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物理实验技术中的半导体物理实验操作指南在现代科学研究和工程技术应用中，半导体物理实验起着举足轻重的作用。
半导体材料的电学、光学和热学性质对于电子器件设计和制造至关重要。
本文将为读者提供一份半导体物理实验操作指南，帮助他们进行高质量的实验研究。
第一步：准备工作在进行半导体物理实验之前，准备工作至关重要。
首先要确保实验室的环境整洁、安全。
然后检查实验仪器的状态，确保其正常工作。
如果有任何问题，应该及时更换或修复。
第二步：选择合适的实验材料根据实验目的和需求，选择合适的半导体材料进行研究。
常用的半导体材料有硅、锗、砷化镓等。
根据实验要求，可以选择不同的材料和掺杂方式，以研究其特定的电性、光学性质。
第三步：制备样品在进行半导体物理实验之前，需要制备样品。
对于硅和锗这样的材料，可以通过切割、抛光和清洗等步骤来获得所需的样品。
对于砷化镓这样的复合材料，通常需要使用分子束外延或金属有机气相外延等方法来制备样品。
第四步：测量电学性质半导体物理实验中的一个重要方面是测量材料的电学性质。
可以使用电阻计或霍尔效应测量仪来测量材料的电阻率、载流子浓度和迁移率。
这些测量结果有助于理解材料的导电机制和载流子输运过程。
第五步：研究光学性质光学性质也是半导体物理实验中的关键内容。
通过使用光源和光谱仪，可以测量材料的吸收、发射和透射等光学参数。
这些测量结果对于研究材料的能带结构和光电转换效率非常重要。
第六步：控制温度和外部条件半导体物理实验对温度和外部条件的控制要求非常高。
温度对于半导体材料的导电性能和光学特性具有重要影响。
因此，在实验过程中，需要使用恒温器和温度控制系统来精确控制样品的温度。
此外，外部条件（如湿度和气氛）也需要进行控制，以确保实验结果的准确性和一致性。
第七步：数据处理和分析在实验结束后，需要对实验数据进行处理和分析。
可以使用数据分析软件对测量结果进行统计和计算。
通过绘制图表和曲线拟合，可以找到材料的特定参数和规律。
物理实验讲义实验半导体二极管伏安特性的研究实验目的：1.了解半导体二极管的结构和原理；2.研究半导体二极管的伏安特性。
实验器材：1.半导体二极管2.直流电源3.万用表4.电阻箱5.连线电缆6.示波器实验原理：半导体二极管是一种特殊的二极管，其结构由P型半导体和N型半导体组成。
在P型半导体的一侧注入少量杂质，形成少数载流子浓度高的区域，称为PN结。
PN结的一个端口称为阳极，另一个端口称为阴极。
在正向偏置情况下，电流可从P端流向N端，此时二极管呈现低阻态，称为正向导通。
而在反向偏置情况下，电流几乎无法通过二极管，此时二极管呈现高阻态，称为反向截止。
伏安特性是研究电流和电压之间关系的曲线。
通过研究半导体二极管的伏安特性，可以了解其正向导通和反向截止特性，以及其在电子电路中的应用。
实验步骤：1.将半导体二极管连接在电路板上。
2.将直流电源正极连接至二极管的阳极，负极连接至二极管的阴极。
3.用万用表测量二极管的两端电压，记录下实验数据。
4.调节直流电源的电压，逐渐增大，记录下不同电压下的电流值。
5.将直流电源正极连接至二极管的阴极，负极连接至二极管的阳极。
6.重复步骤3-5，记录下反向偏置下的电流和电压数据。
7.根据所得数据，绘制半导体二极管的伏安特性曲线。
实验注意事项：1.操作过程中要遵守安全操作规程，确保实验安全进行。
2.实验过程中应注意测量仪器的精度和准确性，保持测量值的可靠性。
3.实验结束后，关闭所有电源并清理实验现场。
实验结果分析：根据所得数据绘制的伏安特性曲线，可以得出以下结论：1.在正向偏置区域，随着电压的增加，电流逐渐增大，二极管呈现低阻态，即正向导通。
2.在反向偏置区域，随着电压的增加，电流基本保持在很小的范围内，二极管呈现高阻态，即反向截止。
实验拓展：1.研究不同类型（如硅、锗）的半导体二极管的伏安特性，并比较它们之间的差异。
2.分析伏安特性曲线并计算二极管的串联电阻、导通电压等参数。
