镍薄膜制备与性能研究

半导体镍膜
半导体镍膜是一种用于半导体器件的镍薄膜。

镍是一种具有良好导电性、耐腐蚀性和可塑性的金属，因此镍膜在微电子产业中有较为广泛的应用。

镍膜常用于制作MESFET（金属-半导体场效应晶体管）器件的电极。

MESFET 器件是一种重要的半导体器件，它具有高速、高频和低噪声等优点，在无线通信、雷达和微波集成电路等领域得到了广泛应用。

在MESFET 器件中，栅极通常采用金属材料制成，如铝、铜、金等。

然而，这些金属材料与半导体之间的接触电阻较大，会影响器件的性能。

为了解决这个问题，可以在栅极上沉积一层镍膜，形成金属-半导体接触，从而降低接触电阻，提高器件的性能。

除了在MESFET 器件中应用外，镍膜还可以用于其他半导体器件中，如二极管、晶体管、集成电路等。

此外，镍膜还可以用于制造电容器、电阻器、传感器等电子元件。

镍膜的制备方法主要有物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）两种。

PVD 方法包括蒸发、溅射和离子镀等，其中溅射法是制备高质量镍膜的常用方法。

CVD 方法则是通过气相反应在基底上沉积镍膜。

总之，半导体镍膜是一种重要的半导体材料，它具有良好的导电性和可塑性，可以用于制作各种半导体器件和电子元件。

随着微电子技术的不断发展，镍膜的应用前景将会更加广阔。

《镍基复合材料的制备及其摩擦学性能研究》一、引言随着现代工业技术的快速发展，材料科学在工程应用中的地位日益凸显。

其中，镍基复合材料因其优异的物理、化学及机械性能，被广泛应用于航空、航天、能源、汽车等关键领域。

其制备工艺的优化和摩擦学性能的研究，对于提升材料的使用性能及延长使用寿命具有极其重要的意义。

本文将就镍基复合材料的制备方法及摩擦学性能进行研究探讨。

二、镍基复合材料的制备（一）原料与设备制备镍基复合材料的主要原料包括镍基合金粉末、增强相材料（如碳化硅、氧化铝等）、添加剂等。

制备设备主要包括混合设备、烧结设备、热处理设备等。

（二）制备工艺镍基复合材料的制备主要采用粉末冶金法，其基本步骤包括配料、混合、压制、烧结及热处理等。

具体过程如下：1. 配料：根据所需材料的成分比例，将原料按比例混合。

2. 混合：采用机械混合或化学混合的方式，使各组分充分混合均匀。

3. 压制：将混合后的粉末放入模具中，通过压力机进行压制，形成预成形坯。

4. 烧结：将预成形坯放入烧结炉中，在一定的温度和压力下进行烧结，使材料致密化。

5. 热处理：烧结后的材料进行热处理，以提高材料的性能。

（三）制备过程中的影响因素在制备过程中，影响镍基复合材料性能的因素主要包括粉末粒度、压制压力、烧结温度和时间等。

这些因素对材料的致密度、成分分布及机械性能等有着重要的影响。

三、镍基复合材料的摩擦学性能研究（一）摩擦学性能的基本概念及测试方法摩擦学性能是衡量材料在摩擦过程中所表现出的性能，主要包括摩擦系数、磨损率等。

测试摩擦学性能的方法主要有摩擦试验机测试、磨损试验等。

（二）镍基复合材料的摩擦学性能特点镍基复合材料具有优异的摩擦学性能，其摩擦系数低，磨损率小。

这主要得益于其良好的硬度、耐磨性及抗高温氧化性能。

此外，增强相的加入也提高了材料的硬度和耐磨性，进一步优化了材料的摩擦学性能。

（三）影响镍基复合材料摩擦学性能的因素影响镍基复合材料摩擦学性能的因素主要包括材料成分、组织结构、表面处理等。

镍合金材料制备工艺研究与优化镍合金是一类具有优异性能的金属材料，被广泛应用于航空航天、化工、能源等领域。

为了进一步提高镍合金材料的性能和可靠性，制备工艺的研究与优化显得尤为重要。

本文将从镍合金材料的制备过程、常见工艺方法以及优化方面展开讨论。

一、镍合金材料的制备过程镍合金材料的制备过程主要包括合金熔炼、坯料制备、加工成形和热处理等环节。

1. 合金熔炼：镍合金的制备首先需要进行合金熔炼，将合适比例的镍基和其他合金元素进行熔融混合。

这个过程中需要控制合金成分的准确性和均匀性，确保合金的化学成分达到要求。

2. 坯料制备：熔炼得到的合金需要进一步加工为坯料，通常包括铸造、锻造、热轧等工艺。

这些工艺的选择将直接影响到合金的组织结构和性能。

3. 加工成形：将坯料加工成所需的形状，常见的加工方法有锻造、铸造、粉末冶金等。

在加工过程中需要严格控制温度、应变速率等参数，以保证合金的力学性能。

4. 热处理：热处理是镍合金材料制备过程中的重要环节，通过调控合金的组织结构和相变行为，可以显著改善材料的性能。

常见的热处理方法包括退火、固溶处理和时效处理等。

二、常见的镍合金制备工艺方法1. 真空熔炼法：真空熔炼是制备高纯度镍合金的常用方法之一。

该方法通过在真空条件下熔炼合金，能够有效去除气体和杂质，从而提高合金的纯度和均匀性。

2. 粉末冶金法：粉末冶金法是一种制备镍合金形状复杂零件的有效方法。

通过将金属粉末与其他添加剂混合、压制成型、烧结等步骤，可以制备出具有良好性能的镍合金制品。

3. 电化学制备法：电化学制备法是通过电化学反应在电解液中沉积金属离子，制备出镍合金材料。

该方法具有工艺简单、成本低廉等优点，适用于大面积镍合金薄膜的制备。

三、镍合金材料制备工艺的优化镍合金材料的制备工艺优化可以从以下几个方面进行考虑：1. 材料设计与优化：根据应用需求，合理选择镍合金的成分和比例。

通过调整合金配料，可以改变合金的力学性能、耐腐蚀性等特性。

关键词：Ｎ１０射频磁控溅射薄膜
ＡＢＳＴＲＡＣＴ
ＮｉＯ ｉｓ
ａ
ｐ－ｔｙｐｅ ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｉｖｅ ｏｘｉｄｅ、加ｔ１１ ｔｙｐｉｃａｌ ３ｄ ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｓｌｍｃｌ胝．Ｉｔｓ ｗｉｄｅ
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ｂａｎｄ—ｇａｐ
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ｆｒｏｍ
３．０・４．０ｅＶ．Ｉｔ
下的电阻率在１０—７Ｑｍ数量级，广泛地应用于平面显示器件，太阳能电池，反射热镜，
气体敏感器件，特殊功能窗口涂层及其他光电子，微电子，真空电子器件等领域。氧 化物薄膜（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ
Ｏｘｉｄｅ，ＴＣＯ）中的导电透明薄膜种类很多，多数
为氧化锡（ＳｎＯ：）、氧化铟（Ｉｎ：０。）、ＺｎＯ、ＮｉＯ及其掺杂体系。 当今普遍研究和使用的ＴＣＯ薄膜是ｎ型的。缺少Ｐ型半导体ＴＣＯ薄膜材料，因而
ａｎｄ
ｓｈｏｗ ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓ．
Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ：ＮｉＯ
ＲＦ ｍａｇｎｅｔｒｏｎ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ
Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ
长春理工大学硕士（或搏士）学位论文原创性声明
本人郑重声明：所呈交的硕±学位论文，《ＮｉＯ薄膜制备及特性研究》是本 人在指导教师的指导下，独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用 的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对 本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均己在文中以明确方式标明。本人完全 意识到本声稿的法律结果由本人承担。
电子系统，就会使对方的通信，雷达等电子信号失灵，造成一定程度上的指挥瘫痪。
利用ＴＣＯ薄膜对微波的衰减性，在重要的军用信号接收仪器（计算机，雷达）的屏蔽

