晶体二极管的主要参数

实验二晶体管测试一、实验目的：1．熟悉晶体二极管、三极管和场效应管的主要参数。

2．学习使用万用电表测量晶体管的方法。

3．学习使用专用仪器测量晶体管的方法。

二、实验原理：（一）晶体管的主要参数：晶体管的主要参数分为三类：直流参数、交流参数和极限参数。

其中极限参数由生产厂规定，可以在器件特性手册查到，直接使用。

其它参数虽然在手册上也给出，但由于半导体器件的参数具有较大的离散性，手册所载参数只能是统计大批量器件后得到的平均值或范围，而不是每个器件的实际参数值。

因为使用晶体管时必须知道每个管子的质量好坏和某些重要参数值，所以，测量晶体管是必须具备的技术。

下面结合本次实验内容，简介晶体管的主要参数。

1．晶体二极管主要参数：使用晶体二极管时需要了解以下参数：（1）最大整流电流I F ：二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流，由手册查得。

（2）正向压降V D ：二极管正向偏置，流过电流为最大整流电流时的正向压降值，可用电压表或晶体管图示仪测得。

（3）最大反向工作电压V R ：二极管使用时允许施加的最大反向电压。

可用电压表或晶体管特性图示仪测得反向击穿电压V(BR) 后，取其1∕2即是。

（4）反向电流I R：二极管未击穿时的反向电流值。

可用电流表测得。

（5）最高工作频率f M ：一般条件下较难测得，可使用特性手册提供的参数。

（6）特性曲线：二极管特性曲线可以直观地显示二极管的特性。

由晶体管特性图示仪测得。

2．稳压二极管主要参数：稳压二极管正常工作时，是处在反向击穿状态。

稳压二极管的参数主要有以下几项：（1）稳定电压V Z：稳压管中的电流为规定电流时，稳压管两端的电压值。

手册虽然给出了每种型号稳压二极管的稳定电压值，但此值的离散性较大，所以手册所给只能是一个范围。

此值必须测定后才能使用稳压二极管。

可用万用电表或晶体管特性图示仪测量。

（2）稳定电流I Z：稳压管正常工作时的电流值，参数手册中给出。

使用晶体管特性图示仪测量此项参数比较方便，可直接观察到稳压管有较好稳压效果时对应的电流值，便是此值。

二极管的特性与参数几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。

二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流，如下图导通区所示。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0，如下图截止区所示。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象，如下图击穿区所示。

二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。

在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1.正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。

只有当正向电压达到某一数值（硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。

导通后二极管两端的电压称为二极管的正向压降。

2、反向特性在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。

二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。

当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。

二极管测试中的主要参数用来测试二极管的性能好坏的技术指标称为二极管的参数。

二极管知识简介一、二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

二、二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。

按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。

由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。

面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。

平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

三、二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。

在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1.正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。

二极管的主要参数正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。

正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。

最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。

反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。

正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。

??反向电流IR：在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值。

结电容C：电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。

最高工作频率FM：二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。

2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2.常用二极管（1）?整流二极管?将交流电源整流成为直流电流的二极管叫作整流二极管，它是面结合型的功率器件，因结电容大，故工作频率低。

通常，IF在1安以上的二极管采用金属壳封装，以利于散热；IF在1安以下的采用全塑料封装（见图二）由于近代工艺技术不断提高，国外出现了不少较大功率的管子，也采用塑封形式。

2）?检波二极管?检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件,它具有较高的检波效率和良好的频率特性。

（3）开关二极管?在脉冲数字电路中，用于接通和关断电路的二极管叫开关二极管，它的特点是反向恢复时间短，能满足高频和超高频应用的需要。

开关二极管有接触型，平面型和扩散台面型几种，一般IF＜500毫安的硅开关二极管，多采用全密封环氧树脂，陶瓷片状封装，如图三所示，引脚较长的一端为正极。

4）稳压二极管?稳压二极管是由硅材料制成的面结合型晶体二极管，它是利用PN结反向击穿时的电压基本上不随电流的变化而变化的特点，来达到稳压的目的，因为它能在电路中起稳压作用，故称为、稳压二极管（简称稳压管）其图形符号见图4?稳压管的伏安特性曲线如图5所示，当反向电压达到Vz时，即使电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二极管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。

《模拟电子技术基础》习题集一．选择题1．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是4V ，引线2是3.3V ，引线3是8V 。

