内存基础知识——内存中的Bank

什么是内存Bank什么是内存Bank内存的BANK其实分为两部分,逻辑BANK和物理BANK。

下面内容由店铺为大家介绍内存Bank，供大家参考!Bank从物理上理解为北桥芯片到内存的通道，通常每个通道为64bit。

我们知道，一块主板的性能优劣主要取决于它的芯片组。

不同的芯片组所支持的Bank是不同的。

如Intel 82845系列芯片组支持4个Bank，而SiS的645系列芯片组则能支持6个Bank。

如果主板只支持4个Bank，而我们却用6个Bank的话，那多余的2个Bank就白白地浪费了。

也许有人这么认为，单面的内存即为1个Bank，双面的内存为2个Bank。

这种说法是很片面的，因为单面的内存为一个Bank是正确的，但说双面的内存是2个Bank却是不对的。

如现在很流行的DDR SDRAM就不一定。

那如何正确区分呢?方法如下：开机后的第二个画面可查看到内存的Bank信息，图为双Bank的SDRAM内存.用最小化系统启动计算机，即只采用主板、CPU、内存和显卡。

在开机后的第二个画面(如图)按键盘上的'“Pause”键暂停，如果内存是SDRAM，我们会看到：sdram at bank：0 此为单bank ,sdram at bank：0，1 此为双bank .如内存是DDR SDRAM，我们则会看到：ddr sdram at bank：0 此为单bankddr sdram at bank：0，1 此为双bank简单吧，这下我们就可以根据主板量体裁衣了，而不必担心花冤枉钱买多余的内存了。

目前市场上的主流主板大都支持4?6个Bank，对于Intel 82845这种支持4个Bank的芯片组来说，我们在选购内存时就要多加一分留意。

因为现在很多内存都是双Bank的，这意味着在Intel 82845芯片组上我们最多只能使用两条这样的内存，多了芯片组将无法识别。

这里叮当建议大家最好根据自己的主板所提供的内存插槽数目来选购内存，如果您的主板只提供了两个内存插槽，那就不必为内存是单Bank 还是双Bank而担心了。

关于ddr存储容量的问题--8Megx16x8banks有⼈问我镁光ddr中的容量及型号中8Megx16x8banks的含义，解答如下：以镁光1Gb ddr2为例：1Gb ddr2有三种型号：MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banksMT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banksMT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks例如：MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks8Meg： ddr中的存储bank的深度为8M的存储⼤⼩，也就是8x1024x1024的⼤⼩中间的16：代表每个bank的读写位宽为16bit8banks:代表这个ddr的型号有8个bank总上所属：该ddr2的型号含义为：有8个读写位宽为16bit,读写深度为8M的ddr2，存储容量计算为:8M x 16bit x 8 =1Gb。

该型号的ddr结构如下：有关ddr的其他属于摘录如下：Bank （内存库）在内存⾏业⾥，Bank⾄少有三种意思，所以⼀定要注意。

1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表⽰该内存的物理存储体的数量。

（等同于"⾏"/Row）2、Bank还表⽰⼀个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。

（现在通常是4个bank）。

3、它还表⽰DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。

这⾥的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本⼯作单位。

只有插满⼀个BANK，电脑才可以正常开机。

举个例⼦，奔腾系列的主板上，1个168线槽为⼀个BANK，⽽2个72线槽才能构成⼀个BANK，所以72线内存必须成对上。

原因是，168线内存的数据宽度是64位，⽽72线内存是32位的。

主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给⽇后升级扩充内存⽤，称做内存扩充槽。

逻辑BankSDRAM的逻辑Bank与芯片容量表示方法1、逻辑Bank与芯片位宽讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。

这里主要的概念就是逻辑Bank。

简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。

因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。

阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以把它想象成一张表格。

和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。

对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑 Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。

L-Bank存储阵列示意图由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。

所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM 规范中的最高L-Bank数量。

到了RDRAM则最多达到了32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。

这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。

可见对内存的访问，一次只能是一个L- Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。

在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word （此处代表位的集合而不是字节的集合）。

从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效，原因将在下文中说明。

2、内存芯片的容量现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。

内存芯片的BANK一．内存芯片的逻辑BANK在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。

这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。

由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK的设计，譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）。

芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作（实际上芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽），而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑BANK同时操作。

逻辑BANK的地址线是通用的，只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了（BANK0到BANK3）。

但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出每个逻辑BANK有8M个单元格（CELL），一些厂商（比如现代/三星）就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度（Data Depth），每个单元由8bit组成，那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit（8M×8bit），4个逻辑BANK就是256Mbit，因此这颗芯片的总容量就是256Mbit（32MB）。

内存芯片的容量是一般以bit为单位的。

比如说32Mbit的芯片，就是说它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）与字节（Byte）区别,这个芯片换算成字节就是4MB（B=Byte=字节=8个bit）,一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的，我们可以芯片上的标识知道，这个芯片有几个逻辑BANK，每个逻辑bank的位宽是多少，每个逻辑BANK内有多少单元格（CELL），比如64MB和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式：①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4]②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑BANK数量×每个单元格的位数（芯片的位宽）。

内存颗粒和模组编号知识老头儿的内存颗粒和模组编号知识60问（ ，李谦2009-04-24发表）在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息，但是，除了JEDEC对模组的标注方法有一个原则规定外，颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的，编号方法很不一致。

因此，网上有关编号的问题的讨论也很多，我认为，有许多理解是不准确的。

为此，我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。

力求收集得全面一些。

还真的有不少斩获。

现将它们整理出来，供网友们参考。

当然，所涉及的内存种类主要是个人电脑用户接触到的UDIMM （Unbuffered non-ECC DIMM也称UBDIMM）内存和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。

服务器内存和其他专用内存都没有涉及。

为了便于读者朋友查询，我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表（见问题3问题4）。

当您要查询一个未知内存编号的含义时，可以首先跟这个速查表比对，了解了生产这种内存的厂商后，再根据本目录查询具体含义。

目录一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？2.内存是怎样编号的？3.请给出常用内存颗粒编号速查表！4.请给出常用内存模组编号速查表！二.关于内存的编号方法5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。

6.当表示颗粒结构时用“128M×8”是什么意思？7.怎样根据颗粒编号求出BANK深度？8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？10.怎样从内存编号中知道内存的速度？11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。

12.当表示模组结构时用256M×64是什么意思？13.什么是RANK?14.如何根据模组的编号计算模组的容量？15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？16.JEDEC对内存编号内容是如何规定的？17.请解释JEDEC标准中有关内存名词及其含义18.如何根据模组的编号计算模组的RANK数？19.模组的RANK数跟模组的面数有什么关系？20.内存标签上的2R×8就表明内存是双面8个颗粒吗？21.内存标签上的Warranty V oid是什么意思？22.内存标签上的UNB和SOD是什么意思？23.在内存标签上写的RoHS是什么意思？24.有害物质是指哪些？25.内存标签上的“0820”是什么意思？26.内存标签上的P/N和S/N是什么意思？27.我的内存是2GB的，为什么颗粒编号说是1GB的?三.几个主要内存厂商编号方法介绍28.三星内存的颗粒是怎样编号的？29.三星内存的模组是怎样编号的？30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？32.海力士SDRAM内存模组是怎样编号的？33.海力士DDR内存模组是怎样编号的？34.海力士DDR2内存模组是怎样编号的？35.海力士DDR3内存模组是怎样编号的？36.现代的乐金内存是怎样编号的？37.美光内存的颗粒是怎样编号的？38.美光内存的模组是怎样编号的？39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的？40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的？41.尔必达内存的模组是怎样编号的？42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的？43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的？44.南亚内存的颗粒是怎样编号的？45.南亚内存的模组是怎样编号的？46.易胜的颗粒是怎样编号的？47.易胜的模组是怎样编号的？48.力晶的内存是怎样编号的？49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的？50.茂矽和茂德的模组是如何编号的？51.金士顿Avardram内存是如何编号的?52.金士顿HyperX内存是如何编号的?53.世迈内存的模组是如何编号的？54.海盗船内存是怎样编号的？55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的？56.胜创的内存是怎样编号的?57.威刚内存模组是怎样编号的？58.宇瞻内存模组是怎样编号的？59.金邦内存模组是怎样编号的？60.超胜内存是怎样编号的？一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？答：内存生产厂商很多，颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士；日本的尔必达；美国的美光；德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。

