电子科技大学理工类普通贵州工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）9四年电子科技大学理工类普通贵州电子信息类（光电集成与光网络）7四年电子科技大学理工类普通贵州工科试验班（智能仪器、智能控制）10四年电子科技大学理工类普通贵州工科试验班（电子信息与地球科学复合培养）2四年电子科技大学理工类普通贵州计算机类9四年电子科技大学理工类普通贵州航空航天工程（智能无人机拔尖人才实验班）3四年电子科技大学理工类普通贵州航空航天类（飞行器控制信息、无人机应用）3四年电子科技大学理工类普通贵州数学类（大数据与智能计算、数学及应用、计算科学）4四年电子科技大学理工类普通贵州电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）4四年电子科技大学理工类普通贵州生物医学工程类（医工交叉、信息生物与基因工程）5四年电子科技大学理工类普通贵州微电子科学与工程2四年电子科技大学理工类普通贵州社会科学试验班（公共管理与法律复合人才培养）2四年电子科技大学文史类普通贵州外国语言文学类2四年电子科技大学文史类普通贵州电子信息类（信息与通信）7四年电子科技大学理工类国家专项贵州工科试验班（电子工程类）7四年电子科技大学理工类国家专项贵州工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）2四年电子科技大学理工类国家专项贵州工科试验班（智能仪器、智能控制）3四年电子科技大学理工类国家专项贵州计算机类5四年电子科技大学理工类国家专项贵州航空航天类（飞行器控制信息、无人机应用）2四年电子科技大学理工类国家专项贵州电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）1四年电子科技大学理工类国家专项贵州微电子科学与工程1四年电子科技大学理工类国家专项贵州电子信息类（信息与通信）4四年电子科技大学理工类高校专项贵州工科试验班（电子工程类）2四年电子科技大学理工类高校专项贵州工科试验班（机器人、电气信息、智能制造）1四年电子科技大学理工类高校专项贵州电子信息类（光电集成与光网络）1四年电子科技大学理工类高校专项贵州工科试验班（电子信息与地球科学复合培养）1四年电子科技大学理工类高校专项贵州计算机类1四年电子科技大学理工类高校专项贵州电子信息类（电子信息与物理科学复合培养）1四年电子科技大学理工类高校专项电子科技大学开设的专业有哪些类别专业名称金融学类(本)金融学法学类(本)法学外国语言文学类(本)日语英语法语翻译数学类(本)信息与计算科学数学与应用数学物理学类(本)应用物理学化学类(本)应用化学地质学类(本)地球信息科学与技术生物科学类(本)生物技术机械类(本)机械设计制造及其自动化仪器类(本)测控技术与仪器材料类(本)材料科学与工程新能源材料与器件电气类(本)电气工程及其自动化光源与照明智能电网信息工程电子信息类(本)通信工程集成电路设计与集成系统电子科学与技术电子信息工程人工智能电磁场与无线技术光电信息科学与工程微电子科学与工程电波传播与天线信息工程电子信息科学与技术自动化类(本)机器人工程自动化计算机类(本)计算机科学与技术数据科学与大数据技术数字媒体技术网络工程空间信息与数字技术软件工程网络空间安全物联网工程航空航天类(本)无人驾驶航空器系统工程航空航天工程飞行器控制与信息工程兵器类(本)探测制导与控制技术信息对抗技术生物医学工程类(本)生物医学工程临床医学类(本)临床医学护理学类(本)护理学管理科学与工程类(本)信息管理与信息系统工商管理类(本)工商管理公共管理类(本)行政管理城市管理工业工程类(本)工业工程电子商务类(本)电子商务2022年电子科技大学开设的国家特色专业名单国家特色专业通信工程集成电路设计与集成系统电子科学与技术电子信息工程测控技术与仪器计算机科学与技术电磁场与无线技术网络工程光电信息科学与工程软件工程数学与应用数学新能源材料与器件。

电子科技大学二零零八到二零零九学年第二学期期末考试《数学实验》课程考试题A卷(120分钟) 考试形式：闭卷考试日期：2009年7月8日一、单项选择题(20分)1、三阶幻方又称为九宫图，提取三阶幻方矩阵对角元并构造对角阵用( )(A) diag(magic(3)); (B) diag(magic);(C) diag(diag(magic(3))); (D) diag(diag(magic))。

