防护电路设计(SMBJ、肖特基二极管)

防护电路设计防护电路设计图防护电路设计第一招：了解被保护电源模块的特性；譬如上述电源模块在浪涌测试中，可以通过多少伏的共模干扰？耐压测试是多少？模块内部是否集成了压敏电阻、放电管等瞬态抑制器件？+110V电路上是否集成了防反接的二极管？能否通过电压跌落20ms以上的测试？防护电路设计第二招：“瞬态抑制器件”与“安规耐压防护”结合：有些电源模块，由于绝缘耐压设计、器件选择（如开关MOS管耐过压冲击高），虽然没有共模抑制，但是单独对模块L、N与机壳地之间做浪涌测试，可达2000V以上。

这样的电源模块，由于其耐压防护较好，仅需要防护电路（前级滤波或共模抑制电路的输出残压在2000V就行。

这样设计的好处，如果外部干扰过压，在2000V以下，电源模块通过耐压水平硬扛，共模抑制电路根本不动作，有效的保护防护器件（防护器件，气体放电管、压敏电阻在冲击有一定的冲击使用寿命），提供其可靠性。

因此，在对电源模块能有效保护的前提下，防护电路的动作电路应可能的高，避免其动作频繁，导致过早失效。

当然选用的电源模块质量较差，其耐浪涌冲击的能力也会下降，但最终防护电路的残压，一定要低于其最大可承受的过压水平。

否则，前级过压的瞬态防护意义就会没有了。

防护电路设计第三招：别引祸上身！某设备现场运行实验时（旁边有晶闸管之类的切换，会产生过压谐振），发现其电源模块的压敏电阻（防护电路设计与浪拓电子提供的相拟，器件参数不一样）运行一周或一个月后，就会短路或自燃（烧坏电源滤波板），导致整个系统掉电（最严重的问题）。

仔细检查，电源屏在AC220V的电源上有防雷，但是其压敏电阻为14D561K（560V动作的）、气体放电管为B5G600(600V直流击穿电压)，该防雷模块由于设备内部的瞬态抑制电路动作（压敏电阻与气体入电管为470V），根本不起作用。

查明原因，并且更换动作电压更高的压敏电阻与气体放电管后（无任何瞬态抑制器件时，该设备的浪涌共模抗干扰能力达到1600V，因此更换防器器件上，不影响浪涌抑制）。

肖特基二极管结构和内电路1．肖特基二极管结构图13-3是肖特基二极管内部结构示意图。

肖特基二极管具有更低的串联电阻和更强的非线性，适合于在射频电路中应用。

某些金属和N型半导体材料接触后，电子会从N型半导体材料中扩散进入金属从而在半导体材料中形成一个耗尽层，具有和常规PN 结类似的特牲，这种由金属和半导体材料接触形成类似PN结势垒的结构称为肖特基结。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小。

如果在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大，如图13-4所示。

2．肖特基二极管内电路引线式肖特基对管又有共阳（两管的正极相连）、共阴（两管的负极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）3种引脚引出方式。