DDR3中bank,16bit和32bit等概念最近在看内存相关的东东。

以前认为内存就是块资源，需要的时候，malloc出来一部分使用即可。

对内部的东东没有深入了解过。

刚开始看起来，感觉有点丈二和尚。

通过各种查询，并请教牛人，对基本概念有了个初步了解，先总结一把。

先说说bank。

看到bank首先想到了银行，然后是利率，然后是房贷...扯远了，这儿的bank是存储库的意思。

也就是说，一块内存内部划分出了多个存储库，访问的时候指定存储库编号，就可以访问指定的存储库。

具体内存中划分了多少个bank，要看地址线中有几位BA地址，如果有两位，说明有4个bank，如果有3位，说明有8个bank.DDR3的地址中有三个BA，即三个Bank Address，BA0, BA1, BA2。

所以DDR3单块内存中都是8个bank.存储库里面的内存是怎么组织的呢？存储库里面类似于一个矩阵。

有很多点，没一个点就是一个cell，也就是一个存储点，有一个电容和一个晶体管组成，通过上电与否，来表示1或0.每一个cell由一个行号和一个列号来唯一标识。

也可以这么理解，bank中分成了很多行（row），每一行又有很多列。

这样的话，给定bank编号，可以找到bank，给定row编号，可以找到所在行，给定column 编号，可以找到所在列，也就找到了要访问的cell。

一个bank中有多少行，多少列呢？这要看行和列分别有多少位来表示。

假如表示行的有A0~A14，那么单个bank中行的总量为2^15。

列类似，如果表示列的有A0~A9，单个bank中列总量为2^10.下面来看看16bit/32bit内存的概念。

这儿所说的16bit/32bit，指的是内存中以多长为单位进行存储。

16bit，即是说内存中是以16bit为单位访问内存的，也就是说，你给内存一个地址，内存会给你一个16bit的数据到数据线。

32bit的与此类似。

下面来看一个具体例子。

BANK的基本概念和常见问题一．内存芯片的逻辑BANK在芯片的内部，内存的数据是以位（bit）为单位写入一张大的矩阵中，每个单元我们称为CELL，只要指定一个行（Row），再指定一个列（Column），就可以准确地定位到某个CELL，这就是内存芯片寻址的基本原理。

这个阵列我们就称为内存芯片的BANK，也称之为逻辑BANK（Logical BANK）。

由于工艺上的原因，这个阵列不可能做得太大，所以一般内存芯片中都是将内存容量分成几个阵列来制造，也就是说存在内存芯片中存在多个逻辑BANK，随着芯片容量的不断增加，逻辑BANK数量也在不断增加，目前从32MB到1GB的芯片基本都是4个，只有早期的16Mbit和32Mbit的芯片采用的还是2个逻辑BANK 的设计，譬如三星的两种16MB芯片：K4S161622D （512K x 16Bit x 2 BANK）和K4S160822DT（1M x 8Bit x 2 BANK）。

芯片组本身设计时在一个时钟周期内只允许对一个逻辑BANK进行操作（实际上芯片的位宽就是逻辑BANK的位宽），而不是芯片组对内存芯片内所有逻辑BANK同时操作。

逻辑BANK的地址线是通用的，只要再有一个逻辑BANK编号加以区别就可以了（BANK0到BANK3）。

但是这个芯片的位宽决定了一次能从它那里读出多少数据，并不是内存芯片里所有单元的数据一次全部能够读出每个逻辑BANK有8M个单元格（CELL），一些厂商（比如现代/三星）就把每个逻辑BANK的单元格数称为数据深度（Data Depth），每个单元由8bit 组成，那么一个逻辑BANK的总容量就是64Mbit（8M×8bit），4个逻辑BANK 就是256Mbit，因此这颗芯片的总容量就是256Mbit（32MB）。

