n型半导体生成条件
1)非化学计量比化合物中含有过量的金属原子可生成n型半导体。 2)氧缺位 3)高价离子取代晶格中的正离子 4)引入电负性小的原子。
P型半导体生成条件
1)非化学计量比氧化物中出现正离子缺位。 2)用低价正电离子取代晶格中正离子。 3)向晶格掺入电负性大的间隙原子。
5.2. 金属氧化物中的缺陷和半导体性质
-Bi2O3的晶体结构
5.1. 过渡金属氧(硫)化物催化物的应用及氧化物类型
3. MO2型: 三种结构主要取决于阳离子M4+同氧离子O2-的半径比 r(M4+)/r(O2-)
萤石型:r(M4+)/r(O2-) 较大 例子:ZrO2、HFO2、CeO2、ThO2、VO2。
金红石型: r(M4+)/r(O2-) 其次 例子:TiO2、VO2、CrO2、MoO2、WO2、MnO2等。
5.2. 金属氧化物中的缺陷和半导体性质
本征半导体 n-型半导体 p-型半导体
各种固体的能带结构
绝缘体
5.2. 金属氧化物中的缺陷和半导体性质
金属的满带与导带相联在一起(金属的Eg为零),导带中有自由电子,在电 场作用下自由电子可以移动,产生电流。
绝缘体满带和导带间的宽度(禁带宽度)较宽,通常在5~10eV之间,满带 中的价电子难以激发到导带中去,它不存在自由电子和空穴,因此不能导电。
5.2. 金属氧化物中的缺陷和半导体性质
2. 杂质对半导体催化剂的影响 1、n型半导体 A)加入施主型杂质,EF↗Φ↘导电率↗。如:ZnO中加入高价阳离 子Al3+ B)加入受主杂质, EF ↘ Φ ↗导电率↘。如: ZnO加入低价阳 离子Li+ 2、p型半导体 A)加入施主型杂质EF↗Φ↘,空穴减少,导电率↘。如:向NiO 中加入高价离子La3+ B)加入受主型杂质EF ↘ Φ ↗导电率↗。如: NiO加入低价阳 离子Li+