第1篇一、实验背景随着科技的飞速发展，半导体材料在电子、光电子和微电子等领域扮演着至关重要的角色。
半导体物理作为研究半导体材料基本性质和器件原理的学科，对于理解和设计新型半导体器件具有重要意义。
本实验旨在通过一系列实践操作，加深对半导体物理基本概念的理解，并掌握相关实验技能。
二、实验目的1. 理解半导体材料的能带结构及其与载流子浓度的关系。
2. 掌握半导体物理实验的基本操作和数据处理方法。
3. 通过实验验证半导体物理的基本理论。
4. 培养学生的科学实验能力和团队合作精神。
三、实验原理1. 能带结构：半导体材料的能带结构是其基本性质之一。
本实验通过测量半导体的导电性，分析其能带结构，并探讨载流子浓度与温度的关系。
2. 载流子浓度：载流子浓度是描述半导体导电性的重要参数。
本实验通过测量不同温度下的载流子浓度，分析其与温度的关系。
3. PN结：PN结是半导体器件中最基本的结构之一。
本实验通过测量PN结的正向和反向电流，分析其特性。
四、实验器材与步骤1. 实验器材：- 半导体样品（如硅、锗等）- 数字万用表- 温度控制器- 电源- 接地线- 连接线2. 实验步骤：（1）将半导体样品连接到数字万用表上，设置测量模式为电阻测量。
（2）逐渐改变温度，记录不同温度下的电阻值。
（3）绘制电阻-温度曲线，分析半导体材料的能带结构。
（4）通过公式计算载流子浓度，分析其与温度的关系。
（5）搭建PN结电路，测量正向和反向电流。
（6）分析PN结的特性，如正向导通和反向截止等。
五、实验结果与分析1. 能带结构分析：通过实验测得的电阻-温度曲线，可以观察到半导体材料的电阻随温度的升高而减小。
这表明半导体材料的能带结构在温度升高时发生变化，载流子浓度增加。
2. 载流子浓度分析：根据实验数据，通过公式计算得出载流子浓度随温度的升高而增加。
这符合半导体物理理论，即温度升高，电子和空穴的激发能量增加，导致载流子浓度增加。
3. PN结特性分析：通过测量PN结的正向和反向电流，观察到PN结在正向偏置时导通，反向偏置时截止。
半导体物理实验讲义北方工业大学信息工程学院微电子实验中心2004目录实验一激光测定硅单晶的晶向 (1)实验二霍尔系数及电阻率的测量 (6)实验三外延片和氧化层厚度的测量 (17)实验四硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示 (21)实验五椭偏仪测量薄膜的厚度和折射率 (28)实验六PN结温度特性的测量 (40)实验七PN结C-V特性测试 (47)试验八半导体材料的方阻和电阻率的测量研究 (51)实验一激光测定硅单晶的晶向晶面定向就是要确定单晶体的表面与某指定的基准晶面之间的夹角。
当晶面定向仪与切片机联合使用时，可以确定单晶体某一基准晶面的法线与切片设备定向夹具轴线的夹角。
硅、锗单晶体是金刚石结构，具有各向异性。
生长速度、腐蚀速度、氧化速度、扩散系数和解理特性等都和晶体取向有关。
在半导体器件的科学研究和生产中需要一定晶向的锗、硅等单晶体，因而晶向是一个基本材料参数。
在切片工艺中沿特定晶向或偏离一定角度进行切割，可以有效地提高器件的质量和成品率。
测定晶体取向有解理法，X射线劳埃法，X射线衍射法和光学反射图象法等多种方法。
共中光学反射图象法是目前生产中广泛使用的方法，这个方法较为简便，能直接进行观测，而且在测定低指数晶面时精确度相当好。
一、实验目的本实验的目的，就是要了解光学反射图象法测定单晶晶面的原理，通过使用激光定向仪掌握测定硅单晶的(111)、(100)等晶面的定向技术。
二、实验原理光学反射图象法定向是根据单晶体解理面的光反射性和晶体结构的对称性来实现晶体的晶面(轴)定向的。
它的工作原理是用激光光点反射仪测定晶体表面的光反射图形的形状和位置，从而确定晶面(轴)的方向。
单晶表面经某些腐蚀液腐蚀后，在金相显微镜下会观察到许多腐蚀坑，即所谓金相腐蚀坑(或称晶向的光象小坑)。
这些腐蚀坑是由与晶格主要平面平行的小平面所组成。
