华宏半导体新员工光刻工艺培训测试题

SMT新员工入职培训考试试卷部门：姓名：工号：得分：一、选择题（每小题2分，共30分）1、SMT车间的湿度范围是（）。

A、10%-70%B、40%-70%C、10%-50%D、60%-80%2、清洁烙铁头的方法是（）A、用水洗B、用湿润的海绵块C、随便擦一下D、用布3、钢网的开孔类型有哪些？（）。

A、方形B、圆形C、椭圆形D、以上都是4、SMT车间的温度为（）。

A、25±3℃B、18±3℃C、30±3℃D、32±3℃5、以下哪种材料是贴片回流工艺的必须材料 ( )。

A、锡膏B、锡丝C、助焊剂D、高温胶带6、以下哪种材料是波峰焊接工艺的必须材料 ( )。

A、锡膏B、锡条C、酒精D、波峰载具7、以下哪种材料是手工焊接工艺的必须材料 ( )。

A、锡丝B、锡条C、酒精D、电烙铁8、以下元件没有极性之分的是（）。

A、二极管B、三极管C、保险丝D、电解电容9、作业完毕后有多余的物料应该怎么办（）。

A、直接扔掉B、分类收集C、带回家D、丢在产线10、我们公司SMT车间规定的烙铁使用温度为（）。

A、250±50℃B、没有要求C、380±20℃D、420±50℃11、下图示什么类型元件（）A、电阻B、电容C、电感D、IC12、下图物料有极性的是（）A、 B、C、 D、13、单面PCB的特点是什么？（）A、焊盘都在一面B、过孔都在一面C、焊盘和过孔都在一面D、以上都不对14、清理、清洁、整理、整顿、______ 、安全为6S。

（）A、打扫B、素养C、环保D、以上都不对15、以下哪些物料是SMT的物料？（）A、塑料粒子B、成圈铜皮C、电阻、电容D、以上都不是二、判断题（对的在括号内划“√”，错的划“×”。

每小题2分，共计30分。

）1、在做功能测试时前，需要确认用电安全。

（）2、进入SMT车间，做的第一件事是先要更换静电服饰并检验静电手环是否合格。

半导体工艺原理测试题及答案大全一、选择题（每题2分，共20分）1. 下列关于半导体材料的叙述中，错误的是：A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

B. 半导体材料的导电性随温度升高而增加。

C. 半导体材料的导电性受光照影响。

D. 半导体材料的导电性不受掺杂影响。

答案：D2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于：A. 沉积薄膜B. 氧化C. 刻蚀D. 形成图案答案：D3. 下列哪种掺杂方式可以增加半导体的导电性？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 无掺杂D. 以上都是答案：D4. 氧化层在半导体工艺中的作用不包括：A. 保护B. 绝缘C. 导电D. 隔离答案：C5. 扩散工艺在半导体工艺中主要用于：A. 形成晶体管B. 形成绝缘层C. 形成金属层D. 形成氧化层答案：A二、填空题（每题2分，共20分）1. 在半导体工艺中，____是形成晶体管PN结的关键步骤。

答案：扩散2. 半导体工艺中的氧化层通常采用____材料。

答案：二氧化硅3. 光刻胶在光刻过程中的作用是____。

答案：形成掩模4. 离子注入技术可以用于____掺杂。

答案：N型或P型5. 在半导体工艺中，____技术用于去除不需要的材料。

答案：刻蚀三、简答题（每题10分，共30分）1. 简述CMOS工艺中晶体管的工作原理。

答案：在CMOS工艺中，晶体管的工作原理基于PN结的开关特性。

N型晶体管（NMOS）在栅极电压高于源极电压时导通，而P型晶体管（PMOS）在栅极电压低于源极电压时导通。

通过控制栅极电压，可以实现晶体管的开关控制。

2. 描述氧化层在半导体工艺中的作用。

答案：氧化层在半导体工艺中主要起到保护、绝缘和隔离的作用。

它可以保护硅片不受化学腐蚀，防止杂质扩散，同时作为绝缘层隔离不同的晶体管或电路元件，确保电路的稳定性和可靠性。

3. 离子注入技术在半导体工艺中的应用是什么？答案：离子注入技术在半导体工艺中主要用于掺杂，通过将掺杂原子注入硅片，可以精确控制掺杂的类型、浓度和深度，从而制造出具有特定特性的半导体器件，如晶体管、二极管等。

