《电工学-电子技术-下册》习题册习题解答教学内容

第4章 场效应管放大电路与功率放大电路4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压thU （或夹断电压pU ）约是多少。

GSGS (a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解：(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。

4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。

(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。

解：(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D=-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D=+⨯=-=U U I I4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。

(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(2) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。

解：(1)/V(2)i D /V4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET 的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

解：4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解： (a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压(c) 能放大（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。

共漏1A ，可增加R d，并改为共源放大，将管u子改为耗尽型，改电源极性。

图4.2 习题4.5电路图4.6 电路如图4.3所示，MOSFET 的U th =2V ，K n = 50mA/V 2，确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。

解：)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ=⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =-=⨯-=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯-=-=R I V UR g1R g2 100k 15kΩ(a)图 4.3 习题 4.6电路图图4.4 习题4.7电路图4.7 试求图4.4所示每个电路的U DS，已知|I DSS| = 8mA。

《电工与电子技术》习题与解答电工电子教研室第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题*1．若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A 、正、反向电阻相等B 、正向电阻大，反向电阻小C 、反向电阻比正向电阻大很多倍D 、正、反向电阻都等于无穷大 *2．电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V ，当U i =3V 时，则U 0的值( D )。

A 、不能确定B 、等于0C 、等于5VD 、等于3V**3．半导体三极管是具有( B )PN 结的器件。

A 、1个 B 、2个 C 、3个 D 、4个5．晶体管的主要特性是具有（ D ）。

A 、单向导电性B 、滤波作用C 、稳压作用D 、电流放大作用 *6．稳压管的稳压性能是利用PN 结的（ D ）。

A 、单向导电特性 B 、正向导电特性 C 、反向截止特性 D 、反向击穿特性8．对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ） A 、确定静态工作点QB 、确定集电结和发射结的偏置电压C 、确定电压放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r 0D 、确定静态工作点Q 、放大倍数A u 和输入、输出电阻r i ，r o *9．射极输出器电路如题9图所示，C 1、C 2足够大，对输入的交流信号u 可视作短路。

则输出电压u 0与输入电压u i 之间的关系是( B )。

A 、两者反相，输出电压大于输入电压B 、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C 、两者相位差90°，且大小相等D 、两者同相，输出电压大于输入电压 *11．在共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻R L 增大时，电压放大倍数将( B )A 、减少B 、增大C 、保持不变D 、大小不变，符号改变 13．在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。

题2图题9图A 、正确的B 、不正确的C 、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。

第15章　基本放大电路15.1　复习笔记一、共发射极放大电路的组成1．电路结构图15-1是共发射极接法的基本交流放大电路。

图15-1 共发射极基本交流放大电路2．性能指标（1）输入电阻放大电路的输入端用一个等效电阻r i 表示，它称为放大电路的输入电阻，是信号源的负载，即（2）输出电阻放大电路的输出端也可用一电压源表示，它是负载电阻R L 的电源，其内阻r o 称为放大电路的输出电阻。

放大电路的输出电压与输入电压之比，称为放大电路的电压放大倍数。

即o U &iU &二、放大电路的静态分析1．用放大电路的直流通路确定静态值图15-2是图l5-1放大电路的直流通路。

画直流通路时，电容C 1和C 2可视为开路。

图15-2 图15-1交流放大电路的直流通路①由直流通路，可得出静态时的基极电流②由I B 可得出静态时的集电极电流③静态时的集-射极电压则为晶体管集电极电流I C与集-射极电压U CE之间的伏安特性曲线即为输出特性曲线（图15-3）。

在图15-2所示的直流通路中，晶体管与集电极负载电阻R C串联后接于电源U CC。

可列出或图15-3 用图解法确定放大电路的静态工作点这是一个直线方程，其斜率为，在横轴上的截距为U CC，在纵轴上的截距为。

这一直线很容易在图15-3上作出，称为直流负载线。

负载线与晶体管的某条输出特性曲线的交点Q，称为放大电路的静态工作点，由它确定放大电路的电压和电流的静态值。

I B通常称它为偏置电流，简称偏流。

产生偏流的电路，称为偏置电路。

R B称为偏置电阻。

通常是改变R B的阻值来调整偏流I B的大小。

三、放大电路的动态分析1．微变等效电路法放大电路的微变等效电路，就是把非线性元件晶体管所组成的放大电路等散为一个线性电路，也就是把晶体管线性化，等效为一个线性元件。