它们是一些有特定晶向的晶面族，构成各具特殊对称性的腐蚀坑，这是晶体各向异性的结果。
锗、硅单晶体的{111}晶面是原子密排面，也是解理面(或称劈裂面)。
实验一硅的霍耳系数和电导率测量一、目的掌握测量霍耳系数和电导率的实验方法，测出硅的霍耳系数和电导率随温度变化的数据，确定硅的导电类型。
二、基本原理一块宽为a、厚为b的长方形半导体(见图1)。
若在x方向上有均匀的电流I X流过，再Z方向上加均匀磁场B z，那么在这块半导体A、B两点间（即Y方向上）产生一电位差，这种现象称为霍耳效应。
从实验中发现，在弱磁场情况下，霍耳电场E y的大小与电流密度J X和磁场强度B z成正比，即E y=RJ X B z由上式可得R=E y / J X B z (1)R称为霍耳系数。
在实验上直接测量的是霍耳电位差V H。
因为，E y=V H / aJ X=I X / ab（1）式可以写为R=V H b / I X B z (2)如果（２）式中各量所用的单位是V H－伏；I X－安培；B z－高斯；b－厘米；R－厘米3/库仑，则应该在(2)式中引入单位变换因子108，把它写成如下形式：R=( V H b /I X Bz ) * 108 (3) 上式为实验中实际应用的公式。
因为电子和空穴的漂移运动是相反的，但是电荷符号也是相反的，磁场对它们的偏转作用力方向相同。
结果在边界上积累的电荷两种情况下相反，因此霍耳电场和电势差是相反的。
照这个道理可以区别电子性导电(n型)和空穴导电(P型)。
当E Y>0，为p型，E Y<0，为n型。
在霍耳效应的简单理论中，对电子和空穴混合导电的半导体，霍耳系数为：R=( pμp2-nμn2)/﹝( pμp+nμn )2 e﹞ (4)对n型半导体可简化为： R=﹣1 / ne (5)对p型半导体可简化为： R= 1 / pe (6) (4)、(5)、(6) 各式中，n和p分别表示电子和空穴浓度，μp 和μn分别为电子和空穴的迁移率。
图2给出两个硅样品霍耳系数随着温度变化的实验曲线。
样品1是n型的，样品2是p型的。
在图2中，样品1的曲线AB部分差不多是一水平线，在这一段温度范围，施主能级上的电子几乎全部跃迁到导带中去了，而本征激发是可以忽略的，因而表现出温度升高导带中电子密度不变。
半导体实验报告一、实验目的本次半导体实验旨在深入了解半导体材料的特性和相关器件的工作原理，通过实验操作和数据测量，掌握半导体物理性能的测试方法，以及分析和解决实验中遇到的问题。
二、实验原理（一）半导体的导电特性半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电导率会随着温度、杂质浓度等因素的变化而发生显著改变。
这是由于半导体中的载流子（电子和空穴）浓度受到这些因素的影响。
（二）PN 结的形成与特性当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，会在接触面形成 PN 结。
PN 结具有单向导电性，即在正向偏置时导通，反向偏置时截止。
（三）半导体器件的工作原理以二极管为例，其核心就是 PN 结。
当二极管正向偏置时，电流容易通过；反向偏置时，只有极小的反向饱和电流。
三、实验设备与材料（一）实验设备1、半导体特性测试仪2、数字示波器3、电源4、恒温箱（二）实验材料1、硅二极管若干2、锗二极管若干3、不同掺杂浓度的半导体样品四、实验步骤（一）测量二极管的伏安特性1、将二极管接入测试电路，缓慢改变施加在二极管两端的电压，从正向 0V 开始，逐步增加到较大的正向电压，然后再从 0V 开始，逐步增加到较大的反向电压。
2、记录不同电压下通过二极管的电流值。
（二）研究温度对二极管特性的影响1、将二极管放入恒温箱，设置不同的温度（如 20℃、50℃、80℃等）。
2、在每个温度下，重复测量二极管的伏安特性。
（三）测量半导体样品的电阻随温度的变化1、用四探针法测量半导体样品在不同温度下的电阻值。
2、记录温度和对应的电阻值。
五、实验数据与结果（一）二极管伏安特性1、硅二极管正向特性：在较低的正向电压下，电流增长缓慢；当电压超过一定阈值后，电流迅速增加。
