用数字万用表检测三极管的好坏方法如下

如何检测三极管的三个极可以用万用表来初步确定三极管的好坏及类型(NPN 型还是PNP 型),并辨别出e（发射极）、b（基极）、c（集电极）三个电极。

测试方法如下:①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置"R ×100" 或"R×lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧),则假设的基极是正确的,且被测三极管为NPN 型管；同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为PNP 型管。

如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为"基极"，再重复上述测试。

②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置"R × 100"或"R ×1k" 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极( 不能使b、c直接接触), 通过人体, 相当 b 、C 之间接入偏置电阻, 读出表头所示的阻值, 然后将两表笔反接重测。

若第一次测得的阻值比第二次小, 说明原假设成立, 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大, 偏置正常。

③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。

例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在0.6V 左右), 则假设的基极是正确的, 且被测三极管为NPN 型管。

数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时, 先确认晶体管类型, 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。

实验一万用表测量二极管、三极管一、实验目的1.熟练掌握指针式万用表和数字万用表的使用方法。

1.熟练掌握用指针式万用表测量普通二极管和三极管。

2.熟练掌握用数字万用表测量普通二极管和三极管。

二、主要元件及仪器1、MF-47指针式万用表2、VC890D数字万用表3、1N4001～1N4007系列普通整流二极管4、1N4735（6.2V）、1N4738(8.2V)稳压二极管5、9011～9014小功率晶体三极管二、实验原理（一）指针式万用表测量二极管：二极管参数的测试可用晶体管图示仪，或其它仪器进行测试。

在没有仪器的情况下也可用万用表来简单检查二极管的好坏，但这种检测方法不能测量二极管的参数。

初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。

测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的RX1k档位（注意不要使用RX1档，以免电流过大烧坏二极管，也不要用RX10K，该档电压太高，可能击穿管子），再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。

正向特性测试：把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。

若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般小功率锗管的正向电阻为1KΩ左右，硅二极管约为5KΩ左右。

一般正向电阻越小越好。

若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。

短路和断路的管子都不能使用。

反向特性测试：把万用表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。

一般小功率锗管的反向电阻为几十KΩ，硅二极管约为500KΩ以上。

1.普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。

通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

（1）极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。

用万用表检测各种见三极管的极性Prepared on 22 November 2020万用表检测常见三极管(如,中功率三极管,小功率三极管,达林顿三极管,大功率达林顿三极管,行输出三极管等)的引脚极性,好坏及一些主要参数的方法1、中、小功率三极管的检测A、已知型号和管脚排列的三极管，可按下述方法来判断其性能好坏(a)、测量极间电阻。

将万用表置于R×100或R×1k挡，按照红、黑表笔的六种不同接法进行测试。

其中，发射结和集电结的正向电阻值比较低，其他四种接法测得的电阻值都很高，约为几百千欧至无穷大。

但不管是低阻还是高阻，硅材料三极管的极间电阻要比锗材料三极管的极间电阻大得多。

(b)、三极管的穿透电流ICEO的数值近似等于管子的倍数β和集电结的反向电流ICBO的乘积。

ICBO随着环境温度的升高而增长很快，ICBO 的增加必然造成ICEO的增大。

而ICEO的增大将直接影响管子工作的稳定性，所以在使用中应尽量选用ICEO小的管子。

通过用万用表电阻直接测量三极管e－c极之间的电阻方法，可间接估计ICEO的大小，具体方法如下：万用表电阻的量程一般选用R×100或R×1k挡，对于PNP管，黑表管接e极，红表笔接c极，对于NPN型三极管，黑表笔接c极，红表笔接e极。

要求测得的电阻越大越好。

e－c间的阻值越大，说明管子的ICEO越小；反之，所测阻值越小，说明被测管的ICEO越大。

一般说来，中、小功率硅管、锗材料低频管，其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。

(c)、测量放大能力(β)。

目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE 的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。

先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE 刻度线上读出管子的放大倍数。

如何用万用表检测判断笔记本电脑三极管的好坏用万用表检测判断笔记本电脑三极管的好坏，可以遵循以下步骤：
1. 判断三极管类型：首先将万用表打到测试二极管端，使用红表笔接其中一个管脚，黑表笔分别接触另外两个管脚。