氧化镍薄膜及其制备方法氧化镍薄膜的制备方法主要有物理气相沉积法、化学气相沉积法、溶液法等多种方法。

物理气相沉积法主要包括热蒸发法、激光沉积法、磁控溅射法等。

化学气相沉积法一般采用金属有机化合物作为前驱体，通过裂解分解金属有机化合物来制备氧化镍薄膜。

溶液法主要有电沉积法、溶胶-凝胶法、水热法等。

在物理气相沉积法中，热蒸发法是一种常用的制备氧化镍薄膜的方法。

原料一般为镍粉末、镍片等，通过高温加热使原料蒸发，然后在基底表面沉积形成薄膜。

激光沉积法是利用激光束使原料表面熔化并蒸发，在蒸汽状态下沉积到基底上形成薄膜。

磁控溅射法是将镍靶置于惰性气体环境中，通过高能粒子轰击靶表面，使镍原子被击出并沉积到基底上。

这些物理气相沉积法制备的氧化镍薄膜具有良好的致密性和均匀性，但工艺复杂，设备要求高。

化学气相沉积法中，常用的方法有化学气相沉积法（CVD）、氛围等离子体提供源（APEVD）等。

化学气相沉积法是利用金属有机化合物（如二乙酰亚胺镍）在高温下分解产生氧化镍，然后在基底上沉积形成薄膜。

这种方法制备的氧化镍薄膜易于实现大面积均匀生长，可控制形貌和厚度，但有机物残留、高温要求和沉积速度慢是其缺点。

溶液法中，电沉积法是一种制备氧化镍薄膜的常用方法。

通过电解溶液中的金属镍阳极氧化，生成氧化镍薄膜。

该方法制备的氧化镍薄膜具有良好的致密性和均匀性，厚度易于控制，但生长速度较慢。

溶胶-凝胶法是将金属前驱体溶解在适当的溶剂中，通过水解、缩聚等过程形成胶体溶液，然后通过热处理使溶胶胶凝生成固体凝胶，最后通过热处理得到氧化镍薄膜。

水热法是将金属镍盐溶解在水中，加入适量的碱性溶液，加热反应，通过水热条件下的化学反应生成氧化镍薄膜。

这些溶液法制备的氧化镍薄膜简单、低成本，但往往需要加热处理，生长速率较慢。

氧化镍薄膜具有优异的性能，具有高温稳定性、良好的化学稳定性和电化学性能。

它在太阳能电池中作为p型窗口层使用，可以提高光电转换效率。

在电化学电池中作为电极材料，可以提高电化学反应速率和电容性能。

镀膜技术及设备
佚名
【期刊名称】《中国光学》
【年(卷),期】1997(0)5
【摘要】TB43 97053309电致变色氧化镍薄膜的制备与性能=Preparationand properties of electrochromic nickel oxidefilms[刊,中]/张旭苹,陈国平(东南大学薄膜研究所.江苏,南京(210018))∥东南大学学报.—1996,26(3).—110—114用直流磁控反应溅射法淀积了氧化镍薄膜,研究了这种膜的淀积技术和电致变色特性,结果指出,该方法淀积的薄膜具有工艺参数易于控制,重复性好、所制薄膜致密及性能稳定优点。

图6参3(严寒)TB43
【总页数】3页(P73-75)
【关键词】氧化镍薄膜;超导薄膜;电致变色特性;工艺参数;直流磁控反应溅射法;制备与性能;性能稳定;设备;淀积技术;激光淀积
【正文语种】中文
【中图分类】O484.1
【相关文献】
1.悬浮式双镀膜冷却辊连续镀膜设备的研制 [J], 杨树本;王成龙
2.国内外真空镀膜技术及设备的基本现状及国内真空镀膜设备发展的几点建议 [J], 靳毅
3.真空卷绕镀膜技术及设备的现状与发展 [J], 李爽;依君
4.离子束溅射镀膜设备及工艺技术研究 [J], 胡凡;陈特超;范江华;罗超
5.浅析PVD镀膜机设备的镀膜方式 [J], 冷长志