反向特性：反向电流很小，且随着反向电压的增加基本保持不变，直到达到反向击穿电压。
2、锗二极管正向特性：与硅二极管相比，正向导通电压较低。
反向特性：反向饱和电流较大。
（二）温度对二极管特性的影响随着温度升高，二极管的正向导通电压降低，反向饱和电流增大。
自编经典教材目录一、 半导体物理实验指导书1.实验的地位、作用和目的 (4)2. 实验一单晶硅少子寿命测试 (5)3. 实验二半导体方块电阻的测量 (9)4 .实验三半导体电阻率的测量 (12)二、 微电子器件实验指导书1. 实验的地位、作用和目的 (16)2. 实验一测量双极晶体管的性质 (17)3 实验二晶体管特征频率的测量 (19)4 实验三测量双极晶体管的击穿特性 (22)三、 集成电路工艺实验指导书1 实验的地位、作用和目的 (24)2.实验一氧化工艺实验 (26)3. 实验二光刻工艺实验 (28)4、实验三硼扩散工艺实验 (31)5. 实验四磷扩散工艺实验 (34)6. 集成电路工艺课程设计 (37)四、《PLD原理及应用》实验指导书1 实验一 PLD 开发相关软件和实验开发箱的使用 (40)2 实验二 电路图设计与仿真_半加器原理图输入 (51)3 实验三 PLD 组合逻辑设计BCD 码—七段数码显示译器 (56)4 实验四 PLD 时序逻辑设计——8位移位寄存器.... . (61)5.实验五PLD 混合逻辑设计——跑步计时用的数字跑表 (67)6.实验六 自动售饮料机的设计 (74)7.实验七PLD 混合逻辑设计正弦信号发生器的FPGA实现. 798.实验八 步进电机的FPGA 实现 (84)半导体物理实验指导书微电子技术教学部编写光电工程学院微电子技术教学部2006年2月一．实验的地位、作用和目的：《半导体物理实验》课是微电子学与固体电子学专业本科教学中的重要教学实践环节，通过本实验课使学生掌握实验的基本原理及基本测试方法，加强对半导体物理理论的理解，提高学生的实际动手能力，为将来开展科学试验和产品研制打下基础。
基本原理及课程简介：《半导体物理实验》包括三个实验：Si单晶少子寿命测试，方块电阻测试，电阻率ρ的测试。
二．实验方式及基本要求1.教师在课堂上讲解实验的基本原理、仪器使用、测试内容及实验要求，交代实验注意事项。
《半导体器件物理》课程试验教学大纲《半导体器件物理》课程试验大纲课程编码：01222316 课程模块：专业方向课修读方式：限选开课学期：5课程学分：2.5 课程总学时：51 理论学时：36 实践学时：15一、实践课程的任务与要求本课程是微电子学专业试验课，是一门专业性和实践性都很强的课程。
本课程的主要任务是使学生把握半导体材料和器件的一些根本物理参数和物理性质的测试方法以及清洗、氧化、集中等微电子器件制造工艺，为微电子器件开发设计和研制铺垫必备根底和实际操作技能。
通过试验培育学生对半导体器件制造工艺的试验争论力量，培育学生实事求是、严谨的科学作风，培育学生的实际动手力量，提高试验技能。
其具体要求如下：1.了解微电子相关的一些设备的功能和使用方法，并能够独立操作。
2.通过亲自动手操作提高理论与实践相结合的力量，提高理论学习的主动性。
3.了解半导体器件制造的根本工艺流程。
二、试验工程、内容、要求及学时安排试验一用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数试验目的或试验原理了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；试验内容测量共放射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
晶体管特性图示仪:XJ4810A 型，NPN 和 PNP 晶体管。
试验二四探针法测量电阻率试验目的或试验原理把握四探针法测量电阻率的根本原理和方法，以及具有各种几何外形样品的修正；分析影响测量结果的各种因素。
