低频电子线路复习题一.doc
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郑州大学电子线路非线性部分复习总结第一篇:郑州大学电子线路非线性部分复习总结第一章1.(变压器乙类推挽乙类互补推挽)2.乙类互补推挽放大电路工作原理【乙类工作时,为了在负载上合成完整的正弦波,必须采用两管轮流导通的推挽电路】3.实际电路问题(小题)(交越失真产生的原因及补救的措施)【由于导通电压的影响,造成传输电路传输特性的起始段弯曲,在正弦波的激励下,输出合成电压波形将在衔接处出现严重失真,这种失真称为交越失真】【在输入端为两管加合适的正偏电压,使它们工作在甲乙类状态】4.互补推挽电路提出的原因,解决了什么样的问题【当乙类功率管工作时,只在半个周期导通为了在负载上合成完整的正弦波,必须采用两管轮流导通的推挽电路】5.单电源供电的互补推挽电路中,电容起到了什么作用,怎么等效成双电源供电【与双电源供电电路比较,仅在输出负载端串接一个大容量的隔直流电容Cl,VCC 与两管串接,若两管特性配对,则VO = VCC/2,CL 实际上等效为电压等于 VCC/2 的直流电源】6.传输线变压器传输信号的时候采用了什么样的方法【传输线变压器,低频依靠变压器磁耦合方式传输信号,高频依靠传输线电磁能交换方式传输信号,所以高频受限于传输线长度,低频受限于初级绕组电感量】 7.整流器的作用【整流器:电网提供的50Hz交流电—直流电。
整流电路的功能是将电力网提供的交流电压变换为直流电压】8.计算:利用传输线变压器,端电压相等,两端电流大小相等方向相反这样的准则计算传输线变压构成的阻抗变换器的阻抗比第二章丙类谐振功率放大器 1.电路结构【ZL ——外接负载,呈阻抗性,用 CL 与 RL 串联等效电路表示Lr 和 Cr ——匹配网络,与 ZL 组成并联谐振回路调节 Cr 使回路谐振在输入信号频率VBB——基极偏置电压,设置在功率管的截止区,以实现丙类工作】2.偏置条件【基极偏置电压,是静态工作点设置在功率管的截止区,以实现丙类(导通小于半个周期)工作】 3.工作原理【输入完整正余弦波形,ib和ic为脉冲波形,要求输出为同频率正余弦电压,所以在输入、输出端要有谐振回路,使ib和ic电流变为基波电压,实现无失真输出】 4.谐振回路的作用【选频:利用谐振回路的选频作用,可将失真的集电极电流脉冲变换为不失真的输出余弦电压阻抗匹配:调节 Lr 和 Cr , 谐振回路将含有电抗分量的外接负载变换为谐振电阻Re,实现阻抗匹配】5.直流供电【因为丙类功率谐振放大器是放大高频信号,对于高频信号的直流供电来说,应该引入高频扼流圈和滤波电容,进行高低频信号隔离,提高稳定性】 6.谐振功率放大器工作状态【欠压、临界和过压状态(波形形貌)】7.谐振功率放大器外部特性【负载特性放大特性(可以构成线性放大器,作为线性功放和振幅限幅器)调制特性(运用到基极、集电极调制电路,实现调幅作用)】第三章1.正弦波振荡器【反馈振荡器、负阻振荡器】 2.反馈振荡器结构组成【由主网络和反馈网络构成的闭合环路】3.闭合环路成为反馈振荡器的三个条件【(1)起振条件——保证接通电源后从无到有地建立起振荡(2)平衡条件——保证进入平衡状态后能输出等幅持续振荡(3)稳定条件——保证平衡状态不因外界不稳定因素影响而受到破坏】 4.三点式正弦波振荡器组成法则【交流通路中三极管的三个电极与谐振回路的三个引出端点相连接,其中,与发射极相接的为两个同性质电抗,而另一个(接在集电极与基极间)为异质电抗】 5.判断能否产生正弦振荡的方法【(1)是否可能振荡——首先看电路供电是否正确;二是看是否满足相位平衡条件(2)是否起振——看是否满足振幅起振条件(3)是否产生正弦波——看是否有正弦选频网络】6.3.2.3例题(不看例2)7.对于各个类型的振荡电路的优势【晶体振荡器优势:将石英谐振器作为振荡器谐振回路,就会有很高的回路标准性,因此有很高的频率稳定度】8.实现负阻振荡器利用的是什么【平均负增量电导】9.平均负增量电导在正弦波振荡器当中实现的作用【当正弦电压振幅增加时,相应的负阻器件向外电路提供的基波功率增长趋缓。
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,和u BE减小 B. β和I CBO增加,u BE减小C.β和u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的茶分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
《高频电子线路》复习题(含解答)一、是非题(在括号内打“√”表示对,“×”表示错。
)1.多级耦合的调谐放大器的通频带比组成它的单级单调谐放大器的通频带宽。
(×)2.多级耦合的调谐放大器的选择性比组成它的单级单调谐放大器的选择性差。
(×)3.功率放大器是大信号放大器,要求在不失真的条件下能够得到足够大的输出功率。
(√)4.放大器必须同时满足相位平衡条件和振幅条件才能产生自激振荡。
(√)5.电感三点式振荡器的输出波形比电容三点式振荡器的输出波形好。
(×)6.在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R可以加宽通频带。
(√)7.双边带(DSB)信号的振幅与调制信号的规律成正比。
(×)8.调频有两种方法,分别称为直接调频和间接调频。
(√)9.锁相环路与自动频率控制电路实现稳频功能时,锁相环路的性能优越。
(√)10.LC回路的品质因数Q值愈小,其选频能力愈强。
(×)11.调谐放大器兼有放大和选频功能。
(√)12.DSB调幅波中所包含的频率成分有载频、上下边频。
(×)13.LC回路的品质因数Q值愈小,其选频能力愈弱。
(√)14.调谐功率放大器是采用折线近似分析法。
(√)二、选择题(将一个正确选项前的字母填在括号内)1.欲提高功率放大器的效率,应使放大器的工作状态为( D )A.甲类 B.乙类 C.甲乙类 D.丙类2.为提高振荡频率的稳定度,高频正弦波振荡器一般选用( B )A.LC正弦波振荡器 B.晶体振荡器 C.RC正弦波振荡器3.若载波u C(t)=UCcosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt,则调相波的表达式为( B )A.u PM(t)=U C cos(ωC t+m f sinΩt) B.u PM(t)=U C cos(ωC t+m p cosΩt)C.u PM(t)=U C(1+m p cosΩt)cosωC t D.u PM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt4.某调频波,其调制信号频率F=1kHz,载波频率为10.7MHz,最大频偏Δf m=10kHz,若调制信号的振幅不变,频率加倍,则此时调频波的频带宽度为( B )A.12kHz B.24kHz C.20kHz D.40kHz5.MC1596集成模拟乘法器不可以用作( D )A.混频 B.振幅调制 C.调幅波的解调 D.频率调制6.某丙类谐振功率放大器工作在临界状态,若保持其它参数不变,将集电极直流电源电压增大,则放大器的工作状态将变为( D )A.过压 B.弱过压 C.临界 D.欠压7.鉴频的描述是( B )A.调幅信号的解调 B.调频信号的解调 C.调相信号的解调8.下图所示框图能实现何种功能?( C )其中u s(t)= U s cosωs tcosΩt, u L(t)= U L cosωL tA.振幅调制 B.调幅波的解调 C.混频 D.鉴频9.二极管峰值包络检波器,原电路正常工作。