JRC2352图13-5是引线式肖特基对管内电路结构示意图。

贴片式肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，且内电路具体形式多达10余种。

图13-6所示是多种贴片式肖特基二极管内电路。

正极性半波整流电路图11-1所示是经典的正极性半波整流电路。

Tl是电源变压器，V D1是用于整流目的的整流二极管，整流二极管导通后的电流流过负载Rl。

为了分析电路方便，整流电路的负载电路用电阻Rl表示，实用电路中负载是某一个具体电子电路。

1．电路分析输入整流电路的交流电压来自于电源变压器Tl二次绕组输出端。

D1094DB分析整流电路工作原理需要将交流电压分成正、负半周两种情况。

(1)正半周交流电压使整流二极管导通分析。

交流电压正半周期间，交流输入电压使VD1正极上电压高于地线的电压，如图11-2所汞，二极管负极通过Rl与地端相连而为OV，VD1正极电压高于负极电压。

由于交流输入电压幅度足够大，(2) VD1导通时的电流回路分析。

图11-3是VD1导通后电流回路示意图，其回路为：Tl二次绕组上端→VD1正极→VD1负极→电阻Rl→地线→T1二次绕组下端。

一、肖特基二极管结构原理肖特基二极管（Schottky Diode）是一种特殊的二极管，它的结构原理和普通的 PN 结二极管有所不同。

普通的 PN 结二极管是由 P 型半导体和 N 型半导体材料构成的，而肖特基二极管是由金属和半导体材料构成的。

具体而言，肖特基二极管是由金属和半导体的接触界面构成的，通常是一种金属覆盖在 N 型半导体表面上，形成一种金属－半导体接触。

二、肖特基二极管的参数对于肖特基二极管来说，有一些关键的参数需要我们了解。

其中最重要的参数之一是肖特基势垒高度，记作Φ_B。

它是描述金属和半导体接触界面的势垒高度的重要参数。

另外，肖特基二极管还有正向电压降（V_F）、反向漏电流（I_R）、最大反向工作电压（V_RRM）等参数，这些参数都影响着肖特基二极管的性能和应用。

三、深度探讨：肖特基二极管的优势和应用相对于普通的 PN 结二极管，肖特基二极管具有许多优势和特点。

它的正向压降较小，约为0.3V左右，这意味着在一些特定的应用场合中，肖特基二极管可以替代普通的 PN 结二极管，实现更低的功耗和更高的效率。

肖特基二极管的开关速度非常快，这使得它在高频和射频电路中得到广泛应用。

四、广度探讨：肖特基二极管的应用领域肖特基二极管由于其独特的特性，在许多领域都有着广泛的应用。

在通信领域，肖特基二极管被广泛应用于射频功率放大器和射频混频器等电路中，用于实现信号的调制和解调。

在开关电源和电源管理领域，肖特基二极管也被用于设计高效、稳定的开关电源电路和直流电源管理电路。

在光伏领域、功率电子领域和微波领域，肖特基二极管也都有着重要的应用。

五、总结与回顾通过本文的深度和广度探讨，我们对肖特基二极管的结构原理和参数有了全面的了解。

肖特基二极管作为一种特殊的二极管，在功耗、开关速度和应用领域等方面有着许多优势，因此在现代电子电路中有着广泛的应用前景。

希望本文能够帮助读者深入理解肖特基二极管，并在实际应用中发挥其重要作用。

硕凯SOCAY瞬态二极管SMBJ15CA在RS485-RS232防护方案上的应用硕凯电子（Sylvia）一、应用背景：1.RS485/232走线很长，易有过压现象2.RS485/232走线置于室外，易受雷击3.RS485/232走线易受其他线路干扰二、方案应用：1.监控/安防系统2.门禁系统3.铁路信号控制灯4.智能交通系统5.电表/水表/仪器仪表6.光端机三、方案说明及注意事项：1.前端采用通流量大的GDT，泄放大电流。

2.后端采用反应时间快的TVS，残压低，有效保护RS485/232芯片。

3.中间采用PTC做退藕，让前端GDT更容易动作，达到泄放电流作用。

4.本方案满足IEC61000-4-2、GBT17626.2等静电标准，IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌标准。

5.本方案在差模，共模均采用的是同型号的TVS和GDT，防护无死角。

6.可通过10/700μS（等效内阻40ohm）、1.2/50-8/20μS测试，具体防护等级需参考GDT和TVS 的通流量。

四、防护电路图：使用硕凯器件：1、瞬态抑制器：TVS1/TVS2/TVS3型号：SMBJ15CA；Vbr（V）：16.7-18.5；Ir：5μA；Vrwm：15.0V；Ipp：24.59A；Vc（V）：24.4；封装：SMB/DO-214AA。

2、陶瓷气体放电管：GDT型号：UN3E5-470LSMD；直流标称电压（V）：470±20%；冲击电流(8/20μS)：2.5KA x2；Cp：＜1.5pF；电阻：＞1GΩ；备注：中等防护级别。

GDT型号：UN3E6-420MM；直流标称电压（V）：420±20%；冲击电流(8/20μS)：5KA x2；Cp：＜1.5pF；电阻：＞1GΩ；备注：高等防护级别。