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氧化镍薄膜实验报告单
实验目的：
本实验旨在制备氧化镍薄膜，并研究其表面形貌和光学性质。

实验原理：
氧化镍（NiO）是一种重要的过渡金属氧化物，具有广泛的应用前景。

其薄膜可以通过不同方法制备，如化学溶液法、物理气相沉积法等。

本实验采用溶胶-凝胶法制备氧化镍薄膜。

实验步骤：
1. 准备氧化镍溶液。

将适量氧化镍前驱物溶解在适量有机溶剂中，并充分搅拌均匀，得到溶液。

2. 涂布氧化镍溶液。

将基底材料放置于自旋涂布仪中，设置合适的转速和涂布次数，在基底上均匀涂布氧化镍溶液。

3. 热处理薄膜。

将涂布好的基底材料放入烘箱中进行热处理，使溶液中的有机溶剂挥发，形成氧化镍薄膜。

4. 表征氧化镍薄膜。

对制备好的氧化镍薄膜进行表面形貌和光学性质的表征，如扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）等。

实验结果：
通过SEM观察，制备得到的氧化镍薄膜表面均匀且光滑，无明显的粗糙度。

XRD结果显示薄膜为立方晶相的氧化镍，与标准样品谱图一致。

讨论与分析：
制备成功的氧化镍薄膜具有良好的表面形貌和结晶性质。

这种
薄膜在光电子装置、储能材料等领域具有广泛应用前景。

结论：
本实验成功制备了氧化镍薄膜，并对其进行了表面形貌和结晶性质的研究。

实验结果表明制备得到的薄膜具有良好的表面形貌和结晶性质，适用于光电子装置、储能材料等领域应用。

景 的一种材 料 ， 为 ＭｇＮｉ 膜 具 有 价 格 低 廉 ， 光 因 — 薄 透 率大 ， 转变 速度 快等 优点 。
目前 ， — 合金 材料 大都 通过 电子束 蒸 发 、 ＭｇＮｉ 磁控
溅 射 等 方 法 来 制 备［ 。这 些 方 法 要 求 的 工 艺 条 件 １ ］ 高 ， 备 成 本 昂贵 ， 制 了这 种 材 料 的 应 用 。 比较 而 设 限 言， 电化学 沉积 技 术 对设 备 要 求低 ， 作 简 单 ， 操 成本 较
料 的开发越 来 越 受 到 重 视 。其 中 ， 着 色 态 和 消色 态 在
之 间可 以互相转 变 的材 料 具 有 广 泛 的应 用 前 景 ， 用 可
用 电位 均 为相对 于 Ｓ Ｅ的 电位 。 Ｃ 电致变 色 实 验 。 首 先 ， ３ ℃ 下 ， ２ ６ 通 电 将 ０ 一 ．Ｖ
２ 实 验 与 方 法
２ １ 药 品 预 处 理 ．
无水 Ｍｇ Ｃ ０ ） （ 析 纯） 过重 结 晶处 理后再 经 （ １ 分 经 真 空干燥 处理 ； ｉ Ｉ 和 Ｎｉ １ 均为 分析纯 ， ＬＣＯ Ｃ。 经真 空干 燥处 理 ； Ｎ一 甲基 甲 酰胺 用 活化 的 ４ 分子 筛 干 燥 Ｎ， 二 Ａ
ｌ ｎ所 制 得 的镀 层 样 品放 人 ０ ５ ｌＬ 的 Ｎａ 溶 ｍｉ ． ｍｏ／ ＯＨ
作建筑玻璃和汽车玻璃等节能设施 ， 航空航天 、 光学通 信器 件 （ 如光 电开关 ） 领域 ； 至 可用 于军 事 设备 的 等 甚
表面涂 层 ， 起到 隐身 、 屏蔽 等 功效 ［ 。 目前 ， 括 稀 土 ２ 剐 包
液 中作 为 阴极 ， 以铂 电极 作 为 阳极 ， 在恒 压直 流 电源上
通 电， 电压 为 ５ 通 电 时 间 为 ｌ ｎ Ｖ， ｍｉ。然 后 ， 镀 层 铜 将 片和铂 电极 交换 ， 相 同条 件下 通 电 。 在

