纳米金属硫化物半导体材料的原理、制备及表征
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无机纳米材料的制备和表征随着纳米科技的快速发展,无机纳米材料作为一类重要的纳米材料,在科学研究和应用领域中得到了广泛关注。
无机纳米材料具有较大比表面积、尺寸和形态可控等独特的物理和化学性质,因此在催化、传感、能源、材料、生物医学等领域展示了许多优异的性能和应用前景。
本文旨在介绍无机纳米材料的制备和表征方法。
一、无机纳米材料的制备无机纳米材料的制备方法有很多种,常用的方法包括溶剂热法、水热法、溅射法、还原法、燃烧法、微波法、气相法等。
这些方法的选择取决于所需的纳米材料类型、形态和性质等因素。
下面分别介绍几种常用的无机纳米材料制备方法。
(一)溶剂热法溶剂热法是通过加热反应溶液或混合溶液,使其发生溶解、反应或析出等反应过程,从而制备出纳米材料的方法。
它具有反应条件温度、反应时间、反应物浓度和添加剂等因素可调控、形态可控、易于操作等优点。
溶剂热法可以用于制备金属氧化物、金属硫化物、金属基合金、半导体材料、复合材料等无机纳米材料。
例如,以二元氧化物ZnO为例,可通过将Zn(NO3)2和NaOH按一定比例混合,并在甲醇中进行反应,得到球形ZnO纳米粒子。
(二)水热法水热法也被称为热水法或水烁热法,是指在高温高压水热环境下制备无机纳米材料的一种方法。
水热法具有反应时间短、纳米颗粒尺寸分布狭窄、粒径可控等特点。
该方法可用于制备金属氧化物、金属硫化物、金属基合金、半导体材料等无机纳米材料。
例如,以四面体纳米铁酸铁氧化物为例,可以将FeCl3和(NH4)2C2O4按一定比例混合,加入蒸馏水后,在高温高压水热条件下反应,制备出四面体型的纳米铁酸铁氧化物。
(三)溅射法溅射法是一种利用高能离子束或电子束轰击固体靶材,从而使靶材表面原子解离成原子或离子,并沉积到基片上形成薄膜或纳米结构的方法。
溅射法具有对原材料选用不受限制、薄膜质量高、膜厚均匀等优点。
溅射法可用于制备金属、合金、氧化物、氮化物等各种无机材料纳米膜。
例如,以氧化铜为例,可以将Cu靶材和氧气的混合气体放置于反应腔内,在较高的真空环境下,通过离子轰击实现氧化铜纳米薄膜的制备。
不同形貌CuS微纳米结构的制备及其可见光催化性能的开题报告1. 研究背景和意义铜硫化物(CuS)是一种重要的半导体材料,具有优良的光电性能和光催化性能。
在可见光范围内,CuS可以吸收光线产生电子-空穴对,其中电子和空穴可以参与催化反应,因此CuS被广泛应用于可见光催化降解污染物、光电催化制氢等领域。
CuS微纳米结构的形貌对其光催化性能具有重要影响,因此研究不同形貌CuS微纳米结构的制备及其光催化性能具有重要的学术和实际意义。
目前已有关于CuS微纳米结构制备和光催化性能的研究报道,但是对于不同形貌CuS微纳米结构制备与光催化性能的研究还不充分。
因此,本研究将研究不同形貌CuS微纳米结构的制备方法和可见光催化性能,为深入理解CuS光催化机理、提高其光催化性能提供有价值的研究成果。
2. 研究目的和内容本研究的主要目的是制备不同形貌CuS微纳米结构,并研究其可见光催化性能。
具体研究内容包括:(1)根据已有文献和实验经验,选择适合的CuS微纳米结构制备方法,制备不同形貌CuS微纳米结构。
(2)通过SEM、TEM、XRD等手段对CuS微纳米结构的形貌和结构进行表征,分析不同形貌CuS微纳米结构的形成机理。
(3)利用比色法、荧光法等方法研究不同形貌CuS微纳米结构在可见光下的光催化性能,比较不同形貌CuS微纳米结构的光催化活性。
(4)探讨不同形貌CuS微纳米结构的光催化机理,为提高CuS的光催化性能提供理论基础。
3. 研究方法和技术路线本研究的实验方法和技术路线如下:(1)CuS微纳米结构的制备选择适合的CuS微纳米结构制备方法,包括溶剂热法、水热法、共沉淀法等方法。
通过改变反应条件和添加剂等方法调控反应过程和反应产物的形貌。
(2)CuS微纳米结构的表征通过SEM、TEM、XRD等手段对CuS微纳米结构的形貌和结构进行表征,分析不同形貌CuS微纳米结构的形成机理。