3、温度保险丝：PTC1/PTC2型号：JK250-120U；最大冲击电压：250V；最大冲击电流：10A；最大不动作电流：120mA；备注：插件类。

Surface Mount Schottky Barrier Diodes贴片肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），在电源工业领域已经有25年历史，它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

Features特性紧凑型封装，易安装高效的过电压保护器件超低的正向压降高频电路的理想产品符合相关焊接国际标准MIL-STD-2023.0Ampere/SMB ELECTRICAL CHARACTERISTICS电气参数SYMBOLS符号/缩写I(AV)……Average Forward Rectified Current正向平均整流电流IRM……Maximum Reverse Leakage Current最大反向漏电流IRRM……Repetitive Peak Reverse Current重复峰值反向电流IRSM……Maximum Non-repetitive Reverse Peak Current最大反向不重复峰值电流VFM……Maximum Forward Voltage最大正向电压VFR……Forward Recovery Voltage正向恢复电压VRRM……Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage重复峰值反向电压TYPICAL CHARACTERISTICS典型曲线SMB B产品尺寸(Dimension Unit:inch/mm)PCB Layout mm/inchPCB Layout定购信息Order Information2500PCS/Reel30,000PCS/BoxNOTE:ALL DATA AND SPECIFICATIONS ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.ALL PRODUCTS COMPATIBLE WITH ROHS注意：所有的规格、参数更新将不例行通知。

详解肖特基二极管的作用及接法详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管的作用肖特基二极管的作用如下:肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。

其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面，通过在BJT 上连接Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。

这种方法是74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。

在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。

另外它的恢复时间短。

它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。

选用时要全面考虑。

肖特基二极管的作用及其接法肖特基二极管的作用及其接法,肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

1、肖特基二极管的作用及其接法-整流利用肖特基二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

在电路中，电流只能从肖特基二极管的正极流入，负极流出。

MOS管保护二极管电路1. 介绍在电子电路中，MOS管（金属氧化物半导体场效应管）是一种常用的器件，用于实现电流放大、开关控制等功能。

然而，MOS管在工作过程中可能会受到过高的电压、过大的电流等因素的损坏。

为了保护MOS管，常常需要添加保护二极管电路。

保护二极管电路是一种简单而有效的电路，通过引入二极管来保护MOS管。

当MOS管受到过高的电压或过大的电流时，二极管将会被导通，将多余的电流或电压绕过MOS管，从而保护MOS管不被损坏。

本文将详细介绍MOS管保护二极管电路的原理、设计和应用。

2. 原理MOS管保护二极管电路的原理基于二极管的特性。

二极管是一种非线性元件，具有正向导通和反向截止的特性。

当二极管处于正向偏置时，即正向电压大于二极管的正向压降时，二极管将导通。

而当二极管处于反向偏置时，即反向电压大于二极管的反向击穿电压时，二极管将截止。

在MOS管保护二极管电路中，二极管被串联在MOS管的源极和漏极之间。

当MOS管的源极电压高于漏极电压时，二极管处于反向偏置，不导通。

而当源极电压低于漏极电压时，二极管处于正向偏置，导通。

这样，当MOS管受到过高的电压时，二极管将导通，将多余的电压绕过MOS管，保护MOS管不被损坏。

3. 设计设计MOS管保护二极管电路需要考虑以下几个方面：3.1 选择二极管在选择二极管时，需要考虑其最大反向电压和最大反向击穿电压。

最大反向电压应大于MOS管的工作电压，以确保二极管不会因过高的电压而损坏。

最大反向击穿电压应远大于MOS管的工作电压，以确保二极管在MOS管受到过高电压时能够可靠导通。

常用的二极管有硅二极管和肖特基二极管。

硅二极管具有较高的最大反向电压和最大反向击穿电压，适用于较高电压的应用。

肖特基二极管具有较低的正向压降和较快的恢复速度，适用于高频应用。

3.2 连接方式MOS管保护二极管电路可以采用并联连接或串联连接的方式。

并联连接的电路如下图所示：+---------+| |----|MOS管 |----| |----|源极 |----| |+----|<---+||二极管||GND串联连接的电路如下图所示：+---------+| |----|MOS管 |----| ||源极 || || ||二极管 || |+----|<---+||GND并联连接的电路简单且常用，适用于大多数情况。