（1）晶体管的微变等效电路图15-4（b）所示就是晶体管微变等效电路（a ）（b ）图15-4 晶体管及其微变等效电路其中①晶体管的输入电阻②晶体管的电流放大系数③晶体管的输出电阻（2）放大电路的微变等效电路由晶体管的微变等效电路和放大电路的交流通路可得出放大电路的微变等放电路。

电工与电子技术（下篇）习题88-1 试判断题8-1图中二极管是导通还是截止，并求AO U (设二极管为理想器件)。

解：分析此类包含有二极管的电路时，应首先断开二极管，再分别求出其阳极、阴极电位， 从而判断二极管的导通截止状态，在此基础上再求解电路。

（a ）先将二极管D 断开，设O 点电位为0，则有：ＵB ＝－4V ＵA ＝－10V二极管两端的电压：ＵD ＝ＵBA ＝ ＵB －ＵA ＝６Ｖ＞０ 所以二极管导通，其实际的端电压为ＵD ＝０ 故：ＵAO ＝ＵB ＝－４Ｖ（b ）先将二极管Ｄ1、、D 2断开，设O 点电位为0，则有：ＵB ＝－15V ＵA ＝－12V二极管两端的电压：ＵD1＝ＵOA ＝ ＵO －ＵA ＝12Ｖ＞０ ＵD2＝ＵBA ＝ＵB －ＵA ＝－３Ｖ＜０ 所以二极管Ｄ１导通，D ２截止。

其实际的端电压为ＵD1＝０ 故：ＵAO ＝ＵD1＝０Ｖ（c ）先将二极管Ｄ1、、D 2断开，设O 点电位为0，则有：ＵB ＝－６Ｖ ＵA ＝－９Ｖ二极管两端的电压：ＵD1＝ＵAB ＝ ＵA －ＵB ＝－3Ｖ＜０ ＵD2＝ＵAO ＝ＵA －ＵO ＝－９Ｖ＜０ 所以二极管Ｄ1、、D 2截止。

故：ＵAO ＝ＵA ＝－9Ｖ8-2 在题8-2图中，求出在下列几种情况下输出端F 的电位(设二极管为理想器件): （1）0B A ==U U ；（2）V 3A =U 、0B =U ；（3）V 3B A ==U U 。

解：类似于题8-１，除了要先断开二极管，求阳极、阴极电位外，此类二极管共阴、共阳电 路的题，还需要用到优先导通的概念，即阳极和阴极之间电位差大的二极管优先导通。

先断开二极管D A 、D B ：(1) ＵF ＝12Ｖ， U DA =ＵF －ＵA ＝12Ｖ， U DB ＝ＵF －ＵB ＝12ＶU AOAO(a)题8-1图U AO AO(b)U AOAO(c)两二极管承受相同的正向电压，故两二极管均导通。

则有：ＵF ＝ＵA ＝ＵB ＝0V（2） ＵF ＝12Ｖ， U DA =ＵF －ＵA ＝9Ｖ， U DB ＝ＵF －ＵB ＝12Ｖ两二极管承受不同的正向电压，承受正向电压大的二极管优先导通。

电工习题下册答案电工习题下册答案电工习题下册是电工学习过程中的重要辅助资料，通过习题的练习可以帮助学生巩固所学的理论知识，提高解决实际问题的能力。

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第一章：电路基础知识1. 电流的方向是由正极流向负极，电子的方向是相反的。

2. 串联电路中，电流相等，电压之和等于总电压。

3. 并联电路中，电压相等，电流之和等于总电流。

4. 电阻的单位是欧姆（Ω），电流的单位是安培（A），电压的单位是伏特（V）。

5. 电阻的计算公式为：电阻 = 电压 / 电流。

第二章：电路分析方法1. 基尔霍夫定律是电路分析中的重要工具，它包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。

