基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究
- 格式:pdf
- 大小:409.25 KB
- 文档页数:6
聚焦离子束实验报告一、实验目的本实验旨在学习和掌握聚焦离子束(Focused Ion Beam, FIB)的工作原理及操作方法,通过观察和分析实验结果,加深对离子束物理的理解。
二、实验原理聚焦离子束(FIB)是一种将离子束聚焦到微米甚至纳米级别的技术,它具有高能量密度、高精度和高分辨率的特点。
FIB系统主要由离子源、离子光学系统、扫描电极和真空腔组成。
其中,离子源产生的离子束经过离子光学系统的聚焦和校准,最终在扫描电极上形成聚焦点。
三、实验步骤1、样品准备:选择具有代表性的材料或结构作为实验对象,本实验选用硅基底上的金属薄膜。
2、样品清洗:使用有机溶剂和去离子水清洗样品,去除表面的污垢和杂质。
3、样品安装:将清洗后的样品放入FIB系统的样品室,确保样品固定牢固。
4、FIB系统校准:使用校准靶对FIB系统进行校准,确保离子束的聚焦精度。
5、离子束照射:设定合适的电压和电流,将离子束聚焦到样品表面,观察并记录实验现象。
6、数据分析:通过对实验结果的观察和分析,得出结论。
四、实验结果及分析1、硅基底上的金属薄膜经过离子束照射后,表面出现明显的凹坑和凸起,表明离子束具有较高的能量密度和侵蚀性。
2、随着离子束电流的增加,照射区域的形貌变化更加明显,说明离子束的刻蚀能力与电流成正比。
3、通过对比不同材料在相同条件下的刻蚀效果,发现材料的刻蚀速率与材料的力学、物理性能有关。
五、结论本实验通过聚焦离子束技术对硅基底上的金属薄膜进行照射,观察并分析了离子束的刻蚀效果。
结果表明,聚焦离子束具有高能量密度和侵蚀性,可以用于微纳结构的加工和材料的形貌分析。
同时,材料的刻蚀速率与材料的力学、物理性能有关,这为进一步研究材料在离子束作用下的行为提供了依据。
六、实验建议与展望1、在本次实验中,我们发现聚焦离子束技术在材料科学、微纳制造等领域具有广泛的应用前景。
为了更好地掌握这一技术,建议在后续实验中进一步探讨不同材料在不同条件下的刻蚀行为。
微纳米级精密加工技术最新进展微纳米级精密加工技术是当代科技发展的关键技术之一,它在信息技术、生物医疗、航空航天、光学制造等领域发挥着至关重要的作用。
随着科学技术的飞速进步,微纳米级精密加工技术不断取得突破,推动着相关产业的创新与升级。
以下是该领域最新进展的六个核心要点:一、超精密光刻技术的新突破超精密光刻技术作为微纳加工的核心技术,在半导体芯片制造中占据主导地位。
近年来,极紫外光刻(EUV)技术取得了重大进展,其波长缩短至13.5纳米,极大提高了图案分辨率,使得芯片上的元件尺寸进一步缩小,推动了摩尔定律的延续。
同时,多重曝光技术和计算光刻技术的结合应用,进一步提高了光刻精度,为实现更小特征尺寸的集成电路铺平了道路。
二、聚焦离子束加工技术的精细化聚焦离子束(FIB)技术以其高精度、灵活性强的特点,在微纳米结构的直接写入、修改及分析方面展现出了巨大潜力。
最近,通过优化离子源和束流控制系统,FIB技术实现了亚纳米级别的加工精度,为纳米器件的制备、纳米电路的修复及三维纳米结构的构建提供了强有力的技术支持。
此外,双束系统(FIB-SEM)的集成,即在同一平台上集成了聚焦离子束与扫描电子显微镜,大大提高了加工的准确性和效率。
三、激光微纳加工技术的创新应用激光加工技术在微纳米尺度上展现出了新的应用潜力,尤其是超短脉冲激光技术的出现,如飞秒激光,能够在材料表面进行无热影响区的精确加工,适用于复杂三维结构的制造。
通过调控激光参数,如脉冲宽度、能量密度和重复频率,可实现从材料表面改性到内部结构雕刻的广泛加工能力,被广泛应用于生物医疗植入物、微光学元件及微流控芯片的制造中。
四、化学气相沉积与电化学加工的精细化化学气相沉积(CVD)作为一种薄膜沉积技术,近年来在微纳米材料合成方面取得了显著进展,特别是在石墨烯、二维材料及其异质结构的可控生长方面。
通过精确调控反应条件,如温度、压力和气体配比,实现了单层或多层纳米薄膜的高质量沉积,为纳米电子学、能源存储及传感技术的发展提供了关键材料。