肖特基二极管整流一、什么是肖特基二极管肖特基二极管（Schottky diode）是一种特殊的二极管，由石墨和金属接触而成。

它具有非常低的回复时间、低电压损耗以及高工作频率的特性，常被用于高速开关、功率整流、电压转换等领域。

二、肖特基二极管的原理肖特基二极管的原理是基于肖特基效应。

当金属与半导体接触时，由于金属与半导体之间的势垒形成，电子会从金属转移到半导体中。

由于金属的电子云密度远高于半导体，电子从金属转移到半导体时不会留下空穴，因此没有复合电流。

这使得肖特基二极管的正向压降（正向偏置时的电压降）相对较低，导通电阻小，自带电压小于标准PN结二极管。

三、肖特基二极管的特点肖特基二极管具有以下特点：1.低电压损耗：由于肖特基二极管没有耗散在扩散区的电流，因此在正向导通时具有较低的电压降，使得能量损耗减少。

2.快速开关速度：由于肖特基二极管的结容量小，载流子注入和抽取速度快，具有较快的开关速度。

3.高工作频率：由于其快速开关速度，肖特基二极管适用于高频率应用，能够满足高速交换要求。

4.低反向漏电流：由于肖特基二极管没有扩散区，只有冲击离子化的反向电流，因此反向漏电流小。

5.温度特性好：肖特基二极管的反向特性稳定，温度变化对其性能影响较小。

四、肖特基二极管的应用1.功率整流器：由于肖特基二极管的低电压损耗和快速开关速度，可以用于功率整流电路，提高整流效率和功率因数。

2.电压倍增器：肖特基二极管可以用于电压倍增电路，实现输入电压的倍增。

3.开关电源：肖特基二极管的快速开关特性和高工作频率使其成为开关电源中的重要元件。

4.频率多重器：由于肖特基二极管的高工作频率，可以用于频率多重器，将输入信号的频率倍增。

5.调制解调器：肖特基二极管可以用于调制解调器中的整流和检波。

6.高频放大器：由于肖特基二极管的低噪声和高频特性，适用于高频放大器。

五、肖特基二极管的选型和应用注意事项选用肖特基二极管时，需要考虑以下因素：1.导通电压降：根据具体应用需求选择合适的导通电压降，以确保电路正常工作。

防电源接反，这里有个方法，加个肖特基二级管就可以！熟悉二极管的特性就知道，二极管显著的一个特性就是单向导电性。

防止电路板正负极接反，在电路板中加二极管是最简单有效的方法。

为什么用肖特基二极管呢？因为肖特基二极管功耗低、超高速。

其最显著特点是反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降0.4V左右。

其主要用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

在变频器、通信电源等应用中比较常见。

那么该怎么在电路板中加肖特基二极管呢？有几种方法：（1）最常见的就是在电路板电源输入正极上加一个二极管如图所示，在电源的正极上接个二极管，由二极管的单向导电性可知，此时，电源与负载电路板形成一条回路，电路板可正常工作。

当电源正负极接反时，如图所示：此时电流从电路板负极流向正极，经过二极管处时，由于二极管的单向导电性，阻止了电流流过，此时的电路板与电源无法构成一条回路，因此电源接反对电路板没有任何影响。

假如没有这个防电源接反二极管，当电源接反时，此时负载电路构成回路，负载流过的电流与正常情况不一样，从而导致负载电路烧毁。

（2）在电路板电源输入负极上加一个二极管原理和加在正极一样，当电源接反时，二极管阻止了电流流过，无法形成回路。

（3）一种无极电路接法上面单二极管防反接原理，只有当电源正负极接线正常时电路板才能正常工作。

下面介绍一种方法：电源正负极接反一样可以正常工作的电路原理。

具体原理如图所示。

（1）当输入IN1为正，IN2为负时，D1导通，D3截止，正电压电流从D1流向电路板正极；D4导通，D2截止，电路板负极电流由D4流向IN2，形成一条完整的回路，电路板正常工作。

（2）当输入IN2为正，IN1为负时，D2导通，D4截止，正电压电流从D2流向电路板正极；D3导通，D1截止，电路板负极电流由D3流向IN1，形成一条完整的回路，电路板正常工作。

