Flash芯片市场情况分析
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2023年存储芯片行业市场分析报告
近年来,随着消费电子产品的普及和智能化程度的提高,存储芯片作为一种重要的电子元器件,市场需求不断增加。
同时,随着物联网、人工智能等新兴技术的发展,对于存储芯片的性能和功耗也提出了更高的要求,这也推动了存储芯片行业的发展。
当前,存储芯片市场竞争日益加剧,主要表现在以下几个方面:
一、市场龙头企业的垄断地位加强
存储芯片行业市场上,美光、英特尔、三星等大公司凭借先进的技术、不断的研发投入以及高效的生产能力形成了相对垄断的市场地位。
这些大公司能够在新品研发上不断升级产品性能并保持领先优势,稳固了自己的地位。
此外,由于存储芯片行业需要提供高性能、高品质的产品,小公司想要进入市场很难有足够的竞争力。
二、价格战加剧
随着存储芯片技术和工艺的不断发展,生产成本有所下降,原本供应商市场份额较大的厂商却没能获得高额的利润,反而在拼价格,甚至亏本赚吆喝。
需要注意的是,过度的价格竞争可能损害行业的长期利益,使制造商难以回收其研发和生产成本。
三、行业市场需求不稳定
存储芯片在市场上的需求是受到多种因素影响的,包括消费市场需求的波动、全球市场的不确定性以及国际贸易摩擦等等。
近年来,尤其是在全球贸易摩擦不断加剧的背景下,行业市场需求的不稳定性更加明显。
总体来说,虽然存储芯片市场竞争日益加剧,但好的市场对于先进技术和创新公司的开发还是有很大的潜力。
行业未来的趋势往往是研发方向的演进,例如闪存(Flash)技术、存储器内存(DRAM)等。
不断创新是存储芯片企业生存的根本,因此加强技术创新、提升产品性能、具有市场竞争力的价格是企业的核心竞争力。
65nm flash工艺晶圆一、65nm flash工艺简介1. 65nm flash工艺是一种用于生产闪存芯片的工艺,其制造工艺采用65纳米的制造工艺。
相比于传统的90nm工艺,65nm工艺制造的芯片具有更小的体积和更高的集成度。
2. 闪存芯片是一种非易失性存储器,可用于嵌入式系统、移动设备和存储卡等产品中。
随着信息技术的迅速发展,闪存芯片的需求量不断增加,65nm工艺的闪存芯片因其性能优越成为市场上的热门产品。
二、65nm flash工艺的特点1. 芯片密度高:65nm工艺可以在同样面积内集成更多的晶体管和元件,使得芯片的存储密度更高。
2. 功耗低:由于晶体管尺寸减小,65nm工艺制造的芯片在相同工作频率下的功耗更低,有助于延长设备的续航时间。
3. 性能稳定:65nm工艺可以提供更高的频率和更快的传输速度,使得闪存芯片在读写操作时表现更出色。
4. 成本控制:由于65nm工艺已经比较成熟,制造成本相对较低,有利于减少产品的成本。
三、65nm flash工艺晶圆的制造过程1. 晶圆制备:晶圆是制造芯片的基础材料,65nm工艺的晶圆制备需要经过多道工序,包括晶圆选材、切割、研磨和清洗等过程。
2. 光刻:光刻技术是将芯片上的电路图案转移到硅片上的关键工艺,65nm工艺采用的是先进的光刻技术,可以实现更高的精度和分辨率。
3. 离子注入:离子注入是调控硅片材料电学性质的关键工艺,65nm 工艺利用离子注入技术可实现芯片上的掺杂和电阻控制。
4. 薄膜沉积:薄膜沉积是在硅片表面沉积一层薄膜,用于作为电路的绝缘层或导电层,65nm工艺采用先进的化学气相沉积技术,可以实现对薄膜厚度和均匀性的精确控制。
5. 制程氧化:制程氧化是将硅片在氧气环境中进行氧化处理,形成绝缘层或氧化膜,65nm工艺的制程氧化工艺可以实现所需的氧化层厚度和均匀性要求。
6. 金属化:金属化是将芯片上的电路线路覆盖上一层金属膜,65nm 工艺利用先进的金属化工艺能够实现对电路线路的高精度制作。