2、MATLAB命令P=pascal(3)将创建三阶帕斯卡矩阵，max(P)的计算结果是( )(A) 1 2 3 (B) 1 2 1 (C) 3 6 10 (D) 1 3 63、命令J=*1;1;1+**1,2,3+;A=j+j’-1将创建矩阵( )(A)123234345⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦; (B)234345456⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦(C)123123123⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦(D)111222333⎡⎤⎢⎥⎢⎥⎢⎥⎣⎦4、data=rand(1000,2);x=data(:,1);y=data(:,2);II=find(y<sqrt(x)&y>x.^2);的功能是( )(A) 统计2000个随机点中落入特殊区域的点的索引值；(B) 统计1000个随机点落入特殊区域的点的索引值；(C) 模拟2000个随机点落入特殊区域的过程；(D) 模拟1000个随机点落入特殊区域的过程。

5、MATLAB计算二项分布随机变量分布律的方法是( )(A) binocdf(x,n,p); (B) normpdf(x,mu,s); (C)binopdf(x,n,p); (D) binornd(x,n,p)。

6、MATLAB命令syms e2;f=sqrt(1-e2*cos(t)^2);S=int(f,t,0,pi/2)功能是()(A) 计算f(x)在[0,pi/2]上的积分；(B) 计算f(t)不定积分符号结果；(C) 计算f(x)积分的数值结果；(D) 计算f(t)定积分的符号结果。

电子科技大学2011年考研复试分数线公布电子科技大学2011年考研复试分数线公布根据教育部有关文件精神，结合我校实际情况，经校研究生招生领导小组研究决定，我校按照不同考试方式和不同学科分别确定初试成绩基本要求。

各学院根据名额和考试成绩等情况确定本学院初试成绩基本要求（不低于学校基本要求），并以此确定入围复试考生名单。

我校将按照德、智、体全面衡量、择优录取、保证质量、宁缺毋滥的精神和公开、公正、公平的原则进行复试与录取工作。

我校复试工作办法（含调剂）、各学院初试成绩基本要求3月底前将陆续发布在电子科技大学研招网（），校外调剂信息将于4月初发布在全国研招网“全国硕士研究生招生调剂服务系统”，不接收电话、邮件、来人来函等其他方式调剂。

电子科技大学2011年硕士研究生入学考试初试成绩基本要求一、统考学科第一单元(政治理论)第二单元(外国语)第三单元(业务课一)第四单元(业务课二)总分02经济学50 50↑90↑90↑335↑03法学50 50↑90↑90↑335↑04教育学50 50↑180↑32505文学0502外国语言文学50 60↑85↑90↑330↑0503新闻传播学50 50↑90↑90↑350↑07理学50↑50↑80↑80↑300↑08工学0808电气工程 0809电子科学与技术 0810信息与通信工程 0811控制科学与工程50↑50↑80↑80↑310↑其他50↑50↑80↑80↑300↑11军事学50↑50↑80↑80↑30012管理学1201管理科学与工程 1202工商管理50 50↑90↑90↑350↑1204公共管理50 50↑90↑90↑330↑专业学位0552翻译硕士40 50 85 90 300 0553新闻与传播硕士50 50 90 90 330 0852工程硕士50↑45↑80↑80↑285↑1251工商管理硕士45↑90 1601252公共管理硕士40 90155↓1256工程管理硕士50 90 160 分析变化：（箭头表示与2010年该校分数线对比变化↑表示上升↓表示下降）二、单考学科第一单元 (政治理论)第二单元 (外国语)第三单元 (业务课一)第四单元 (业务课二)总分04教育学60↓55↑260↑310↓其他60↓55↑85↓75↓310三、强军计划学科第一单元 (政治理论) 第二单元 (外国语) 第三单元 (业务课一) 第四单元 (业务课二) 总分所有60 40 60 60↓260↓四、少数民族骨干计划按国家初试成绩基本要求执行。