2. 基尔霍夫电流定律（KCL）：在任何一个节点上，流入节点的电流之和等于流出节点的电流之和。

3. 基尔霍夫电压定律（KVL）：沿着闭合回路的任意一条路径，电压上升之和等于电压下降之和。

4. 用基尔霍夫定律可以解决复杂的电路问题，如电流分布、电压分布等。

第三章：电源和电路元件1. 电源是提供电能的装置，常见的电源有电池、发电机、电网等。

2. 电路元件包括电阻、电容、电感等。

它们分别用来控制电流、储存电荷和储存能量。

3. 电阻是电流的阻碍器，它的阻值决定了通过它的电流大小。

4. 电容是储存电荷的元件，它的容值决定了储存的电荷量。

5. 电感是储存能量的元件，它的感值决定了储存的能量大小。

第四章：交流电路1. 交流电路是指电流方向和大小随时间变化的电路。

2. 交流电路中，电流和电压的关系由欧姆定律和欧姆定律的推广形式——交流欧姆定律来描述。

3. 交流电路中，电压和电流的关系由电阻、电容和电感的阻抗来描述。

4. 交流电路中，阻抗的计算公式为：阻抗 = 电压 / 电流。

5. 交流电路中，功率的计算公式为：功率 = 电压× 电流× cosθ，其中θ为电压和电流的相位差。

电工学电子技术第七版下册答案【篇一：电工学(下册)电子技术基础第7章习题解答】txt>7.1 如图所示的基本rs触发器的电路图以及rd和sd的工作波形如图7.1所示，试画出q端的输出波形。

rdsd(b)图7.1 习题7.1的图解：rdsdq7.2 同步rs触发器电路中，cp，r,s的波形如图7.2所示，试画出q端对应的波形，设触发器的初始状态为0。

qcpcpsqr(a)(b)图7.2 习题7.2的图解：cpsr7.3 图7.3所示的主从结构的rs触发器各输入端的波形如图（b）所示。

sd=1，试画出q、q端对应的波形，设触发器的初始状态为 cpdsr(a)(b)图7.3 习题7.3的图解：cpdsrq7.4 试分析如图所示电路的逻辑功能。

图 7. 4习题7. 4的图解：j?qk?1qn?1?jq?kq?q所以构成t’触发器，具有计数功能。

7. 5 设jk触发器的初始状态为0，画出输出端q在时钟脉冲作用下的波形图。

1cpqcp图7.5习题7. 5的图解： jk触发器j、k端均接1时，计数。

cpq7.6 在图7.6所示的信号激励下，画出主从型边沿jk触发器的q端波形，设触发器的初始态为0。

cpjk(a)(b)图7.6 习题7.6的图解：cpjkqqcp图7.7 习题7.7的图解：cp为0时，保持；cp为1时，r=s=0，则保持，r=s=1时置0，当r=0，s=1时，置1，当r=1，s=0时，置0。

7.8如图所示的d触发器的逻辑电路和波形图如图所示，试画出输出端q的波形图，设触发器的初始态为0。

cpd（a）（b）图7. 8习题7. 8的图解： cpd7.9 图7.9所示的边沿t触发器，t和cp的输入波形如图7.9所示，画出触发器输出端q和q的波形，设触发器的初始状态为0。

qqqcpttcp(a)图7.9 习题7.9的图(b)解： t=1时计数，t=0的时候保持。

cptqq7.10 试将rs触发器分别转换为d触发器和jk触发器。

第14章本书包括电路的基本概念与基本定律、电路的分析方法、电路的暂态分析、正弦交流电路、三相电路、磁路与铁心线圈电路、交流电动机、直流电动机、控制电机、继电接触器控制系统、可编程控制器及其应用等内容。

晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。

晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。

2．晶体管的电流分配关系晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：C B I I β≈(1)E B C B I I I I β=+=+C C BB I I I I ββ∆==∆3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：晶体管的输入特性曲线反映了当UCE 等于某个电压时，B I 和BE U 之间的关系。

晶体管的输入特性也存在一个死区电压。

当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现B I ，且B I 随BE U 线性变化。

（2）晶体管的输出特性曲线：晶体管的输出特性曲线反映当B I 为某个值时，C I 随CE U 变化的关系曲线。

在不同的B I 下，输出特性曲线是一组曲线。

B I =0以下区域为截止区，当CE U 比较小的区域为饱和区。

输出特性曲线近于水平部分为放大区。

（3）晶体管的三个区域：晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。

此时，C I =b I β，C I 与b I 成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。

晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲线的截止区。

此时，B I =0，C I =CEO I 。

晶体管发射结和集电结都处于正向偏置，即CE U 很小时，晶体管工作在饱和区。

此时，C I 虽然很大，但C I ≠b I β。

即晶体管处于失控状态，集电极电流C I 不受输入基极电流B I 的控制。

14．3 典型例题例14．1 二极管电路如例14．1图所示，试判断二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压值。