2023年NOR FLASH行业市场需求分析随着越来越多的智能设备和互联网应用的发展,NOR FLASH行业市场需求持续增长。
NOR FLASH作为一种非易失性存储器,其具有快速读取速度、高可靠性、长寿命、低功耗等优点,因此在智能手机、平板电脑、数字相机、高清视频机等消费电子产品上被广泛使用,同时也用于汽车电子、工业控制、医疗设备等领域。
市场需求分析如下:1. 消费电子领域需求增长随着智能手机、平板电脑的爆炸式增长,市场对高容量NOR FLASH的需求也增加了。
随着消费升级的不断推进,高清视频机、数码相机、音乐播放器等智能家居及其他消费电子产品的存储容量需求也在不断增加,NOR FLASH的存储容量需求也在不断提高。
2. 产业升级需求增加随着智能制造、工业4.0的推进,工业企业对于数据的存储和管理需求日益增加。
在汽车工业和工业控制领域,先进的电子元器件需求也在不断提高。
这导致NOR FLASH被广泛应用于车载娱乐系统、仪表板、车身电子、智能机器人、工业控制系统等。
3. 高可靠性需求增强在一些需要高可靠性保证的领域,如医疗和军事设备,NOR FLASH的需求和市场份额也在不断增加。
这些设备要求高速读写、长时间的数据存储和完美的数据保护功能,NOR FLASH正好符合这些要求。
4. 面向新市场扩张需求逐渐显现除了上述领域,NOR FLASH在人工智能、计算机网络、5G技术等新兴领域的应用需求也在不断扩大。
例如,在机器人和智能家居领域,NOR FLASH可以为设备提供指令和数据存储,使它们能够更好地理解和响应、适应用户需求,从而推动行业的发展。
随着这些领域的不断发展,NOR FLASH的市场需求预计将继续增加。
综上所述,随着智能制造、工业4.0、消费升级等新经济形态的不断发展和创新,NOR FLASH市场的需求将不断拓展,同时竞争也越发激烈,只有不断提高技术水平以及拥有更高的竞争力,才能够在市场中立于不败之地。
芯片行业的全球市场竞争格局随着科技的迅速发展和电子产品市场的蓬勃发展,芯片行业作为电子设备的核心组成部分,逐渐成为全球科技企业们角逐的焦点。
本文将分析芯片行业的全球市场竞争格局,探讨主要竞争对手、市场份额以及未来趋势。
一、全球芯片市场概况芯片是电子产品中的核心零部件,广泛应用于计算机、智能手机、物联网设备等多个领域。
随着全球科技产业的快速发展,芯片市场也得到了长足的发展。
根据市场研究机构的数据,全球芯片市场规模在近几年稳步增长,预计未来仍将保持增长趋势。
二、主要竞争对手1. 英特尔(Intel)作为全球最大的芯片生产商之一,英特尔凭借其卓越的技术实力和坚实的市场份额,一直占据着芯片行业的领导地位。
公司主要专注于PC和服务器领域,拥有庞大的研发团队和先进的生产工艺。
2. 三星电子(Samsung)作为全球知名的综合性电子企业,三星电子在芯片领域也展现出强大的竞争实力。
公司拥有自主研发和生产能力,并且在移动芯片和存储芯片方面取得了重要突破。
三星电子凭借其强大的品牌影响力和全球化产业链,成为了芯片行业的重要竞争对手。
3. 台积电(TSMC)作为全球最大的芯片代工厂商,台积电承担着众多芯片设计企业的生产任务。
公司依托先进的制造工艺和高效的供应链管理,成为了众多知名芯片企业的合作伙伴。
台积电凭借其专业的技术和丰富的生产经验,逐渐在全球芯片行业中崭露头角。
4. 博通科技(Broadcom)博通科技是一家专注于半导体和软件解决方案的全球领先企业。
公司在无线通信和网络通信芯片领域表现出色,并且通过收购和并购不断扩大其产业规模。
博通科技凭借其优质的产品和丰富的经验,成为了芯片行业的重要参与者。
三、市场份额与发展趋势虽然英特尔一直占据着芯片行业的领导地位,但近年来,其他竞争对手的崛起已经对其地位构成了一定的挑战。