总结：此电路的优点是，无论电源的正负极如何接线，电路板一样正常工作；缺点是，整个回路有两个二极管的压降。

肖特基势垒光电二极管原理及应用引言肖特基势垒光电二极管又称金属-半导体光电二极管，其势垒不再是p-n结，而是金属和半导体接触形成的阻挡层，即肖特基势垒。

1 肖特基势垒二极管结构原理及特性1.1简述图1 肖特基势垒二极管肖特基二极管（如图1）是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD 是肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用p型半导体与n型半导体接触形成p-n结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的，中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

1.2结构原理图2 肖特基势垒二极管结构原理及等效电路肖特基势垒二极管（也叫热载子二极管）在机械构造上与点接触二极管很相似，但它比点接触二极管要耐用，而且功率也更大。

图2（a）给出了肖特基势垒二极管的基本构造。

图2（b）是其等效电路。

这种形式的电路是威廉姆·肖特基（William Schottky）在1938年研究多数载流子的整流现象时提出的。

肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等） A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而削弱了由于扩散运动而形成的电场。

肖特基二极管特性详解(经典资料)肖特基二极管特性详解我们所熟知的二极管被广泛应用于各种电路中，但我们真正了解二极管的某些特性关系吗?如二极管导通电压和反向漏电流与导通电流、环境温度存在什么样的关系等，让我们来扒扒很多数据手册中很少提起的特性关系和正确合理的选型。

下面就随半导体设计制造小编一起来了解一下相关内容吧。

我们都知道在选择二极管时，主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。

但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的，在电路设计中知道这些关系对选择合适的二极管显得极为重要，尤其是在功率电路中。

接下来我将通过型号为SM360A(肖特基管)的实测数据来与大家分享二极管鲜为人知的特性关系。

1、正向导通压降与导通电流的关系在二极管两端加正向偏置电压时，其内部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。

只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。

但二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图1的测试电路在常温下对型号为SM360A的二极管进行导通电流与导通压降的关系测试，可得到如图2所示的曲线关系：正向导通压降与导通电流成正比，其浮动压差为0.2V。

从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V，但对于功率二极管来说它不仅影响效率也影响二极管的温升，所以在价格条件允许下，尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的二极管。

图1 二极管导通压降测试电路图2 导通压降与导通电流关系2、正向导通压降与环境的温度的关系在我们开发产品的过程中，高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。

环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的，二极管当然也不例外，在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表1与图3的关系曲线可知道：二极管的导通压降与环境温度成反比。

肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

目录肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

编辑本段原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然，金属A 中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

肖特基二极管典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

电源防反接设计方案在硬件设计中，往往会会遇到电源正负极接反导致设备烧毁的情况，主要原因是由于，电源接反的情况下，设备内部形成了低阻回路，导致电流过大从而短路烧毁，为了避免这个问题，在硬件设计中需要合理设计出防反接电路。

目前主流的防反接电路分为以下几类：1、整流桥防反接电路，2、二极管防反接电路，3、MOS管防反接电路（PMOS和NMOS），4、防反接集成IC。

1、整流桥方案整流桥内部为4颗二极管组成，利用二极管的单向导通性工作，该方案可以实现外部供电不用区分正负，反接设备也能正常工作，但是该方案链路串联了两个二极管，导致压降达到1V以上，如果用在大电流的情况下损耗会很高，但是用在功耗较低的设计中还是不错的选择。

2、二极管方案利用二极管的单向导通性，在电源回路中串入一颗二极管也能起到防反接的作用，该方案成本低，压降略低于整流桥方案，在一些小玩具、小家电等产品中运用很多，但是该方案在大电流场合依旧不太适用，电流过大会在二极管上产生较高的功率耗散，功率会以热量的形式耗散出去，影响效率的同时还会导致二极管击穿失效等故障。

3、MOS管防反接电路由于MOS管的导通电阻极小，基本在毫欧级别，电流较大时也不会产生较高的压降，因此不会像二极管一样产生较高的导通损耗，可以运用于大电流的场合。