Ｂ ｔ ｉ ｎｔ ａｄａ ｓｌｔ ｅ ｙ ａｃｈ ｌ ｓ ａ ａｅ ａ ａｄＮ （ Ｏ ） ｓ ｉ ｓｕｃ ， ｉ ｃａ ｎ ｅｄｏ ｕ ｌ ｔ ａ ｎ ｂｏ ｅ ｔ ｌ ｌ ｏ ａ ｗｍ ｔ ｌ ｏ ｒ ｉ ｎ ｒ ａＮ ｈ ｉ ｐ ２～
米 ＴＯ 薄膜． ｉ 通过对样品分析得 出：ｉ ＴＯ 薄膜成分主要为锐钛矿相， 且其纳米颗粒分布均匀， 尺寸 在５ ０～１０ ｍ之 间． ０ｎ 对光催化 降解 甲基橙 进行 实验分析 ， 结果 表 明 ： 入 镍 离子后 ， 高 了 ＴＯ 掺 提 ｉ 薄 膜对 甲基橙 的光催化 降解 能 力． 同的掺 杂 浓度 ， 同的烧 结 温度 导 致 ＴＯ 不 不 ｉ 薄膜 的 光催 化 降解 率
黄美 莹， 赵晓旭 ， 金立 国， 于 洋
（ 哈尔滨理工 大学 材料科学与工程 学院，黑龙江 哈尔滨 １０ ４ ） ５ ００
摘
要： 以钛 酸四 丁酯和 无水 乙醇为原料 ， 加硝 酸镍 引入 镍 离子 ， 用溶胶 一凝 胶 法和 浸渍一 采
提拉 法在 玻璃表 面施 涂膜层 ， 镀膜 速度 控 制在 ２～３ ｍ／ ｉ． 处理 以后 ， 到 均 匀透 明 的掺镍 纳 ｍ ｍｎ 热 得
ｓ ｍｐ ｅ ｒ ｕ ｄ ｍａｎ ｙ ｃ ｎ ｉｔｄ ｏ ｎ ｔｓ ｉ ａ ｔ ｌ ｓｗ ｔ ｎ ｆｒ ｓ ｅ ｏ ０ ～１ ０ ｍ ｈ ｏ ｇ ｅ ａ ａｙ ａ ｌｓｗｅ ｅ ｆ ｎ ｉｌ ｏ ｓ ｅ ｆａ ａ ａ ｅ Ｔ Ｏ２ ｒ ｃｅ ｉ ａ ｕ ｉ ｍ ｉ ｆ ｏ ｓ ｐ ｉ ｈ ｏ ｚ ５ ０ ｎ ｔ ｒ ｕ ｈ ｔ ｎ — ｈ ｌ ｓｓ ｏ ｊ ｆ ＸＲＤ ａ ｄ Ｓ ｎ ＥＭ． Ａｃ ｏ ｄｎ ｏ ｐ ｏｏ ａａ ｙ ｉ ｄ ｇ ａ ａｉｎ ｅ ｐ ｒ ｎ ｓ ｏ ｔ ｙ ｒ ｎ ｅ ｔ ｅ ｒ ｓ ｌ ｎ ｉａ ｅ ｃ ｒ ｉ ｇ ｔ ｈ ｔ ｃ ｔ ｓｓ ｅ ｒ ｄ ｔ ｘ ｅ ｍｅ ｔ ｎ ｍｅ ｌｏ ａ ｇ ， ｅ ｕｔ ｉ ｄ ｃ ｔ ｌ ｏ ｉ ｈ ｈ ｓ ｔ ａ ｈ ｏ ｅ ¨ ｃ ｎ ｉ ｒ ｖ ｅ ｐ ｏｏ ａ ａｙ ｅ ａ ａ ｉ ｔ ｆ ｉ ２ ｌ ｄ ｇ ａ ｉ ｇ ｍｅｈ ｌ ｒ ｇ ，ｔ ｅｐ ｏｏ ａａ— ｈ ｔ ｅ ｄ ｐ ｄ Ｎｉ ａ ｍｐ ｏ ｅｔ ｈ ｔｃ ｔ ｓ ｄ ｃ ｐ ｂ ｌ ｙｏ Ｏ ｍ ｅ ｄ ｎ ｔｙ ａ ｅ ｈ ｈ ｔ ｃ ｔｌ ｔ ｈ ｌ ｉ Ｔ ｉ ｆ ｒ ｏｎ ｙ ｉ ｄ ｇ ａ ａ ｉｎ ｒｔ ｆ Ｔ Ｏ２ｆ ａ ｅ ｔ ｏ ｉ ｇ ｃ ｎ ｅ ｔａ ｄ ｄｆ ｒ ｎ ｉ ｔｒ ｇ ｔｍｐ ｒ ｔ ｒ ｓ Ｔ ｅ ｐ ｅ ａｅ ｓ ｅ ｄ ｔ ａｉ ｏ ｉ ｌ ｖ ｒ ｄ ｗｉ ｄ ｐ ｎ ｏ ｔｎ ｎ ｉ ｅ ｅ ｔ ｓｎ ｅ ｉ ｅ ｅａ ｕ ｅ ． ｈ ｒｐ ｄ ｓ ｒ ｏ ｏ ｉ ｍ ｉ ｈ ｆ ｎ ｒ Ｔ Ｏ ｌ ｅ ｈ ｅａ ｉｅ ｂ ｔ ｒｐ ｏｏ ａ ａｙ ｉ ｆ ｃ ｅ ｅ ｓ ｔ ｒ ｇ ｔｍｐ ｒ ｔ ｒ ｓ ｉ ４ ０ ｉ ２ｆ ｇ ｔ ｅ ｒ ｌｔ ｅ ｔ ｈ ｔ ｃ ｔｌ ｓ ｅ ｅ ｔ ｉ ｍ ｔ ｖ ｅ ｓ ｗｈ ｎ ｔ ｉ ｅ ｉ ｅ ｅａ ｕ ｅ ０ ％ ａ ｄ ｔ ｅ ｄ ｐ ｎ ｌ ｈ ｎ ｎ ｓ ｎ ｏ ｉ ｇ ｍｏａ ｈ ｒ

