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安徽富信半导体科技有限公司ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RB751S-40SOD-523Schottky Barrier Diode 肖特基势垒二极管▉Internal Configuration&DeviceMarking 内部结构与产品打标Type 型号RB751S-40Pin 管脚Mark 打标▉AbsoluteMaximum Ratings 最大额定值Characteristic 特性参数Symbol 符号Rat 额定值Unit 单位Peak Reverse V oltage 反向峰值电压V RM 40V DC Reverse Voltage 直流反向电压V R 40Forward Work Current 正向工作电流I O 30mA Peak Forward Surge Current 正向峰值浪涌电流I FSM200mA Power dissipation 耗散功率P D (Ta=25℃)150mW Thermal Resistance J-A 结到环境热阻R θJA 668℃/WJunction and Storage Temperature 结温和储藏温度T J ,T stg-55to+125℃■Electrical Characteristics 电特性(T A =25℃unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃)Characteristic 特性参数Symbol 符号Min 最小值Max 最大值Unit 单位Reverse Breakdown Voltage 反向击穿电压(I R =1mA)V (BR)40—V Reverse Leakage Current 反向漏电流(V R =30V)I R —0.5µA Forward V oltage 正向电压(I F =1mA)V F 0.37V Diode Capacitance 二极管电容(V R =1V,f=1MHz)C D—10pF Reverse Recovery Time 反向恢复时间T rr—5nSANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RB751S-40■Typical Characteristic Curve典型特性曲线ANHUI FOSAN SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD.RB751S-40■Dimension外形封装尺寸。
肖特基二极管芯片
肖特基二极管芯片
肖特基二极管芯片（Schottky diode chip）是一种半导体器件，是双极型（P-N结）二极管的一种，它的正向二极管特性比普通二极管的更明显，因此具有很高的压降和很低的漏电流，并且反向恢复时间比普通二极管稍长，是一种高速开关器件。
由于其特殊的半导体结构，它可以用于高效率恒定电流源的输出，以及汽车、航空等电子电路中的电源稳定电路和滤波器等。
肖特基二极管芯片和普通二极管芯片的构造有所不同。
它们分别有P型和N型半导体材料构成，当正向电压作用于正向端时，流过正向端的电流很小，而流过N型半导体的反向电压很大。
肖特基二极管芯片的最大优点就是半导体结构特殊，具有比普通二极管更低的正向压降和更小的反向漏流电流，以及比普通二极管更小的正向耗散系数，因此有更高的开关速度和开关效率。
此外，肖特基二极管芯片还具有低温敏感性、抗干扰能力高等优点，可以满足多种应用需求。
当然，肖特基二极管芯片也有一些缺点，如其较低的耐受电压和较大的反向漏电流，使它不适合于高压，高功率的应用场合。
而且由于肖特基二极管芯片的晶体结构，其成本也比普通二极管芯片更高，因此不适用于一些低价的实用应用中。
总而言之，肖特基二极管芯片是一种高效率的半导体器件，其高速开关和低反向漏电流使其特别适用于高速电路中的稳定电源、滤波
器等。
此外，肖特基二极管芯片还具有低温度敏感性和抗干扰能力等优势，可用于多种应用场合。
肖特基二极管的几中封装-概述说明以及解释1.引言1.1 概述肖特基二极管广泛应用于电子电路中，其性能优越且具有多种封装类型。
本文将重点探讨肖特基二极管的几种封装类型及其特点。
在开始介绍各种封装类型之前，我们先对肖特基二极管进行简要概述。
肖特基二极管是一种特殊结构的二极管，它由金属与半导体形成的异质结构组成。
相较于普通的二极管，肖特基二极管具有更快的开关速度、较低的开启电压和较小的开启电流等优点。
这些特性使得肖特基二极管在嵌入式系统、功率管理、高频电路以及模拟电路等领域得到广泛应用。
对于肖特基二极管的封装类型，本文将着重介绍TO-92和SOT-23两种常见的封装形式。
这两种封装形式具有各自的特点和适用场景，并在实际应用中得到广泛使用。
除了封装类型外，本文还将讨论封装材料的选择和封装形式的设计对于肖特基二极管性能的影响。
这些因素直接影响着器件的散热性能、电气特性以及机械可靠性等方面。
最后，我们将总结肖特基二极管的各种封装类型，并强调封装对器件性能的重要影响。
深入了解肖特基二极管封装类型的优缺点，对于正确选择合适的封装类型，提升电路性能，具有重要意义。
