硅烷SiH4气体探头

半导体常见气体的用途1、硅烷（SiH4）：有毒。

硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。

2、锗烷（GeH4）：剧毒。

金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。

3、磷烷（PH3）：剧毒。

主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。

同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。

4、砷烷（AsH3）：剧毒。

主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

5、氢化锑（SbH3）：剧毒。

用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。

6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。

硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。

7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。

主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。

8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。

主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。

三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。

9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。

作为气态磷离子注入源。

10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。

主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（T aSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。

11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。

用作气态磷离子注入源。

12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。

材料安全数据表(MSDS)第1部分产品概述产品名称：硅甲烷 Silane化学名称：硅甲烷分子式：SiH4代名词：四氢化硅，Monosilane，Silicane，Silicon hydride，Silicontetrahydride生产商：Air Products and Chemicals, Inc7201 Hamilton BoulevardAllentown,PA 18195-1501查询电话：(800)752-1597MSDS 号码：修订次数： 1复审日期：修订日期： 2002年7月第2部分主要组成与性状含量: >99%CAS 号码:7803-62-5第3部分危害概述紧急情况综述硅甲烷为一无色、具窒息性的气味、会与空气反应、有窒息性影响。

与空气接触会自燃，燃烧时会释放出未结晶的二氧化硅浓烟。

主要的健康危害是此气体在空气中会自燃且有潜在的剧烈燃烧危害。

高温或火焰时，若钢瓶的释压装置故障可能引起钢瓶爆炸。

若硅甲烷在高压下释放或在高流速下，可能与空气形成混合物而发生延迟性的爆炸。

排放硅甲烷时若没有发生自燃，便要小心有极大危险将发生，亦不可靠近排放区。

紧急应变人员当进入泄漏区需穿著SCBA及全身防火衣。

在未关闭瓶阀前不要企图灭火。

紧急联系电话0532－388 9090吸入：吸入高浓度的硅甲烷会引起头痛、头昏、昏睡、刺激上呼吸道。

硅甲烷会刺激粘膜和呼吸系统。

高度曝露在硅甲烷会引起肺炎和肺水肿。

眼睛接触：硅甲烷会刺激眼睛，硅甲烷会分解产生二氧化硅。

眼睛接触到微粒的二氧化硅会感到刺激。

皮肤接触：硅甲烷会刺激皮肤，硅甲烷会分解产生二氧化硅。

皮肤接触到微粒的二氧化硅会感到刺激。

环境影响：--物理性及化学性危害：--特殊危害：自燃性。

主要症状：--危害物质分类: 2.1、2.3第4部分急救措施•吸入：施救前先做好自身的防护措施以确保自己的安全。

如穿戴适当防护装备，人员采"支持互助小组"方式进行救援。

硅烷检测方法硅烷是由硅和氢组成的无机化合物，化学式为SiH4。

它是一种无色、有毒、易燃的气体，常用于半导体制造和化学实验室中。

然而，由于其易燃性和有害性，对硅烷的检测具有重要意义，以保障工作环境的安全性。

硅烷的检测方法有多种，常见的包括气相色谱法、红外光谱法、质谱法等。

下面将对这些方法进行介绍。

气相色谱法是一种常用的硅烷检测方法。

该方法利用样品在气相色谱柱中的分离和检测，通过测量硅烷在柱上的保留时间和峰面积来确定其浓度。

气相色谱法具有分离效果好、检测灵敏度高和分析速度快的优点，因此在硅烷检测中得到了广泛应用。

红外光谱法是另一种常见的硅烷检测方法。

该方法利用硅烷与红外光的相互作用来进行检测。

硅烷分子中的硅-氢键会吸收特定波长的红外光，通过测量样品吸收红外光的强度来确定硅烷的浓度。

红外光谱法具有非破坏性、快速、准确的特点，因此在硅烷检测中得到了广泛应用。

质谱法是一种高灵敏度的硅烷检测方法。

该方法利用质谱仪对硅烷样品进行离子化和质谱分析，通过测量样品中离子的质量和相对丰度来确定硅烷的浓度。

质谱法具有极高的灵敏度和分辨率，可以检测到非常低浓度的硅烷，因此在半导体制造和化学实验室中得到了广泛应用。

除了以上几种常见的方法，还有一些其他的硅烷检测方法。

例如，电化学法利用硅烷与电极之间的电化学反应来进行检测；光谱法利用硅烷在特定波长的光下产生荧光或吸收光来进行检测；气体敏感传感器利用硅烷与传感器表面的气体敏感材料之间的反应来进行检测等等。