的前 驱 体溶液 分 别 涂敷 在 ｓ（ｏ ） 底上 ． 快 速 退 火 炉 （ Ｔ５ ） ｉ１ｏ 衬 在 Ｒ Ｐ０ 中对 薄 膜 进 行 热 处 理 ， 烤 温 度 为 烘
收稿 日期 ：２０ １ ６ ０５Ｏ — ０ 作者简介 ： 魏凌（９ ８）女 ， １７． ， 河南新 乡人 ， 助教。 在职硕士研究生 ， 研究方向为凝聚态物理
ｓ 一 法在 Ｓ １ｏ 衬底上制备了组分均匀 、 ｏ ｌ ｌ ｉ ０） （ 择优取向性好 、 电性能 良好的 Ｌ Ｏ薄膜 ， 导 Ｎ 表征了其结 晶
质量 、 表面形貌及 电学性质等 ， 并针对不 同前驱体溶液浓度对 Ｌ Ｏ薄膜生长及导电性能 的影响做了一 Ｎ
有 意 义的研 究 ．
１ 实验方法
Ｖ １５ Ｎｏ ２ ｏ ． ． Ｍａ ．２ Ｏ ｙ Ｏ６
溶胶一 凝胶Leabharlann 制备镍 酸镧薄膜 的研究 魏 凌 ， 张丽 亭
（ 河南大学 物理与信息光 电子学院 ， 河南 开封 ４５０） ７０ １
摘 要 ： 采用溶胶一 凝胶 （ １ ｅ 法， ｓ ． １ 使用浓度分别为 ０１ ｏ ｌ０２ ｏ Ｌ ０３ ｏ Ｌ的前驱 ｏｇ ） ．ｍｌ ．ｍ ｌ 和 ．ｍ ｌ ／、 ／ ／ 体溶液， 在单 晶 Ｓ １Ｏ衬底上制备 了镍酸镧［ａ ｉ￣ （ ｉ Ｏ） （ ｔＮＯ ］ 简称 Ｌ Ｏ 导 电薄膜 ， 究 了前驱体溶 Ｎ） 研
维普资讯
１８ １
淮阴 师范学院学报 （ 自然科学 版）
第５ 卷
１ ￣， ８ Ｃ 热解温度为 ３０Ｃ 退火温度为 ６０Ｃ 重复上述过程多次 ， ０ ８￣ ， ５￣． 得到所需的三种薄膜样 品， 分别命名
为 ０ Ｉ Ｌ Ｏ、．Ｍ—Ｎ ．Ｍ—Ｎ ０２ Ｌ Ｏ和 ０３ Ｌ Ｏ． ．Ｍ—Ｎ

nio薄膜的近红外透过率题目：nio薄膜的近红外透过率研究及应用前景引言：近红外透过率是衡量材料透明性能的重要指标之一。

在材料研究和应用领域中，nio薄膜的近红外透过率具有重要的意义。

本文将从研究背景、实验方法、结果分析以及应用展望四个方面详细介绍nio薄膜的近红外透过率。

一、研究背景：n型氧化镍（NiO）是一种具有优良光学性能和电学性能的半导体材料。

近年来，研究人员发现NiO薄膜在近红外波段具有良好的透过率，使其在光学器件和能源领域得到了广泛应用。

理解和控制NiO薄膜的近红外透过率具有重要的科学意义和应用价值。

二、实验方法：1. 材料合成：采用溶胶-凝胶法、化学气相沉积（CVD）等方法制备NiO 薄膜。

2. 透过率测试：使用紫外-可见-近红外分光光度计，对制备的NiO薄膜进行透过率测试。

3. 材料表征：利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射（XRD）等表征手段，研究薄膜的形貌和晶体结构。