特别是在移动芯片领域,三星电子和高通等企业逐渐抢占了市场份额。
此外,中国也在大力发展芯片产业,华为、中兴等企业也开始在全球市场上崭露头角。
2023年中国存储芯片行业发展现状分析内容概要:存储芯片又称为半导体存储器,主要是指以半导体电路作为存储媒介的存储器,通常用于保存二进制数据的记忆设备。
2022年全球存储芯片市场规模为1297.67亿美元,我国存储芯片行业市场规模较上年同期下降5.9%,达到5170亿元,主要是受消费电子市场需求疲软等因素的影响。
随着新一轮人工智能浪潮的爆发以及国内消费电子市场的快速发展,未来我国存储芯片的市场规模将会逐渐增长,预计2023年我国存储芯片市场规模将增长至5400亿元。
关键词:存储芯片、行业概述、产业链、发展现状、竞争格局一、行业概述:国家积极出台相关政策,推动存储芯片行业发展存储芯片又称为半导体存储器,主要是指以半导体电路作为存储媒介的存储器,通常用于保存二进制数据的记忆设备,是现代数字系统的重要组成部分。
存储芯片具有存储速度快、体积小等特点,广泛运用于U盘、内存、消费电子、固态存储硬盘、智能终端等领域。
存储芯片技术主要应用于企业级存储系统的应用,为存储协议、访问性能、存储介质、管理平台等多种应用提供高质量的支持。
随着数据的快速增长以及数据对业务的重要性日益提升,数据存储市场正经历快速演变。
存储芯片分类较为广泛,按照用途可将其分为主存储芯片和辅助存储芯片;按照断电后数据是否丢失,可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片。
比较存储芯片三大产品可以看出,NANDFlash具有写入速度快和价格较低等优势,目前的USB硬盘、手机储存空间以及固态硬盘(SolidStateDrive,SSD)就是以NANDFlash为主流技术。
尽管NORFlash具有读取速度快,但写入的速度慢、价格也比NANDFlash贵。
DRAM 具有存储时间短、读写速度快等优势,但单位成本较高,主要用于手机内存、服务器以及PC内存等设备等。
在1958年和1959年,美国的两位科学家分别发明了第一块锗集成电路和硅集成电路,这一突破性技术有力地推动了电子器件的微型化,为芯片行业的全面到来奠定了坚实的基础。
2024年内存接口芯片市场规模分析简介内存接口芯片是一种用于连接处理器和内存的关键组件,它能够有效地管理数据的传输速度和带宽。
随着数码产品的普及和互联网的快速发展,内存接口芯片市场需求进一步增加。
本文将对内存接口芯片市场规模进行分析。
市场概况当前,内存接口芯片市场主要由几大主要公司主导,包括英特尔、三星、美光等。
这些公司拥有先进的技术和广泛的市场渠道,占据了市场的主导地位。
此外,半导体行业竞争激烈,新兴厂商也在不断涌现,为市场增加了一定的竞争力。
市场增长因素内存接口芯片市场的增长受到以下几个重要因素的推动:1.技术进步:随着科技的不断进步,内存容量和速度要求越来越高,需要更先进的内存接口芯片来满足需求,这推动市场的增长。
2.云计算和大数据:随着云计算和大数据的兴起,对于内存接口芯片的需求也进一步增加。
云计算和大数据需要高速的数据传输和存储,内存接口芯片能够提供所需的高速率和大带宽。
3.智能手机市场的增长:智能手机销量不断增加,对内存接口芯片的需求也在增加。
智能手机中的高清视频、大型游戏和多任务处理等都需要更高品质的内存接口芯片。
市场规模预测根据市场研究数据和趋势分析,预计未来几年内存接口芯片市场将持续增长。
以下是市场规模预测的几个关键点:1.2019年: 内存接口芯片市场规模约为X亿美元。
2.2020年-2022年:市场规模预计将以每年X%的复合年增长率增长。
3.2023年: 预计市场规模将达到X亿美元。
4.市场细分:目前,DDR4接口芯片是市场的主导类型,占据了大部分的市场份额。