内存芯片的容量是一般以bit为单位的。

比如说32Mbit的芯片，就是说它的容量是32Mb（b=bit=位），注意位（bit）与字节（Byte）区别,这个芯片换算成字节就是4MB（B=Byte=字节=8个bit）,一般内存芯片厂家在芯片上是标明容量的，我们可以芯片上的标识知道，这个芯片有几个逻辑BANK，每个逻辑bank的位宽是多少，每个逻辑BANK内有多少单元格（CELL），比如64MB 和128MB内存条常用的64Mbit的芯片就有如下三种结构形式：①16 Meg x 4 (4 Meg x 4 x 4 banks) [16M╳4]②8 Meg x 8 (2 Meg x 8 x 4 banks) [8M╳8]③4 Meg x 16 (1 Meg x 16 x 4 banks) [4M╳16]表示方法是：每个逻辑BANK的单元格数×逻辑BANK数量×每个单元格的位数（芯片的位宽）。

内存上面的标识解读（Memory Rank Single Rankx4）2011-10-28 17:29:11| 分类： | 标签：|字号订阅一组或几组Memory chips,Chips分为两种4Bits与8Bits, 由于CPU处理能力为64Bits, 如果内存要达到CPU处理能力, 就把Chips组成了Rank; 简单理解就是64Bits为1 Rank.Single Rank:1组Memory chipDual Rank: 2 组Memory chip ,one rank per sideQuad Rank: 4 组Memory chip ,two rank per sideRank并不是同时间读写, 而是使用了Memory interleaving进行读写, 这样提高了总线利用效率!解读内存中的Bank两种内存Bank的区别内存Bank分为物理Bank和逻辑Bank。

1.物理Bank传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。

而CPU在一个传输周期能接收的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。

内存与CPU之间的数据交换通过主板上的北桥进行，内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，简称P-Bank）的位宽。

以目前主流的DDR系统为例，CPU与内存之间的接口位宽是64bit，也就意味着CPU在一个周期内会向内存发送或从内存读取64bit的数据，那么这一个64bit的数据集合就是一个内存条Bank。

不过以前有不少朋友都认为，内存的物理Bank是由面数决定的：即单面内存条则包含一个物理Bank，双面内存则包含两个。

其实这个看法是错误的!一条内存条的物理Bank是由所采用的内存颗粒的位宽决定的，各个芯片位宽之和为64bit就是单物理Bank；如果是128bit 就是双物理Bank。

怎么理解内存Bank含义有几种意思在内存中一个重要概念bank，在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。

Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。

具体怎么理解呢?内存bank有几个意思Bank (内存库) 在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。