(3)可见光催化性能测试利用比色法、荧光法等方法研究不同形貌CuS微纳米结构在可见光下的光催化性能,比较不同形貌CuS微纳米结构的光催化活性。
⑧浙江大学博十学位论文第一章绪论纳米是一种长度度量单位,即米的十亿分之一。
纳米材料是指在三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1一100m)或者由它们作为基本单元构成的材料。
广义地说,纳米材料是泛指含有纳米微粒或纳米结构的材料。
1.1.1纳米材料的诞生及其发展早在】8世纪60年代,随着胶体化学的建立,科学家们就开始了对纳米微粒体系(胶体)的研究。
到20世纪50年代末,著名物理学家,诺贝尔奖获得者理查德·费曼首先提出了纳米技术基本概念的设想。
他在1959年12月美国加州理工学院的美国物理年会上做了一个富有远畿鬈0意黑2=:盏:篙翼盎:见性的报告,并做出了美妙的设想:如果有一天可以按人的意志安排一个个原子,那将会产生怎样的奇迹?理查德·费曼先生被称为“纳米科技的预言人”。
随后,1977年美国麻省理工学院的学者认为上述设想可以从模拟活细胞中生物分子的研究开始,并定义为纳米技术(nanotcchnology)。
1982年Binining和Rohrer研制成功了扫描隧道显微镜(s1M),从而为在纳米尺度上对表面进行改性和排布原子提供了观察工具。
1990年美国IBM公司两位科学家在绝对温度4K的超真空环境中用sTM将Ni(110)表面吸附的xe原子在针尖电场作用下逐一搬迁,⑧浙江大学博士学位论文电子既具有粒子性又具有波动性,因此存在隧道效应。
近年来,人们发现一些宏观物理量,如微颗粒的磁化强度、量子相干器件中的磁通量等亦显示出隧道效应,称之为宏观的量子隧道效应。
量子尺寸效应、宏观量子隧道效应将会是未来微电子、光电子器件的基础,或者它确立了现存微电子器件进一步微型化的极限,当微电子器件进一步微型化时必须要考虑上述的量子效应。
例如,在制造半导体集成电路时,当电路的尺寸接近电子波长时,电子就通过隧道效应而溢出器件,使器件无法正常工作,经典电路的极限尺寸大概在O.25um。
目前研制的量子共振隧穿晶体管就是利用量子效应制成的新一代器件。
zns半导体材料
ZNS是一种半导体材料,即硫化锌。
以下是硫化锌半导体材料的介绍:
1. 物理性质:硫化锌是一种白色或微黄色的粉末。
2. 应用方向:硫化锌作为一类直接宽带隙半导体材料,在国防军工、电子工业、化学化工等诸多领域都有着极为重要的应用。
在化工生产中,硫化锌主要应用于油漆和塑料中,由于其白色不透明性及不溶于水、有机溶剂、弱酸、弱碱而在油漆中成为重要的颜料。
此外,硫化锌还具有光催化上的应用,由于纳米ZnS是一种光子材料,能产生光子空穴,量子尺寸效应带来的能级
改变、能隙变宽使其氧化还原能力增强,是优异的光催化半导体。
3. 性能:纳米ZnS的加入会降低烧结温度,改善陶瓷产品的光洁度,纳米ZnS粉体添加到陶瓷釉料中,还具有保洁杀菌的功能。
如果想要了解更多关于硫化锌半导体材料的信息,建议咨询化学领域专业人士或查阅相关最新研究文献。
收稿:2008年12月,收修改稿:2009年2月*南京航空航天大学引进人才基金项目(No.1006-909308-S0908061)资助**Corresp onding author e -mail:jsliu@金属氧化物硫化物纳米材料的低温固相合成*刘劲松**李子全 曹洁明(南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京210016)摘 要 本文介绍了具有独特物理、化学性质的金属氧化物、硫化物纳米材料的低温固相合成方法,重点阐述了金属氧化物和硫化物纳米材料的低温固相合成方法的路线、反应类型、常用表征测试方法、光电磁性能研究及低温固相反应机理等方面内容,并列举了各种实例。
低温固相合成方法在制备金属氧化物、硫化物纳米材料方面具有操作简便、成本低、污染小等优点,可望用于纳米材料的大规模生产。