这些方法在硅烷检测领域各有优劣，可以根据实际需求选择合适的方法进行检测。

硅烷的检测是保障工作环境安全的重要环节。

气相色谱法、红外光谱法、质谱法等是常见的硅烷检测方法，它们分别利用样品的分离和检测、红外光的相互作用、离子化和质谱分析来进行硅烷的检测。

此外，还有其他的硅烷检测方法，如电化学法、光谱法和气体敏感传感器等。

根据实际需求，可以选择合适的方法进行硅烷的检测，以确保工作环境的安全性。

电池车间主要危险化学品：制绒间：KOH HCL HF HNO3扩散间：N2 O2 POCl3刻蚀间：HF、HNO3 H2SO4 HCL KOHPECVD：SiH4、NH3、N2丝网：C2H5OH、NaOH一、硅烷SiH41、特性无色气体、与空气反应会引起窒息气体；暴露在空气中会自燃；钢瓶储存温度不高于52℃。

2、危害呼吸道过度吸入硅烷会引起肺炎和肾病。

暴露于高浓度气体中还会由于自燃而造成热灼伤。

3、急救措施眼接触：立即用水冲洗最少15分钟，水流不可太快，同时翻开眼睑。

使受难者为“O”形眼，立即寻求眼科处理；皮肤接触：用大量水冲洗最少15分钟。

脱掉已暴露在硅烷中或被污染的衣物，小心不要接触到眼睛；吸入：将患者尽快移到空气清新处。

如必要由受过培训的人员进行输氧或人工呼吸；热灼伤：由于硅烷泄漏引起人员灼伤时应有受过培训的人员进行急救，并立即寻求医疗处理。

4、个人防护措施工程控制：通风并安装硅烷探测器；能引起快速窒息的高浓度气体氛围和在燃烧条件范围内不能进入，紧急情况需使用自给式呼吸器；工作时需佩戴防溅眼镜并确保该产品附近有安全淋浴及洗眼器；操作钢瓶时使用工作手套，紧急时使用防火手套和防火衣；处理泄漏时需两付手套，并推荐使用防静电衣和穿安全鞋。

二、氨气NH31、特性无色气体有强烈刺鼻、可燃，储存在钢瓶中的液化压缩气体；钢瓶储存温度不高于52℃，避免高温426 ℃。

2、危害氨气会严重灼伤眼、皮肤及呼吸道。

症状包括灼伤感、咳嗽、喘息加重、气短、头痛及恶心。

过度暴露会影响中枢神经系统并造成痉挛和失去知觉。

导致上呼吸道的气管炎、声带在高浓度下易受到腐蚀、造成下呼吸道水肿和出血。

接触液体会造成组织冻伤并伴有碱性灼伤放脱水。

暴露在5000ppm下5分钟会造成死亡。

3、急救措施眼接触：立即用大量水冲洗，立即进行医疗处理；皮肤接触：用大量水冲洗。

立即脱掉被污染的衣物。

如皮肤接触到液体，脱掉被污染的衣物，用大量温水冲冼，立即进行药物处理；吸入：将患者尽快移到空气清新处。

高纯度电子特种气体市场开发前景——硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3高纯度特种气体（硅烷SiH4、磷烷PH3、砷烷AsH3）广泛应用于电子行业、太阳能电池、移动通讯、汽车导航、航空航天、军事工业等方面。

目前我国只能生产纯度在3N~4N标准的特种气体，而在许多重要领域，比如：国家战备武器研究和神州五号运载火箭上的控制系统的电子原器件的制造，以及卫星上使用的太阳能电池的制造等方面所急需的6N标准的气体全部依靠进口。