新一代微分析及微加工手段——聚焦离子束系统(一)摘要:聚焦离子束(FIB)技术是90年代发展起来的具有微细加工和微分析组合功能的新技术。
随着集成电路线宽的不断减小,集成度不断提高,该技术已在微电子工业中被广泛应用,其优势也日益显现。
文中主要对FIB系统的构成作较为详尽的介绍,同时也涉及该技术的应用和发展。
关键词:微分析;微加工;聚焦离子束前言现代微电子工业发展迅猛,其方向无疑是器件尺寸的减小和电路集成度的提高。
在过去的20年中,制造工艺和手段日趋成熟,高性能的新一代集成电路层出不穷。
做到这些,在有赖于制造设备更新同时,有效地对沾污及各种缺陷进行控制更是实现生产最优化的关键所在。
因此,材料检测和失效分析成为IC发展和制造必不可少的手段。
多种微分析设备可根据在失效分析过程中不同方面不同阶段的应用分为两大类[1]。
第一类是用于对失效器件进行初步的模式及部位的分析确定,也就是在鉴别失效模式过程中的应用,如:电压衬度显微镜(Voltagecontrastmicroscopy)、电子束感生电流(EBIC)或光束感生电流(OBIC)等;第二类是用于对材料中的缺陷或沾污粒子进行观测定位,并分析成分,即在描述失效特征过程中的应用,如:俄歇电子显微镜(AES)、透射电子显微镜(TEM)、二次离子质谱仪(SIMS)、扫描电子显微镜(SEM)、X光衍射和荧光(X-raydiffractionandfluorescence)等。
当然,上述第二类材料分析工具更为常见的用途是对新材料、新生产手段和新工艺的鉴定[2]。
例如SIMS对注入深度的纵断面成像被运用于校准工艺模型;AES的深度剖面图可以被用来确定薄膜材料的均匀度、纯度以及TiN或TiSi2外延膜界面态性质等。
但在上述技术的应用中面临的共性问题是定位制样精度不高,周期长。
这就限制了它们在微电子领域中的应用。
而90年代发展起来的聚焦离子束技术是一种集形貌观测、定位制样、成分分析、薄膜淀积和刻蚀各过程于一身的新型分析和加工技术。
题目:探索db-fib双束聚焦离子束的作用随着科技的不断发展,db-fib双束聚焦离子束技术作为一种先进的微纳加工工艺,正逐渐成为研究的热点。
它的应用范围涵盖了材料科学、生命科学、电子学等多个领域,具有广阔的前景和巨大的应用潜力。
本文将从深度和广度两方面对db-fib双束聚焦离子束的作用进行全面评估,并探讨其在不同领域中的应用价值。
1. 引言在纳米科技时代,人们对材料结构的探索迫切需要一种高分辨率、高精度的微纳加工技术。
传统的光刻技术在应对纳米级结构加工时面临着诸多限制,而db-fib双束聚焦离子束技术正好弥补了这一缺陷。
它能够以纳米级的分辨率、高精度地对材料进行加工和表征,因此备受关注。
2. db-fib双束聚焦离子束的基本原理db-fib双束聚焦离子束技术是将离子束和电子束结合在同一系统中,通过同时对样品进行照射和探测,实现了加工和表征的高效集成。
其中,离子束负责加工,而电子束则用于实时观察和控制,使得加工过程更加精确和可控。
这种双束的联合作用,为材料加工提供了全新的方式和可能性。
3. db-fib双束聚焦离子束在材料科学中的应用在材料科学领域,db-fib双束聚焦离子束技术已经被广泛应用于材料的纳米加工、表征和纳米结构的制备。
通过离子束的精细加工,可以实现对纳米尺度结构的控制和制备,为材料的研究和应用提供了有力的手段。
离子束加工还可以使材料表面平整化,改善材料的性能和功能。
4. db-fib双束聚焦离子束在生命科学中的应用在生命科学领域,db-fib双束聚焦离子束技术也展现出了巨大的应用潜力。
可以利用其高分辨率的特点对生物样品进行显微加工和表征,从而实现对细胞和生物分子的研究和应用。
离子束的高能量照射还可以用于杀灭细菌和病毒,具有很好的生物杀灭效果。
5. db-fib双束聚焦离子束在电子学领域的应用在电子学领域,db-fib双束聚焦离子束技术也发挥着重要作用。
通过离子束的纳米加工,可以实现对电子器件的精细制备和修复,提高器件的性能和可靠性。
机械加工中的微纳加工工艺技术探索在当今的制造业领域,机械加工技术不断发展和创新,其中微纳加工工艺技术正逐渐成为焦点。