然而,随着DDR5和LPDDR5接口的推出,预计这些新接口的市场份额将逐渐增加。
市场竞争态势内存接口芯片市场竞争激烈,主要公司之间进行着激烈的竞争。
竞争的关键因素包括以下几点:1.技术优势:公司能否提供先进的内存接口技术和高质量的产品是市场竞争的关键。
2.市场份额:市场份额能够反映公司在市场上的竞争力。
3.价格策略:由于市场竞争激烈,公司之间的价格竞争也非常激烈。
2023年NOR FLASH行业市场分析现状NOR闪存(NOR Flash)是一种非易失性存储器,广泛应用于各种电子设备中,如智能手机、平板电脑、数码相机等。
本文将通过对NOR闪存行业市场的分析,讨论其当前的现状。
首先,NOR闪存市场的规模正逐年扩大。
随着消费电子产品的普及,对存储器的需求也在不断增加。
NOR闪存被广泛应用于各种设备中,占据了相当大的市场份额。
根据市场研究公司的数据显示,NOR闪存市场规模从2016年的100亿美元增长到2021年的150亿美元,年复合增长率达到了10%以上。
其次,NOR闪存市场的竞争日趋激烈。
由于市场规模庞大,吸引了许多企业进入该领域,形成了激烈的竞争局面。
目前,全球主要的NOR闪存厂商有Intel、Spansion(现在是Cypress)、Micron、Winbond等。
这些厂商都在不断提升产品性能,降低成本,并进行技术创新以赢得市场份额。
另外,中国企业也在加大力度进军NOR闪存市场,例如长江存储、合肥长鑫等。
另外,NOR闪存市场的应用领域正在不断扩展。
NOR闪存在过去主要应用于传统的消费电子产品,但随着物联网的兴起和5G的普及,NOR闪存的需求也在不断增加。
物联网设备的爆发性增长和对高性能存储器的需求,为NOR闪存提供了新的应用场景。
例如,智能家居、智能出行、智能安防等领域都需要具备较高读写性能和稳定性的存储器。
此外,自动驾驶技术的发展也将进一步推动NOR闪存市场的增长。
然而,NOR闪存市场也面临一些挑战。
首先,虽然NOR闪存在读取速度和可靠性方面有优势,但其存储密度相比于NAND闪存较低,成本也较高。
与此同时,NAND闪存技术也在不断进步,读写速度和可靠性也在提升,对NOR闪存构成了一定的竞争压力。
其次,技术的进步也导致产品的更新换代速度加快,市场竞争更加激烈,市场份额的争夺变得更加困难。
综上所述,NOR闪存市场具有广阔的发展前景,但也面临一些挑战。
随着物联网和5G的发展,NOR闪存的应用领域将不断扩大,市场规模将进一步增长。
2023年NOR FLASH行业市场前景分析随着科技的快速发展,智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等电子设备的应用越来越普及,同时高速互联网的普及也推动了移动互联网的繁荣。
在这样的背景下,NOR FLASH这种闪存技术在电子设备中的应用也越来越广泛。
那么,NOR FLASH行业市场的前景到底如何呢?NOR FLASH概述NOR FLASH,即非易失性存储器芯片(非易失性闪存),是一种基于电荷存储技术的闪存存储器。
与传统的EPROM存储器不同,NOR FLASH拥有更高的密度、更快的速度、更好的可擦写性以及更低的功耗等优势,已经成为先进电子设备中不可或缺的组成部分。
NOR FLASH应用现状NOR FLASH广泛应用于各种消费电子设备中,包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、数码相机、游戏机等。
比如,在智能手机和平板电脑中,NOR FLASH常用于存储设备启动代码和设备驱动程序,以及存储一些重要的信息,如序列号、MAC地址等。
在汽车电子控制系统中,NOR FLASH常用于存储引擎控制程序、仪表板程序、制动程序等。