如果两次测试都显示导通且有电压，则此三极管为PNP三极管，黑表笔所接的脚为基极B。

如果两次测试中只有一次显示导通，则此三极管为NPN三极管，红表笔所接的脚为基极B。

2. 判断基极：在确定三极管类型后，将万用表的黑表笔接基极B，红表笔分别接触另外两个管脚。

正常情况下，两个管脚的电阻值应该有所不同，其中一个是集电极和发射极之间的正向电阻，另一个是反向电阻无穷大。

根据这两个电阻值的大小，可以判断出集电极和发射极。

3. 判断集电极和发射极：将万用表的黑表笔接基极B，红表笔接其中一个管脚，然后用嘴唇接触一下该管脚，同时观察万用表显示的电压值。

如果电压值有变化，则红表笔所接的脚为集电极C，剩下的一个管脚为发射极E。

4. 判断好坏：如果以上测试步骤都正常，则说明该三极管是好的。

如果在测试过程中发现异常情况，如电阻值无穷大或导通不良等，则说明该三极管可能已经损坏。

需要注意的是，在检测三极管时需要先了解其类型、各电极的电压特性以及工作原理等基础理论知识。

如果不熟悉操作或无法确定三极管的好坏，建议寻求专业人士的帮助。

如何测量三极管的好坏
（1）检查三极管的两个PN结。

我们以PNP管为例来说明，一只PNP型的三极管的结构相当于两只二极管，负极靠负极接在一起。

我们首先用万用表R×100或R×1K挡测一下e与b之间和e 与c之间的正反向电阻。

当红表笔接b 时，用黑表笔分别接e和c应出现两次阻值小的情况。

然后把接b 的红表笔换成黑表笔，再用红表笔分别接e和c，将出现两次阻值大的情况。

被测三极管符合上述情况，说明这只三极管是好的。

（2）检查三极管的穿透电流：我们把三极管c、e之间的反向电阻叫测穿透电流。

用万用表红表笔接PNP三极管的集电极 c , 黑表笔接发射极 e，看表的指示数值，这个阻值一般应大于几千欧，越大越好越小说明这只三极管稳定性越差。

（3）测量三极管的放大性能：分别用表笔接三极管的c和e看一下万用表的指示数值，然后再c与b间连接一只50--100K的电阻看指针向右摆动的多少，摆动越大说明这只管子的放大倍数越高。

外接电阻也可以用人体电阻代替，即用手捏住b和c.。

创作编号：BG7531400019813488897SX创作者：别如克*用数字万用表检测三极管的好坏方法如下：1、找出基极:将数字万用表置于二极管档，红表笔任接一个引脚，用黑表笔依次接触另外2个引脚，如果2次显示的值均小于1V 或都显示溢出符号1，则红表笔所接的引脚就是基极b。

如果在2次测试中，一次显示值小于1V，另一次显示溢出符号1，表明红表笔接的引脚不是基极，再改用其它引脚重新测量，找出基极.2、确定管型，将数字万用表置于二极管档，闺怨红表笔接基极，用黑笔先后接触其它2个引脚，如果都显示0.5V到0.8V，则被测管属于NPN型，若2次都显示溢出符号1，则表明被测管属于PNP管。

3、判别集电极C和发射极e，以NPN型管为例，将数字万用表置于HFE档，使用PNP插孔。

把基极B插入B孔，剩余2个引脚分别插入C孔和E孔中。

若测出的HFE为几十到几百，说明管子属于正常接法，放大能力强，此时C孔插的是集电极C，E 孔插的是发射极E。

若测出的HFE值只有几或十几，则表明被测管的集电极c与发射极e插反了，这时C孔手的是发射极e，E 孔插的是集电极c，为了使测试结果更可靠，可将基极b固定插在B孔，把集电极c与发射极e调换重复测试2次，以显示值大的一次为准，C孔插的引脚即是集电极c，E孔插的引脚则是发射极e。

4、测试好坏。

还是以NPN型为例。

将基极b开路，测量c\e极间的电阻。

用万用表红笔接发射极，黑笔接集电极，若阻值在几万欧以上，说明穿透电流较小，管子能正常工作。

若c、e极间电阻小，测管子工作不稳定，在技术指标要求高的电路中不能使用。

若测得阻值近似为0，则管子已被击穿。

若阻值为无穷大，则说明管子内部已经断路。

①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R 100" 或 "R lk" 处,把黑表笔接在基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都较小,再将红表笔接在基极上,将黑表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很大,则说明三极管是好的。

