第八章 功率放大电路-题

第八章功率放大电路1．OCL电路如图（a）所示，已知Vcc=12V,RL=8Ω,vi为正弦波，求：（1）在VcEs≈0的情况下，负载上可能得到的最大输出功率Pom ；（2）每个功率管的管耗Pcm至少应为多少？（3）每个功率管的耐压|V(BR)CEO|至少应为多少？2.现有一台录音机用OCL电路作功率输出级，最大输出功率为20W。

机内扬声器（阻抗8Ω）已损坏。

为了提高放音质量，拟改接音箱。

现只有10W、16Ω和20W、4Ω两种规模的音箱出售，选用哪种好？3．2030集成功率放大器的一种应用电路如图(b)所示，假设其输出级三级管的VcEs≈0，vi 为正弦波电压。

(1)指出该电路是属于OTL还是OCL电路；(2)求理想情况下最大输出功率Pom；(3)求电路输出集的效率η。

4、设图(c)示电路电源电压VCC=VEE=20V,负载RL=8Ω, 并假定射极输出器的放大倍数为1,管子导通时发射结的压降可忽略不计,试计算:：（1）Vi =10V(有效值)时,电路的输出功率,管耗,直流电源提供的功率和电路的效率。

（2）Vim =20V(幅值)时,电路的输出功率,管耗,直流电源提供的功率和电路的效率。

5.在甲类，乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们当中哪一类放大电路效率最高？6.如图(d)所示电路中，设BJT的ß=100，VBE=0.7V,VCES=0.5V,ICEO=0,电容C对交流可视为短路。

输入信号Vi为正弦波。

（1）计算电路可能达到的最大不失真输出功率Pom；（2）此时Rb应调节到什么数值？（3）此时电路的效率η是多少？7.一双电源互补对称电路如图(e)所示，已知VCC=12V,RL=16Ω,Vi为正弦波。

求：（1）在BJT的饱和压降VCES可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率Pom；（2）每个管子允许的管耗Pcm至少应是多少？（3）每个管子的耐压|V(BR)CEO|至少应为多少？8.如题目7所示电路中，设RL=8Ω,Vi为正弦波，要求最大输出功率Pom=9W。

模电第四版习题答案模拟电子技术是电子工程领域中非常重要的基础课程，其习题答案对于学生理解和掌握课程内容至关重要。

以下是模拟电子技术第四版习题的部分答案，供参考：第一章：半导体基础1. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

在室温下，硅的电阻率大约是1kΩ·cm，而锗的电阻率大约是0.6kΩ·cm。

2. N型半导体中，多数载流子是自由电子，而P型半导体中，多数载流子是空穴。

3. PN结的正向偏置是指给P型半导体加上正电压，N型半导体加上负电压，此时PN结导通。

第二章：二极管1. 整流二极管主要用于将交流电转换为脉动直流电，稳压二极管主要用于电路中稳定电压。

2. 一个理想的二极管在正向偏置时电阻为零，反向偏置时电阻无穷大。

3. 齐纳二极管是一种特殊类型的稳压二极管，它在反向偏置时具有稳定的电压。

第三章：双极型晶体管1. 双极型晶体管（BJT）分为NPN和PNP两种类型，其中NPN型BJT在基极-发射极结正向偏置时导通。

2. 晶体管的放大区是基极电流变化引起集电极电流变化的区域。

3. 晶体管的饱和区是指基极电流足够大，使得集电极电流达到最大值，此时晶体管不能进一步放大信号。

第四章：场效应晶体管1. 场效应晶体管（FET）的工作原理是通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。

2. JFET（结型场效应晶体管）和MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是两种常见的FET。

3. MOSFET在截止状态下，其源极和漏极之间的电阻非常大，几乎相当于断路。

第五章：放大器基础1. 放大器的主要功能是接收一个电信号并将其转换为更大的电流或电压信号。

2. 共射放大器是最常见的BJT放大器配置之一，它具有较高的电压增益和中等的电流增益。

3. 差分放大器能够放大两个输入信号之间的差值，对共模信号不敏感。

第六章：反馈放大器1. 反馈放大器通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定放大器的性能。

2. 负反馈可以提高放大器的稳定性和线性度，但可能会降低增益。

功率放大电路习题二1. 乙类互补对称功率放大电路会产生交越失真的原因是（ A ）。

A 晶体管输入特性的非线性 B 三极管电流放大倍数太大 C 三极管电流放大倍数太小 D 输入电压信号过大2. OTL 电路中，若三极管的饱和管压降为U CE(sat)，则最大输出功率P o(max)≈（ B ）。

A L2CE(sat)CC 2)(R U V - BL2CE(sat)CC212)(R U V - C L2CE(sat)CC 212)(R U V - 3. 在准互补对称放大电路所采用的复合管,其上下两对管子组合形式为（ A ）。

A NPN —NPN 和PNP —NPN B NPN —NPN 和NPN —PNP C PNP —PNP 和PNP —NPN4. 关于复合管的构成，下述正确的是（ A ） A 复合管的管型取决于第一只三极管 B 复合管的管型取决于最后一只三极管C 只要将任意两个三极管相连，就可构成复合管D 可以用N 沟道场效应管代替NPN 管，用P 沟道场效应管代替PNP 管 5.复合管的优点之一是（ B ）。