试验内容1.测量单晶硅样品的电阻率；2.测量集中薄层的方块电阻；3.测量探针间距 S 及样品的尺寸；4.对测量结果进展必要的修正。
试验主要仪器设备及材料四探针测试仪: D41-11D/ZM、P 型或N 型硅片、外延硅片。
试验三 P—N 导电类型鉴别试验目的或试验原理1.了解热电动势〔也称冷热探针法〕和整流法的工作原理；2.分别承受热电动势和整流法来推断硅片的导电类型。
试验内容1.承受整流法来推断硅片的导电类型；2.承受热电动势法来推断硅片的导电类型。
实验四晶体管特征参数的测量及与直流
电流-电压的关系的测试分析
双极型晶体管(BJT)于1947年由BELL实验室的Batin、Bratain和Schokley 发明，它是三端器件，具有电流放大作用，其高速性能突出。
近二十年来，MOSFET 由于其低功耗、易于集成的特点，使得BJT的突出地位受到了严重挑战，但它在高速计算机、火箭和卫星、现代通信和电力系统方面仍是关键器件。
而且，随着异质结双极晶体管(HBT)的实现，双极晶体管技术也有了突破性进展，这类器件有希望保持其在速度方面的优势。
在制造晶体管和集成电路以及使用晶体管的过程中，都要检测其性能。
晶体管输入、输出及传输特性普遍采用直接显示的方法来获得特性曲线，进而可测量各种直流参数。
本实验的目的是了解半导体I-V测试系统的原理，掌握其使用方法，并用这种仪器进行晶体管直流参数测试及芯片检测，分析晶体管质量，找出失效原因，作为进一步改进器件性能的依据。
一、实验目的
了解晶体管特征参数对晶体管的影响。
二、实验原理
半导体I-V测试系统如图1所示，
图1 半导体I-V测试系统
利用半导体I-V 测试系统 (图1) 测试晶体管输出特性曲线的原理如图2所示。
图中BJT 代表被测的晶体管，R B 、E B 构成基极偏流电路。
取E B >>V BE ,可使I B =(E B - V BE )/ R B 基本保持恒定。
在晶体管C-E 之间加入一锯齿波扫描电压，并引入一个小的取样电阻R C ，这样加到示波器波上X 轴和Y 轴的电压分别为：
x ce ca ae ca c c ca
y c c c V =V =V +V =V -I R V V -I R -I ≈=∙∝
当I B 恒定时，在显示屏上可以看到一根I c —V ce 的特性曲线，即晶体管共发射极输出特性曲线。
图2 测试输出特性曲线的原理电路
为了显示一组在不
同I B 的特性曲线簇
I ci=Φ(Ici, V ce )应该在锯
齿波扫描电压每变化一
个周期时，使I B 也有一
个相应的变化，所以应将
图2中的E B 改为能随锯
齿波扫描电压变化的阶
梯电压。
每一个阶梯电压
能为被测管的基极提供
一定的基极电流，这样不
同的阶梯电压V B1 、V B2 、 V B3 …就可对应地提供不同的恒定基极注入电流I B1 I B2 I B3
…。
只要能
使每一阶梯电压所维持的时间等于集电极回路的锯齿波扫描电压周期，如图3所示，就可以在T 0时刻扫描出Ic0=Φ(Ib0, V ce )曲线，在T 1时刻扫描出Ic1=Φ(Ib1, V ce )曲线…。
通常阶梯电压有多少级，就可以相应地扫描出有多少根I c=Φ(Ib, V ce )输出曲线。
半导体I-V 测试系统是根据上述的基本工作原理而设计的。
描述晶体管的参数很多，双级型晶体管直流参数的测试主要包括：
1、反向漏电流和反向击穿电压的测试
将晶体管按规定的引脚插入之后，逐渐加大反向峰值电压，即可观察到晶体管反向伏－安特性曲线，进而可测出反向漏电流的大小。
当反向电压增加到某一数值之后，反向电流迅速增大，这就是击穿现象。
通常规定晶体管两级之间加上反向电压，当反向漏电流达到某一规定值时所对应的电压值即为反向击穿电压。
晶体管的反向漏电流和反向击穿电压有三种情况：
（1） I CBO, V (BR)CBO ：E 极开路时C-B 之间的反向漏电流和反向击穿电压；
（2） I EBO, V (BR)EBO ：C 级开路时E-B 之间的反向漏电流和反向击穿电压；
（3） I CEO, V (BR)CEO ：B 级开路时C-E 之间的反向漏电流和反向击穿电压；