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏一、定性判断MOS型场效应管的好坏先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。

给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。

再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。

若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。

欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。

判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。

若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。

如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。

反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。

但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。

注意事项：（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。

但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。

其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。

（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。

三、晶体三极管管脚判别三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。

现在锗合金管已经少见了。

这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

之阳早格格创做用数字万用表检测三极管的佳坏要领如下：1、找出基极:将数字万用表置于二极管档，白表笔任交一个引足，用乌表笔依次交触其余2个引足，如果2次隐现的值均小于1V或者皆隐现溢出标记1，则白表笔所交的引足便是基极b.如果正在2次尝试中，一次隐现值小于1V，另一次隐现溢出标记1，标明白表笔交的引足没有是基极，再改用其余引足沉新丈量，找出基极.2、决定管型，将数字万用表置于二极管档，闺怨白表笔交基极，用乌笔先后交触其余2个引足，如果皆隐现0.5V到0.8V，则被测管属于NPN型，若2次皆隐现溢出标记1，则标明被测管属于PNP管.3、判别集电极C战收射极e，以NPN型管为例，将数字万用表置于HFE档，使用PNP插孔.把基极B拔出B孔，结余2个引足分别拔出C孔战E孔中.若测出的HFE为几十到几百，证明管子属于平常交法，搁大本领强，此时C孔插的是集电极C，E孔插的是收射极E.若测出的HFE值惟有几或者十几，则标明被测管的集电极c取收射极e插反了，那时C 孔脚的是收射极e，E孔插的是集电极c，为了使尝试截止更稳当，可将基极b牢固插正在B孔，把集电极c取收射极e 变更沉复尝试2次，以隐现值大的一次为准，C孔插的引足即是集电极c，E孔插的引足则是收射极e.4、尝试佳坏.仍旧以NPN型为例.将基极b启路，丈量c\e极间的电阻.用万用表白笔交收射极，乌笔交集电极，若阻值正在几万欧以上，证明脱透电流较小，管子能平常处事.若c、e 极间电阻小，测管子处事没有宁静，正在技能指标央供下的电路中没有克没有及使用.若测得阻值近似为0，则管子已被打脱.若阻值为无贫大，则证明管子里里已经断路.①测 NPN 三极管:将万用表欧姆挡置 "R 100" 或者 "R lk" 处,把乌表笔交正在基极上,将白表笔先后交正在其余二个极上,如果二次测得的电阻值皆较小,再将白表笔交正在基极上,将乌表笔先后交正在其余二个极上,如果二次测得的电阻值皆很大,则证明三极管是佳的.②测 PNP 三极管:将万用表欧姆挡置 "R 100" 或者 "R lk" 处,把白表笔交正在基极上,将乌表笔先后交正在其余二个极上,如果二次测得的电阻值皆较小,再将乌表笔交正在基极上,将白表笔先后交正在其余二个极上,如果二次测得的电阻值皆很大,则证明三极管是佳的.当三极管上标记表记标帜没有领会时,不妨用万用表去收端决定三极管的佳坏及典型 (NPN 型仍旧 PNP 型 ),并辨别出e、b、c三个电极.尝试要领如下 :①用指针式万用表推断基极 b 战三极管的典型:将万用表欧姆挡置 "R 100" 或者"R lk" 处,先假设三极管的某极为"基极",并把乌表笔交正在假设的基极上,将白表笔先后交正在其余二个极上,如果二次测得的电阻值皆很小(或者约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是精确的,且被测三极管为 NPN 型管；共上,如果二次测得的电阻值皆很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是精确的,且被测三极管为 PNP 型管.如果二次测得的电阻值是一大一小,则本去假设的基极是过失的,那时必须沉新假设另一电极为"基极"，再沉复上述尝试.②推断集电极c战收射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 "R 100"或者"R 1k" 处,以NPN 管为例,把乌表笔交正在假设的集电极c上,白表笔交到假设的收射极e上,并用脚捏住b战c极 ( 没有克没有及使b、c曲交交触 ), 通过人体 , 相称 b 、 C 之间交进偏偏置电阻 , 读出表头所示的阻值 , 而后将二表笔反交沉测.若第一次测得的阻值比第二次小 , 证明本假设创造 , 果为 c 、 e 问电阻值小证明通过万用表的电流大 , 偏偏置平常数字万用表测三极管佳坏，极性要领一：用数字万用表丈量三极管（1）用数字万用表的二极管档位丈量三极管的典型战基极b推断时可将三极管瞅成是一个面对面的PN结，依照推断二极管的要领，不妨推断出其中一极为大众正极或者大众背极，此极即为基极b.对付NPN型管，基极是大众正极；对付PNP型管则是大众背极.果此，推断出基极是大众正极仍旧大众背极，即可知讲被测三极管是NPN或者PNP型三极管.（2）收射极e战集电极c的推断利用万用表丈量（HFE）值的档位，推断收射极e战集电极c.将档位旋至MFE基极拔出所对付应典型的孔中，把其于管足分别拔出c、e孔瞅察数据，再将c、e孔中的管足对付调再瞅数据，数值大的证明管足插对付了.（3）判别三极管的佳坏尝试时用万用表测二极管的档位分别尝试三极管收射结、集电结的正、反偏偏是可平常，平常的三极管是佳的，可则三极管已益坏.如果正在丈量中找没有到大众b极、该三极管也为坏管子.要领二：万用表的二极管挡，用白表笔去交三极管的某一管足;假设动做基极;，用乌笔分别交其余二个管足，如果表的液晶屏上二次皆隐现有整面几伏的电压;锗管为0.3安排.硅管为0.7安排;.那么此管应为NPN管且白表笔所交的那一个管足是基极.如果二次所隐的为'OL'那么白表笔所交的的那一个管足即是PNP 型管的基极.正在判别出管子的型号战基极的前提上，不妨再判别收射极战集电极.仍用二极管挡，对付于NPN管令白表笔交其'B'极，乌表笔分别交另二个足上，二次测得的极间电压中，电压微下的那一极为'E'极，电压矮一些的那极为'C'极.如果是PNP管，则令乌表笔交'B'集，要领战上头一般。