一、填空题（每空1分，计20分）1、微电子器件制造用单晶材料的直径越来越大，大直径单晶的制备方法主要有 直拉法 和 区熔法 。

2、常用的测量SiO 2薄膜厚度的方式有 比色法 和 双光干涉法 。

3、在工艺中，可用热分解 硅烷（SiH 4） 进行多晶硅薄膜的淀积。

4、在集成电路制造工艺中，通常采用 蒸发 和 溅射 进行铝膜的制备。

5、曝光前，光刻胶对于特定显影液来说是可溶的，曝光后，不能溶解于此显影液中，此光刻胶为 负胶 （正胶或负胶）。

6、工艺中主要采用含 氟（F ） 的气体来进行SiO 2的干法刻蚀；同时，在刻蚀气体中，添加一定量的氧元素，可以 提高 （提高或降低）刻蚀速率。

7、在离子注入后，通常采用退火措施，可以消除由注入所产生的晶格损伤，常用的退火方式有 普通热退火 、 电子束退火 、 离子束退火 等。

8、常用的去胶方式有 溶剂去胶 、氧化去胶和 等离子体去胶 。

9、工艺中常用 磨角染色法 来测量扩散后的结深。

10、二氧化硅的湿法刻蚀中，采用的腐蚀液是 氢氟酸（HF ） ，而用于刻蚀氮化硅的腐蚀液通常是 热磷酸（H 3PO 4） 。

11、蒸发工艺中，常采用 钨丝（W ） 作为加热器。

12、光刻胶的核心成分是 感光树脂 。

二、选择题（每题2分，多项单项均有，计22分）1、加工净化车间的沾污类型主要有（ A 、B 、C 、D ）（A ）颗粒 （B ）金属杂质 （C ）有机物沾污 （D ）静电释放2、在IC 工艺中，制备高质量的SiO 2薄膜采用氧化方式，常用的氧化方式有（A 、B 、D ） （A ）水汽氧化 （B ）湿氧氧化 （C ）热分解正硅酸乙酯 （D ）干氧氧化3、SiO 2薄膜在微电子工艺中的主要用途有（A 、B 、C 、D ） （A ）掺杂用的掩蔽膜 （B ）对器件的保护和钝化作用 （C ）器件间的隔离 （D ）MOS 管的栅电极材料4、集成电路制造工艺中，对薄膜的质量有如下哪些要求（A 、B 、C 、D ） （A ）好的厚度均匀性 （B ）高纯度和高密度（C ）良好的台阶覆盖 （D ）良好的填充高的深宽比比间隙的能力5、薄膜淀积结束后，需进行的质量检测项目有哪些（A 、B 、C 、D ）（A ）膜厚 （B ）折射率 （C ）台阶覆盖率 （D ）均匀性 6、根据掩膜版与晶片表面的接触，光学曝光有如下哪几种曝光方式（A 、B 、C ） （A ）投影式 （B ）接触式 （C ）接近式 （D ）步进式 7、下述哪些离子是等离子体（A 、B 、C 、D ）（A ）电子 （B ）带电离子 （C ）带电原子 （D ）带电分子 8、在热扩散工艺中，需要控制的工艺参数主要有（A 、B 、C ）（A ）扩散时间 （B ）扩散温度 （C ）杂质源流量 （D ）离子能量 9、下列哪种物质是磷扩散时的固态杂质源（ D ）（A ）BBr 3 （B ）POCl 3 （C ）PH 3 （D ）偏磷酸铝 10、离子注入机中，偏束器的作用是（ C ）（A ）加速 （B ）产生离子 （C ）消除中性离子 （D ）注入扫描 11、下述哪些措施可以有效消除沟道效应（A 、C 、D ） （A ）大剂量注入 （B ）降低靶温 （C ）增大注入的倾斜角度 （D ）增加靶温三、判断题（每题1分，计14分）1、在氢氧合成氧化工艺中，要定期检查氢气、氧气、氮气气体管道是否存在漏气。

2005年新员工PR设备培训测试题部门：姓名：工号：一．填空题：1.PR用于（中文或英文均可），广义上指（英文）工艺。

2.通常所说的PR工艺是指，和及检查工艺。

3.光刻机用于把上的图形暴光到硅片上去。

4.投影式光刻机按发展阶段可分为式光刻机，式光刻机和____________式光刻机。

5.涂胶机中的AD 单元用物质对硅片表面进行处理，使硅片表面从变成。

6.涂胶机中的HP单元用于涂胶后硅片的，以去除光刻胶中的。

7.显影机中的WEE单元称为单元。

8.显影机的显影液配管系统中的脱气系统用于排除显影液中混有的。

9.SEM的中文名为，用在硅片上进行扫描，然后捕捉在硅片表面上反射的，并测量其能量的分布，以获取图形的信息。

10.套刻精度测定机计测硅片上图形的第一层和第二层之间的，其直接反映了光刻机的精度。

二．选择题：1．扫描步进式光刻机在暴光时的工作方式为：（）A. 掩膜板和硅片均不动B. 掩膜板和硅片均做扫描运动C. 掩膜板做扫描运动，硅片不动D. 掩膜板不动，硅片做扫描运动2．I线光刻机的特征为：（）A. 光源为激光，波长为248nmB. 光源为激光，波长为365nmC. 光源为水银灯，波长为248nmD. 光源为水银灯，波长为365nm3．光刻机中（）的因素会影响光刻胶图形的尺寸。

