大学物理(二)答案
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1 大学物理(二)练习册 参考解答
第12章 真空中的静电场
一、选择题
1(A),2(C),3(C),4(A),5(C),6(B),7(C),8(D),9(D),10(B),
二、填空题
(1). 电场强度和电势,0/qFE,lEqWUaa00d/(U0=0).
(2). 042/qq, q1、q2、q3、q4 ;
(3). 0, / (20) ; (4). R / (20) ;
(5). 0 ; (6). 00114rrq ;
(7). -2³103 V; (8). barrqq11400
(9). 0,pE sin ; (10). jyxixy40122482 (SI) ;
三、计算题
1. 将一“无限长”带电细线弯成图示形状,设电荷均匀分布,电荷线密度为,四分之一圆弧AB的半径为R,试求圆心O点的场强.
解:在O点建立坐标系如图所示.
半无限长直线A∞在O点产生的场强:
jiRE014
半无限长直线B∞在O点产生的场强:
jiRE024
四分之一圆弧段在O点产生的场强:
jiRE034
由场强叠加原理,O点合场强为:
jiREEEE03214
OBA∞∞yx3E2E1E O
B A
∞ ∞
2 2. 实验表明,在靠近地面处有相当强的电场,电场强度E垂直于地面向下,大小约为100
N/C;在离地面1.5 km高的地方,E也是垂直于地面向下的,大小约为25 N/C.
(1) 假设地面上各处E都是垂直于地面向下,试计算从地面到此高度大气中电荷的平均体密度;
(2) 假设地表面内电场强度为零,且地球表面处的电场强度完全是由均匀分布在地表面的电荷产生,求地面上的电荷面密度.(已知:真空介电常量0=8.85³10-12 C2²N-1²m-2)
解:(1) 设电荷的平均体密度为,取圆柱形高斯面如图(1)(侧面垂直底面,底面S平行地面)上下底面处的
场强分别为E1和E2,则通过高斯面的电场强度通量为:
E²Sd=E2S-E1S=(E2-E1) S
高斯面S包围的电荷∑qi=hS
由高斯定理(E2-E1) S=hS/ 0 ∴
EEh1201=4.43³10-13 C/m3
(2) 设地面面电荷密度为.由于电荷只分布在地表面,所以电力线终止于地面,取高斯面如图(2)
由高斯定理 E²Sd=i01q
-ES=S01
∴ =- 0 E=-8.9³10-10 C/m3
3. 带电细线弯成半径为R的半圆形,电荷线密度为=0sin,式中0为一常数,为半径R与x轴所成的夹角,如图所示.试求环心O处的电场强度.
解:在处取电荷元,其电荷为dq =dl = 0Rsind
它在O点产生的场强为RRqE00204dsin4dd
在x、y轴上的二个分量
dEx=-dEcos, dEy=-dEsin
对各分量分别求和
000dcossin4REx=0
RREy0002008dsin4
∴ jRjEiEEyx008
E (2) y
R
x O
y R x d dEx
dEy O
dE dq
S
E2 S E1
(1) h
3 4. 一“无限长”圆柱面,其电荷面密度为:
= 0cos ,式中为半径R与x轴所夹的角,
试求圆柱轴线上一点的场强.
解:将柱面分成许多与轴线平行的细长条,每条可视为“无限长”均匀带电直线,其电荷线密度为
= 0cos Rd,
它在O点产生的场强为:
dsco22d000RE
它沿x、y轴上的二个分量为:
dEx=-dEcos =dsco2200
dEy=-dEsin =dscosin200
积分:20200dsco2xE=002
0)d(sinsin22000yE
∴ iiEEx002
5. 一半径为R的带电球体,其电荷体密度分布为
4πRqr (r≤R) (q为一正的常量)
= 0 (r>R)
试求:(1) 带电球体的总电荷;(2) 球内、外各点的电场强度;(3) 球内、外各点的电势.
解:(1) 在球内取半径为r、厚为dr的薄球壳,该壳内所包含的电荷为
dq = dV = qr 4r2dr/(R4) = 4qr3dr/R4
则球体所带的总电荷为 qrrRqVQrV034d/4d
(2) 在球内作一半径为r1的高斯球面,按高斯定理有
404102401211d414RqrrrRqrErr
得 402114RqrE (r1≤R),1E方向沿半径向外.
在球体外作半径为r2的高斯球面,按高斯定理有 0222/4qEr
得 22024rqE (r2 >R),2E方向沿半径向外.
(3) 球内电势 O
R z
y
x
O
x R y
d dEx
dEy dE
4 RRrrErEUdd2111RRrrrqrRqrd4d4204021
40310123RqrRq3310412RrRq Rr1
球外电势
2020224d4d22rqrrqrEUrRr Rr2
6. 如图所示,一厚为b的“无限大”带电平板 , 其电荷体密度分布为=kx (0≤x≤b ),式中k为一正的常量.求:
(1) 平板外两侧任一点P1和P2处的电场强度大小;
(2) 平板内任一点P处的电场强度;
(3) 场强为零的点在何处?
解: (1) 由对称分析知,平板外两侧场强大小处处相等、方向垂直于平面且背离平面.设场强大小为E.
作一柱形高斯面垂直于平面.其底面大小为S,如图所示.
按高斯定理0/dqSES,即
0200002dd12kSbxxkSxSSEbb
得到 E = kb2 / (40) (板外两侧)
(2) 过P点垂直平板作一柱形高斯面,底面为S.设该处场强为E,如图所示.按高斯定理有
02002kSbxdxkSSEEx
得到 22220bxkE (0≤x≤b)
(3) E=0,必须是0222bx, 可得2/bx
7. 一“无限大”平面,中部有一半径为R的圆孔,设平面上均匀带电,电荷面密度为.如图所示,试求通过小孔中心O并与平面垂直的直线上各点的场强和电势(选O点的电势为零).
解:将题中的电荷分布看作为面密度为的大平面和面密度为-的圆盘叠加的
结果.选x轴垂直于平面,坐标原点O在圆盘中心,大平面在x处产生的场强为
ixxE012σ
x
b P1 P2 P
x O
x S
P S E E S S E
dx b
E
OR
5 圆盘在该处的场强为
ixRxxE2202112σ
∴ ixRxEEE220212σ
该点电势为
22002202d2xRRxRxxUx
8.一真空二极管,其主要构件是一个半径R1=5³10-4 m的圆柱形阴极A和一个套在阴极外的半径R2=4.5³10-3 m的同轴圆筒形阳极B,如图所示.阳极电势比阴极高300 V,忽略边缘效应. 求电子刚从阴极射出时所受的电场力.(基本电荷e=1.6³10-19 C)
解:与阴极同轴作半径为r (R1<r<R2 )的单位长度的圆柱形高斯面,设阴极上电荷线密度为.按高斯定理有 2rE = / 0
得到 E= / (20r) (R1<r<R2)
方向沿半径指向轴线.两极之间电势差
21d2d0RRBABArrrEUU120ln2RR
得到 120/ln2RRUUAB, 所以 rRRUUEAB1/ln12
在阴极表面处电子受电场力的大小为
11211/cRRRUUeReEFAB
=4.37³10-14 N
方向沿半径指向阳极.
四 研讨题
1. 真空中点电荷q的静电场场强大小为