A 电压放大倍数大B 电流放大系数大C 输出电阻增大D 输入电阻减小 6. 图示电路（ B ）A 等效为PNP 管B 等效为NPN 管C 为复合管，第一只管子的基极是复合管的基极、发射极是复合管的集电极 7. 图示电路（ C ）A ．等效为PNP 管，电流放大系数约为（β1+β2）B ．等效为NPN 管，电流放大系数约为（β1+β2）C ．等效为PNP 管，电流放大系数约为β1β2D ．等效为NPN 管，电流放大系数约为β1β2E ．连接错误，不能构成复合管8. 功率放大电路的最大输出功率是在输入功率为正弦波时，输出基本不失真的情况下，负载上可能获得的最大（ C ）。

A 平均功率B 直流功率C 交流功率9. 一个输出功率为8W 的扩音机，若采用乙类互补对称功放电路，选择功率管时，要求P CM （ A ）。

郴州市综合职业中专2012学年度第2学期模拟电路课程月考试卷专业:电子级别:2012 班级：学号：姓名:一、填空题（共30分，每空1分）1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。

2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为，，三种.3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。

5、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点.对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低，将会产生失真,应调R B,使其，则I B，这样可克服失真。

6、共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

7、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

8、共射组态既有放大作用，又有放大作用。

9、某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1。

7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

10、已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3。

5V，②2。

8 V，③5V,试判断：a．①脚是，②脚是，③脚是（e，b，c）;b．管型是(NPN，PNP)；c．材料是(硅，锗）。

11、画放大器交流通路时,和应作短路处理.二、选择题(共40分,每小题2分）1、下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是。

A、V BE〉0,V BE<V CE时B、V BE<0,V BE〈V CE时C、V BE〉0,V BE〉V CE时D、V BE<0,V BE>V CE时2、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。

A、10B、50C、80D、1003、NPN型和PNP型晶体管的区别是。

A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区)，最简便的方法是测量A、I BQB、U BEC、I CQD、U CEQ8、对放大电路中的三极管进行测量,各极对地电压分别为U B=2。

习 题1. 选择题。

(1)功率放大电路的转换效率是指 。

A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B ．输出功率与电源提供的平均功率之比C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比 (2)乙类功率放大电路的输出电压信号波形存在 。

A ．饱和失真 B ．交越失真 C ．截止失真(3)乙类双电源互补对称功率放大电路中，若最大输出功率为2W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。

A ．B ．C ．(4)在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。

A ．βB ．I CMC ．I CBOD ．U (BR)CEOE ．P CM (5)乙类双电源互补对称功率放大电路的转换效率理论上最高可达到 。

A ．25% B ．50% C ．%(6)乙类互补功放电路中的交越失真，实质上就是 。

A. 线性失真 B. 饱和失真 C. 截止失真 (7) 功放电路的能量转换效率主要与 有关。

A. 电源供给的直流功率B. 电路输出信号最大功率C. 电路的类型 解：(1)B (2)B (3)B (4)B D E (5)C (6)C (7)C2. 如图所示电路中，设BJT 的β=100，U BE =，U CES =，I CEO =0，电容C 对交流可视为短路。

输入信号u i 为正弦波。

(1)计算电路可能达到的最大不失真输出功率P om (2)此时R B 应调节到什么数值 (3)此时电路的效率η=ou 12V+图 题2图解：(1)先求输出信号的最大不失真幅值。

由解题2图可知：ωt sin om OQ O U U u += 由CC om OQ V U U ≤+与CES om OQ U U U ≥-可知：CES CC om 2U V U -≤即有2CESCC om U V U -≤因此，最大不失真输出功率P om 为：()W 07.2818122CES CC L2om om ≈⨯-=⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=U V R U P (2)当输出信号达到最大幅值时，电路静态值为：()CES CC CES CES CC OQ 212U V U U V U +=+-=所以 A 72.0825.0122L CES CC L OQ CC CQ ≈⨯-=-=-=R U V R U V ImA 2.7CQ BQ ==βIIk Ω57.12.77.012BQ BE CC B ≈-=-=I U V R (3) %24%10072.01207.2CQ CC om V om ≈⨯⨯===I V P P P η 甲类功率放大电路的效率很低。

一、选择题：（共10题，每题1分。

合计10分）第一章：1.PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ ）。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽2.PN 结加反向电压时，空间电荷区将（ ）。

A. 变宽B. 变窄C. 基本不变3.在本征半导体中加入（ ）元素可形成P 型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ ）。

A. 增大B. 不变C. 减小5.当温度升高时，二极管的正向特性曲线将（ ）。

A. 不变B. 左移C. 右移6.稳压管的稳压区是其工作在（ ）区。

A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿第二章：1. 对于直接耦合基本放大电路，（ ）的输入电压与输出电压反相。

A. 共射电路B. 共集接法C. 共基接法2. 对于直接耦合放大电路，（ ）的输入电压和输出电压同相。

A. 共射电路B. 共集电路C. 共源电路3. 以下基本放大电路中，（ ）电路不具有电压放大能力。

A. 共射B.共集C. 共基4. 工作在放大区的某三极管，如果当C I 从1mA 变为1.9mA ，E I 从1.01mA 变为1.92mA ，那么它的 约为（ ）。

A. 1B. 86C. 905. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在恒流区。

A. DS u > GS u -)(th GS UB. DS u <GS u -)(th GS UC. DS u =GS u -)(th GS U6. 对于n 沟道增强型MOS 管，只能满足（ ），管子才能工作在可变电阻区。

A. DS u > GS u -)(th GS UB. DS u <GS u -)(th GS UC. DS u =GS u -)(th GS U第三章：1. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（ ）。

A. 便于设计B. 放大交流信号C. 不易制作大容量电容2. 选用差分放大电路的原因是（ ）。

A. 克服温漂B. 提高输入电阻C. 稳定放大倍数3. 差分放大电路的共模信号是两个输入端的信号的（ ）。