电工学下册习题答案电工学下册习题答案电工学是电气工程专业的一门基础课程，它是电气工程学科体系中的重要组成部分。

下册习题是电工学学习过程中的重要内容，通过解答这些习题，可以巩固和提升对电工学知识的理解和掌握。

本文将为大家提供电工学下册习题的答案，希望对大家的学习有所帮助。

第一章电场与静电场1. 电场强度的定义是什么？答：电场强度是单位正电荷在电场中所受到的力的大小，用矢量E表示。

2. 什么是电势差？答：电势差是单位正电荷从A点移到B点所做的功与该电荷的大小之比，用V 表示。

3. 静电场中电场强度与电势差的关系是什么？答：静电场中，电场强度的方向与电势降低的方向相同。

4. 什么是电容器？答：电容器是由两个导体板和介质组成的装置，用于存储电荷和电能。

5. 电容器的电容量与哪些因素有关？答：电容器的电容量与两个导体板的面积A、介质的介电常数ε和两板间距d 有关，可以用公式C=εA/d表示。

第二章磁场与静磁场1. 什么是磁感应强度？答：磁感应强度是单位正电荷在磁场中所受到的力的大小，用矢量B表示。

答：磁通量Φ定义为磁感应强度B与垂直于磁场的面积A的乘积，用公式Φ=BAcosθ表示。

3. 定义磁场强度的公式是什么？答：磁场强度H定义为单位长度磁通量Φ对磁路长度l的比值，用公式H=Φ/l表示。

4. 什么是磁导率？答：磁导率是介质对磁场的响应能力的度量，用μ表示。

5. 定义磁阻的公式是什么？答：磁阻R定义为磁路长度l对磁导率μ和磁路截面积A的乘积的比值，用公式R=l/(μA)表示。

第三章电磁感应与电磁场1. 什么是法拉第电磁感应定律？答：法拉第电磁感应定律指出，磁场的变化会在闭合电路中产生感应电动势，大小与磁场变化率成正比。

2. 什么是自感和互感？答：自感是指电流通过一个线圈时，在该线圈内部产生的感应电动势。

互感是指两个或多个线圈之间由于磁场的相互作用而产生的感应电动势。

3. 定义感应电动势的公式是什么？答：感应电动势ε的大小等于磁通量Φ对时间t的导数，用公式ε=dΦ/dt表示。

习 题 88.1 已知倒T 形电阻网络DAC 的反馈电阻R F ＝R ，U REF ＝10V ，试分别求出4位DAC 和8位DAC 的输出最大电压，并说明这种DAC 输出最大电压与位数的关系。

解 4位DAC 的最大输出电压4REF omax 4410(21)1159.37(V)22U R U R =-⨯-=-⨯⨯=- 8位DAC 的最大输出电压8REF omax 8810(21)12559.96(V)22U R U R =-⨯-=-⨯⨯=- 由此可见，最大输出电压随位数的增加而增加，但增加的幅度并不大。

8.2 巳知倒T 形电阻网络DAC 中的反馈电阻R F ＝R ，U REF ＝10V ，试分别求出4位和8位DAC 的输出最小电压，并说明这种DAC 最小输出电压与位数的关系。

解 4位DAC 的输出最小电压0REF omin 44102110.63(V)22U R U R =-⨯=-⨯⨯=- 8位DAC 的输出最小电压0REF omin 88102110.04(V)22U R U R =-⨯=-⨯⨯=- 由上可知，在U REF 和R F 相同的条件下，倒T 形电阻网络DAC 的位数越多，输出最小电压越小。

8.3已知某D/A 转换器电路输入10位二进制数，最大满度输出电压U m =5V ，试求分辨率和最小分辨电压。

解: 其分辨率为10110.0010.1%211023=≈=-, 因为最大输出电压为5V ，所以，10位DAC 能分辨的最小电压为：mVV V LSB 5005.0102315121510=≈⨯=-⨯=8.4已知某D/A 转换器，最小分辨率电压为U omin = 5 mV ，最大（满刻度）输出电压U omax = 10 V ，试问此电路输入数字量的位数n 应为多大？解: V N005.012110=-⨯, 2000005.01012==-N ,20002≈N , 11≈N所以，该电路输入二进制数字量的位数Ｎ应是11。

优秀学习资料欢迎下载14.3.2 在图14.02 的各电路图中，E＝5V，u i＝10si nωt，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u o 的波形。

u u(a)(b)(c)(d)【解】：图14.02 习题14.3.2的图(a) 电路的输出波形14.3.5 在图14.05 中，试求下列几种情况下输出端电位V F 及各元件中通过的电流：（1）V A＝＋10V，V B＝0V；优秀学习资料欢迎下载3（2）V A＝＋6V，V B＝＋5.8V；（3）V A＝V B＝＋5V，设二极管的正向电阻为零，反向电阻无穷大。