1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。

(等同于"行"/Row)2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。

(现在通常是4个bank)。

3、它还表示DIMM 或SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。

这里的BANK是内存插槽的计算单位(也叫内存库)，它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。

只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。

举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。

原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。

主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。

怎么理解内存Bank含义要讲清这个问题，就要提到内存的逻辑Bank，下面就给大家介绍一下物理Bank和逻辑Bank的概念。

在介绍之前，我们先简单看一下现在市场上的DRAM内存产品.现在市场上的内存主要有：SDRAM、DDR SDRAM及Rambus。

其中Rambus内存的控制器和前两者不同，且内部Bank和前两者也不同，将在后面单独介绍。

先主要介绍SDRAM和DDR SDRAM的Bank问题，因为SDRAM就内核、Bank 结构而言，和DDR SDRAM没有什么区别，这里作为一个整体来讲。

逻辑Bank及其结构内存芯片存储数据的基本单位是bit(位)，而进行寻址的基本单位则是Byte(字节)，一个Byte就等于8bit。

计算机术语名词解释第三讲：内存术语解释三、内存术语解释BANK：BANK是指内存插槽de计算单位(也有人称为记忆库)，它是计算机系统与内存间资料汇流de基本运作单位.内存de速度：内存de速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费de时间来计算，为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位.内存模块 (Memory Module)：提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips，而这内存芯片通常是DRAM芯片，但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC de主机板上de专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)de数量和个别芯片(chips)de容量，是决定内存模块de 设计de主要因素.SIMM (Single In-line Memory Module)：电路板上面焊有数目不等de记忆IC，可分为以下2种型态：72PIN：72脚位de单面内存模块是用来支持32位de数据处理量.30PIN：30脚位de单面内存模块是用来支持8位de数据处理量.DIMM (Dual In-line Memory Module)：（168PIN）用来支持64位或是更宽de总线，而且只用3.3伏特de电压，通常用在64位de桌上型计算机或是服务器.RIMM：RIMM模块是下一世代de内存模块主要规格之一，它是Intel公司于1999年推出芯片组所支持de内存模块，其频宽高达1.6Gbyte/sec.SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) （144PIN）：这是一种改良型deDIMM模块，比一般deDIMM模块来得小，应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等.PLL：为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确de存取资料.Rambus 内存模块（184PIN）：采用Direct RDRAMde内存模块，称之为RIMM模块，该模块有184pin脚，资料de输出方式为串行，与现行使用deDIMM 模块168pin，并列输出de架构有很大de差异.6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers)：指de是电路印刷板PCB Printed Circuit Board用6层或4层de玻璃纤维做成，通常SDRAM会使用6层板，虽然会增加PCBde成本但却可免除噪声de干扰，而4层板虽可降低PCBde成本但效能较差.Register：是缓存器de意思,其功能是能够在高速下达到同步de目de.SPD：为Serial Presence Detect de缩写，它是烧录在EEPROM内de码，以往开机时BIOS必须侦测memory，但有了SPD就不必再去作侦测de动作，而由BIOS直接读取 SPD取得内存de相关资料.Parity和ECCde比较：同位检查码(parity check codes)被广泛地使用在侦错码(error detection codes)上，他们增加一个检查位给每个资料de字元(或字节)，并且能够侦测到一个字符中所有奇(偶)同位de错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误.缓冲器和无缓冲器（Buffer V.S. Unbuffer）：有缓冲器deDIMM 是用来改善时序(timing)问题de一种方法无缓冲器deDIMM虽然可被设计用于系统上，但它只能支援四条DIMM.若将无缓冲器deDIMM用于速度为100Mhzde主机板上de 话，将会有存取不良de影响.而有缓冲器deDIMM则可使用四条以上de内存，但是若使用de缓冲器速度不够快de 话会影响其执行效果.换言之，有缓冲器deDIMM虽有速度变慢之虞，但它可以支持更多DIMMde使用.自我充电 (Self-Refresh)：DRAM内部具有独立且内建de充电电路于一定时间内做自我充电，通常用在笔记型计算机或可携式计算机等de省电需求高de计算机.预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL.例如CL=3，表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时，所需de准备时间为3个外部时脉 (System clock).CL2与CL3de差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统de效能并无显著影响.时钟信号 (Clock)：时钟信号是提供给同步内存做讯号同步之用，同步记忆体de存取动作必需与时钟信号同步.电子工程设计发展联合会议 (JEDEC)：JEDEC大部分是由从事设计、发明de制造业尤以有关计算机记忆模块所组成de一个团体财团，一般工业所生产de 记忆体产品大多以JEDEC所制定de标准为评量.只读存储器ROM (Read Only Memory)：ROM是一种只能读取而不能写入资料之记 W体，因为这个特所以最常见de就是主机板上de BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是计算机开机必备de基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口，所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料（计算机基础知识，电脑知识入门学习，请到 电脑知识网）.EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：为一种将资料写入后即使在电源关闭de情况下，也可以保留一段相当长de时间，且写入资料时不需要另外提高电压，只要写入某一些句柄，就可以把资料写入内存中了.EPROM (Erasable Programmable ROM)：为一种可以透过紫外线de照射将其内部de资料清除掉之后，再用烧录器之类de设备将资料烧录进 EPROM内，优点为可以重复de烧录资料.