CDRAM(带高速缓存动态随机存储器) 是日本三菱电气公司开发的专有技术, 它通过在DRAM芯片上集成一定数量 的高速SRAM作为高速缓冲存储器和同 步控制接口来提高存储器的性能。
DRDRAM(Direct Rambus DRAM)
DRDRAM (接口动态随机存储器)是Rambus 在Intel支持下制定的新一代RDRAM标准, 与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令 而变,同一组引脚线可以被定义成地址,也 可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常 DRAM的三分之一。当需要扩展芯片容量时, 只需要改变命令,不需要增加芯片引脚。
内存速度性能指标
时钟周期TCK CAS延迟时间(CL) CL=2,CL=3 存取时间(TAC) 内存总延迟时间 =TCK*CL+TAC
CAS的延迟时间
这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一 定频率下衡量支持不同规范内存的重要标 志之一。比如现在大多数的SDRAM在外 频为100MHz时都能运行于CAS Latency = 2或3的模式下,这时的读取数据的延迟时 间可以是二个时钟周期也可以是三个时钟 周期,若为二个时钟周期就会有更高的效 能。
KINGMAX
三星(SAMSUNG)
创见(JETRAM)
金邦(WINBOND)
美凯龙/美光(MICRON)
金士顿(KINGSTON)
金士顿(KINGSTON)
现代(HY/HYUNDAI)
现代(HY/HYUNDAI)
KINGMAX
KINGMAX
SPD芯片
SPD(Serial Presence Detect,串行 存在探测),它是1个8针的256字 节的EEPROM (电可擦写可编程 只读存储器)芯片。一般处在内 存条正面的右侧,里面记录了诸 如内存的速度、容量、电压与行、 列地址带宽等参数信息。当开机 时PC的BIOS将自动读取SPD中 记录的信息,并为内存设置最优 化的工作方式,它是识别PC100 内存的一个重要标志。