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期200 7年1 月14日注：1、本试卷满分70分，平时成绩满分15分，实验成绩满分15分；2.、本课程总成绩=试卷分数+平时成绩+实验成绩。

课程成绩构成：平时分，期中分，实验分，期末分一、选择填空（含多选题）（2×20=40分）1、锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。

A. 金刚石型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. 金刚石型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型2、简并半导体是指（ A ）的半导体。

A、(E C-E F)或(E F-E V)≤0B、(E C-E F)或(E F-E V)≥0C、能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子3、在某半导体掺入硼的浓度为1014cm-3, 磷为1015 cm-3，则该半导体为（B）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。

A. 本征，B. n型，C. p型，D. 1.1×1015cm-3,E. 9×1014cm-34、当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（ B ），并且该乘积和（E、F ）有关，而与（ C、D ）无关。

A、变化量；B、常数；C、杂质浓度；D、杂质类型；E、禁带宽度；F、温度5、在一定温度下，对一非简并n型半导体材料，减少掺杂浓度，会使得（ C ）靠近中间能级E i；如果增加掺杂浓度，有可能使得（C ）进入（A ），实现重掺杂成为简并半导体。

A、E c；B、E v；C、E F；D、E g；E、E i。

67、如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（C）。

A、变大，变大B、变小，变小C、变小，变大D、变大，变小8、最有效的复合中心能级的位置在（D ）附近，最有利于陷阱作用的能级位置位于（C ）附近，并且常见的是（ E ）陷阱。

2023年毕业生就业质量年度报告2023年毕业生就业质量年度报告1近日，学校按照教育部要求，编制完成《电子科技大学届2023年毕业生就业质量年度报告》，经校长办公会审议通过后现予以公布。

报告从毕业生就业基本情况、就业质量分析与用人单位评价、就业趋势分析、就业工作对教育教学的反馈、毕业生就业工作举措五个方面，全面总结了我校届毕业生就业情况及就业工作。

据报告，学校届毕业生共有8672人，其中本科生5047人；研究生3625人（其中硕士3367人，博士258人）。

截至7月1日，届毕业生就业率为96.83%，其中本科生就业率为96.04%，研究生就业率为97.93%。

届毕业本科生以继续深造和单位就业为主，其中电子科技大学（院校代码10614）继续深造比例为60.20%；电子科技大学（沙河校区）（院校代码19614，实施国家卓越工程师教育培养计划）继续深造比例为40.13%。

全校（含两个院校代码）继续深造比例为58.39%，单位就业比例为37.49%。

届毕业研究生以单位就业为主，其他去向为国内升学、出国（境）深造和灵活就业。

届毕业生中有5193名选择单位就业，其中30.97%的本科生和42.95%的研究生进入国防重点单位、世界500强企业和中国电子信息百强企业等重点单位就业。

毕业生就业单位性质以民营企业和国有企业为主；就业单位行业以信息传输、软件和信息技术服务业为主；就业地域主要集中在川渝地区、珠三角地区、长三角地区和京津冀地区。

在全国高校毕业生数量持续增长的情况下，学校毕业生的整体就业保持了良好的态势，就业薪酬水平提高，学科、专业对口度保持了较高水平，大多数学生对就业情况表示满意，毕业生就业继续保持了高质量。

