单结晶体管的主要参数(精)

单节晶体管结构
单结晶体管e极向b1极发射的是空穴载流子，所以也叫发射极，这与晶体管e极向b极发射电子载流子正好相反。

Multisim中用到的单节晶体管2N6027的参数
如何设定变比
实验1单结晶体管构成的张弛振荡电路
工作原理：
2N6027的变比设定：η=R1/(R1+R2)
在电源和地之间接两个电阻，用于设定变比，中间位置接G。

控制发射极A和阴极K的电压，使得单结晶体管导通或截止。

上电后，V1通过R1，Re对电容C充电，当电容上的电压Uc>=η*Vcc+0.6 时，单结管导通。

发射极A 向阴极注入大量空穴载流子，使得阴极电阻骤然减小，形成低阻回路，电容通过AK结对R6放电，由于电容和电阻的值都非常小，所以电容C的放电时间非常短，这样就在R6上产生一个很窄的脉冲电压。

当电容电压下降到低于AK结的导通电压时，单结管截止，电容重新充电。

各个电阻的作用：
Re是使电路起振的最小电阻，阻值再小，当单结管导通后，如果流过它的电流>单结管的谷点电流，那管子就不会截止，电容无法充电，电路就不起振了。

R1是一个可变电阻，它用来调节C2的充电时间，由于放电周期很短，所以这个时间基本上就是振荡周期T了。

R5用来在管子导通期间获得一个脉冲电压，它可以用来调节脉冲宽度。

输出波形：红色为电容电压，绿色为脉冲电压，通过调节R1可以改变振荡周期T。

课程设计说明书课程设计名称：电力电子技术课程设计题目：单相交流调压电路班级：电气0902班姓名：学号：指导教师：时间：2011年06 月目录第一章前言 (2)第二章单相调压电路设计任务及要求 (3)2．1 设计任务及要求 (3)2．2 设计方案选择 (3)第三章单向调压电路单元电路的设计和主要元器件说明 (5)3. 1 单元电路的设计 (5)3.1.1主电路的设计 (5)3. 2 主要元器件说明及功能模块 (5)第四章驱动电路的设计 (6)4. 1 晶闸管对触发电路的要求 (6)4.1.1触发信号的种类 (6)4.1.2触发电路的要求 (6)4. 2 触发电路 (7)4.2.1单结晶体管的工作原理 (7)4.2.2单结晶体管触发电路 (9)4.2.3单结晶体管自激震荡电路 (9)4.2.4同步电源 (10)第五章保护电路的设计 (11)5.1过电压保护 (12)5.2过电流保护 (13)第六章单相调压电路主电路的原理分析和各主要元器件的选择 (14)6．1 主电路原理分析 (14)6．2 各主要元器件的选择 (17)6.3元器列表 (18)第七章仿真软件7.1仿真软件的介绍 (19)7.2仿真模型、仿真波形及其分析 (20)第八章心得体会 (23)附录参考文献 (24)第一章前言交流变换电路是指把交流电能的参数（幅值、频率、相位）加以转变的电路。

根据变换参数的不同，交流变换电路可分为交流电力控制电路和交-交变频电路。

通过控制晶闸管在每一个电源周期内导通角的大小（相位控制）来调节输出电压的大小，可实现交流调压。

它主要由调压电路、控制电路组成。

根据结构的不同，交流调压电路有单相电压控制器和三相电压控制器两种。

单相交流调压电路根据负载性质的不同分为电阻性负载和阻感性负载，电阻性负载的控制角的移向范围为0～π，阻感性负载的控制角的移向范围为φ～1800。

随着电力电子的飞速发展，交流调压电路广泛应用于电炉的温度控制、灯光调节、异步电动机软起动和调速等场合，也可以用作调节整流变压器一次电压。

电子线路设计、安装与调试实训[课题]：单相晶闸管调光电路[电路图]：附1[课时数]：30元件认识、测试检查、电路工作原理分析6学时，通用线路板的应用方法、电路布局（排版）6学时，电路焊接调试6学时，电路故障分析及排故6学时，用示波器测试电路中电压波形并绘图6学时。