微纳加工技术能够在微观甚至纳米尺度上对材料进行精确的加工和制造,为众多高科技领域提供了关键的支持。
微纳加工工艺技术的出现并非偶然,它是随着现代科技的进步以及对产品性能和精度要求的不断提高而应运而生的。
在电子、光学、生物医学等领域,常常需要制造出尺寸极小、精度极高的零部件和器件。
传统的加工技术在面对这样的需求时往往显得力不从心,而微纳加工技术则凭借其独特的优势成为了实现这些目标的有力手段。
微纳加工工艺技术涵盖了多种方法和手段。
其中,光刻技术是一种非常重要的方法。
光刻技术的原理类似于照相制版,通过在光刻胶上曝光并显影,将设计好的图案转移到基底材料上。
随着技术的不断发展,光刻技术的分辨率不断提高,能够实现纳米级别的图案加工。
另一种常见的微纳加工技术是电子束光刻。
与传统光刻技术不同,电子束光刻是利用电子束在光刻胶上进行扫描曝光。
由于电子束的波长极短,因此可以实现更高的分辨率和精度。
但电子束光刻的加工速度相对较慢,成本也较高,通常用于对精度要求极高的场合。
除了光刻技术,还有聚焦离子束加工技术。
聚焦离子束可以像一把微小的“手术刀”,对材料进行精确的刻蚀和沉积。
它不仅能够加工出微小的结构,还可以对样品进行微区分析和改性。
此外,纳米压印技术也是近年来发展迅速的一种微纳加工技术。
该技术通过将具有纳米结构的模具压印在聚合物等材料上,实现快速、大面积的纳米图案复制。
在实际应用中,微纳加工工艺技术发挥着重要的作用。
在电子领域,它用于制造集成电路中的微小晶体管和线路,使得芯片的性能不断提升,体积不断缩小。
在光学领域,微纳结构可以用于制造高性能的光学器件,如衍射光栅、微透镜等,提高光学系统的性能和集成度。
在生物医学领域,微纳加工技术可以制造出微型传感器、药物输送装置等,为疾病的诊断和治疗提供了新的手段。
然而,微纳加工工艺技术的发展也面临着一些挑战。
FIB技术摘要:FIB(聚焦离子束,Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。
关键词:聚焦离子束FIB在芯片中的应用微纳加工技术微刀制备1.引言聚焦离子束( FIB) 技术的快速发展和实用化要归功于液态金属离子源的开发。
1970 年代初期美国Argonne 国家实验室的V.E.Krohn 和G..R.Ringo、英国Cluham 实验室的R.Clampitt 和美国Oregon 研究中心的J.Orloff 和L.W.Swanson 等人先后开发了不同类型的液态金属离子源, 并尝试应用于FIB 系统。
1978 年美国加州休斯研究所的R.L.Seliger 等人建立了世界上第一台Ga+ 液态金属离子源的FIB 加工系统, 开创了FIB 实用化的先河。
该系统的离子束斑直径为100 nm, 束流密度1.5 A/cm2, 束亮度达到3.3×106 A/cm2·sr。
到1980 年代和1990 年代, 在机理研究、装备研制和应用技术研究方面, FIB 技术都取得了长足进步,不同用途、多种结构的商品型FIB 系统批量投入市场, 配备到各类研究实验室, 一部分也进入半导体集成电路制造厂。
聚焦离子束技术在微电子行业的广泛应用, 大大提高了微电子工业上材料、工艺、器件分析及修补的精度和速度, 目前已经成为电子技术领域必不可少的关键技术之一。
2. FIB系统的工作原理FIB 技术是利用静电透镜将离子束聚焦成极小尺寸的显微切割技术,目前商用FIB系统的粒子束是从液态金属离子源中引出。
由于Ga元素具有低熔点、低蒸汽压以及良好的抗氧化力,因而液态金属离子源中的金属材料多为Ga.3.FIB 技术的在芯片设计及加工过程中的应用1.)IC 芯片电路修改用FIB 对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。
聚焦离子束加工技术随着科技的不断进步,离子束加工技术也逐渐受到了广泛的关注和应用。
离子束加工技术是一种利用加速和聚焦的离子束在物体表面刻蚀和磨削的技术,可用于制备微纳器件、蚀刻厚膜、雾化喷涂等领域。
离子束加工技术的原理是将离子束成键能较高的介质中加速,然后在特定条件下高度聚焦,使得离子束具有足够的能量和动量来刻蚀物体表面。