目前世界上只有美国、俄罗斯等发达国家才能生产。

美国的SOLKATRONIC公司经销该种气体，我国进口该种气体常常因国际形势紧张和变化而受到阻碍，因此直接制约了上述相关领域的发展。

白俄罗斯无线电材料研究所在前苏联时期承担了研制高纯度特种气体的任务，具备研制和生产这种气体的能力。

经过磋商，白方愿同我方合作，提供技术共同开发该项产品。

本项目主要利用该所研制的烷类气体深度提纯技术，在中国建立高纯度特种气体的研究基地及产业化基地，解决我国急需的高纯气体材料的国产化问题，使硅烷、磷烷、砷烷气体的纯度达到6N（99.9999%）。

该项目在国内属首创，技术指标达到国际同行业先进水平，填补我国高纯度特气生产空白，彻底改变我国电子特气长期受制于人的局面。

二、国内外现状中国的超纯度特种气体研制始于1983年，当时从事这一工作的单位有北京氧气厂、浙江大学、大连光明化学所和保定红星单晶硅厂，.研究的内容为超纯气体和烷类气体。

“七五”期间，国家科委委托电子部、化工部牵头，组织电子气体攻关招标会，中标的单位南京特种气体厂(公司)、中科院沈阳金属研究所、大连光明所、核工业部理化研究院和南京大学。

攻关项目主要有烷类气体、化学气体刻蚀气体、高熔点氟化物金属气体、金属有机化合物(“MO”源)、气瓶处理技术和配套器件的研制，涉及气体品种20多种。

1991年，国家又在“八五”科技攻关项目—集成电路用关键材料研究课题下，又专设了“电子特种气体研究”的子课题，开始了新一**关。

1、硅烷（Silane）SiH4气体是电子气体中最重要的品种，它是于半导体多晶硅、外延膜生成、硅器件纯化膜和聚硅膜的原料气，有资料介绍SiH4用量大约以50%的比例增长，其中用于硅器件约占58%，用于感光磁鼓30%，其余30%左右用于非晶形太阳电池。

国外SiH4制造工艺大体可分为：（1）硅化镁法（小松法）加液NH3 Mg2Si+4NH4Cl SiH4+2MgCl2·4NH3 该法1935年公布时，是用NH4Br，但工业化阶段采用了价格低廉又极易获得的NH4Cl代替NH4Br。

经试验发现两者收率几乎没有差别，含砷烷都较低，平均产率约为80%。

所用的原料Mg2Si是在H2的环境中将硅粉和活性镁粉加热到500~600℃制取的，由于反应中所用的液NH3对各种金属离子有络合作用，因此，生成的SiH4所含金属相对较少，粗制SiH4采用精馏或吸附、络合、吸收等净化工艺，制造高纯SiH4。

这种方法是对约翰逊工艺的改进，是世界上最早实现工业化的工艺，该工艺经逐渐完善，在SiH4生产史上持续了近四分之一世纪，至今仍有一些SiH4制造商采用此工艺。

（2）氢化铝锂法加醚SiCl4+LiAlH4 SiH4+LiCl+AlCl3 △1965年RunYan报道了一种SiH4合成新方法，它是采用强还原剂LiAlH4在二甲醚四氢呋喃的溶剂中，通过还原反应发生SiH4气体，该法反应所用的LiAlH4、SiCl4容易从市场获得，但SiCl4、LiAlH4化学活性较强，反应剧烈，需谨慎处理，因此，不宜大规模生产，但小规模合成非常方便实用。

（3）UCC工艺（非均化法）SiCl4+H2+Si SiHCl3 Cat SiHCl3 SiH2Cl2+ SiCl4 Cat SiH2Cl2 SiH4 + SiHCl3 该工艺是目前国际十分通用的工业化生产工艺，其生产SiH4的产量为上千吨，是一种可以生产几种硅源气体（SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3）的理想方法，该方法首先合成SiHCl3，SiHCl3进行歧化反应（催化剂为大孔离子树脂）后生成十分有用SiH2Cl2，SiH2Cl2再进行歧化转化为SiH4，反应的每一步都经过精馏处理，因此，生产的SiH4、SiH2Cl2、SiHCl3纯度都较高，由于上述三种Si 源都可广泛应用于光电子、微电子、光纤制造领域，因此，生产过程调节十分方便，由于可连续化生产，且根据各种硅产品的用量调节生产过程，因此SiH4制造成本较低，又由于SiHCl3——SiH2Cl2——SiH4生产链条每一步都包括合成、净化、原料、产品的工艺，因此产品较纯，如今，该方法已大规模的SiH4生产中得到广泛使用。