[教学目标]：1、知能目标：可控硅调光电路的组成。

理解可控硅调光电路的工作原理。

了解可控硅调光电路实际应用。

2、情感目标：可控硅调光电路是一个日常生活中的电器产品电路，学习和掌握可控硅调光电路知识是尤其必要，对今后的电路维修有很大帮助。

3、技能目标：能熟练画出可控硅调光电路，能按电路选择和捡查元器件，能根据电路把元器件在通用线路板上正确布局（排版），能正确的对电路进行焊接和调试。

[教学重点]：可控硅调光电路的工作原理，可控硅调光电路的正确布局（排版）、焊接和调试。

[教学难点]：可控硅调光电路的正确布局（排版）、焊接和调试。

[教学策略]：1、讲解电路工作原理和调光过程。

2、讲解电路布局（排版）原则。

3、让学生布局（排版），指导有困难的学生。

[教学中的元件与工具]：1、元件：电阻1/4W:1.2KΩ×1，5.1KΩ×1，330Ω×1，47Ω×2，100Ω×1，电位器100KΩ×1，可控硅4PA×1，BT33×1，二极管4007×5，电容0.1UF/63V×1,通用线路板×1,稳压管12V×1。

2、工具：万用表，烙铁，烙铁架，摄子，焊锡丝，导线，220V交流电源，220V/36V变压器，60W/36V 白炽灯泡。

[教学过程]：一、元件检测讲述并检测1.电阻：5.1KΩ五色环（绿棕黑棕棕），用万用表×100档来测电阻值；1.2KΩ四色环（棕红红金），用万用表×100档来测电阻值；330Ω四色环（橙橙棕金），用万用表×100（或×10）档来测电阻值；100Ω四色环（棕黑黑棕）用万用表×1（或×10）档来测电阻值；47Ω五色环（绿紫黑黄棕）用万用表×1（或×10）档来测电阻值。

1.设计思想 (2)2. 设计方案 (3)2.2 主电路的设计 (4)2.2.1电路的组成及工作原理 (4)3.1 单结晶体管的工作原理 (6)3.1.1单结晶体管的特性 (6)4主要元器件的参数选择 (8)4.1主电路 (8)4.2二次相电压U2 (10)4.3 一次与二次额定电流及容量计算 (11)4.3.1设计结果分析 (12)4.3 驱动电路的设计 (12)4.3.1典型全控型器件的驱动电路 (12)4.4 电力电子器件的保护 (13)4.4.1 过电压的产生及过电压保护 (13)4.4.2 过电流保护 (13)致谢 (14)参考文献 (14)摘要：掌握晶闸管的使用，用晶闸管控制单相桥式全控整流电路（阻感性负载）并画出整流电路中输入输出、各元器件的电压、电流波形，理解单相桥式全控整流电路阻感负载的工作原理和基本计算。

选择触发电路的结构，考虑保护电路。

关键词：晶闸管；触发电路；脉冲；驱动电路；保护电路；特性；工作原理；额定参数引言电力电子技术又称为功率电子技术，它是用于电能变换和功率控制的电子技术。

电力电子技术是弱电控制强电的方法和手段，是当代高新技术发展的重要内容，也是支持电力系统技术革命发展的重要基础，并节能降耗、增产节约提高生产效能的重要技术手段。

微电子技术、计算机技术以及大功率电力电子技术的快速发展，极大地推动了电工技术、电气工程和电力系统的技术发展和进步。

电力电子器件是电力电子技术发展的基础。

正是大功率晶闸管的发明，使得半导体变流技术从电子学中分离出来，发展成为电力电子技术这一专门的学科。

而二十世纪九十年代各种全控型大功率半导体器件的发明，进一步拓展了电力电子技术应用和覆盖的领域和范围。

电力电子技术的应用领域已经深入到国民经济的各个部门以及人们的日常生活。

功率范围大到几千兆瓦的高压直流输电，小到一瓦的手机充电器，电力电子技术随处可见。

电力电子技术在电力系统中的应用中也有了长足的发展，电力电子装置与传统的机械式开关操作设备相比有动态响应快，控制方便，灵活的特点，能够显著地改善电力系统的特性，在提高系统稳定、降低运行风险、节约运行成本方面有很大潜力。

主题：数字万用表单结晶体管BT33引脚详解内容：1. 概述：数字万用表是一种常见的电子测试仪器，它能够测量电压、电流、电阻等电路参数，是电子工程师和电子爱好者必备的工具之一。