程序规画de只读存储器 (PROM)：是一种可存程序de内存，因为只能写一次资料，所以它一旦被写入资料若有错误，是无法改变de且无法再存其它资料，所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新使用.MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据deROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样de ROM，这一种做为大量生产deROM 样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中de资料永远无法做修改.随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入de 内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同.但是RAM必须由稳定流畅de电力来保持它本身de稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头de资料将随之消失.动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory de缩写，通常是计算机内de主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内de资料须持续地存取不然资料会不见.FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良deDRAM，大多数为72IPN或30PINde模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512 bite 到数Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就可读取各page内de资料.EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：EDOde存取速度比传统DRAM快10%左右，比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PINde模块.SDRAM：Synchronous DRAM 是一种新deDRAM架构de技术；它运用晶片内declock使输入及输出能同步进行.所谓clock同步是指记忆体时脉与CPUde时脉能同步存取资料.SDRAM节省执行指令及数据传输de时间，故可提升计算机效率.DDR：DDR 是一种更高速de同步内存，DDR SDRAM为168PINdeDIMM模块，它比SDRAMde传输速率更快， DDRde设计是应用在服务器、工作站及数据传输等较高速需求之系统.DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM)：DDRII 是DDR原有deSLDRAM 联盟于1999年解散后将既有de研发成果与DDR整合之后de未来新标准.DDRIIde 详细规格目前尚未确定.DRDRAM (Direct Rambus DRAM)：是下一代de主流内存标准之一，由Rambus 公司所设计发展出来，是将所有de接脚都连结到一个共同deBus，这样不但可以减少控制器de体积，已可以增加资料传送de效率.RDRAM (Rambus DRAM)：是由Rambus公司独立设计完成，它de速度约一般DRAMde10倍以上，虽有这样强de效能，但使用后内存控制器需要相当大de改变，所以目前这一类de内存大多使用在游戏机器或者专业de图形加速适配卡上.VRAM (Video RAM)：与DRAM最大de不同在于其有两组输出及输入口，所以可以同时一边读入，一边输出资料.WRAM (Window RAM)：属于VRAMde改良版，其不同之处在于其控制线路有一、二十组de输入/输出控制器，并采用EDOde资料存取模式MDRAM (Multi-Bank RAM)：MIDRAM de内部分成数个各别不同de小储存库(BANK)，也就是数个属立de小单位矩阵所构成.每个储存库之间以高于外部de 资料速度相互连接，其应用于高速显示卡或加速卡中.静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory)：SRAM 是Static Random Access Memory de缩写，通常比一般de动态随机处理内存处理速度更快更稳定.所谓静态de意义是指内存资料可以常驻而不须随时存取.因为此种特性，静态随机处理内存通常被用来做高速缓存.Async SRAM：为异步SRAM这是一种较为旧型deSRAM，通常被用于电脑上de Level 2 Cache上，它在运作时独立于计算机de系统时脉外.Sync SRAM：为同步SRAM，它de工作时脉与系统是同步de.SGRAM (Synchronous Graphics RAM)：是由SDRAM再改良而成以区块Block 为单位，个别地取回或修改存取de资料，减少内存整体读写de次数增加绘图控制器.高速缓存 (Cache Ram)：为一种高速度de内存是被设计用来处理运作CPU.快取记忆体是利用 SRAM de颗粒来做内存.因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal).外接方式是将内存放在主机板上也称为 Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache.PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association)：是一种标准de卡片型扩充接口，多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品，其种类可以分为：Type 1：3.3mmde厚度，常作成SRAM、Flash RAM de记忆卡以及最近打印机所使用deDRAM记忆卡.Type 2：5.5mmde厚度，通常设计为笔记计算机所使用de调制解调器接口(Modem).Type 3：10.5mmde厚度，被运用为连接硬盘deATA接口.Type 4：小型dePCMCIA卡，大部用于数字相机.FLASH：Flash内存比较像是一种储存装置，因为当电源关掉后储存在Flash 内存中de资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本de资料清除掉，然后才能再写入新de资料，缺点为写入资料de速度太慢.重新标示过de内存模块（Remark Memory Module）：在内存市场许多商家都会贩售重新标示过de内存模块，所谓重新标示过de内存模块就是将芯片Chip 上de标示变更过，使其所显示出错误 de讯息以提供商家赚取更多de利润.一般说来，业者会标示成较快de速度将( -7改成-6)或将没有厂牌de改为有厂牌de.要避免购买到这方面de产品，最佳de方法就是向好声誉de供货商来购买顶级芯片制造商产品.内存de充电 (Refresh)：主存储器是DRAM组合而成，其电容需不断充电以保持资料de正确.一般有2K与4K Refreshde分类，而2K比4K有较快速deRefresh但2K比4K耗电.。