2023年毕业生就业质量年度报告2大中专毕业生的`就业工作是牵动全社会的大事。

毕业生的就业状况是学院办学质量与办学效益的重要体现，毕业生就业工作的好坏，直接影响到我院的社会声誉，制约着我院的生源质量和可持续发展。

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试一、选择填空22分1、在硅和锗的能带结构中;在布里渊中心存在两个极大值重合的价带;外面的能带 B ;对应的有效质量 C ;称该能带中的空穴为 E ..A. 曲率大；B. 曲率小；C. 大；D. 小；E. 重空穴；F. 轻空穴2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用;则这种杂质称为 F ..A. 施主B. 受主C.复合中心D.陷阱 F. 两性杂质3、在通常情况下;GaN呈 A 型结构;具有 C ;它是 F 半导体材料..A. 纤锌矿型；B. 闪锌矿型；C. 六方对称性；D. 立方对称性；E.间接带隙； F. 直接带隙..4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体;如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4; m n*/m0值是乙的2倍;那么用类氢模型计算结果是 D ..A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3;弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2;弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3;弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9;的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/85、.一块半导体寿命τ=15μs;光照在材料中会产生非平衡载流子;光照突然停止30μs后;其中非平衡载流子将衰减到原来的 C .. A.1/4 ；B.1/e ；C.1/e2；D.1/26、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体;在温度足够高、n i>> /N D-N A/ 时;半导体具有 B 半导体的导电特性.. A.非本征 B.本征7、在室温下;非简并Si中电子扩散系数Dｎ与ＮＤ有如下图 C 所示的最恰当的依赖关系：ＤｎＤｎＤｎＤｎＣＤ8、在纯的半导体硅中掺入硼;在一定的温度下;当掺入的浓度增加时;费米能级向 A 移动；当掺杂浓度一定时;温度从室温逐步增加;费米能级向 C 移动..A.Ev ； B.Ec ； C.Ei； D. E F9、把磷化镓在氮气氛中退火;会有氮取代部分的磷;这会在磷化镓中出现 D ..A.改变禁带宽度；B.产生复合中心；C.产生空穴陷阱；D.产生等电子陷阱..10、对于大注入下的直接复合;非平衡载流子的寿命不再是个常数;它与 C ..A.非平衡载流子浓度成正比；B.平衡载流子浓度成正比；C.非平衡载流子浓度成反比；D.平衡载流子浓度成反比..11、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中;当温度升高时;电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是 B ..A.变大;变小；B.变小;变大；C.变小;变小；D.变大;变大..12、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央;则它对电子的俘获率B 空穴的俘获率;它是 D .. A.大于； B.等于； C.小于； D.有效的复合中心； E. 有效陷阱..13、在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底功函数约为4.25eV上要做出欧姆接触;下面四种金属最适合的是 A ..A. In W m=3.8eV ； B. Cr W m=4.6eV； C.Au W m=4.8eV； D. Al W m=4.2eV..14、在硅基MOS器件中;硅衬底和SiO2界面处的固定电荷是 B ;它的存在使得半导体表面的能带 C 弯曲;在C-V曲线上造成平带电压 F 偏移..A.钠离子；B.过剩的硅离子；C.向下；D.向上；E. 向正向电压方向；F. 向负向电压方向..二、简答题：5+4+6=15分12、对于掺杂的元素半导体Si、Ge中;一般情形下对载流子的主要散射机构是什么写出其主要散射机构所决定的散射几率和温度的关系..4分答：对掺杂的元素半导体材料Si、Ge;其主要的散射机构为长声学波散射1分和电离杂质散射其散射几率和温度的关系为：声学波散射：3/2s p T ∝;电离杂质散射：3/2i i p N T -∝根据题意;未含Ni 也可 3、如金属和一n 型半导体形成金属－半导体接触;请简述在什么条件下;形成的哪两种不同电学特性的接触;说明半导体表面的能带情况;并画出对应的I-V 曲线..