该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管（3）PNP 型硅管 （4）NPN 型锗管2．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；（4）电流并联负反馈；3 有两个稳压二极管，一个稳压值是8伏，另一是7.5伏，若把两管的正极并接，再将负 极并接，组合成一个稳压管接入电路，则这时组合管的稳压值是（1）8伏 （2）7.5伏（3）15.5伏 （4）0.5伏4、一个电压串联负反馈放大器的闭环增益A Vf =100,要求开环增益A V 变化10%时闭环增益变化0.5%,则开环增益是（1）10 （2）2000（3）5000 （4）10005、乙类推挽功放的理想效率为（1）40％ （2）50％（3）78％ （4）35％6、为了抑制零点漂移，集成运放的输入级一般采用下列电路：（1）共射放大电路 （2）共射共基电路（3）差动放大电路 （4）射极输出器7．测得某三极管三根引线对公共端的电位：引线1是-4V ，引线2是-3.3V ，引线3是-8V 。

该管是（1）是PNP 型锗管 （2）NPN 型硅管 （3）PNP 型硅管8．若要求增大放大电路的输入电阻，减少输出电阻，则应引入(1)电流串连负反馈；(2)电流并联负反馈；(3)电压串连负反馈；9．晶体三极管的两个PN 结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是(1)放大状态 (2)饱和状态 (3)截止状态10．晶体管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管(1)发射结为反向偏置 (2) 集电结为正向偏置(3) 始终工作在放大区11．在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为(1)c c R i v =0 (2) c c R i v -=0 (3) c c R I v -=012．共发射极放大器的输出电压与输入电压在相位上的关系是(1) 同相位 (2)相位差是900 (3) 相位差是180013．三级放大器中，各级的功率增益为：－3dB ,20dB 与30dB,则总功率增益为(1) 47dB (2)-180dB (3)53dB14．直耦放大器的功能是(1)只能放大直流信号 (2)只能放大交流信号(3)直流信号与交流信号都能放大15．正弦波振荡器中，选频网络的主要作用是(1) 使正弦波产生一个单一频率的信号 (2) 使振荡器输出较大的信号(3) 使振荡器有丰富的频率成分16．经过超外差式调幅收音机变频电路及中频放大电路后，输出的信号是（1）．是高频调幅信号 （2）.是中频调幅信号（3）．是低频解调信号17、一个NPN 型晶体三极管，由测量得知三个电极电位分别为,3,6,6.6V V V V V V c B E -=-=-=这个晶体三极管工作在（1）放大状态 （2）截止状态（3）饱和状态 （4）倒置状态18．一个固定偏置放大电路中，b R =150K Ω，c R =2K Ω，c E =6V ，晶体管的fe h =40。

晶体二极管‎的主要参数‎：1 电‎阻⑴直流‎电阻‎在晶体二极‎管上加上一‎定的直流电‎压V，就有‎一对那个的‎直流电流I‎，直流电压‎V 与直流电‎流I的比值‎，就是晶体‎二极管的等‎效直流电流‎。

⑵动态‎电流‎在晶体二极‎管上加一定‎的直流电压‎V的基础上‎，再加上一‎个增量电压‎，则晶体二‎极管也有一‎个增量电流‎△I。

增量‎电压△V与‎增量电流△‎I的比值，‎就是晶体二‎极管的动态‎电阻，即动‎态电阻为晶‎体二极管两‎端电压变化‎与电流变化‎的比值。

‎二极管‎的正向直流‎电阻和动态‎电阻都是随‎工作点的不‎同而发生变‎化的。

‎普通晶体‎二极管反响‎运动时，其‎直流电阻和‎动态电阻都‎很大，通常‎可以尽是为‎无穷大。

‎2 额定‎电流‎晶体二极管‎的额定电流‎是指晶体二‎极管长时间‎连续工作时‎，允许通过‎的最大正向‎平均电流。

‎在二极管连‎续工作时，‎为使PN结‎的温度不超‎过某一极限‎值，整流电‎流不应超过‎标准规定的‎允许值。

‎例如：‎2AP1‎的额定电‎流为 12‎m A; 2‎A P5为1‎6mA；2‎A P9为5‎m A。

‎对于大功‎率晶体二极‎管，为了降‎低它的温度‎，增大电流‎，必须加装‎散热片。

‎3反向击‎穿电压‎反向击穿‎电压是指二‎极管在工作‎中能承受的‎最大反向电‎压，它也是‎使二极管不‎致反响击穿‎的电压极限‎值。

在一般‎情况下，最‎大反向工作‎电压应小于‎反向击穿电‎压。

选用晶‎体二极管时‎，还要以最‎大反向工作‎电压为准，‎并留有适当‎余地，以保‎证二极管不‎致损坏。

‎例如：2A‎P21型二‎极管的反向‎击穿电压为‎15V最大‎反向工作电‎压小于10‎V；2AP‎26的反向‎击穿电压为‎150V，‎最大反向工‎作电流小于‎100V。