Mos管防反接电路分为两种，一种是PMOS防反接电路，该电路中的PMOS连接在电源输入的正极端，当输入正负极连接正确时，PMOS正常导通，设备正常供电，当输入正负极反接时，POS的栅极产生高电平，PMOS截止，起到保护电路的作用。

另外一种防反接电路为NMOS防反接电路，该电路的NMOS连接在电源输入的负极端，当输入正负极连接正确时，NMOS正常导通，设备正常供电，当输入正负极反接时，NOS的栅极产生低电平，NMOS 截止，起到保护电路的作用。

4、保险丝和二极管防反接使用反向二极管＋保险丝的方式也可以起到防反接保护，但是该电路在接反以后可能会造成保险丝直接损坏，尤其是在大电流的运用场合，可以使用自恢复的保险丝替换普通保险丝，但是该电路依旧存在风险，需慎用。

肖特基二极管的介绍和作用一、肖特基二极管介绍：SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

二、肖特基二极管作用：肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。

其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面，通过在BJT 上连接Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。

这种方法是74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。

在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。

另外它的恢复时间短。

三、肖特基二极管的特点：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。

SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。

由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

3）它属一种低功耗、超高速半导体器件。

最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。

肖特基二极管反接保护电路
肖特基二极管反接保护电路是一种常用的电路保护方案，它可以有效地防止电路中的二极管由于反向电压而损坏。

该电路通过在肖特基二极管的正向并联一个普通二极管，形成一个反向保护回路，使得当电路中的电压反向时，普通二极管会处于正向导通状态，阻止反向电流流经肖特基二极管，从而保护了肖特基二极管的正常工作。

同时，该电路保护方案还具有响应速度快、损失小、可靠性高等优点，被广泛应用于各种电子器件和电路中。

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共阴极肖特基二极管的电路应用1.引言1.1 概述概述部分的内容旨在介绍共阴极肖特基二极管的电路应用，为读者提供本文的背景和整体框架。