根据这些参数的定义，测试时分别将晶体管C 、B 级，E 、B 级和C 、E 级分别与探针连接，然后加上反向电压，就可进行测量。
测试I CEO, V (BR)CEO 时，也可将晶体管E 、B 、C 分别和三端口相连接，将基极开路，在C 、E 级之间加上反向电压进行测量。
2、输入阻抗的测试
晶体管的输入特性对于共发
射极电路来说是指I B 和V BE 的关
系，输入阻抗用R in 表示。
以npn 管为例，将被测管E 、
B 、
C 极分别和三端口连接，然后
加大V CE 电压，便可得到如图4
所示的共发射极组态下的输入特
性曲线。
共发射极输入阻抗用R in 的定义可表示如下：
R in ＝αV BE /αI B |VCE=常数≈ΔV BF /ΔI B |VCE=常数
例如，若要测出当V BE ＝5V ，
I B =40μA 时的输入阻抗，可以调节使
V CE ＝5V ，I B 置10μA/级，从图4右边
一根曲线上，可自下而上数到第四个亮
点（Q 点），就对应于I B =4×10μA ＝
40μA 的一点，然后过Q 点作切线，以
切线为斜边作直角三角形，即可求出待
测的输入阻抗的数值，不同的I B 对应
于不同R in 的值。
3、电流增益的测试
共发射极电路电流增益的定义如下： h FE ＝αI C /αI B |VCE=常数≈ΔI C /ΔI B |VCE=常数
以npn 管为例，正确选择各个参数之后，将被测管通过探针接入半导体I-V 测试系统，就可以在屏幕上得到如图5所示的输出特性曲线簇。
对应于图中的工作点Q,可以求出电流增益为
h FEQ ＝ΔI C /ΔI B |VCEQ =(I C2-I C1)/(I B2-I B1)|VCEQ
测试得到I C ~I B 曲线，其曲线斜率就是h FE 。
所得曲线即为电流传输特性曲线。
4、饱和降压的测试
晶体管的饱和降压V CES 是指在给定的I B 和I C 的条件下，晶体管工作在饱和状态时集电极和发射极之间的电压降。
晶体
管的饱和压降曲线如图6所示。
这组特性曲
线是在输出特性曲线部分将V CE 轴放大之
后得到的。
根据饱和压降的定义，当给定I B
和I C 的数值后，可以从晶体管的饱和压降曲
线上找出相应的饱和压降V CES 。
I B 和I C 的取
值由测试条件规定，一般在测试中取I C ＝
10I B 时的V CE 值作为V CES 。
5、正常管和失效管输出特性曲线的比较
图6 晶体管饱和压降曲线
图7 几种不正常晶体管的输出特性曲线
（1）正常晶体管的输出特性曲线应该如图5所示。
在起始部分电流上升很快，然后变化比较平坦，即I B受V CE变化影响较小,表明输出阻抗很大。
线间的间隔比较均匀，表明电流增益基本保持不变。
从图形上计算出的电流增
益h FE比较合乎规格,晶体管的击穿电压较高。
（2）晶体管在生产者出现不正常的原因很多，故输出特性曲线的形状各异，一些不正常的输出特性曲线举例如下：
A、输出特性曲线疏密不均，特别是在I B较小时的几根曲线靠的很近,
甚至合并在一起，如图7（a）所示。
这种晶体管在小注入时β很小，
放大作用差，故对小信号工作时放大不利，容易引起非线性失真；
B、输出特性曲线倾斜而且发散，但零注入线（I B=0）仍是平的，如图
7(b)所示。
这种管子h FE随V CE的增大而增加,击穿电压较低，输出阻
抗也低，放大信号的线性作用差，失真大，工作不稳定；
C、特性曲线倾斜，而且零注入线也变成倾斜，如图7(C)所示这种晶体
管不仅输出阻抗低、线性差，而且反向漏电电流大；
D、曲线的上升部分缓慢，如图7(d)所示。
这种晶体管饱和压降太大，
不能用于开关工作，放大工作范围小。
三、实验仪器
本实验用到的仪器有：I-V测试仪、测试台和晶体管。
四、实验内容
在了解BJT的实验原理后，我们将测试BJT的直流参数：
1、利用I-V测试仪对BJT不同类型的反向击穿电压进行测试；
2、用I-V测试仪对BJT输入输出特性曲线测试；
3、测试BJT饱和曲线。