关键词 金属氧化物硫化物 纳米材料 低温固相合成中图分类号:O61114;O61116 文献标识码:A 文章编号:1005-281X(2009)12-2542-09Low -Temperature Solid -State S ynthesis of Metal Oxide andSulfide NanomaterialsLiu Jinsong **Li Ziquan Cao Jieming(College of Materials Science and Technology,Nanjing University ofAeronautics and Astronautics,Nanjing 210016,China)Abstract Low -temperature solid -state synthesis me thods for the metal oxide and sulfide nanomaterials which have e xhibited the unique physical and chemical properties are reviewed and classified in this paper.The simple solid -state synthesis routes,six different reaction types,the characterizations about structure,composition,morphology,optics,stability and other properties of the products,and the possible synthesis mechanisms of low -temperature solid -state reactions are emphasized.Some typical e xamples are also pared with gas or solution synthesis,low -temperature solid -state synthesis has many advantages in synthesizing metal oxide and sulfide nanomaterials,such as simple operation,low cost,little pollution,and being able to industrialization.Key words metal oxides and sulfides;nanomaterials;lo w -te mperature solid -state synthesisContents1 Introduction2 Introduction and experiment route of low -temperaturesolid -state synthesis 2.1 Simple introduction 2.2 E xperiment route3 Low -temperature solid -state synthesis types and studycontents of metal oxides and sulfides 3.1 Room -temperature direct reac tion method3.2 Addition -assisted room -temperature direct reactionmethod3.3 Addition -assisted hea-t treating reaction method3.4 Solution -solid room -temperature synthesis method 3.5 Mixture hea-t treating reaction method3.6 Precursor hea-t treating reaction method4 Characterization and