‎4 最高‎工作频率‎最高工‎作频率是指‎晶体二极管‎能正常工作‎的最高频率‎。

选用二极‎管时，必须‎使它的工作‎频率低于最‎高工作频率‎。

模块1 晶体二极管及其应用【任务导入】随着科学水平的提高，新颖的电子产品不断涌现，如大家熟悉的手机、平板电脑、数码相机等。

它们的出现极大地丰富了我们的文化娱乐生活，这些电子产品都要求电源提供稳定且符合规定数值要求的直流电压。

常用的供电方式有两种：一种是使用市电的直流低压电源，另一种是使用干电池。

干电池又有一次性干电池和可充式干电池之分。

可充式干电池具有可以重复使用的特点，学习本模块内容后，我们可以制作充电器，既能对两节5号或7号可充干电池充电，又能在输出插口中输出一稳定的直流电压，电压的范围为1.5～6V，可自由选择，最大输出电流约为200mA。

导入图1-1所示为充电器的实物图。

导入图1-1 充电器实物图1晶体二极管的使用✧通过实验或演示，了解晶体二极管的单向导电性。

了解晶体二极管的结构、电路符号、引脚判别、伏安特性、主要参数，能在实践中合理使用晶体二极管。

✧了解硅稳压管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等特殊二极管的外形、特征、功能和实际应用。

能用万用表判别二极管极性和质量优劣。

晶体二极管简称二极管，是电子器件中最普通、最简单的一种，其种类繁多，应用广泛。

全面了解、熟悉晶体二极管的结构、电路符号、引脚、伏安特性、主要参数，有助于对电路进行分析。

认识各种二极管的外形特征，对它们有个初步的印象，并熟悉各类二极管的电路符号。

电路符号是电子元器件在电路图中“身份”的标记，它包含大量的识图信息，我们必须牢牢掌握它。

电子技术基础与技能（电气电力类）（第2版）2一、半导体及PN 结半导体器件是在20世纪中期开始发展起来的，具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点，在现代电子技术中得到了广泛的应用。

1．半导体的基本特性在自然界中存在着许多不同的物质，根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。

通常将很容易导电、电阻率小于10-4Ω·cm 的物质，称为导体，例如铜、铝、银等金属材料；将很难导电、电阻率大于1010Ω·cm 的物质，称为绝缘体，例如塑料、橡胶、陶瓷等材料；将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在10-4～1010Ω·cm 范围内的物质，称为半导体。

二极管知识简介一、二极管的工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。

当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。

当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。

二、二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。

按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。

由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。

面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。

平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

三、二极管的导电特性二极管最重要的特性就是单方向导电性。

在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。

下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。

1.正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。

半导体分立元件半导体二极管半导体二极管是用半导体材料（主要是硅或锗的单晶）而制成，故又称为晶体二极管（俗称二极管）。

二极管的主要电性能是“单向导电性”，是一种有极性的二端元件（一种典型的非线性元件）。

二极管在电路中主要用作整流、限幅箱位、检波等，在数字电路中用作开关器件。

基本知识1、二极管。

自然界的物质按其导电能力的大小分为导体、半导体、绝缘体。

导体具有良好的导电性能，其电阻率一般小于10-6Ω·m，如铜和银；绝缘体导电能力很差或不导电，其电阻率往往在108Ω·m以上，如橡胶、陶瓷等；而半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，如纯净的硅在常温下的电阻率为2×103Ω·m。

半导体材料（如硅和锗）都是4价元素，其最外层的4个价电子与其相邻的原子核组成“共介键”结构，所以在温度极低时（如绝对零度时）半导体不导电，在常温下，纯净的半导体的导电能力也很弱。

2、半导体的主要特点。

半导体与导体和绝缘体相比有两个显著特点：一是其“热敏性”与“光敏性”。

例如当环境温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率会降低一半左右（即导电能力提高一倍），且光线的照射也会明显地影响半导体的导电性能，人们利用半导体的这一性能，就可以制成各种热敏元件（如热敏电阻）、光敏元件（如光敏电阻、光电管）等；其二是半导体的“掺杂性”。