一、三极管的简单检测方法〔经历判断〕1.冒状的三极管：对于这种冒状三极管，一般都有个凸出的部分，那么突出部分对应为E极，然后B极应该为中间的引脚，另外一脚那么为C极；2.普通的三极管：对于这种三极管，首先用数字万用表检测出B极〔万用表打到导通挡，假设测得某一引脚与其他两引脚的压降为无穷大，调换表笔，测得此引脚与其他两引脚都存在一定的压降，那么可断定此引脚为B极〕，检测出B极后，将万用表打到导通挡〔即二极管挡〕，分别测量另外两支引脚对B极的正向偏压，其中偏压较大的为E极，偏压较小的为C极；〔注：一般三极管假设检测出B极在一端，那么另一端为E极，中间为C极〕二、电容的串、并联：1.电容串联电路的根本特征：a):电容串联后总电容的倒数等于各电容容量的倒数之和，即1/C=1/C1+1/C2+…,这一点与电阻并联电路一样。

〔记住一个特例：当两个容量相等电容串联后，其总的电容容量为原来单个电容容量的一半。

〕b):在电容串联电路中，容量大的电容两端电压小，容量小的电容两端电压大〔由Q=C*U，存储在串联电路中各个电容的电荷量Q相等，所以容量越大，电容两端电压越小。

〕，当某个电容的容量远大于其他电容时，该电容相当于通路，此时电路中起决定性作用的是容量小的电容。

c):两只有极性电解电容顺串联的结果仍然为一只有极性的电容，总电容的容量减小，总电容的耐压进步；逆串联后电容没有极性，两根引脚可以任意接入电路中。

2.电容并联电路的根本特征：a):电容并联电路中的总电容等于各电容的容量之和，即总容量C= C1+C2+…，这一点与电阻串联特性相似。

b)：电容并联电路中各电容上电压相等，各电容支路中，大容量电容支路中的电流大，小容量电容支路中的电流小。

〔因为并联电路两端电压相等，容量大容抗小，电流大〕说明：〔平板电容公式为c=εs/4πkd.平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比，跟正对面积成s正比,跟极板间的间隔d成反比，其中式中的k是静电力常量。