《电子技术基础与技能》(张金华主编)演示文稿wg1课件

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《电子技术基础》课件

分析的基础。
基尔霍夫定律
包括节点电流定律和回路电压定律，是解决复
杂电路问题的关键。
叠加定理
用于分析多个电源共同作用下的电路情况。
戴维南定理
将复杂电路等效为简单电路，便于分析。
电压与电流分析
电压
表示电场中电势差的大小，是推动电流流动的能量。
电流的流向
由高电位流向低电位。
电流
电荷在电场中的定向移动，形成电流。
放大电路的工作原理
通过调整晶体管的基极、集电极和发射极的电压，控制电流的大小，实现信号的放大。
放大电路的分析方法
静态分析法
分析电路在直流工作点附近的性能，计算静态工作点。
动态分析法
分析电路在交流信号作用下的性能，计算析法
通过图形直观地表示电路的工作状态和性能，如波形图、相频图和幅频图等。
开电子技术的支持。
工业领域
在自动化生产、电机控制、电力电子等领域，电子技术也得
到了广泛应用。
消费电子领域
各种电子产品如电视、音响、手机等都离不开电子技术的支
持。
电子技术的发展趋势
集成化
智能化
随着半导体工艺的不断进步，电子器件的尺寸越来越小，集成度越来越高。
人工智能和物联网技术的发展，使得电子设备具备了更强的智能化功能，能够实现自主感知、决策和控制。
电容
总结词
电容是储存电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
详细描述
电容由两块导电板中间夹绝缘介质构成，其电容量取决于两板之间的距离、正对面积以及介质的介电常数。电容在电路中用于滤波、耦合、旁路和调谐等作用。常见的电容类型包括电解电容、陶瓷电容和薄膜电容等。
电感

电子技术基础与技能电子信息类课件素材

单次
1Q
1 2
74LS74
S
1D
1SD (K3) (K1)
图8.24 D触发器功能测试电路
图8.25 CC4013的引出端功能图
图8.26 采用双D触发器CC4013的路灯控制器电路图
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图9.1 四位数码寄存器
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图9.3
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图3.37 用于功放管安装的散热片返回目录
图4.1 单调谐放大器
图4.2 互感耦合双调谐放大器
图4.3电容耦合双调谐放大器返回目录
图4.4 双调谐回路的谐振曲线
图4.5 集成中频放大器的组成框图
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图4.6 二端陶瓷滤波器的电路符号和等效电路
图4.7 三端陶瓷滤波器的结构、电路符号和实物图返回目录
图2.16 基本放大电路的直流通路和交流通路
图2.15 共发射极基本放大电路
图2.16 基本放大电路的直流通路和交流通路
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图2.17 放大电路静态工作状态的图解分析
(a)
(b)
图2.19
(a) NPN三极管电路(b) 共射极基本放大电路的交流通路
图2.18 放大电路中电压、电流的波形
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图2.20 共射放大电路
图2.21
图2.22
图2.23 分压式稳定工作点偏置电路返回目录
图2.24 共集电极放大电路
图2.25 共基极电路
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图2.26
具有稳定工作点的放大器图2.25
共基极电路
图2.28阻容耦合

电子技术基础与技能张金华主编演示文稿wg1课件知识讲解

光电二极管工作电路
1.1.5 其他类型的二极管
三、光电二极管 3．光电二极管的简易检测（1）检极测性示判意别图如首图先所应示在无光照的条件下用指针式万用表R×100或R×1k 挡检测光电二极管的正负极性，检测方法同普通二极管的检测。（2）性能检测使光电二极管处于反向工作状态，即万用表黑表笔接光电二极管的负极，红表笔接其正极，在没有光照射时，其阻值应在数十kΩ至数百kΩ，该电阻值称为暗电阻。再将光电二极管移到光线明亮处，其阻值应会大大降低，万用表指示值通常只有数kΩ，该电阻值称为亮电阻。
121半波整流电路二整流原理负载上的直流电压与直流电流的估算1负载上的直流电压负载上的半波脉动直流电压平均值可用直流电压表直接测得也可按下式计算求出1212负载上的直流电流流过负载的直流电流为122121半波整流电流三整流二极管的选择整流二极管与负载是串联的如图所示所以流经二极管的电流平均值与负载电流相等故选用二极管时要求其123二极管承受的最大反向电压是发生在u达到最大值时即124根据最大整流电流和最高反向工作电压的计算值查阅有关半导体器件手册选用合适的二极管型号使其额定值大于计算值
电子技术基础与技能张金华主编演示文稿wg1课件
1.1.1 半导体的奇妙特性一、对温度反应灵敏(热敏性) 测试比较如图所示
不加温测试
加温测试
1.1.1 半导体的奇妙特性二、对光照反应灵敏 (光敏性)
测试比较如图所示
遮光测试
光照测试
1.1.1 半导体的奇妙特性
三、掺入杂质后会改善导电性(掺杂性) 在纯净的半导体中，掺入适量的杂质，会使半导体的导电能力有成百万倍的增长，使半导体获得了强大的生命力。人们正是通过掺入某些特定的杂质元素，人为地、精确地控制半导体的导电能力，将其制造成各种性质、用途的半导体器件。几乎所有的半导体器件（如二极管和三极管、场效晶体管、晶闸管以及集成电路等），都是采用掺有特定杂质的半导体。