通过本文的阐述，我们希望读者能够全面了解肖特基二极管的封装类型及其特点，从而在实际应用中能够做出明智的选择。
1.2 文章结构本文将围绕肖特基二极管的封装类型展开论述。
首先在引言部分概述肖特基二极管的基本知识，并介绍本文的目的。
接下来在正文部分，将详细介绍肖特基二极管的封装类型，包括TO-92封装和SOT-23封装。
对于每种封装类型，将讨论其特点，包括封装材料选择和封装形式设计。
在结论部分，将总结肖特基二极管的封装类型，并强调封装对器件性能的影响。
通过本文，读者将能够全面了解肖特基二极管的几种封装类型及其特点，从而对肖特基二极管的应用和选择有更深入的认识。
希望本文能为读者提供有价值的信息，并在实际应用中起到指导作用。
1.3 目的目的部分的内容可以按照以下方式编写：目的：肖特基二极管是一种重要的电子器件，具有快速开关、低功耗和高工作频率等特点，被广泛应用于各个领域。
第五代thinQ!SiC：肖特基势垒二极管
佚名
【期刊名称】《世界电子元器件》
【年(卷),期】2012(000)011
【摘要】英飞凌近日宣布推出第五代650VthinQ!SiC肖特基势垒二极管。
新一代产品相对于英飞凌以往各代thinQ!产品，PFC升压级在所有负载条件下的效率都得到了进一步的提升。
英飞凌第五代产品的目标应用是高端服务器和电信SMPS （开关模式电源）、PC银盒和照明应用等。
【总页数】1页(P34-34)
【正文语种】中文
【中图分类】TN311.7
【相关文献】
1.浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性 [J], 陈守迎;张聪;汤德勇
2.低损耗碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管 [J],
3.基于4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线探测器 [J], 杜园园;张春雷;曹学蕾
4.英飞凌成功推出第五代thinQ!TMSiC肖特基势垒二极管 [J],
5.具有超低VF与高抗浪涌电流的SiC肖特基势垒二极管 [J],
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专利名称：肖特基势垒二极管
专利类型：发明专利
发明人：佐佐木公平,胁本大树,小石川结树,韶光秀申请号：CN201880013136.2
申请日：20180219
公开号：CN110326115A
公开日：
20191011
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：提供一种包括GaO系半导体的肖特基势垒二极管，其具有比以往的肖特基势垒二极管低的开启电压。
作为一个实施方式，提供肖特基势垒二极管(1)，其具有：半导体层(10)，其包括GaO系单晶；阳极电极(11)，其与半导体层(10)形成肖特基接合，并且与半导体层(10)接触的部分包括Fe或者Cu；以及阴极电极(12)。
申请人：株式会社田村制作所,诺维晶科股份有限公司
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市隆安律师事务所
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专利名称：氧化物半导体基板及肖特基势垒二极管
专利类型：发明专利
发明人：笘井重和,柴田雅敏,川岛绘美,矢野公规,早坂紘美申请号：CN201480045491.X
申请日：20140808
公开号：CN105474397A
公开日：
20160406
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。
申请人：出光兴产株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：洪秀川
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先进的芯片尺寸封装（CSP）技术
杜润
【期刊名称】《《电子工业专用设备》》
【年(卷),期】2006(035)009
【摘要】随着手机、掌上电脑、薄形笔记本等消费类电子产品的迅速发展,芯片尺寸封装技术(CSP)在我国从无到有,并在短短几年时间内取得了突飞猛进的发展。
论述了芯片尺寸封装(CSP)的7大特点,总结了6大类别,归纳了主要生产制作工艺,并对我国芯片尺寸封装技术(CSP)的发展提出了几点建议。
【总页数】7页(P36-42)
【作者】杜润
【作者单位】半导体行业协会封装分会北京100083
【正文语种】中文
【中图分类】TN305.94
【相关文献】
1.芯片尺寸封装(CSP)结构及漏印技术 [J], 杜松
2.芯片尺寸级CSP封装自动植球技术的研究 [J], 刘劲松;郭俭;王鹤
3.步入主流技术的芯片尺寸封装（CSP）技术 [J], 胡志勇
4.先进的芯片尺寸封装(CSP)技术 [J], 杜润
5.先进的芯片尺寸封装(CSP)技术及其发展前景 [J], 王振宇;成立;高平;史宜巧;祝俊因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