三、结果分析：通过实验测试，得到了NiO薄膜在近红外波段的透过率数据。

结果显示，NiO薄膜在700-1100 nm范围内的透过率较高，甚至能达到70以上。

这表明NiO薄膜在近红外光的传输中具有良好的透明性。

为了更好地理解透过率与结构性能之间的关系，我们对NiO薄膜的晶体结构进行了研究，发现NiO薄膜的晶体结构与透过率之间存在一定的关联性。

四、应用展望：1. 透明电极材料：基于NiO薄膜的高透过率特性，可用于太阳能电池、有机光电器件等透明电极材料的制备，提高器件的光电转换效率。

2. 光学涂层：利用NiO薄膜的高透过率特性，可制备高性能的光学涂层，广泛应用于窗户、摄像头镜头等透镜材料中，提高透光性能。

3. 气敏传感器：NiO薄膜的透过率受环境中气体分子吸附影响，可制备高灵敏度的气敏传感器。

结论：本文基于nio薄膜的近红外透过率，从研究背景、实验方法、结果分析和应用展望四个方面进行论述。

研究表明，nio薄膜在近红外波段具有较高的透过率，其透明性能对于光电器件和光学器件的设计和应用具有重要意义。

镍铬合金薄膜厚度与电阻值镍铬合金薄膜是一种薄而坚固的材料，具有优异的导电性能。

薄膜的厚度与电阻值之间存在着紧密的关系，了解这一关系对于我们在研制新材料或在工业生产中的应用具有重要的指导意义。

首先，让我们来了解一下镍铬合金薄膜的制备方法。

常见的制备方法包括物理蒸发、溅射、化学气相沉积等。

通过这些方法制备出来的薄膜具有良好的均匀性和致密性，能够保证电阻值的稳定性。

薄膜的厚度是指镍铬合金在基片表面形成的一层金属薄膜的厚度。

一般情况下，制备薄膜时可以通过调节蒸发或溅射时间来控制其厚度。

通常情况下，薄膜的厚度在几纳米到几微米之间。

薄膜的厚度与电阻值之间存在着一种线性关系。

也就是说，随着薄膜厚度的增加，电阻值也会随之增加。

这是因为薄膜的电导率与其厚度成反比关系。

当薄膜厚度增加时，薄膜内部的电导路径变长，电子在其中的散射会增加，抵抗力增大，从而导致电阻值的增加。

除了厚度，电阻值还受到其他因素的影响，例如材料本身的电导率、温度等。

镍铬合金薄膜具有较高的电导率，因此其电阻值相对较低。

同时，温度也是影响电阻值的重要因素。

随着温度的升高，薄膜内部原子的振动会增强，增加电子与原子的碰撞概率，从而导致电阻值的增加。

了解了镍铬合金薄膜厚度与电阻值的关系，我们可以根据具体要求来选择合适的薄膜厚度。

如果需要较低的电阻值，可以选择较薄的薄膜；而如果需要较高的电阻值，可以选择较厚的薄膜。

在实际应用中，我们可以通过优化制备过程、调节温度等方法来控制薄膜的厚度和电阻值。

综上所述，镍铬合金薄膜厚度与电阻值之间存在着一种线性关系，厚度增加会导致电阻值的增加。

了解这一关系对于制备和应用镍铬合金薄膜具有重要的指导意义。

在实际生产和研制过程中，我们可以根据具体需求来选择合适的薄膜厚度，以达到所需的电阻值。

同时，通过优化制备过程和调节温度等方法，我们也可以有效地控制薄膜的厚度和电阻值。

氧化镍靶材溅射参数氧化镍（NiO）靶材是一种常见的用于溅射制备薄膜的材料，具有良好的化学稳定性和光电性能，被广泛应用于光伏、显示器件、传感器等领域。

在溅射制备过程中，溅射参数的选择对薄膜性能和成膜率具有重要影响。

本文将对氧化镍靶材溅射参数进行详细介绍。

一、靶材制备和性能分析1. 靶材制备氧化镍靶材通常采用粉末冶金法进行制备。

制备工艺包括原料配比、混合、压制和烧结等步骤。

在原料配比中，通常选用高纯度的氧化镍粉末，并加入适量的添加剂以提高靶材的致密性和结晶度。

混合过程中需要保证原料均匀混合，以确保靶材的均匀性。

在压制和烧结过程中，需要控制好温度和压力，以获得致密、晶粒细小的氧化镍靶材。

2. 靶材性能氧化镍靶材通常具有高密度、均匀的化学成分和良好的结晶性。

靶材表面平整，无裂纹和气孔，表面粗糙度较小。

靶材的理论密度为7.64 g/cm³，折射率在400-700nm波段约为2.1-2.2，这些性能特征对薄膜的制备至关重要。

二、溅射参数及其影响1. 溅射气体在氧化镍靶材的溅射过程中，通常选择氩气或氬气作为惰性气体。

惰性气体的选择对薄膜的致密性和结晶度有一定影响。

氬气溅射可获得较高的结晶质量，有利于薄膜光学性能的提高。

2. 溅射功率溅射功率是影响溅射薄膜性能的重要参数之一。

通常情况下，随着溅射功率的增加，薄膜的成核和生长速率增加，但同时也容易出现热应力和结晶度下降的现象。