忽略表面态的影响6分答：在金属和n 型半导体接触时;如金属的功函数为W m ; 半导体的功函数为W s .. 当W m ＞W s 时;在半导体表面形成阻挡层接触;是个高阻区;能带向上弯曲；2分 当W m ＜W s 时;在半导体表面形成反阻挡层接触;是个高电导区;能带向下弯曲；2分对应的 I-V 曲线分别为：1分 1分三、在３００Ｋ时;某Ｓｉ器件显示出如下的能带图：6+4+4=14分 １平衡条件成立吗 试证明之..6分答：成立..4分因为费米能级处处相等的半导体处于热平衡态即 0=dxdE F2分 或 E Fn =E Fp =E F 2分 或 np=n i 2 2分 或 J=0 2分２在何处附近半导体是简并的 4分答：在靠近ｘ＝L 附近 4分或 分为三个区域;每个区各为 2分或 2L/3<x<L 半对 2分３试推导流过x=x 1处的电子的电流密度表达式 4分 答： 0==+=dxdE dx dnqD E nq J F n nn μμ 四、一束恒定光源照在n 型硅单晶样品上;其平衡载流子浓度n 0=1014cm -3;且每微秒产生电子－空穴为1013cm -3..如τn =τp =2μs;试求光照后少数载流子浓度..已知本征载流子浓度n i =9.65×109cm -35分解：在光照前：光照后：五、在一个均匀的n 型半导体的表面的一点注入少数载流子空穴..在样品上施加一个50V/cm 的电场;在电场力的作用下这些少数载流子在100μs 的时间内移动了1cm;求少数载流子的漂移速率、迁移率和扩散系数..kT=0.026eV6分 解：在电场下少子的漂移速率为：4110/100cmv cm s sμ== 迁移率为：()4210/50v cm V s E μ==扩散系数为：220.026200/ 5.2/p kTD cm s cm s qμ==⨯= 六、 掺杂浓度为N D =1016cm -3的n 型单晶硅材料和金属Au 接触;忽略表面态的影响;已知：W Au =5.20eV; χn =4.0eV; Nc=1019cm -3;ln103=6.9 在室温下kT=0.026eV; 半导体介电常数εr =12; ε0=8.854×10-12 F/m;q=1.6×10-19 库;试计算：4+4+4=12分 ⑴ 半导体的功函数；4分⑵ 在零偏压时;半导体表面的势垒高度;并说明是哪种形式的金半接触;半导体表面能带的状态；⑶ 半导体表面的势垒宽度..4分 解：⑴由0exp()FD EcE N n Nc kT-==-得： 1分 1916010ln 0.026ln .184.0181()F D s F Nc Ec E kT eVN Ws Ec E eVχ-===∴=+-= 1分 ⑵ 在零偏压下;半导体表面的势垒高度为：对n 型半导体;因为Wm ＞Ws;所以此时的金半接触是阻挡层或整流接触1分;半导体表面能带向上弯曲或：直接用能带图正确表示出能带弯曲情况1分..⑶ 势垒的宽度为：1/20141/21916512()2128.8510()1.610103.710().02r D DV d qN cm εε---=⨯⨯⨯⨯=⨯⨯=⨯ 七、T=300 K 下;理想MOS 电容;其能带图如下图所示..所施加的栅极偏压使得能带弯曲;在Si-SiO 2界面E F =E i ..Si 的电子亲合势为4.0 eV ;Nc=1019cm -3..利用耗尽近似1. 半导体中达到了平衡吗 为什么 5分答：达到了平衡..因为半导体中E F 处处相等或E Fn =E Fp =E F ;或np=n i 2; 或J=0 ..2分2. 求出半导体Si-SiO 2界面E F =E i 处的电子浓度 同时绘出与该能带图对应的定性电荷块图..()39026.059.01901038.110----⨯===cm eeN n kTE Ec c F1分 0.5分 0.5分 或()1031.510FS is i E E n n cm -=∴==⨯电荷块图见上图评分标准在电荷块图下方3. 求出N D 5分4. 写出V G 详细表达式 5分⎪⎪⎭⎫⎝⎛+=+=iDB G n N q kT V V V V ln 00 或B G V V V +=0 如果两个n 型半导体构成的MOS 结构除了器件1是Al 栅;器件2是Au 栅;其它参数都相同;将导致这两个MOS 结构的高、低频C-V 特性曲线发生什么定性变化 试绘出定性高、低频C-V 特性曲线..已知W Al =4.25 eV;W Au =4.75 eV..6分1V FB Al<0; V FB Au>0或：直接在C-V 图中V G 坐标上明确标出V FB Al 位于V G 坐标轴负方向1分;V FB Au 位于V G 坐标轴正方向1分2判题时请注意;如果考生将两个C-V 曲线分别绘在两个坐标图中;注意V FB Al 是否位于V G 坐标轴负方向1分、V FB Au 是否位于V G 坐标轴正方向Al 栅C-V ：2分高频C-V 1分+低频C-V 1分 Au 栅C-V ：2分高频C-V 1分+低频C-V 1分V GV FB AlV FB Au。