其主要过程包括:离子束发生电离、加速、聚焦、入射到工件上和与工件相互作用的过程。
与传统的加工方法相比,离子束加工技术可以实现高精度、高效率、高质量和可重复性的特点,这些特点使它在微纳器件和精密加工领域中具有很高的应用价值。
离子束加工技术主要分为两类:一种是离子束刻蚀技术,另一种是离子束镀膜技术。
离子束刻蚀技术是利用离子束对物体表面进行刻蚀的一种方法。
刻蚀过程通常通过将工件放在真空室中,然后用离子束将表面物质击脱掉,从而形成所需的结构或器件。
该技术可以制备各种微型或纳米结构,如集成电路、传感器、芯片和微机械系统等。
其中,集成电路是离子束刻蚀技术的主要应用领域之一,可用于制造半导体材料中的电路和器件。
离子束镀膜技术则是通过离子束将金属离子沉积于物体表面,从而形成金属膜层。
该技术可用于制备各种功能薄膜,如光学膜、防腐蚀膜、导热膜和阻隔膜等。
其中,光学膜是离子束镀膜技术的主要应用领域之一,可用于制造各种光学器件,如衍射光栅、滤光片和半导体激光器等。
离子束加工技术的应用领域非常广泛,涉及到多个领域。
下面列举几个例子:(a)微电子学器件制造:可用于制造各种芯片、集成电路及其它微处理器。
(b)纳米和微米制造:可用于制造MEMS器件、纳米阵列和微雷达等。
(c)涂层技术:可用于制备各种金属和非金属涂层,如硬质涂层、防反射膜、光学膜、电极等。
(d)生物医学:可用于生物样品制备、组织工程、药物分离和分析等。
离子束加工技术的未来发展前景广阔。
如今,随着科学技术水平的提高,离子束加工技术将会得到更广泛的应用。
第28卷第1期2009年2月电 子 显 微 学 报Journal of Chinese Electron Microscopy SocietyVol 28,No 12009 2文章编号:1000 6281(2009)01 0062 06基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究徐宗伟1,2,房丰洲1,2*,张少婧1,陈耘辉1(1.天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室天津市微纳制造技术工程中心,天津300072;2.天津微纳制造技术有限公司,天津300457)摘 要:提出了聚焦离子束注入(focused ion beam implantati on,FIBI)和聚焦离子束XeF 2气体辅助刻蚀(gas assisted etching,GAE)相结合的微纳加工技术。
通过扫描电镜观察FIBI 横截面研究了聚焦离子束加工参数与离子注入深度的关系。
当镓离子剂量大于1 4 1017i on cm 2时,聚焦离子束注入层中观察到均匀分布、直径10~15nm 的纳米颗粒层。
以此作为XeF 2气体反应的掩膜,利用聚焦离子束XeF 2气体辅助刻蚀(FIB GAE)技术实现了多种微纳米级结构和器件加工,如纳米光栅、纳米电极和微正弦结构等。
结果表明该方法灵活高效,很有发展前途。
关键词:聚焦离子束(FIB);离子注入;气体辅助刻蚀(GAE);微结构中图分类号:TH73;TH74;O59 文献标识码:A收稿日期:2008 11 19;修订日期:2008 12 16基金项目:高等学校学科创新引资计划资助(B07014).作者简介:徐宗伟(1978-),男(满族),辽宁人,博士后.E mail:zongwei xu@163.c om.*通讯作者:房丰洲(1963-),男(汉族),黑龙江人,教授.E mail:fzfang@.聚焦离子束(focused ion beam,FIB)加工技术在微纳米结构的加工中得到广泛的应用[1,2]。
聚焦离子束系统不仅能够去除材料(铣削加工),还具有添加材料(离子注入和沉积)加工的能力。
离子注入是采用高能离子轰击样品表面,使高能离子射入样品,入射离子通过与工件中的原子碰撞,逐渐失去能量,最后停留在样品表层。
对聚焦离子束注入损伤的显微研究目前普遍使用的是透射电子显微镜[3]。
透射电子显微镜具有分辨率高的优点,但透射电镜样品的制备难度较大。