在选择溅射功率时需要综合考虑薄膜质量和生长速率之间的平衡。

3. 靶-基底距离靶-基底距离对薄膜的成核和结晶生长有重要影响。

一般来说，靶-基底距离越小，薄膜的成核和生长速率越快，但也容易引起靶材颗粒的溅射。

需要根据实际情况选择合适的靶-基底距离，以确保薄膜的均匀性和质量。

4. 溅射时间溅射时间是控制薄膜厚度的重要参数。

通过控制溅射时间，可以实现对薄膜厚度的精确控制。

在实际应用中，需要根据需要的薄膜厚度和生长速率选择合适的溅射时间。

5. 基底温度基底温度对薄膜的结晶度和致密性有重要影响。

氧化镍薄膜是一种具有特殊功能的材料，广泛应用于能源、电子器件、催化剂等领域。

下面将介绍氧化镍薄膜的制备方法以及功能材料中的应用。

1. 氧化镍薄膜的制备方法：-物理气相沉积（Physical Vapor Deposition, PVD）：通过热蒸发或溅射等方法，在基底上沉积氧化镍薄膜。

-化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition, CVD）：通过在反应室中加热具有氧化镍前体的化合物，使其分解并在基底上形成氧化镍薄膜。

-溶液法：通过将氧化镍前体溶解于适当的溶剂中，然后在基底上进行旋涂、喷涂等方法进行沉积。

-磁控溅射（Magnetron Sputtering）：利用高能粒子轰击靶材，在基底上形成氧化镍薄膜。

2. 功能材料中的氧化镍薄膜应用：-电子器件：氧化镍薄膜可以用作场发射显示器中的阳极材料，具有优异的电子导电性能和稳定性。

-电化学储能：氧化镍薄膜可用于超级电容器和锂离子电池的正极材料，用于储存和释放电能。

-催化剂：氧化镍薄膜可以用作水分解反应中的催化剂，促进水的分解生成氢气。

薄膜结构的制作方法及电致发光器件：3. 薄膜结构的制作方法：-激光沉积：利用激光束照射基底上的材料，使其熔化并形成薄膜结构。

-热蒸发法：通过加热蒸发源，使材料蒸发并在基底上形成薄膜结构。

-光刻技术：利用光刻胶、掩模等工艺，对薄膜进行局部曝光和刻蚀，形成特定的结构。

-离子束刻蚀：利用离子束轰击材料表面，实现对薄膜结构的精确加工和刻蚀。

4. 电致发光器件：-电致发光器件（Electroluminescent Device）利用电场激发材料中的电子和空穴复合释放能量，产生可见光。

薄膜结构在电致发光器件中起到关键作用。

-通过在薄膜结构中引入适当的荧光材料、导电材料和介质层，可以实现电致发光器件的复杂结构和特定发光效果。

需要注意的是，具体的制备方法和应用可能因研究领域、设备和工艺要求而有所不同。

以上提及的方法和应用仅作为参考，具体操作应根据实际需求和实验条件进行选择和优化。

了不 易去 除 的金 属催 化 剂 … ； 网 印刷 方 法 引入 了 丝 有 机添加 剂 ， 膜 厚度 、 匀 度 不 易 控 制 ， 碳 纳 米 薄 均 且 管 和基底 的结合 只依 靠有 机 质粘 接 和碳 纳 米 管基 底
本 身 又 是 一 种 多 孔疏 松 的材 料 ， 得 碳 纳 米 管 薄 膜 使 的稳 定 性 得 不 到保 证 ， 力学 和 电学 性 能 也 得 不 到 其
与现 有 的微 电子 工艺 相兼 容 。 与之前 的大 部 分 碳 纳 米 管 成 膜 方 法 不 同 ， 泳 电 的方 法 自从 被 应 用 于碳 纳 米 管 成 膜 以来 ［ 就 因 其 ， 工艺容 易实 现 、 纳米管 密 度厚 度 易控 制 、 膜 均匀 碳 成
高效 而得 到广 泛 关 注 ＿Ｉ］ ５７。但 是 ， 由于 碳 纳 米 管 和 基底 的结 合 仅 仅靠 范 德 华 力 吸 附 ［ ， 碳 纳米 管膜 而
２ 实验
实验 中使 用 电弧 方 法 生 长 的 多 壁 碳 纳 米 管 （ ＭＷＮＴ ， 度 为 ２ ｍ ～５ ｍ， 径 为 ２ ｍ ～ ）长 直 ０ｎ ５ ｍ。 纳米 管经 过 ３ １的浓硫 酸 和硝酸 处理 １ｈ ０ｎ 碳 ： ， 再 经 过 离 心 分 离 和 回流 冲洗 至 中性 ， 以去 除 催 化 剂 和游 离碳 杂 质 ， 同时 使碳 纳 米 管 表 面 带 上 羧 基 。将 处 理好 的碳 纳 米管 １ｍｇ 分散 在 ５ ０ｍＬ丙酮 ～３ｍｇ ０
１ ％ ） 薄膜整 体仍 体现 出碳 纳米 管 的优 异性 能 。 ０ ，
关 键 词： 碳纳米管 （ Ｎ ） 复合薄膜 ； ； ＣＴ； 镍 电泳 ； 电镀
文献 标 识 码 ： Ａ 中 图 分 类 号 ： Ｂ ４ Ｔ ４ Ｔ ３ ；Ｂ ３