指在纯净的半导体内掺入微量的杂质，半导体的导电能力就急剧增强。

例如在单晶硅中掺入百分之一的某种杂质，其导电能力将增加一百万倍。

人们正是利用半导体的这一独特性质。

做成“杂质半导体”，从而制造出各种不同性质、不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路等。

3、杂质半导体。

（1）N型半导体（电子型半导体）。

在纯净的半导体中掺入5价元素就得到N型半导体。

5价杂质其最外层的5个价电子除与半导体组成共价键外就多余一个电子（自由电子）。

所以N型半导体中自由电子为“多子”，空穴为“少子”。

模电自测练习题（A）一、填空二极管1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。

导通后，硅管的管压降约为0.7V，锗管约为0.2V。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。

3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。

P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。

稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。

半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。

N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。

半导体中的空穴带正电。

9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。

10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。

11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。

按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。

12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。

13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的，其工作温度较低。

2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。

二极管二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。

它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。

当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

一.二极管的应用 1、整流二极管：利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

2、开关元件：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。

利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。

3、限幅元件：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。

利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。

4、继流二极管：在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。

5、检波二极管：在收音机中起检波作用。

6、变容二极管：使用于电视机的高频头中。

7、显示元件：用于VCD、DVD、计算器等显示器上。

8、稳压二极管：反向击穿电压恒定，且击穿后可恢复，利用这一特性可以实现稳压电路。

二.二极管的类型 按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。

根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。

由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。

NO1.晶体二极管和三极管的基本特性一、填空题Ａ类１．半导体是一种导电能力介于与之间的物质。

２．半导体按导电类型分为型半导体与型半导体。

３．Ｎ型半导体主要靠来导电，Ｐ型半导体主要靠来导电。

４．ＰＮ结具有性能，即加正向电压时，ＰＮ结，加反向电压时，ＰＮ结。

５．晶体二极管主要参数是与。

６．晶体二极管按所用的材料可分为和两类，按ＰＮ结的结构特点可分为和两种。

7 ．PＮ结的正向接法是Ｐ型区接电源的极，Ｎ型区接电源的极。

８．晶体二极管的伏安特性可简单理解为导通，截止的特性。

导通后，硅管的管压降约为，锗管约为。

9．Ｐ型半导体中的多数载流子是，少数载流子是。

１０．Ｎ型半导体中的多数载流子是、少数载流子是。

１１．晶体三极管三个电极分别称为极、极和极，它们分别用字母＿、和表示。

１２．为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加电压，集电结须加电压。

１３．由晶体三极管的输出特性可知，它在、和三个区域。

1 ４、晶体三极管是由两个ＰＮ结构成的一种半导体器件，其中一个ＰＮ结叫做，另一个叫做。

１５．晶体三极管有型和型两种，硅管以型居多，锗管以型居多。

１６．晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使区的多数载流子浓度高，区的面积大，区尽可能地薄；第二，使结正向偏置，结反向偏置。

１７．晶体三极管发射极电流Ie、基极电流Ib和集电极电流Ic之间的关系是。

其中Ic/Ib叫做，用字母表示;ΔI e/ΔIb叫做，用字母表示。

１８．晶体三极管的电流放大作用，是通过改变电流来控制电流的，其实质是以电流控制电流。

１９．硅晶体三极管的饱和电压降为，锗晶体三极管的饱和电压降为。

2０．硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体三极管发射结的导通电压约为。

２１．当晶体三极管截止时，它的发射结必须是偏置，集电结必须是或偏置。

２２．当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加电压，集电结必定加或电压。

２３．当晶体三极管的队Ｕce一定时，基极与发射极间的电压Ｕbe与基极电流Ｉb间的关系曲线称为;当基极电流Ib一定时，集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人Ic关系曲线称为。

wk二极管参数
WK二极管是具有高反向电阻和低开关损耗的双极晶体管。

它通常用于电源应用，如电动汽车和太阳能逆变器。

WK二极管的关键参数包括：
1.反向电阻：反向电阻是二极管在反向偏置条件下的电阻。

WK二极管的反向
电阻通常为10兆欧到1千兆欧。

2.开关损耗：开关损耗是二极管在开关过程中的损耗。

WK二极管的开关损耗
通常为1毫瓦到10毫瓦。

3.最大反向电压：最大反向电压是二极管能够承受的最大反向电压。

WK二极
管的最大反向电压通常为100伏到1千伏。

4.最大正向电流：最大正向电流是二极管能够承受的最大正向电流。

WK二极
管的最大正向电流通常为10安培到100安培。

用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。

不同类型的二极管有不同的特性参数。

对初学者而言，必须了解以下几个主要参数：1、最大整流电流是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。

因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141左右，锗管为90左右）时，就会使管芯过热而损坏。

所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。

例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。

2、最高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。

为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。

例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。

3、反向电流反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。

反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。

值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。

例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。

又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。

故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

4.动态电阻Rd二极管特性曲线静态工作点Q附近电压的变化与相应电流的变化量之比。

编辑本段半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。