共阴极肖特基二极管是一种特殊的二极管，它融合了肖特基二极管和共阴极放大电路的特点。

它具有独特的极性，即只允许电流从阴极向阳极流动，且其整流特性优于传统二极管。

这使得它能够在各种电路中发挥重要的作用。

本文将首先介绍共阴极肖特基二极管的基本原理，包括其内部构造和工作原理。

接着，我们将详细探讨它在电路中的特点，如高频特性、低功耗、高转导率等。

这些特点使得共阴极肖特基二极管在许多电路应用中具有独特的优势。

在正文的后半部分，我们将重点讨论共阴极肖特基二极管在电路中的应用。

这包括放大电路、混频器、频率锁定环路等。

我们将通过具体的电路示例和实际应用案例来说明共阴极肖特基二极管在这些应用中的作用和效果。

最后，我们将总结共阴极肖特基二极管的优势和局限性。

虽然它在很多方面表现出色，但也存在一些限制因素，如工作温度范围较窄、价格较高等。

我们将更加客观地评估共阴极肖特基二极管在电路设计中的可行性和适用性。

通过全面而系统的介绍，本文旨在帮助读者更好地了解共阴极肖特基二极管的电路应用，并为他们在实际工程中的选型和设计提供参考。

同时，我们也希望能够促进共阴极肖特基二极管技术的进一步发展和应用的拓展。

1.2 文章结构本文共阴极肖特基二极管的电路应用，主要分为引言、正文和结论三个部分。

引言部分首先对共阴极肖特基二极管的电路应用进行了概述，介绍了它在现代电子领域中的重要性和广泛应用的背景。

接着对文章的结构进行了说明，即文章包含引言、正文和结论三个部分。

最后明确了文章的目的，即探讨共阴极肖特基二极管在电路中的具体应用及其优势和局限性。

正文部分首先详细介绍了共阴极肖特基二极管的基本原理，包括其组成结构和工作原理。

然后分析了共阴极肖特基二极管的特点，包括其高频特性、低噪声特性和高温特性等方面。

通过对这些特点的介绍，读者可以更加深入地了解共阴极肖特基二极管的性能和特性。

肖特基二极管工作要求肖特基二极管是一种半导体元件，具有快速响应、低噪声、低功耗等优点，广泛应用于电子、通信、计算机等领域。

但是，要使肖特基二极管发挥最佳性能，需要满足一定的工作要求，本文将对此进行详细介绍。

一、正向偏置电压肖特基二极管是一种非常特殊的二极管，它的正向电压与普通二极管有所不同。

在正向偏置时，肖特基二极管的正向电压应该控制在0.3V以下，否则会导致反向漏电流增加，进而影响二极管的工作稳定性和寿命。

因此，在设计电路时，应该根据具体情况选择合适的正向偏置电压，以确保肖特基二极管的正常工作。

二、反向电压与普通二极管不同，肖特基二极管可以承受一定的反向电压，但是反向电压过大会导致二极管击穿，严重时会损坏器件。

因此，在使用肖特基二极管时，应该根据具体型号和规格，选择合适的反向电压范围，以避免反向击穿。

三、工作温度肖特基二极管的工作温度范围一般为-55℃~+150℃，但是不同型号和规格的肖特基二极管工作温度范围可能会有所不同。

在实际应用中，应该根据具体情况选择合适的工作温度范围，以确保二极管的工作稳定性和寿命。

四、电流负载肖特基二极管的电流负载应该在规定范围内，过大的电流负载会导致器件过热，影响二极管的工作稳定性和寿命。

因此，在使用肖特基二极管时，应该根据具体规格和应用要求，选择合适的电流负载范围。

五、封装形式肖特基二极管的封装形式有多种，如SOD-123、SMA、SMB、SMC 等，应该根据具体应用场景和要求，选择合适的封装形式。

同时，在使用肖特基二极管时，应该注意封装温度和封装材料对二极管性能的影响，以确保二极管的工作稳定性和寿命。

六、防静电肖特基二极管对静电敏感，因此在使用过程中要注意防静电。

在存放和运输肖特基二极管时，应该采取防静电措施，避免静电对二极管造成损害。

在使用肖特基二极管时，应该注意接地和防静电措施，以确保二极管的工作稳定性和寿命。

综上所述，肖特基二极管的工作要求包括正向偏置电压、反向电压、工作温度、电流负载、封装形式和防静电等方面。

防止电路板正负极接反，电路板怎么加肖特基二极管？感谢邀请。

我不懂这个，不过我在电子电路网上为您找到了下面的这篇文章，敬请参考：防止DC电源输入反接的3种:1)串联有4只二极管的全桥。

优点是无论正接、反接，电源都能正常工作。

缺点是要损失1.2V ~ 1.4V的电压。

2)串联有1只二极管。

优点是电路简单、可靠。

但有0.7V的压降。

3)串联自恢复保险，在保险后面的电源正、负极反向并联1只二极管。

优点输入电压没有损耗。

缺点是成本较高。

当然亦可把自恢复保险换成普通保险丝。

这样材料成本虽然降低，但维护成本反而大大增加。

对于第一种方法，可以用肖特基二极管SBD（Schottky Barrier Diode）代替普通的二极管。

肖特基二极管的优点在于正向偏置电压较低，这样的话损失的压降小。

整理桥式防护电路： Altera的DE2的原理图上有这样的防护设计。

无论输入电源正接还是反接，都可以正向导通。

注： 1、3脚是连在一起的。

当2脚接正(+)，3脚/1脚接负(-)时，①通道导通(D6、D8正向导通，D6、D7反向截止)。

当2脚接负(-)，3脚/1脚接正(+)时，②通道导通(D6、D8反向截止，D6、D7正向导通)。

肖特基二极管SS14：在这种整流桥式的防护电路中用的比较多的肖特基二极管是SS14。

同系列的有SS12、S13、S14、S15、S16、SS18、S100。

后面一个数值分别表示反向耐压值(Maximum Repetitive Reverse Voltage)，SS12反向耐压为20V，S100反向耐压值为100V。

SS和SK是一样的，sk1*平均整形正向电流(Average Rectified Forward Current)是1A，sk3*是3A，sk5x是5A,sk1x后面的x是对应的电压.因为sk**和1N58指标相似,所以一般互用。

1N58系列是直插芯片。

SS、SK系列的贴片肖特基二极管的封装基本都是DO-124AB。