《电子技术基础》ppt课件

PN结内部载流子基本为零，因此导电率很低，相当于介质。但PN结两侧的P区和N区导电率很高，相当于导体，这一点和电容比较相似，所以说PN结具有电容效应。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
PN结的单向导电性
PN结的上述“正向导通，反向阻断”作用，说明它具有单向
导电性，PN结的单PN向结导中电反性向是它电构流成的半讨导论体器件的基础。
3. 空间电荷区的电阻率很高，是指其内电场阻碍多数载流子扩散运动的作用，由于这种阻碍作用，使得扩散电流难以通过空间电荷区，即空间电荷区对扩散电流呈现高阻作用。
4. PN结的单向导电性是指：PN结正向偏置时，呈现的电阻很小几乎为零，因此多子构成的扩散电流极易通过PN结；PN结反向偏置时，呈现的电阻趋近于无穷大，因此电流无法通过被阻断。
由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。
本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，由此本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。
由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
内部几乎没有自由电子，因此不导电。
半导体基础与常用器件
电子技术基础
（3）半导体
半导体的最外层电子数一般为4个，在常温下存在的自由电子数介于导体和绝缘体之间，因而在常温下半导体的导电能力也是介于导体和绝缘体之间。
常用的半导体材料有硅、锗、硒等。
＋
原子核
半导体的特点：
导电性能介于导体和绝缘体之间，但具有光敏性、热敏性和参杂性的独特性能，因此在电子技术中得到广泛应用。
光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强；

电子技术基础与技能课件PPT

5
3.1.2 集成运放的符号及引脚功能
一、图形符号
图形符号如图所示。
表示运放
表示开环增益极高
6
3.1.2 集成运放的符号及引脚功能
二、引脚功能在实际应用中，集成运放除了输入和输出端，还有电源端，有些运放还有调零和相位补偿端。实物及引脚排列如图所示。
7
3.1.3 集成运放的组成和主要参数
一、集成运放的组成框图集成运放由四部分组成，包括输入级、中间级、输出级以及偏置
2
3.1.1放大器中的负反馈
一、反馈放大器的组成反馈放大器的一般形式如图所示。
反馈系数
F Xf Xo
开环放大倍数
A
Xo
X
' i
闭环放大倍数
Af
Xo Xi
A 1 AF
反馈放大器的一般形式
3
3.1.1 放大器中的负反馈
二、反馈类型 12. 直正流反反馈馈和和负交反馈流反馈根根据据反反馈馈的量效是果直可流以量区还分是反交馈流的量极，性可。将反馈分为直流反馈和交流反馈。当若输将入直量流不量变反时馈，到引输入入反端馈，后称使为净直输流入反量馈增。加直，流放反大馈倍多数用增于加稳的定反静馈态称为工正作反点馈。。正反馈多用于振荡电路和脉冲电路。当输入若量将不交变流时量，反引馈入到反输馈入后端使，净称输为入交量流减反小馈，。导交致流电反路馈放多大用倍于数改减善小放的大反馈器称的为动负态反性馈能。。负反馈多用于改善放大器的性能。
般应大衡于量8集0d成B运。放对高速变化信号的适应能力，一般为几伏/微秒。
11
3.1.4 集成运放的理想特性
一、理想运放的概念 (1) 开环差模放大倍数趋于无穷大它将可以放大几乎所有的输入信号。 (2) 两输入端之间的输入电阻趋于无穷大具有这样的输入阻抗，运放就不消耗信号源的能量。 (3) 输出电阻为零这时，运放就可以接任何负载。 (4) 共模抑制比趋于无穷大。 (5) 漂移为零。