与传统的掩模注入法相比,运用聚焦离子束系统进行定点离子注入,不仅大大节省成本,还可节约加工时间[4]。
聚焦离子束离子注入已被尝试应用于纳米结构和器件的加工研究,主要方法是利用FIBI 层作为掩膜,结合湿法刻蚀[5]或反应离子深刻蚀[6]。
利用FIBI 和KOH 溶液湿法刻蚀的加工方法,可在硅基底上加工纳米悬臂梁。
FIBI 还可以用来增强聚合物材料的抗刻蚀性[1]。
目前FIBI 结合后续的湿法刻蚀及反应离子刻蚀的方法将刻蚀除离子注入区域外基底所有其它位置,无法实现在局部位置的刻蚀加工,限制了离子注入技术的应用。
本文首先研究了聚焦离子束加工参数对离子注入深度的影响规律,以及聚焦离子束离子注入层作为蚀刻掩膜时离子束照射剂量的临界值。
提出了聚焦离子束离子注入结合聚焦离子束XeF 2气体辅助刻蚀加工微纳结构的方法,实现了纳米光栅、纳米电极和准三维复杂结构的微纳结构和器件的加工。
1 实验使用FIB SE M 双束系统(FEI Nova Nanolab 200)对Si(100)基底进行离子注入。
FE SE M 的图像分辨率为1 1nm,而聚焦离子束束斑直径可小至5nm 。
系统使用镓离子作为离子源,加速电压为5~30kV,工作电流为1pA~20nA 。
2 FIBI 的显微组织研究2 1 离子注入深度研究利用聚焦离子束对FIBI 层进行切截面加工,然后用场发射扫描电镜对离子束注入截面进行观测,如图1a 所示。
图1b 所示是对聚焦离子束注入层的横截面高分辨率观察结果。
聚焦离子束工作参数为30kV 30pA,加工区域为2 m 2 m 。
如果离子束照射剂量大于7 0 1016ion cm 2,在离子注入层的横截面上会出现直径10~15nm 的纳米颗粒。
当离子束照射剂量较小时,离子注入层厚度随加工时间的增加而增大;当离子束照射剂量增加到一定程度,离子铣削和离子注入达到动态平衡,离子注入层的厚度趋于稳定。
图1b 反映了离子注入层深度可通过离子注入层横截面测量得到。
为避免聚焦离子束加工再沉积对测量结果的影响,以注入层最上面到最下面的纳米级颗粒间的距离作为离子注入深度,对加速电压图1 使用高分辨率FE SEM 观察FIBI 层横截面。
a:横截面FIB 加工和SEM 观察示意图;b:为离子束注入截面观测图,其中样品Si 的观察倾角为52度,Bar=200nm;c:TRIM Monte Carlo 仿真30kV 加速电压下100个镓离子作用于硅基底时,镓离子的注入分布图。
Fig 1 Cross section observations of the FIBI layer with high resolution FE SE M.a:Illus tration of the cross secti on i mplan ted by focused ion beam and observed by SEM;b:Microstructure of the cross section of FIBI layer.The Si (100)substrate is tilted by 52 .Bar=200nm;c:The calculated dis tributi on of Ga ions on Si implanted at 30kV by TRIM Monte Carlo method.为30kV 的镓离子束,经过测量离子铣削和注入间动态平衡稳定后离子注入Si(100)深度为61 5!5nm 。
通常将镓的平均注入深度定义为聚焦离子束的注入损伤深度。
但横截面法观察研究发现,实际离子注入深度远大于镓离子的平均注入深度。
图1c 给出了对于加速电压为30kV 的镓离子束,利用SRI M 软件[7]仿真发现,镓离子的平均注入深度(Ion Range)只有28 6nm 。
图2显示的是在不同的加速电压下,离子束注入深度横截面测量结果和SRI M 仿真的结果对比。
可以看出,离子注入损伤深度随着离子能量的增大而增加。
因此,采用低加速电压进行加工可以有效减小离子注入损伤。
由于TEM 样品的制备既困难又耗时,在双束设备中使用聚焦离子束切横截面结合高分辨率扫描电镜观察的方法,研究聚焦离子束注入就有了很大优势。