低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示,该晶体管的类型是 [ ]A.NPN 型硅管 B.PNP 型硅管 C.NPN 型锗管 图1.1 2V 6V D. PNP 型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示,可判断其工作状态是[ ]A. 饱和B. 放大C. 截止 图1.2D. 已损坏1.3 在如图1.3所示电路中,当电源V=5V 时,测得I=1mA 。
若把电源电压调整到V=10V ,则电流的大小将是 [ ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V 不变。
当温度为20O C 时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上生到为40O C 时,则U D 的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 [ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言,反向电流最小的是 [ ]A.I CBOB.I CESC.I CERD.I CEO1.7二极管的主要特性是 [ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中,不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时,三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中,设二极管的正向压降可以忽略不计,反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化,这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中,不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;C 场效应管工作时多子、少子均参与导电;D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
一、判断题:(1)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( 错 )(2)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( 对 )(3)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( 错 )(4)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;( 错 )(5)可以说任何放大电路都有功率放大作用;( 对 )(7)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;( 错 )(8)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;( 对 )(9)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;(错 )(11)现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。
( 错 )(12)阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立,( 对 )它只能放大交流信号。
( 对 )(13)直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响,( 对 )它只能放大直流信号。
( 错 )(14)只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
( 错 )(16)运放的共模抑制比cd CMR A A K ( 对 ) (17)在输入信号作用时,偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( 错 )(18)若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。
( 错 )(20)若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变。
( 错 )(21)只要在放大电路中引入反馈,就一定能使其性能得到改善。
( 错 )(22)放大电路的级数越多,引入的负反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定。
( 错 )(23)反馈量仅仅决定于输出量。
( 对 )(24)既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压。
( 错 )(25)运算电路中一般均引入负反馈。
( 对 )(26)在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。
( 错 )(27)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
高频电子线路复习题第一、二章绪论及选聘网络练习题1. 连续波三种调制方式为: 、 、 。
调频 调幅 调相;2. .无线电超外差调幅接收机电路包括:接收天线、高频小信号放大器、 、 、中频放大器、 、低频放大器、电源等。
3.当信号源频率ω ω0(回路谐振频率)时,并联谐振回路呈感性。
小于 或 <4. 并联谐振又称为 谐振。