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0.5V，锗二极管约为0.2V。
当正向电压超过“死区”电压后，二极管的电阻变得很小，二极管处于导通状态，二极管导通后两端电压降基本保持不变，硅二极管约为 0.7V，锗二极管约为0.3V。如图所示。
1.1.3 二极管的单向导电特性
二、二极管特性曲线 2. 反向特性
（1）反向截止区二极管加反向电压时，仍然会有反向电流流过二极管，称为漏电流。漏电流基本不随反向电压的变化而变化，称为反向截止区。（2）反向击穿区当加到二极管两端的反向
材料作为管壳封装起来，就构成了二极管。二极管的体积较小时，在其中的一端用一个色环来表示负极，无色环一端就是正极；体积较大时，常在壳体上印有标明正极和负极的符号。
二极管的结构
实物图
1.1.2 二极管结构与电路图形符号
二、二极管的图形符号
二极管被广泛应用于各类电子产品中，其电路图形符号如图所示，文字符号用字母“VD”表示。电路图形符号用箭头形象地表示了二极管正向电流流通的方向，箭头的一边代表正极，用“＋”号表示，另一边代表负极，用“－”号表示。
二、对光照反应灵敏 (光敏性)
测试比较如图所示
遮光测试
光照测试
1.1.1 半导体的奇妙特性
三、掺入杂质后会改善导电性(掺杂性) 在纯净的半导体中，掺入适量的杂质，会使半导体的导电能力有成百万倍的增长，使半导体获得了强大的生命力。人们正是通过掺入某些
特定的杂质元素，人为地、精确地控制半导体的导电能力，将其制造成
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 1．稳压二极管的图形符号稳压二极管又称为齐纳二极管，是一种用于稳压（或限压）、工作于反向击穿状态的二极管。其外形及图形符号如图所示。
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 2．稳压二极管的伏安特性当反向电压达到VZ时，即使电压有一微小的
增加，反向电流也会增加很多（反向击穿曲线很
电路图形符号
1.1.3 二极管的单向导电特性测试电路如图所示
1.1.3 二极管的单向导电特性
一、二极管具有单向导电特性（1）加正向电压二极管导通将二极管的正极接电路中的高电位，负极
接低电位，称为正向偏置（正偏）。此时二极管内部呈现较小的电阻，有较大的电流通过，二极管的这种状态称为正向导通状态。（2）加反向电压二极管截止将二极管的正极接电路中的低电位，负极
各种性质、用途的半导体器件。几乎所有的半导体器件（如二极管和三极管、场效晶体管、晶闸管以及集成电路等），都是采用掺有特定杂质的半导体。
1.1.2 二极管结构与电路图形符号
一、二极管的结构普通二极管是由一个PN 结加上两条电极引线做成管芯，从P区引出的
电极作为正极，从N 区引出的电极作为负极，并且用塑料、玻璃或金属等
示意图如图所示
（1）先将万用表电阻挡旋钮置于R×100或R×1k挡。（2）用万用表红、黑表笔任意测量二极管两引脚间的电阻值。（3）交换万用表表笔再测量一次。如果二极管是好的话，两次测量结果必定一大一小。（4）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的二极管一端为正极，红表笔所接的二极管一端为负极。
接高电位，称为反向偏置（反偏）。此时二极管内部呈现很大的电阻，几乎没有电流通过，二极管的这种状态称为反向截止状态。
ห้องสมุดไป่ตู้
1.1.3 二极管的单向导电特性
二、二极管的特性曲线
1. 正向特性当正向电压较小时，二极管呈现的电阻很大，
基本上处于截止状态，这个区域常称为正向特性的“死区”，一般硅二极管的“死区”电压约为
电压超过某一规定数值时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为反向击穿现象。实际应用时，普通二极管应避免工作在击穿范围。如图所示。
1.1.4 二极管的使用常识
一、二极管的型号
1.1.4 二极管的使用常识
二、二极管的主要参数
1.1.4 二极管的使用常识
三、二极管的检测 1．用万用表检测二极管
1）用万用表判断二极管极性
了解半导体的主要特性；
了解二极管的结构、电路符号及引脚；了解二极管的单向导电性、主要参数及伏安特性；
了解其他类型二极管的外形特征、功能及应用；
会用万用表检测二极管极性和质量优劣。
1.1.1 半导体的奇妙特性
一、对温度反应灵敏(热敏性)
测试比较如图所示
不加温测试
加温测试
1.1.1 半导体的奇妙特性
徒直），这时，二极管处于击穿状态，其两端电压基本保持不变（稳压区）。如果把击穿电流通过电阻限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。而且，稳压二极管的反向击穿特性是可逆的，去掉反向电压，稳压二极管又恢复常态。如图所示。
1.1.5 其他类型的二极管
一、稳压二极管 3．稳压二极管的检测（1）检测方法与普通二极管相同，但稳压二极管的正向电阻比普通二极管的正向电阻要大一些。（2）若需要对稳压二极管稳定电压做精确测量，则可用晶体管特性图示仪测量。
1.1.4 二极管的使用常识
三、二极管的检测 1．用万用表检测二极管 2）用万用表检测普通二极管的好坏测试图如图所示（1）万用表置于R×1k挡。测量正向电阻时，万用表的黑表笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极。（2）万用表置于R×1k挡。测量反向电阻时，万用表的红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极。（3）根据二极管正、反向电阻阻值变化判断二极管的质量好坏。
1.1.5 其他类型的二极管
二、发光二极管 1．发光二极管的图形符号发光二极管与普通二极管一样也是由PN结构成，同样具有单向导电性。实物及图形符号如图所示。
发光二极管的实物图
发光二极的管图形符号及文字符号
1.1.5 其他类型的二极管
二、发光二极管 2．发光二极管的基本特性发光二极管是采用磷化鎵或磷砷化鎵等半导体材料制成的，可以直接将电能转换成光能的发光器件。发光二极管的发光颜色和它本身的颜色相同，但也有透明色的发光二极管，也能发出红色、黄色、绿色、白色等可见光。还有三色变色发光二极管和人眼看不见的红外线二极管，它们被广泛运用于电路的状态显示、信息显示、装饰工程、照明等领域。通常，发光二极管通过10mA电流时，就可以发出强度令人满意的光线，高强度的发光二极管只需5mA左右电流就能正常发光。