同时,NOR FLASH还广泛应用于安全芯片、智能卡、存储卡等领域。
NOR FLASH市场前景随着互联网的快速发展,移动互联网用户规模不断扩大,电子设备应用需求也越来越多样化和个性化。
这为NOR FLASH行业的发展带来了新的机遇和挑战。
下面从市场规模、应用领域、技术创新等方面谈一下NOR FLASH行业市场前景。
市场规模:NOR FLASH是一个相对成熟的市场,但是其市场容量仍然巨大。
根据市场研究机构的统计,全球NOR FLASH市场规模在2018年达到了39.7亿美元,预计到2025年将达到59.2亿美元,年复合增长率达到5.7%。
可以看出,NOR FLASH市场仍然具有很大的增长空间。
应用领域:NOR FLASH在各种消费电子设备中的应用仍然很广泛,而且越来越多的新兴领域也开始采用NOR FLASH技术。
2024年芯片封装设备市场前景分析引言近年来,随着电子产品市场的不断发展壮大,芯片封装设备市场也得到了迅猛的发展。
芯片封装设备是集成电路制造过程中的重要设备之一,主要用于将芯片封装在塑料或陶瓷外壳中,保护芯片的正常运行。
本文将对芯片封装设备市场的发展现状和前景进行分析。
市场发展现状目前,全球范围内芯片封装设备市场呈现出快速增长的趋势。
主要原因有以下几点:1.电子产品市场不断扩大:随着人们对电子产品的需求日益增长,电子产品市场规模持续扩大,使得芯片封装设备市场需求量不断增加。
2.技术不断进步:随着科技的不断创新,芯片封装设备的技术水平也在不断提高,生产效率和封装质量得到了显著提升,进一步增加了市场需求。
3.制造成本下降:随着制造工艺和设备技术的成熟,芯片封装设备的制造成本不断下降,使得企业更容易购买和使用这些设备,进一步推动了市场的发展。
市场前景分析未来几年,芯片封装设备市场具有广阔的发展前景。
以下是市场前景的几个主要因素:1.5G技术的普及:随着5G技术的商用化,对芯片封装设备的需求将大幅增加。
5G技术需要更高性能的芯片进行支持,这将促使企业加大对芯片封装设备的投资,以满足市场对高性能芯片的需求。
2.物联网行业的快速发展:物联网作为未来的发展趋势,将带动芯片封装设备市场的需求。
物联网需要大量的传感器和芯片进行数据采集和处理,这将使得芯片封装设备市场进一步得到扩大。
3.人工智能技术的兴起:人工智能技术在各行各业得到广泛应用,对计算能力要求较高的芯片需求持续增长。
这将进一步推动芯片封装设备市场的发展。
4.新兴经济体需求增加:随着新兴经济体的经济发展和人民生活水平的提高,对电子产品的需求不断增加,这将进一步推动芯片封装设备市场的发展。
总之,芯片封装设备市场将在技术推动和需求拉动下继续保持快速增长的态势,市场前景广阔。
结论从目前市场发展现状和未来市场前景来看,芯片封装设备市场具有巨大的发展潜力。
随着科技的不断进步和各行业对高性能芯片的需求增加,芯片封装设备市场将持续保持快速增长的态势。
芯片行业市场调研报告一、引言芯片是现代信息技术和电子设备的核心组成部分,是各种电子产品的重要基础。
随着科技的不断发展,芯片行业也在不断创新和迭代,市场需求越来越大。
本报告旨在对当前芯片行业市场进行全面调研,分析行业发展趋势和未来发展前景,为相关企业和投资者提供参考。
二、市场概况1.1 芯片行业定义芯片是一种集成电路,主要用于信息处理和控制。
根据功能和结构不同,芯片可以分为处理器芯片、存储芯片、传感器芯片等多种类型。
1.2 行业发展历史芯片行业起源于20世纪中叶,经过几十年的发展,已成为全球多个产业的关键支撑。
1.3 市场规模根据研究机构的预测数据,未来几年芯片行业市场规模将保持稳定增长,预计2025年市场规模将达到X亿美元。
三、主要驱动因素3.1 技术创新随着人工智能、物联网、5G等新兴技术的快速发展,对芯片性能提出了更高的要求,推动了芯片行业的创新和发展。
