蓝宝石衬底制作工艺流程简要说明
- 格式:doc
- 大小:37.00 KB
- 文档页数:1
蓝宝石二氧化硅涂层工艺流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。
文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!并且,本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,如想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor.I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!蓝宝石二氧化硅涂层工艺流程详解在高科技领域,尤其是在光学、半导体和微电子行业中,蓝宝石因其优异的物理和化学性质,如高硬度、高熔点、良好的热稳定性和透明度,被广泛用于制造基板和窗口材料。
LED各流程工艺详解LED(Light Emitting Diode)是一种能够发光的二极管,具有高效能、长寿命、低能耗等优点,在照明、显示、通信等领域有广泛应用。
下面详细介绍LED的各流程工艺:1.衬底制备:LED通常使用蓝宝石晶体作为衬底,通过切割、抛光等工艺制备出平整的衬底片。
2.堆栈生长:在蓝宝石衬底上先生长一层GaN(氮化镓)材料,再通过MOCVD(金属有机化学气相沉积)等方法,将P型和N型材料层逐层生长,形成LED所需的堆栈结构。
3.芯片划分:将大面积生长的LED芯片通过划分工艺,切割成一个个独立的芯片。
划分方法有机械划割、激光切割等。
4.金属化:在芯片表面通过光刻、蒸镀等工艺,将金属电极、排线等结构形成,用于电流的注入和导出。
5.调制层制备:通过激光蒸镀等方法,在芯片表面制备调制层,用于提高光的提取效率。
6.光学封装:将芯片与透明的封装材料相结合,形成一个封装好的LED器件,用于保护芯片,并增强光的聚光效果。
7.器件测试:对封装好的LED器件进行电性能测试,如电压、电流、亮度等参数的测量,以确保器件品质。
8.研磨和抛光:对芯片进行研磨和抛光工艺,以去除表面的缺陷和不平整,提高器件的外观和质量。
9.芯片封装:将LED芯片放置在封装基板上,通过自动焊接、高温银胶等工艺,将芯片与接线板相连接,形成最终的LED灯。
10.色坐标校正:通过色温仪等仪器,对封装好的LED灯进行色坐标校正,保证灯光的色彩质量和一致性。
11.应用测试:对封装好的LED灯进行一系列的应用测试,如光效测试、信号传输测试等,以确保灯具满足设计要求。
12.产品包装:对测试合格的LED灯进行包装,标记产品型号、规格等信息,并进行质量检查,最后进行包装。
以上是LED的各流程工艺的详解。
LED制造过程中需要注意工艺参数的控制,以确保器件的品质和性能。
同时,随着技术的进步,LED工艺也在不断发展和改进,以提高光电转换效率,降低成本,满足不同应用场合的需求。
蓝宝石衬底制作工艺流程简要说明
长晶: 利用长晶炉生长尺寸大且高品质的单晶蓝宝石晶体
定向: 确保蓝宝石晶体在掏棒机台上的正确位置,便于掏棒加工
掏棒: 以特定方式从蓝宝石晶体中掏取出蓝宝石晶棒
滚磨: 用外圆磨床进行晶棒的外圆磨削,得到精确的外圆尺寸精度
品检: 确保晶棒品质以及以及掏取后的晶棒尺寸与方位是否合客户规格
定向:在切片机上准确定位蓝宝石晶棒的位置,以便于精准切片加工
切片:将蓝宝石晶棒切成薄薄的芯片
研磨:去除切片时造成的芯片切割损伤层及改善芯片的平坦度
倒角:将芯片边缘修整成圆弧状,改善薄片边缘的机械强度,避免应力集中造成缺陷
抛光:改善芯片粗糙度,使其表面达到外延片磊晶级的精度
清洗:清除芯片表面的污染物(如:微尘颗粒,金属,有机玷污物等)
品检:以高精密检测仪器检验芯片品质(平坦度,表面微尘颗粒等),以合乎客户要求
柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响
江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
【摘要】:在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.
【作者单位】:清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室;
【关键词】:蓝宝石图形衬底氮化镓发光二极管侧向生长光提取效率内量子效率原子力显微镜体材料蓝宝石衬底晶体质量
【基金】:国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002)国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806,2006CB921106)国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105)北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题~~
1·引言利用GaN基大功率LED作为一种新型高效的固体光源,具有能耗小、高功率、寿命长、体积小、环保等显著优点,将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的第三代照明工具,被公认为21世纪最具发展前景的高技术领域之一[1,2].目前使用最广泛的外延GaN材料的衬底是成本较低的蓝。