A. 照明光学系统和自动聚焦系统B. 照明光学系统和对准系统C.自动聚焦系统和对准系统D. 激光干涉计系统和对准系统4．涂胶机的光刻胶供给系统的Suck Back阀门用于：（）A. 把光刻胶压缩到胶泵处B. 把光刻胶打到喷嘴处C. 在吐胶结束时进行回吸D. 对光刻胶温度进行精确控制5. PEB处理在什么位置：（）A. 在涂胶和暴光之间B. 在暴光和显影之间C. 在涂胶之前D. 在显影之后答卷完成，谢谢您的参与！。

半导体入厂考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 半导体材料中，硅（Si）和锗（Ge）属于哪一类半导体？A. 本征半导体B. 元素半导体C. 复合半导体D. 绝缘体答案：B2. 在半导体工艺中，光刻技术主要用于实现以下哪个步骤？A. 氧化B. 扩散C. 刻蚀D. 离子注入答案：C3. 下列哪个参数是衡量半导体材料导电能力的重要指标？A. 载流子浓度B. 禁带宽度C. 电子亲和力D. 晶格常数答案：A4. PN结在正向偏置时，下列哪个现象会发生？A. 耗尽区变宽B. 耗尽区变窄C. 电流增加D. 电流减少答案：B5. 半导体器件中的MOSFET是哪种类型的晶体管？A. 双极型晶体管B. 金属氧化物半导体场效应晶体管C. 结型场效应晶体管D. 绝缘栅双极晶体管答案：B6. 在半导体制造过程中，CMP（化学机械抛光）技术的主要作用是什么？A. 提高表面平整度B. 增加材料的导电性C. 减少材料的电阻率D. 提高材料的机械强度答案：A7. 半导体器件中的二极管在反向偏置时，其导电特性如何？A. 导电性增强B. 导电性减弱C. 几乎不导电D. 导电性不变答案：C8. 下列哪个因素会影响半导体器件的热稳定性？A. 材料的热导率B. 器件的封装C. 环境温度D. 所有以上选项答案：D9. 在半导体工艺中，湿法刻蚀和干法刻蚀的主要区别是什么？A. 刻蚀速率B. 刻蚀方向性C. 使用的刻蚀介质D. 刻蚀后的表面粗糙度答案：C10. 半导体器件中的晶体管在饱和区工作时，其漏电流如何变化？A. 随栅极电压变化B. 随漏极电压变化C. 几乎不变D. 随源极电压变化答案：C二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 半导体材料的掺杂可以是以下哪些类型的杂质？A. N型掺杂B. P型掺杂C. 同质掺杂D. 异质掺杂答案：A, B2. 半导体器件中的MOSFET在以下哪些区域工作时，其漏电流会显著增加？A. 饱和区B. 线性区C. 截止区D. 亚阈值区答案：A, B3. 下列哪些因素会影响半导体器件的电学特性？A. 掺杂浓度B. 温度C. 光照D. 湿度答案：A, B, C, D4. 半导体工艺中的氧化过程可以产生以下哪些类型的氧化物？A. 二氧化硅B. 三氧化二铝C. 氧化铟D. 氧化锌答案：A5. 在半导体器件设计中，以下哪些参数需要考虑以优化器件性能？A. 阈值电压B. 载流子迁移率C. 漏电流D. 击穿电压答案：A, B, C, D三、判断题（每题1分，共10分）1. 半导体材料的禁带宽度越小，其导电性越好。

工艺知识竞赛试题库一、公共知识：1.中英对照T/R：卷带（Tape and Reel） TEST：测试 Marking：印章V/I：Visual Inspection Packing：包装 P/N：型号（Part No.）Reel：卷盘 Lot No.：批号 Run Card：随工单WIP：在制品（Work in process）Stand-off：站立高度 NO Marking：无印记 Yield：良率 O/S：开短路 Package：封装形式Quantity：数量 Quality：质量 D/C：周期（Date Code）Tube：料管 Bulk：散装 Carry tape：载带Cover tape：盖带 PPM：百万分之一 SPC：统计过程控制Reel force：编带拉力 CPK：过程能力指数 CCD：光检Test program：测试程序 Machine：机器 Operator：操作工Monitor：值班长 Repairer：维修工 Manager：经理标签：Label Record：记录标准：StandardSOP：作业指导书 CP：控制计划（Control Plan）FMEA：潜在失效分析 DOE：实验设计 OCAP：超出控制的措施计划UPH：每小时产量 START: 开始 Pitch motor：步进马达GP：Green Product绿色产品2. 员工上班静电检测内容：防静电手链和防静电鞋。

3. 测试车间温湿度范围：温度20-26℃、湿度40-60%；包装区温湿度范围：温度20-28℃、湿度40-70%。

4.5S包括：整理、整顿、清理、清洁、素养五个方面。

5.ESD（Electrostatic discharge）静电放电：指具有不同静电电位的物体由于直接接触或静电感应所引起的物体之间静电电荷的转移。

6.公司质量方针：全员参与鼓励和要求新潮集团全体员工持续的创新质量价值持续改善持续改善我们的制程，产品和服务顾客满意倾听顾客的心声，达到顾客的要求7.公司愿景：成为一流的的半导体封测企业8. 公司使命：为客户提供最好的品质、最短的交期、最具竞争力的成本及全方位的服务。