【解】：（1）D A 优先导通9V AVF=1+ 9×10VV= 9V9V B FIDA= IR= F =R9 ×103A = 1mA图14.05 习题14.3.5的图D B 截止，I DB＝0（2）设D A 和D B 两管都导通，应用节点电压法计算V F6+5.81 1，V F = 1 1++1 11V = 5.59V < 5.8V9可见D B 管的确都导通。

IDA=6 −5.591×103A = 0.41mA，IDB= 5.8 −5.91×103A = 0.21mA，IR= 5.599×10A = 0.62mA（3）D A 和D B 两管都能导通5+5V = 1 1 V= 4.47V , I=VF =4.47A = 0.53mAF 1 1 1++1 1 9R R 9 ×10 3IDA= IDB=IR2=0.53mA = 0.26mA214.4.2 有两个稳压管D Z1 和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V，正向压降都是0.5V。

如果要得到0.5V、3V、6V、9V 和14V 几种稳定电压，这两个稳压管（还有限流电阻）应该如何联结？画出各个电路。

【解】：＋＋5V＋6V－－－＋＋9V6V－14.3.2在图1所示的各电路图中，E = 5V ，u i = 10 sin ωtV ，二极管D的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压u0 的波形。

第4章 场效应管放大电路与功率放大电路4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性，请分别说明场效应管各属于何种类型。

说明它的开启电压th U （或夹断电压p U ）约是多少。

GSGS (a)(b)(c)图4.1 习题4.1图解：(a) N 沟道 耗尽型FET U P =－3V ； (b) P 沟道 增强型FET U T =－4V ； (c) P 沟道 耗尽型FET U P =2V 。

4.2 某MOSFET 的I DSS = 10mA 且U P = －8V 。

(1) 此元件是P 沟道还是N 沟道？(2) 计算U GS = －3V 是的I D ；(3) 计算U GS = 3V 时的I D 。

解：(1) N 沟道； (2) )mA (9.3)831(10)1(P GS DSS D =-⨯=-=U U I I (3) )mA (9.18)831(10)1(P GS DSS D =+⨯=-=U U I I 4.3 画出下列FET 的转移特性曲线。

(1) U P = －6V ，I DSS = 1mA 的MOSFET ；(2) U T = 8V ，K = 0.2mA/V 2的MOSFET 。

解：(1)/V(2)i D /V4.4 试在具有四象限的直角坐标上分别画出4种类型MOSFET的转移特性示意图，并标明各自的开启电压或夹断电压。

解：i Du GSo耗尽型N沟道增强型N沟道U P U TU PU T耗尽型P沟道增强型P沟道4.5判断图4.2所示各电路是否有可能正常放大正弦信号。

解：(a) 能放大(b) 不能放大，增强型不能用自给偏压(c) 能放大（d）不能放大，增强型不能用自给偏压。

共漏1<uA&，可增加R d，并改为共源放大，将管子改为耗尽型，改电源极性。

图4.2 习题4.5电路图4.6 电路如图4.3所示，MOSFET的U th = 2V，K n = 50mA/V2，确定电路Q点的I DQ和U DSQ值。

电工学第七版下册电子技术课后练习题含答案前言作为一名电子技术专业的学习者，掌握电工学知识是基础中的基础。

而掌握电工学知识的最好方法，就是不断练习。

本文提供了电工学第七版下册的课后练习题及其答案。

希望能够对大家在学习电工学的过程中提供一定的帮助。

第一章电子技术基础1. 有一只20kΩ，±5%的电阻，求它允许误差的范围？答案允许误差的范围为: 20kΩ × 5% = 1kΩ所以这只电阻的阻值范围为: 20kΩ±1kΩ2. 什么是三极管？答案三极管是一种半导体器件，也叫做双极型晶体管。

它由三个掺杂浓度不同的半导体材料构成（一般为PNP或NPN），分别称为发射极、基极和集电极。

三极管是一种电流控制器件，通过控制基极电流来控制集电极电流。

三极管在电子技术中广泛应用，尤其是在放大器、开关电路和振荡电路中使用较为广泛。

第二章半导体二极管1. 硅板在常温下引入施主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入施主原子（如磷原子），会使其变成N型半导体。