半导体常见气体的用途1、硅烷（SiH4）：有毒。

硅烷在半导体工业中主要用于制作高纯多晶硅、通过气相淀积制作二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅隔离层、多晶硅欧姆接触层和异质或同质硅外延生长原料、以及离子注入源和激光介质等，还可用于制作太阳能电池、光导纤维和光电传感器等。

2、锗烷（GeH4）：剧毒。

金属锗是一种良好的半导体材料，锗烷在电子工业中主要用于化学气相淀积，形成各种不同的硅锗合金用于电子元器件的制造。

3、磷烷（PH3）：剧毒。

主要用于硅烷外延的掺杂剂，磷扩散的杂质源。

同时也用于多晶硅化学气相淀积、外延GaP材料、离子注入工艺、化合物半导体的MOCVD工艺、磷硅玻璃（PSG）钝化膜制备等工艺中。

4、砷烷（AsH3）：剧毒。

主要用于外延和离子注入工艺中的n型掺杂剂。

5、氢化锑（SbH3）：剧毒。

用作制造n型硅半导体时的气相掺杂剂。

6、乙硼烷（B2H6）：窒息臭味的剧毒气体。

硼烷是气态杂质源、离子注入和硼掺杂氧化扩散的掺杂剂，它也曾作为高能燃料用于火箭和导弹的燃料。

7、三氟化硼（BF3）：有毒，极强刺激性。

主要用作P型掺杂剂、离子注入源和等离子刻蚀气体。

8、三氟化氮（NF3）：毒性较强。

主要用于化学气相淀积（CVD）装置的清洗。

三氟化氮可以单独或与其它气体组合，用作等离子体工艺的蚀刻气体，例如，NF3、NF3/Ar、NF3/He用于硅化合物MoSi2的蚀刻；NF3/CCl4、NF3/HCl既用于MoSi2的蚀刻，也用于NbSi2的蚀刻。

9、三氟化磷（PF3）：毒性极强。

作为气态磷离子注入源。

10、四氟化硅（SiF4）：遇水生成腐蚀性极强的氟硅酸。

主要用于氮化硅（Si3N4）和硅化钽（T aSi2）的等离子蚀刻、发光二极管P型掺杂、离子注入工艺、外延沉积扩散的硅源和光导纤维用高纯石英玻璃的原料。

11、五氟化磷（PF5）：在潮湿的空气中产生有毒的氟化氢烟雾。

用作气态磷离子注入源。

12、四氟化碳（CF4）：作为等离子蚀刻工艺中常用的工作气体，是二氧化硅、氮化硅的等离子蚀刻剂。

硅烷检测仪SGA-500A-SiH4一、产品简介SGA-500A-SiH4硅烷检测仪又叫甲硅烷报警器、四氢化硅探测器、甲矽烷探头。

是深国安电子运用十多年技术经验，独立研发设计的一款固定式、液晶显示型硅烷检测仪。

硅烷即硅与氢的化合物，是一系列化合物的总称，包括甲硅烷( SiH4) 、乙硅烷( Si2H6) 和一些更高级的硅氢化合物。

目前应用最多的是甲硅烷。

一般把甲硅烷简称做硅烷。

产品默认信号为RS485。

产品运用当前最先进的微电子处理技术，搭配国外原装进口气体传感器，可快速、准确地检测目标气体。

产品为气体检测仪行业的最高三防设计：防高浓度过载（带自我保护功能）、防止人员误操作（内置按键+可还原出厂设置）、防雷击（三级标准）。

本质安全型电路设计，配备铝合金防爆外壳，即使恶劣环境下，也能安全使用。

SGA-500A-SiH4硅烷检测仪为气体扩散式。

检测原理为当目标气体进入气体探头部分后，内部的传感器会第一时间发出感应。

传感器根据气体浓度的高低会产生一定电量信号。

该信号经过电路放大处理后，由CPU经过AD采样、温度补偿、智能计算后，输出精准的4－20mA 电流信号、RS485通讯信号、0－5V电压信号、ZIGBEE、NRF、WIFI、GPRS无线信号等。