property studies of metal oxidesand sulfides synthesized by low -temperature solid -state reaction4.1 Structure,composition and morphologies第21卷第12期2009年12月化 学 进 展PROGRESS I N C HE MISTRYVol.21No.12 Dec.,20094.2 Optics and stability 4.3 Other properties5 Low -temperature solid -state syntheis mechanism ofmetal oxides and sulfides 6 Summary and prospects1 引言金属氧化物和硫化物种类繁多,具有丰富的价态和价电子层构型,有许多重要的物理物质和化学性质,广泛地应用于催化、传感、光学、磁学、医疗、润滑、电池等领域[1)8]。
高纯硫纳米材料的制备及其在光电子器件中的应用摘要:随着光电子技术的飞速发展,硫纳米材料在光电子器件中的应用也得到了越来越多的关注。
本文综述了高纯硫纳米材料制备的方法,并探讨了其在光电子器件中的重要应用。
引言:光电子器件是利用光的特性来实现信息传输和处理的基本元件。
硫纳米材料具有优异的光学和电学性能,因此在光电子器件的制备中具有广泛的应用前景。
然而,高纯度硫纳米材料的制备方法仍然是一个挑战。
本文将介绍一些常用的高纯硫纳米材料制备方法,并探讨其在光电子器件中的应用。
一、高纯硫纳米材料的制备方法:1. 水热法:水热法是一种简单且普遍应用的方法,它通过调节反应物的浓度、温度和反应时间来控制硫纳米材料的尺寸和形貌。
此外,添加表面活性剂还可以调节硫纳米材料的形貌和分散性。
水热法制备的硫纳米材料具有高纯度和良好的结晶性,适用于光电子器件的制备。
2. 气相沉积法:气相沉积法是一种将气体中的硫化氢通过热分解沉积在基底上形成硫纳米材料的方法。
该方法具有制备尺寸可控的硫纳米材料的优势,可以通过调节反应温度和气体流量来控制硫纳米材料的尺寸。
此外,通过引入参与反应的金属催化剂,还可以控制硫纳米材料的形貌和结晶度。
3. 溶剂热法:溶剂热法是一种利用溶剂热处理硫源物质来制备硫纳米材料的方法。
通过调节溶剂的种类和温度,可以控制硫纳米材料的尺寸和形貌。
溶剂热法制备的硫纳米材料具有优异的分散性和形貌可控性,适用于光电子器件的制备。
二、高纯硫纳米材料在光电子器件中的应用:1. 光伏器件:硫纳米材料可以作为光伏器件的吸光材料,将光能转化为电能。
通过调控硫纳米材料的能带结构和粒径,可以实现对不同波长光的吸收。
此外,硫纳米材料还可以作为电子传输层或阳极材料,提高光伏器件的效率和稳定性。
2. 光电导材料:硫纳米材料具有较高的载流子迁移率和较低的能带隙,适用于制备光电导材料。
将硫纳米材料制备成薄膜形式,可以应用于光电二极管、光电场效应晶体管和光电传感器等光电子器件中。
硫化镧(La2S3)微晶的制备、结构及性能研究硫化镧(La2S3)是一种稀土硫化物,具有重要的光电性能和磁性质。
近年来,随着纳米材料的研究和应用不断发展,硫化镧微晶作为一种新型纳米材料备受关注。
本文将从硫化镧微晶的制备、结构及性能三个方面进行探讨。
一、硫化镧(La2S3)微晶的制备硫化镧微晶的制备方法多种多样,主要包括溶剂热法、水热法、气相沉积法等等。
其中,溶剂热法是常用的一种方法。
在溶剂热法中,通常选择一种合适的有机溶剂(如二甲基亚砜)作为反应介质,将稀土盐(如La(NO3)3)与硫源(如硫粉)溶解在有机溶剂中,通过控制反应条件(如温度、时间),经过反应和沉淀步骤,最终得到硫化镧微晶。
二、硫化镧(La2S3)微晶的结构硫化镧微晶具有均匀的微米尺度,晶体结构为正交晶系。
其晶格参数为a=1.976 nm,b=1.684 nm,c=1.517 nm。
硫化镧微晶的晶体结构由La3+离子和S2-离子组成,La3+离子和S2-离子之间通过离子键相互吸引而形成晶格。
