数电第8章习题答案
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习题
一、填空题
1. 如果一个半导体存储器中有m位地址线，则有2m个存储单元，若输出位数为n位，则其存储容量为n* 2m 位。
2. ROM的电路结构一般由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器等构成。
3. 一片存储容量为4K×1位的ROM芯片应该有12 条地址线。
4. RAM一般由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路组成。
5. 将存储容量为2K×4位的RAM扩展成16K×8的存储器，共需要16 片2K×4位的RAM。
二、分析与设计题
1. 半导体存储器的特点及分类是什么？
半导体存储器分ROM和RAM
ROM只读存储器
只能读，不能写，断电后信息不会丢失，属非易性存储器,ROM又分为
1、掩膜ROM：由生产厂商用掩膜技术将程序写入其中，适用于大批量生产
2、可编程ROM（PROM或OTP）：由用户自行写入程序，一旦写入，不能修改，适用于小批量生产
3、可擦除可编程ROM（EPROM ）：可由用户自行写入，写入后，可用紫外线光照擦除重新写新的程序，适用于科研
4、电可擦除ROM（EEPROM）：可用电信号擦除和重新写入的存储器，适用于断电保护
RAM 随机存取存储器
既能读，又能写，断电后信息会丢失，属易失性存储器
RAM用于存放各种现场的输入输出程序，数据，中间结果。
RAM又分为静态RAM，动态RAM
1、静态RAM（SRAM）：利用半导体触发器两个稳定的状态表示0或1
静态RAM又分为双极型的SRAM和MOS管的SRAM
双极型的SRAM：用晶体管触发器作为记忆单元
MOS管的SRAM：由6个MOS管作为记忆单元
双极双极型的SRAM型速度快，MOS管速度慢，不需要刷新
2、动态RAM（DRAM）：利用MOS管的栅极电容保存信静态RAM息，即电荷的多少表示0和1。
动态RAM需要进行刷新操作
2. 某台计算机的内存储器设置有32位的地址线，16位并行数据输入/输出端，试计算它的最大存储量是多少？
答： 232 *16位
3. 试用4片4K ×4位的RAM 接成16K ×4位的存储器。
/R
A I/O 0I/O 1I/O 2I/O 3
4. 试用2片2K ×8位的ROM 接成2K ×16位的ROM 。
A A 1
A /RW …
CS I/O 0I/O 12I/O 15
I/O 3I/O 4I/O 5...
5. 试将1K ×4位的RAM 接成4K ×8位的存储器。
01234567
6. 用ROM 产生下列一组逻辑函数，写出ROM 中应存入的数据表。
01
23F A BC D AB C A D F AB C D A BC BD F AB CD BC D
F A D B C '''''=++⎧⎪'''=++⎪⎨'''=+⎪
⎪''=+⎩
解： F 0 = m 0+m 2+m 4+m 5+m 6+m 10+m 11
F 1= m 5+m 6+m 7+m 9+m 13+m 15 F 2=m 5+m 10+m 13
F 3=m 1+m 2+m 3+m 5+m 7+m 10
7. 用ROM 设计一个代码转换电路，它可以将输入的4位二进制代码转换为相对应的余3代码。
解：输入与输出真值表如下：A 3~A 0是输入的二进制码，D 0~D 3是输出相应的余3码
ROM 转换电路图如下：
A
A 0
A D 2D 0
D 1A D 3
8. 用EPROM 设计一个代码转换电路，它可以将8421BCD 码转换成2421BCD 码。
解：输入与输出真值表如下：A 3~A 0是输入的8421BCD 码，D 0~D 3是输出相应的2421BCD 码
ROM 转换电路图如下：
A A 0
A D 2D 0
D 1A D 3
9. 用PROM设计一个１位全加器，画出阵列图。
解：设加数为A，被加数为B，低位进位为C，本位和为D，向高位进位E 则1位全加器的真值表如下：
阵列图
10. 用PROM 设计一个代码转换电路，它可以将输入的4位格雷码转换为对应的二进制代码。
解：
输入与输出真值表如下：A 3~A 0是输入的格雷码，D 0~D 3是输出相应的二进制码
ROM 转换电路图如下：
A A 0
A D 2D 0
D 1A D 3。