这一方法还可以用于观察其他材料,如金属铜等的离子注入损伤情况。
2 2 FIBI 掩模离子剂量确定比起金属,XeF 2气体更容易和Si 发生反应。
当XeF 2气体流过聚焦离子束加工区域,覆盖在加工区域上的Si 再沉积层和XeF 2气体之间发生化学反应,产物挥发并被抽出真空反应室,如图3所示。
图4给出对于加速电压为30kV 的聚焦离子束,当离子束照射剂量大于1 4 1017ion c m 2,经XeF 2气体反应后FIBI 区域会露出一层均匀分布的直径在10~15nm 分布的镓离子注入生成的纳米颗粒。
纳米颗图2 在不同的离子束参数条件下,横截面法测量和离子注入的SRIM 仿真计算得到的硅基底FIBI 损伤深度结果。
Fig 2 The damage depth of FIBI on Si substrate using cross sectional measurement and SRIM si mulationcalculati on under di fferent ion parameters.粒注入层经XeF 2气体腐蚀超过60s 后保持其结构稳定,可有效作为Xe F 2气体腐蚀掩模。
离子注入层的纳米颗粒大小均匀,直径约为10~15nm,且纳米颗粒的大小与聚焦离子束的束斑大小和束流能量无关。
聚焦离子束镓离子注入形成的纳米颗粒具有显著的自组装特性。
图5给出了FIBI 区域X 射线能谱分析(EDS)结果显示,XeF 2气体腐蚀后FIBI 区域镓的含量为2 52%。
由于纯镓的熔点为29 8∀,而镓离子注入层发现能够在50~60∀的KOH 溶液中稳定工作。
因此,纳米颗粒是由镓和63第1期徐宗伟等:基于聚焦离子束注入的微纳加工技术研究图3 XeF 2气体腐蚀法观察FIBI 微观结构。
a:XeF 2气体腐蚀表面再沉积层;b:XeF 2气体腐蚀后结果。
Fig 3 Illustrati on of the XeF 2gas reaction process used in study of the microstructure in the FIBI layer.a:XeF 2gas reaction with the covered redeposition;b:The redeposi tion is removed after XeF 2gasreaction.图4 在Si(100)基底上使用XeF 2气体腐蚀FIB 加工区域得到的FIBI 微观结构图像。
图中XeF 2气体腐蚀时间为15s 。
a:FIB 铣削加工结果,Bar=1 m;b:XeF 2气体腐蚀FIB 加工区域结果,Bar=1 m;c:图b 中的纳米颗粒放大图,Bar=200nm 。
Fig 4 M icros tructure study of the FIBI layer on Si(100)after XeF 2gas reaction.The XeF 2gas reaction time is 15s in image b.a:FIB milling result,Bar=1 m;b:FIBI layer after XeF 2gas reaction,Bar=1 m;c:Enlarged image for image b,Bar=200nm.硅组成的混合物。
利用摩擦力显微镜(friction force microscopy,FFM)研究发现,与单晶硅相比,该纳米颗粒具有很低的摩擦系数,对FIB 注入层进行深入分析和研究很有价值。
综上所述,XeF 2气体腐蚀法研究发现,当离子照射剂量超过1 4 1017ion c m 2,聚焦离子束离子注入形成的纳米颗粒层将能有效作为XeF 2气体腐蚀掩膜。
3 基于FIBI 和FIB GAE 的微纳结构加工图6揭示以FIBI 层为掩模,利用聚焦离子束XeF 2气体辅助刻蚀(FIB GAE)可在Si 基底局部指定位置上实现微纳结构加工。
研究发现,如果离子束照射剂量大于临界剂量1 4 1017ion cm 2,聚焦离子束注入层会成为XeF 2气体腐蚀的掩膜,有效保护离子注入区域不被聚焦离子束XeF 2气体辅助刻蚀。