三、硫化镧(La2S3)微晶的性能硫化镧微晶具有优异的光电性能和磁性质。
在光电器件中,硫化镧微晶可以作为吸收层、敏感层、助剂等,用于太阳能电池、光催化、光电探测等领域。
硫化镧微晶的光吸收范围包括可见光和紫外光,因此在光催化降解有机污染物、光电化学电池等方面具有广阔的应用前景。
此外,硫化镧微晶还具有较高的磁滞回线和矫顽力,表现出较强的磁性,可应用于磁存储、磁共振成像等领域。
硫化镧微晶的性能与其制备方法、晶体结构密切相关。
研究表明,调控硫化镧微晶的形貌和结构可以改变其光电性能和磁性质。
通过改变反应条件、添加表面修饰剂等方法,可以得到具有不同形貌和尺寸的硫化镧微晶,进而优化其性能。
综上所述,硫化镧(La2S3)微晶具有良好的光电性能和磁性质,在光电器件和磁学领域具有广泛的应用前景。
随着纳米技术的不断发展,硫化镧微晶的制备方法和结构调控技术将进一步完善,其性能也将得到进一步提高。
过渡金属纳米硫化物的制备及其光学和催化性能研究引言纳米技术是近十几年来最为热门的研究领域之一。
纳米材料具有与宏观材料不同的特殊物理和化学特性,因此在各种领域都有着重要应用。
其中,纳米硫化物因其优异的电子、光学和催化性质,被广泛研究。
由于硫原子具有较小的半径,并能与氧化物相反应,因此非常适合制备过渡金属硫化物的纳米材料。
本文介绍了一种简单易行的制备过渡金属纳米硫化物的方法,并对其光学和催化性能进行了研究。
制备方法过渡金属纳米硫化物的制备方法众多,如化学气相沉积、溶胶凝胶、水热法等。
本文采用的是一种简单易行的还原法制备过渡金属纳米硫化物的方法。
具体步骤如下:1.将过渡金属盐(如氯化钴、氯化镍等)和硫化物(如硫酸钠)溶解于去离子水中,得到过渡金属离子和硫离子溶液。
2.将硫化物溶液滴加入过渡金属离子溶液中,缓慢搅拌,并控制pH值为8左右,形成交替混合的沉淀。
3.将沉淀用离心机离心,洗涤干净,然后在100℃左右的高温下干燥。
通过透射电镜(TEM)和X射线衍射(XRD)技术对所制备的样品进行表征,可以看出样品主要由过渡金属粒子和硫化物粒子构成。
此外,还可以通过紫外-可见光谱(UV-Vis)和拉曼光谱(Raman)来确定其光学性能。
结果与讨论1.光学性质所制备的过渡金属纳米硫化物样品的光学性质被研究,发现样品在可见光区域表现出明显的吸收峰。
这种吸收峰是由样品的表面等离子体共振引起的。
从光学吸收谱可以看出,CuS和NiS样品的吸收峰位置分别为480nm和395nm。
这表明,过渡金属纳米硫化物的光学性质可以通过改变其粒径和结构来调控。
2.催化性质采用所制备的CuS和NiS样品分别作为催化剂,在苯并咪唑(SBBI)的氧化反应中进行催化实验。
催化实验中,反应物为SBBI和过氧化氢(H2O2),反应温度为25℃,反应时间为120min。
实验中添加的催化剂量为10mg。
结果表明,与无催化剂反应相比,CuS和NiS样品的加入能够显著促进反应速率,同时能够提高反应的选择性。
过渡金属硫化物(tmdc)的制备
过渡金属硫化物(TMDs)是一类新型材料,其具有独特的光学、电子和
机械性质,有望成为新一代半导体材料和高性能非晶材料。
过渡金属硫化物
是由金属原子和硫原子组成的具有特殊结构的化合物,其中的金属原子可以
是铜、钛、钒等过渡金属,而硫原子则可以是硫、硫酸根或其他硫化物。
TMDs通常是二维的低维体系,可以在高速、高增益的器件中发挥重要作用。
TMDs制备方法有很多,其中包括蒸镀技术、外加偏压技术、原位硫化技
术和低温化学沉淀等。
蒸镀技术是利用无源原蒸馏管中的均相分子来生成TMDs薄膜的方法,它简单快捷,相对低成本。
外加偏压技术是利用显微控
制的外加偏压来控制分子的构型,从而调整不同特征字段的特性,实现不同
尺寸、不同晶粒形状和不同导电性质的TMDs层叠结构。
原位硫化技术和低
温化学沉淀法也是一种常见的TMDs制备方法。
TMDs具有多种优异的性质,在微电子集成电路、高性能非晶材料和微纳
技术领域都具有潜在的应用价值。
随着新一代半导体器件出现,过渡金属硫
化物成为先进材料的前景一类,它将为未来科技设计提供出色的表现。