而数字万用表内部的元器件也是十分复杂且精密的，其中就包括了结晶体管BT33。

2. 结晶体管BT33的基本介绍：结晶体管又称晶体二极管，是一种半导体器件，它具有放大、整流、开关和稳压等功能。

BT33是一种常用的结晶体管型号，被广泛应用于各种电子设备中。

3. 结晶体管BT33的引脚定义：BT33一般包括三个引脚，分别为发射极、基极和集电极。

发射极用来输入控制信号，基极用来控制输出信号，集电极则是输出信号的输出端。

4. 结晶体管BT33的引脚功能详解：发射极是输入端，它接收控制信号，控制基极和集电极之间的电流流动。

基极是控制端，它根据发射极的输入信号控制集电极的输出电流。

集电极是输出端，它输出经过控制处理后的电流信号。

5. 结晶体管BT33的工作原理：当发射极输入一个控制信号时，基极会相应地控制集电极的电流，从而实现对输入信号的放大、整流、开关和稳压处理。

这种工作原理使得BT33结晶体管在电子电路中具有重要的作用。

6. 结论：结晶体管BT33作为数字万用表中的重要组成部分，通过上述对其引脚定义、功能和工作原理的详解，可以更好地理解数字万用表的内部结构和工作原理，为电子工程师和电子爱好者提供更多的技术支持和参考。

这篇文章主要针对数字万用表中的结晶体管BT33的引脚进行了详细的解析，详细介绍了其引脚的定义、功能和工作原理，通过对BT33的介绍，读者可以更好地了解数字万用表的内部结构和工作原理，从而更好地应用和理解数字万用表。

引脚定义部分如此关键。

为了更好地理解结晶体管BT33的引脚定义，让我们深入研究每个引脚的作用和连接方式。

1. 发射极（Emitter, E）：作为结晶体管的输入端，发射极承担了输入控制信号的功能。

在数字万用表中，发射极连接至电路的输入端，接收被测电路中的信号，并将其输入到BT33中。

半导体技术参数 -符号含义来源:生利达成时间:2008-10-30一、半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结(极间电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。

在测试电流下, 稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流 (正向测试电流。

锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下, 通过极间的电流; 硅整流管、硅堆在规定的使用条件下, 在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流 (平均值 , 硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流; 测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF (AV ---正向平均电流IFM (IM ---正向峰值电流(正向最大电流。

在额定功率下,允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流(浪涌电流Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR (AV ---反向平均电流IR (In ---反向直流电流(反向漏电流。

在测反向特性时, 给定的反向电流;硅堆在正弦半波电阻性负载电路中, 加反向电压规定值时, 所通过的电流; 硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流;稳压二极管在反向电压下, 产生的漏电流;整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

双基极二极管双基极二极管又称单结晶体管，具有两个基极，一个发射极的三端负阻器件，它具有频率易调、温度稳定性好等特点，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中。

双基极二极管又称单结晶体管，他有两个基极和一个发射极，如图(a)所示。

两个基极分别由Bl和B2表示，发射极用E表示。

图的(b)为双基极二极管的图形符号。

双基极二极管的参数中基极间电阻ＲBB是指发射极开路状态下，两个基极的电阻。

而分压比是指发射极E到基极由之间电压和基极B2到Bl之间的电压之比。

以上两个参数是双基极二极管的主要参数。

谷点电压Ｕv是表示双基极二极管由负阻区进人饱和区的分界点时，与其对应的发射区电压。

即双基极二极管赴于导通状态的最小电压值，如发射极电压ＵE低于谷点电压Ｕv，双基极二极管就进大了截止状态。

双基极二极管的主要参数（1）基极间电阻Rbb：发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为2--10千欧，其数值随温度上升而增大。

（2）分压比η：由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。

（3）eb1间反向电压Vcb1：b2开路，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

（4）反向电流Ieo：b1开路，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。

（5）发射极饱和压降Veo：在最大发射极额定电流时，eb1间的压降。

（6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。

双基极二极管(单结晶体管)的结构双基极二极管又称为单结晶体管，它的结构如图1所示。

在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极，分别称为第一基极B1和第二基极B2。

而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结，在P型硅上引出一个电极，称为发射极E。

两个基极之间的电阻为R BB，一般在2~15k 之间，R BB一般可分为两段，R BB = R B1+ R B2，R B1是第一基极B1至PN结的电阻；R B2是第一基极B2至PN结的电阻。