3.2 应用需求智能手机、智能家居、无人驾驶等新兴应用的快速普及,也促进了芯片市场的增长。
四、主要挑战4.1 技术壁垒芯片行业技术门槛高,对研发能力和资金实力要求较高,新进入者面临较大挑战。
4.2 市场竞争芯片行业竞争激烈,国际巨头占据主导地位,国内企业面临国际压力。
五、市场前景5.1 发展趋势未来芯片行业将主要表现为智能化、小型化、高效化,新兴技术的推动将带动芯片行业持续增长。
5.2 投资建议在现代科技快速发展的大背景下,芯片行业仍有较大发展空间,长期投资前景可观,建议关注行业龙头企业和新兴创新公司。
结语芯片行业作为现代科技产业的核心组成部分,市场需求越来越旺盛,技术创新和应用拓展将成为未来发展的关键驱动力。
希望本报告对有关企业和投资者有所启发,为进一步了解芯片行业提供参考依据。
Flash芯片市场情况分析2016 年全球闪存(Flash)的增长动力主要来自终端装置平均搭载的增加和固态硬盘(SSD)需求的增长。
根据IC Insights 的统计,2016年全球闪存的市场NAND 闪存占99%,NOR 闪存占1%。
由此可见,近年来NAND 闪存市场规模呈现不断上升的态势,而NOR 闪存市场规模日趋缩小。
当前,NAND 闪存正面临着先进制程转进、产品结构转换的关键时期。
2016 年上半年由于几乎所有的NAND 闪存厂商转产3D NAND 闪存,导致2D NAND 闪存产出减少,而3D NAND 闪存又产出有限,再加上智能手机、SSD 容量大增,导致市场供不应求,从而刺激NAND 闪存市场价格累积涨幅高达16%,也是近两年来首次出现价格大涨。
一、全球闪存的主要供应厂商全球NAND 闪存的主要供应厂商有三星、东芝、SK 海力士、美光、闪迪和英特尔 6 家,其中前4 家厂商均为IDM 企业,供应全球NAND 闪存近90% 的市场份额。
其中,三星受惠于3D NAND 闪存的制程技术领先于其他厂商,加上近年来高容量的eMMC/eMCP 与SSD 发展加速,持续在3D NAND 闪存市场份额上列居第1位。
目前其14nm制程的eMMC/eMCP已导入新上市的智能手机和平板电脑中,14nm制程的TLC (三层单元)产品也在2016 年第一季度送样给模块厂商进行测试。
其在未来的市场竞争中更具优势。
东芝在2015 年受供过于求的市场影响,平均销售价格下滑13%~14%,市场份额也由2014 年占22.2% 下滑到2015 年仅占18.5%,居全球第 2 位,由此激发了其发展3D NAND闪存技术的积极性。
2016年年初,48 层3D NAND 闪存开始上市,并增加投资建设新厂,以期大力发展3D NAND 闪存产品。
闪迪在2015 年第四季度15 nm 2D NAND 闪存产出比重为75%,同时在主力发展TLC 产品的情况下,TLC 产品比重也达70%,它的包含SAS、SATA 与PCTe 接口的企业级SSD 深受用户好评。
从2016年起,48 层3D NAND闪存开始小批量试产。
二、全球闪存的技术发展当前全球NAND 闪存产业正处在2D NAND 闪存(平面NAND闪存)向3D NAND 闪存的转进期。
过去10年,随着2D NAND闪存制程技术的发展,制程技术向着12nm(12~15nm)逼近,越来越接近可量产的物理极限。
2D NAND 闪存的存储密度也很难突破12GB容量,自然也不会给生产厂商带来更高的成本效益。
另外,2D技术是平面结构,随着存储密度的增加,每个存储单元的电荷量会下降,相邻存储单元之间的干扰也会增加,这样会影响NAND闪存的性能。
在当前发展的3D NAND 闪存中,3D 技术采用垂直排列的立体结构,多层环绕式栅极(GAA)结构形成了多电栅极存储器单元晶体管,可以有效降低堆栈间的干扰,使NAND 闪存性能更加优异、功耗更低、容量更大。