电沉积法制备金属薄膜的实验步骤与操作电沉积法是一种常用于制备金属薄膜的方法，它通过在电解液中施加电流，使金属离子在电极上沉积形成金属薄膜。

这种方法简单方便，操作灵活，可以用于制备不同金属薄膜，如铜薄膜、镍薄膜等。

下面将介绍电沉积法制备金属薄膜的实验步骤和操作。

首先，准备实验所需材料和器材。

需要准备的材料包括所需金属盐溶液、正极和负极电极片，电解液，以及实验所需的容器、电源等。

材料准备完毕后，进行实验台面的清洁和消毒，确保实验环境的干净和卫生。

接下来，准备电解液。

根据需要制备的金属薄膜类型选择相应的电解液。

一般情况下，电解液由金属盐和溶剂组成。

根据实验需求，可以选择不同的金属盐，如氯化铜、硫酸铜等。

将适量的金属盐溶解在溶剂中，搅拌均匀，使金属盐完全溶解。

然后，准备电极。

正极电极一般选择金属片或导电材料制成，负极电极可以选择不导电材料。

通过对电极进行清洗和消毒，确保表面干净无杂质，以便电解液中的金属离子能够在电极上充分沉积。

接下来，安排电解槽和电源。

将电解液倒入电解槽中，确保液面高度适中，以免过高或过低影响实验效果。

然后，将正负极电极片分别插入电解槽中，并调整电解槽内电极间的距离。

接着，将电解槽与电源连接，确保电极片与电源连接牢固。

然后，调整电流和电解时间。

根据实验的要求和电解液的特性，确定适宜的电流和电解时间。

调整电流的大小可以通过调节电源上的电流旋钮实现，而电解时间可以通过电源上的计时器设定。

最后，开始实验。

打开电源，让电流通过电极，使金属离子在电极上沉积形成金属薄膜。

在实验过程中，要密切观察电极表面的变化，控制电流的稳定性和均匀性。

一般情况下，电流稳定在合适的范围内，可使金属薄膜均匀沉积，且具有良好的质量和附着性。

实验结束后，关闭电源，取出电极。

将电极用溶剂清洗，以去除薄膜表面的杂质和溶液残留。

然后，将电极置于清洁干燥的容器中保存，以免薄膜受到污染或氧化。

综上所述，电沉积法制备金属薄膜的实验步骤包括准备材料和器材、准备电解液、准备电极、安排电解槽和电源、调整电流和电解时间，以及进行实验操作。

镍型材的光学性能及应用研究1. 引言镍是一种重要的金属材料，广泛应用于航空航天、电子、化工和材料科学等领域。

在近年来，研究者们开始关注镍材料的光学性能及其在光学器件中的应用潜力。

本文将对镍型材的光学性能以及在光学领域的应用进行综述与分析。

2. 镍的光学性能镍材料在光学上具有一系列的独特性能，包括反射率、透明度、折射率等。

首先，镍的反射率随着波长的变化而变化，其值在可见光范围内较低，同时也和表面处理有关。

其次，镍的透明度较低，主要限制了其在光学器件中的使用。

此外，镍的折射率也随着波长的变化而变化，这也影响了镍在光学传输中的应用。

3. 镍型材在光学器件中的应用尽管镍的光学性能相对较差，但是其在光学器件中依然具有广泛的应用潜力。

首先，镍型材可以用于制备特殊的光学薄膜，如镜面反射膜、抗反射膜等。

其次，镍也可以用于制备红外反射涂层，在红外成像和探测领域具有重要的应用价值。

此外，镍的导电性能使其成为电容式触摸屏的关键材料，提高了光学触控技术的性能。

4. 镍型材在光学器件中的改进措施为了进一步改善镍材料的光学性能，许多研究者提出了一系列的改进措施。

首先，可以通过晶体掺杂的方式提高镍材料的透明度和折射率。

其次，表面处理技术可以改善镍的反射率，增加其在光学传输中的应用。

此外，利用光学薄膜技术可以控制镍材料的反射和透射特性，改善其在光学器件中的性能。

5. 镍型材的应用前景随着科技的不断进步，镍型材在光学领域的应用前景将进一步拓展。

首先，在红外成像和探测技术中，镍的应用将会得到更广泛的推广和应用。

其次，随着材料科学的发展，一些新型的镍合金也将被用于制备高性能光学材料。

此外，随着光学传感技术的发展，镍型材可能会在光纤传感器和光学芯片中发挥更重要的作用。

6. 结论镍型材的光学性能及其在光学器件中的应用潜力得到了越来越多的关注。

虽然镍的光学性能相对较差，但其广泛应用于光学薄膜、红外成像和触摸屏等领域。

在改进措施的推动下，镍型材的光学性能有望得到进一步提升，并在光学领域发挥更重要的作用。