客户可通过采集这些信号，与深国安公司的SGA-800A、SGA-800B、SGA-800C气体报警控制主机、PLC、DCS、上位机等系统配套使用,进行报警、数据再处理。

另外，产品内部配有1组继电器（开关量信号），可与风机、电磁阀的控制设备进行联动，最大限度地保障您的生命和财产安全。

SGA-500A-SiH4硅烷检测仪还可根据客户需求，选配声光报警、红外遥控器、管道式气杯、泵吸式气杯等，详细咨询深国安客服。

别名：硅烷检测仪、硅烷变送器、硅烷探测器、硅烷报警器、硅烷探头、硅烷检测装置、硅烷报警装置、高精度硅烷分析仪、硅烷检测模块、硅烷传感器、RS485信号输出硅烷报警器、固定式带液晶显示型硅烷检测仪二、产品特点●本质安全型电路设计、安全可靠；●大屏幕液晶显示，可24小时在线监测，实时显示气体浓度；●国外原装进口气体传感器，反应速度快、误差率低、抗干扰能力强；●200多种气体，多种量程、多种信号输出可供选择；●强大的声光报警功能，声响在85dB以上；●客户可根据需要，自行设定报警点等功能；●内置按键+恢复出厂设置功能，避免人员误操作；●自带全量程温度补偿和数据修正功能，提高了产品的精度性和稳定性；●1组继电器（开关量信号）信号输出，方便与风机或电磁阀的控制设备联动使用；●可通过遥控器，免开盖对检测仪进行报警点、零点调整和目标点标定；●独特的结构设计，安装、布线简单方便，节约成本。

富安达代理进口电化学硅烷(SIH4)传感器品牌介绍瑞士Membrapor从1995年开始专注于发展气体扩散电极和电化学气体传感器的研究。

多年来，Membrapor公司已经成功开发基于新理念的独特工艺，应用于接触性气体扩散电极和电化学传感器的若干新产品的研发。

现在已生产有20多种气体传感器产品，产品分为M系列（￠20mm）、C系列（￠32 mm ）、S系列（￠41mm），共上百个产品型号。

Membrapor 的产品优势在于它的高量程和高精度，其中S系列和C系列的高量程可以达到40000ppm，高精度的传感器可以达到10ppb级别，因此产品满足很多特殊行业，同时产品灵活性强,可为客户提供更多选择.Membrapor以其无可匹敌的实力和压倒性的技术优势雄居电化学气体传感器世界之首。

瑞士Membrapor硅烷(SIH4)传感器工作原理:瑞士Membrapor硅烷传感器是根据电化学的原理工作，利用待测气体在电解池中工作电极上的电化学氧化过程，通过电子线路将电解池的工作电极和参比电极恒定在一个适当的电位，在该电位下可以发生待测气体的电化学氧化，由于氧在氧化和还原反应时所产生的法拉第电流很小，可以忽略不计，于是待测气体电化学反应所产生的电流与其浓度成正比，通过测定电流的大小就可以确定待测气体的浓度。

瑞士Membrapor硅烷(SIH4)传感器产品描述:硅烷作为一种提供硅组分的气体源,可用于制造高纯度多晶硅、单晶硅、微晶硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、异质硅各种金属硅化物.因其高纯度和能实现精细控制,已成为许多其硅源无法取代的特种气体.硅烷广泛应用于微电子光电子工业用于制造太阳电池平板显示器玻璃和钢铁镀层,并且是迄今世界上唯一的大规模生产粒状高纯情度硅的中间产物.现在电子气体的使用越来越多,半导体的生产、LED的生产晶体加工精密加工等行业带来麻烦,这些毒气的检测都离不开SIH4.*可以测量低浓度*分辩率达到0.2ppm*产品稳定性强*一致性好*重复性好*可以低温下使用瑞士Membrapor硅烷(SIH4)传感器主要应用:瑞士Membrapor 硅烷 (SIH4)传感器选型表SiH4/C-20SiH4/S-50 SiH4/C-50 SiH4/M-50 SiH4/S-50-S。