……………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效…………第 1 页 共 3 页电子科技大学二零零 六 至二零零 七 学年第 一 学期期 末 考试《 通信射频电路 》 课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2007年 月 日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 分， 实验 20 分， 期末 70 分一 二 三 四 五 六 七 八 期中成绩 期末成绩 平时成绩 实验成绩 课程成绩评卷教师一．填空题（共30分，每空2分）1．常用的匹配网络有 L 型网络、T 型网络和 π 型网络。

2．一个二端口网络的噪声系数定义为输入信噪比与 输出信噪比 的比值。

3．一个完整的RF 放大器电路包括：直流偏置电路 ， 阻抗匹配电路 和控制保护电路。

4．一个放大器在1dB 压缩点的输入功率为0 dBm ，输出功率为20 dBm ，该放大器的线性增益为21dB 。

5．一个通信系统工作在环境温度0290T K =条件下，其输入信噪比为95dB ，输出信噪比为92dB ，则系统噪声系数为 3 dB ，等效噪声温度为 290K 。

6．应用Smith 阻抗导纳圆图设计匹配网络时，当串联一个电感元件时，在Smith 阻抗圆图上的阻抗点应沿 等电阻 圆顺时针方向移动；当串联一个电阻元件时，沿等电抗圆逆时针方向移动；当并联一个电感元件时，在Smith 导纳圆图上阻抗点沿 等电导 圆逆时针方向移动；当并联一个电导元件时，沿等电纳圆顺时针方向移动。

7. 振荡器按其原理可分为 反馈 型振荡器和负阻型振荡器两类。

8. 混频器有三个端口： 射频口 、本振口和 中频口 。

9. 功率放大器最重要的指标为 输出功率 与效率。

10.甲类功率放大器的效率最高可达到 50% 。

二．问答题1．功率放大器可分为A ～F 六种类型，归纳分类原则将这六类归入不同的大类，简述这些大类的特点，最后分别描述A 、B 、C 类功放的导通角情况。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期一、单项选择题（每小题1分，共35分）1、当系统频率大幅度下降时，迅速恢复频率至关重要，下列恢复频率的各措施中不正确的是____④______。

①迅速投入电力系统中的旋转备用，使频率尽可能恢复到正常值②迅速启动发电机组③当采用前两种方法不能恢复正常频率时，应及时切除部分用户负荷以便使频率尽快恢复④低频率增负荷装置动作投入部分负荷，以防止频率进一步下降2、当电力系统电压大幅度下降时，应尽快采取各种方法提高电压水平，下列各措施中不正确的是_____④_____。

①迅速调节发电机的自动励磁调节装置和强行励磁装置，以防止电压进一步下降②尽快启动发电机和调相机的热无功备用容量，如果有备用发电机组应该迅速将其投入运行③当采取前两种措施均无效时，应尽快切除电力系统中电压最低点处的用电负荷④当采取前两种措施均无效时，应尽快切除电力系统中电压最高点处的用电负荷3、下列叙述中不正确的是_____③_____。

①在稳态运行条件下，所有发电机同步运行，整个电力系统的频率是相等的②电力系统的频率控制实际上就是调节发电机组的转速③当系统负荷增加时，频率增大；负荷减小时频率降低④控制和调节各发电机原动机输入功率（转矩）可以改变系统频率4、下列叙述中不正确的是______①____。

①电力系统正常稳定运行时，全系统电压水平在各点完全相同②电力系统正常稳定运行时，全系统频率在各点完全相同③频率调整集中在发电厂，调频控制手段只有调整原动机功率这一种④电压控制可分散进行，调节控制电压的手段多种多样5、下面有关电力系统电压控制的叙述中不正确的是_____④_____。

①在各种电压控制措施中，首先应该考虑发电机调压，用这种措施不需要增加附加设备，从而不需要附加任何投资②对无功功率电源供应较为充裕的系统，采用变压器有载调压即灵活又方便③对无功功率电源不足的电力系统，首先应该解决的问题是增加无功功率电源，因此以采用并联电容器、调相机或静止补偿器为宜④控制同步发电机的励磁电流，不可能改变发电机的端电压6、将发电厂和变电所的开关信息或模拟量信息传送给调度控制中心接收端，并加以显示、指示。