2016 年,NAND闪存供应商向3D NAND 闪存技术推进迅猛。
据业界估计,由于三星、东芝、美光和SK 海力士等厂商纷纷扩大3D NAND 闪存量产,2016 年全球3D NAND 闪存占整体NAND 闪存产能的15% 左右,2017 年将进一步提升到30% 以上。
三星和东芝的3D 技术更是增加到64 层堆叠。
二、全球NAND 闪存主要厂商的表现(一)三星自2013 年8 月三星率先宣布成功推出3D NAND 闪存之后,三星便"一马当先"发展3D NAND 技术。
2014 年年初,三星领先业界采用24 层堆叠量产3D NAND 闪存,2016年扩大到48 层3D NAND 闪存量产。
48 层相较于32 层堆叠的存储容量可提高40%,并在2016 年年底三星的3D NAND 闪存生产比重已提升至40%。
三星除了在我国西安量产3D NAND 闪存,2016 年韩国华城Fab16的16 nm 2D NAND 闪存芯片生产线改造成20nm 48层3D NAND闪存生产线,并计划再将韩国华城的Fab17 生产线用于生产3D NAND 闪存,以稳固其在3D NAND 闪存市场上的地位。
2016 年,三星在3D NAND 闪存技术上的最大进展是实现了64层堆叠。
该技术单颗NAND 闪存芯片容量增加到512 GB,较48层堆叠的存储密度又增加了一倍,2016 年年底已开始供货。
三星还计划在2017 年基于64层3D NAND 闪存推出容量高达32 TB 的企业级SAS SSD,并声称到2020年将提供超过100TB 的SSD。
(二)东芝随着3D NAND 闪存技术的不断提升,东芝宣布其64 层堆叠3D NAND 闪存开始送样给用户。
初期样品的存储密度为256GB,然后再提高到512 GB 量产。
另外,东芝在2015 年开始改建的Fab2 工厂已在2016 年上半年投入生产。
随着3D NAND 闪存量产的不断增加,东芝的目标是在2017 年将整体3D NAND 闪存生产比重提高至50%,2018 年进一步提高至90% 左右的水平。
(三)SK 海力士目前,SK 海力士的3DNAND 闪存以36 层MLC(多层单元)为主,良率可达90% 以上。
除了用于企业级SSD 产品,还积极导入嵌入式产品中应用,最新的UFS2.1 和eMMC 5.1 采用的就是SK 海力士的第二代36 层3D NAND 闪存,目前这些产品均已进入量产阶段。
进入2016 年,SK 海力士的48 层3D NAND闪存芯片已向用户送样,并进一步声称在2016 年年底和2017 年年初完成72 层3D NAND 闪存的研发。
这是一项十分具有挑战性的工作。
目前,SK 海力士主要在韩国清州M11/M12 工厂生产3D NAND 闪存芯片,还计划将M14 工厂的二楼用于生产3D NAND 闪存,2017 年上半年投入生产,而且计划投资15.5 兆韩元新建另一座存储器工厂。
(四)美光美光的32 层堆叠3D NAND 闪存芯片主要在新加坡工厂量产。
基于32 层3D NAND闪存技术,美光面向消费类市场推出了BX300系列和1100 系列的3D SSD,最大容量可达 2 TB。
为了在技术上赶超竞争对手,美光于2016 年年初扩建的Fab10X 工厂开始量产。
计划下一代3D NAND 闪存技术跳过48 层,2017 年直接跳到64层。
而且现在的16 nm 2D NAND 闪存技术也将直接切换到生产3D NAND 闪存,预计2017 年美光3D NAND 闪存的投产量将增加一倍。
(五)英特尔2016 年,英特尔和美光联手研发的3D NAND闪存技术进展神速。
英特尔和美光的新加坡合资工厂在2016 年第一季度就开始量产3D NAND 闪存芯片,起点的月产量为3000片,到年底时已拉升到每月4 万片。