引入施主原子的过程叫做掺杂。

在N型半导体中，掺有大量的自由电子，这些自由电子会带负电荷。

由于施主原子掺入的电子不会和晶体中的晶格原子结合，因此其自由电子是比导带中的电子能量更低的电子，即位于导带下方。

2. 硅板在常温下引入受主原子，会发生什么变化？答案硅板在常温下引入受主原子（如硼原子），会使其变成P型半导体。

引入受主原子的过程叫做掺杂。

在P型半导体中，掺有大量的空穴，空穴带正电荷。

由于受主原子掺入的空穴缺少了一个电子，因此其空穴的能量比空穴带中的能量更高，即位于空穴带上方。

第三章晶体管及其基本电路1. 晶体管的三个引脚分别代表什么？答案晶体管的三个引脚分别代表：1.发射极（E）：用来连接基极和集电极之间的导体，主要负责发射电子。

2.基极（B）：设置在发射极与集电极之间的控制电极，主要控制电流。

3.集电极（C）：负责接受发射极电子，主要负责放大电流。

第3章晶体三极管及其放大电路3.1 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图3.1所示，试判断晶体管的类型（NPN或PNP），说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c，求出电流放大系数 。

图3.1 习题3.1图解：(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40(b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1503.2 试判断图3.2所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大；放在哪个位置时的I B最小，为什么？+V CC图3.2 习题3.2图解：在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B就等于此导通电流。

在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。

在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以I B电流下降，此时电流最小。

3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示，判断晶体管三极管的类型（NPN或PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。

解：(a) ①-e ②-c ③-b 硅NPN(b) ①-b ②-c ③-e 锗PNP(c) ①-b ②-e ③-c 锗PNP图3.3 习题3.3图3.4 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图3.4所示，判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）。

2.7V(a)(b)－5V－－0.6V(c)－(d)9V－6V(e)0V(f)图3.4 习题3.4图解：(a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏3.5 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U (BR)CEO = 15V ，若它的工作电流I C = 10mA ，那么它的工作电压U CE 不能超过多少？若它的工作电压U CE = 12V ，那么它的工作电流I C 不能超过多少？解：)V (1510200,15min ,min C CM (BR)CEO CE =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=I P U U )mA (67.1612200,20min ,min CE CM CM C =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=U P I I3.6 图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用？如果没有放大作用，则说明理由并将错误加以改正（设电容的容抗可以忽略）。

第18章　直流稳压电源18.1　复习笔记一、整流电路1．单相半波整流电路图18-1所示是单相半波整流电路，由整流变压器T r 、整流元件D （二极管）及负载电阻R L组成。

设整流变压器二次侧的电压为，其波形如图18-2（a ）所示。

图18-1 单相半波整流电路 图18-2 电压与电流的波形（1）单相脉动电压，常用一个周期的平均值来说明它的大小，。

U U 45.00=（2）在单相半波整流电路中，二极管不导通时承受的最高反向电压UU RM 2=2．单相桥式整流电路全波整流电路最常用的是单相桥式整流电路。

它是由四个二极管接成电桥的形式构成的，如图18-3（a）所示，图18-3（b）是其简化画法。

图18-3 单相桥式整流电路（1）单相桥式整流电路的电压与电流的波形如图18-4所示。

图18-4 电压与电流的波形（2）全波整流电路的整流电压的平均值U O比半波整流时增加了一倍，即（3）二极管截止时所承受的最高反向电压，与半波整流电路相同。

3．三相桥式整流电路如图18-5所示，三相桥式整流电路经三相变压器接交流电源。

变压器的二次侧为星形联结且三相电压u1，u2，u3的波形如图18-6（a）所示图18-5 三相桥式整流电路（1）全波整流电路的整流电压的平均值U O＝2.34U。

（2）每个二极管所承受的最高反向电压为变压器二次线电压的幅值，即（3）三相桥式整流电路的电压与电流的波形如图18-6所示。

图18-6 三相桥式整流电压的波形二、滤波器1．电容滤波器（C滤波器）图18-7（a）所示的单相桥式整流电路中，与负载并联的一个容量足够大的电容器就是电容滤波器，利用电容器的充、放电来改善输出电压u O的脉动程度。

（a）（b）图18-7 接有电容滤波器的单相桥式整流电路（a）电路：（b）u，u O，u c的波形（1）在u的正半周：①当u＞u c时，D1和D3导通，一方面供电给负载，同时对电容器C充电。

当充到最大值，即u c＝U m后，u c和u都开始下降，u按正弦规律下降。