同时英特尔投资55 亿美元将位于我国大连的Fab86 改造为生产3D NAND闪存芯片的工程也已完成投产,使得英特尔和美光合作在3D NAND 闪存的产能上显示出相当优势。
近年来,英特尔除了发展3D NAND 闪存技术,还着重开发新型的3D XPoint 快闪存储器。
英特尔的3D XPoint 快闪存储器其实是PCM(相变存储器)的一种,它不但可以取代NAND闪存,而且也有可能取代DRAM。
3D XPoint集合了DRAM 和NAND闪存的数据存储优势,较传统的NAND闪存速度快1000 倍,读/写重复性也强1000 倍,存储密度比DRAM高10倍。
现在服务器数据存储与日俱增,对系统快速分析、相应数据的要求不断提升,基于3D XPoint技术的高性能优势,将其最先用于企业级、数据中心的存储。
对于消费类市场而言,由于3D XPoint 昂贵的生产成本,所以在短时间内还很难用在PC或笔记本电脑上。
每天一句话,送给在IC、泛IC和投资圈奋斗的你我,让我们共勉——任何成功都无法一蹴而就。
每一阶段的抵达,都是一步一个脚印积累出来的。
不急不躁,耐心努力,保持对新事物、新领域探索的好奇,就是行进在进步的路上。
慢慢来,别着急,生活终将为你备好所有的答案。
2016 年全球闪存(Flash)的增长动力主要来自终端装置平均搭载的增加和固态硬盘(SSD)需求的增长。
根据IC Insights 的统计,2016年全球闪存的市场NAND 闪存占99%,NOR 闪存占1%。
由此可见,近年来NAND 闪存市场规模呈现不断上升的态势,而NOR 闪存市场规模日趋缩小。
当前,NAND 闪存正面临着先进制程转进、产品结构转换的关键时期。
2016 年上半年由于几乎所有的NAND 闪存厂商转产3D NAND 闪存,导致2D NAND 闪存产出减少,而3D NAND 闪存又产出有限,再加上智能手机、SSD 容量大增,导致市场供不应求,从而刺激NAND 闪存市场价格累积涨幅高达16%,也是近两年来首次出现价格大涨。
一、全球闪存的主要供应厂商全球NAND 闪存的主要供应厂商有三星、东芝、SK 海力士、美光、闪迪和英特尔 6 家,其中前4 家厂商均为IDM 企业,供应全球NAND 闪存近90% 的市场份额。
其中,三星受惠于3D NAND 闪存的制程技术领先于其他厂商,加上近年来高容量的eMMC/eMCP 与SSD 发展加速,持续在3D NAND 闪存市场份额上列居第1位。
目前其14nm制程的eMMC/eMCP已导入新上市的智能手机和平板电脑中,14nm制程的TLC (三层单元)产品也在2016 年第一季度送样给模块厂商进行测试。
其在未来的市场竞争中更具优势。
东芝在2015 年受供过于求的市场影响,平均销售价格下滑13%~14%,市场份额也由2014 年占22.2% 下滑到2015 年仅占18.5%,居全球第 2 位,由此激发了其发展3D NAND闪存技术的积极性。
2016年年初,48 层3D NAND 闪存开始上市,并增加投资建设新厂,以期大力发展3D NAND 闪存产品。
闪迪在2015 年第四季度15 nm 2D NAND 闪存产出比重为75%,同时在主力发展TLC 产品的情况下,TLC 产品比重也达70%,它的包含SAS、SATA 与PCTe 接口的企业级SSD 深受用户好评。
从2016年起,48 层3D NAND闪存开始小批量试产。
二、全球闪存的技术发展当前全球NAND 闪存产业正处在2D NAND 闪存(平面NAND闪存)向3D NAND 闪存的转进期。
过去10年,随着2D NAND闪存制程技术的发展,制程技术向着12nm(12~15nm)逼近,越来越接近可量产的物理极限。
2D NAND 闪存的存储密度也很难突破12GB容量,自然也不会给生产厂商带来更高的成本效益。