品质因数为Q 的谐振回路的谐振电阻等于电感支路或电容支路电抗值的 倍。
电流 Q5、串联谐振又称为 谐振,若已知信号源电压振幅为S V ,回路品质因数为Q ,则谐振时回路中的回路元件上的电压=0L V , =0C V 。
并联谐振回路的相对通频带为 。
(4分)电压 s V jQ sV jQ - 07.02f f ∆或Q 1 (4分)6、晶体管单谐振回路放大器的矩形系数为:(2分)0.1010.72 ( )2r f K f ⋅∆==≈∆9.957、已知某晶体管的特征频率为300MHz ,则可估算此晶体管工作在10MHz 时的电流放大系数为 。
(2分)308、有一雷达接收机的中频为30MHz ,通频带为10MHz ,则所需中频回路的Q L 值为: .(2分)3 (2分)9. LC 谐振回路的谐振频率为300kHz ,通频带为10kHz ,此回路的相对通频带为 。
1/3010. 已知一并联谐振回路的谐振频率和其通频带,欲展宽其通频带可以采用在现有谐振回路 。
两端并联电阻的方法并联谐振回路通频带展宽一倍的方法是在回路两端并联一个电阻,其阻值等于回路谐振电阻。
√11、有3级相同的单级增益为A 带宽为Δf 的单调谐回路组成的中放电路的总的增益和带宽分别为 和 。
A 3 0.51Δf (或Δf 21)12、选频网络的品质因数Q 值愈大,其选频能力愈强。
LC 回路的品质因数Q 值愈小,其选频能力愈强。
×13、选择性滤波器主要有 滤波器、 晶体滤波器、 滤波器和 波滤器。
(4分)LC 集中选择性 石英晶体 陶瓷 表面声波 (4分)14、例3.1.1 设某一串联谐振回路的谐振频率为600kHz ,它的L=150H μ,5R =Ω。
低频电子线路复习题一1.1 在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示,该晶体管的类型是[ ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V1.2 某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示,可判断其工作状态是[ ]A.饱和B.放大C.截止图1.2D.已损坏1.3 在如图1.3所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是[ ] A.I=2mA B.I<2mAC.I>2mAD.不能确定图1.31.4 在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。
当温度为20O C时测得二极管的电压U D =0.7V。
当温度上生到为40O C时,则UD的大小将是[ ]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC. 小于0.7VD.不能确定图1.41.5 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于[ ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6 对于同一个晶体管而言,反向电流最小的是[ ]A.ICBO B.ICESC.ICERD.ICEO1.7二极管的主要特性是[ ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8 温度升高时,晶体管的反向饱和电流ICBO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9 下列选项中,不属三极管的参数是[ ]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICM D.集电极最大允许耗散功率PCM1.10 温度升高时,三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11 在N型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.12 下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大1.13 在如图1.13所示电路中,设二极管的正向压降可以忽略不计,反向饱和电流为0.1 mA, 反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化,这时电路中的电流I等于[ ]A. 0.1 mAB. 2.5mAC. 5mAD. 15 mA图 1.131.14 在P型半导体中,多数载流子是[ ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质1.15 下列对场效应管的描述中,不正确的是[ ]A 场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点;B 场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET;C 场效应管工作时多子、少子均参与导电;D 场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。
1.16 在放大电路中,场效应管应工作在漏极特性的[ ]A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区1.17 表征场效应管放大作用的重要参数是[ ]A.电流放大系数βB.跨导gm =ΔID/ΔUGSC.开启电压UT D.直流输入电阻RGS1.18 下列选项中,不属场效应管直流参数的是[ ]A.饱和漏极电流IDSS B.低频跨导gmC.开启电压UT D.夹断电压UP1.19 双极型晶体三极管工作时参与导电的是[ ]A 多子B 少子C 多子和少子D 多子或少子1.20 双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[ ]A 发射结正偏,集电结正偏B 发射结正偏,集电结反偏C 发射结反偏,集电结反偏D 发射结反偏,集电结正偏1.21 选择括号中的答案填空(只填答案a、b、c、……)。
1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系,(a.温度,b.掺杂工艺,c.杂质浓度,d.晶体缺陷)2、当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。
当PN结外加反向电压时,扩散电流漂移电流,耗尽层。
(a.大于,b.小于,c.等于,d.变宽,e.变宽f.不变)3、温度升高时,晶体管的电流放大系数β,反向饱和电流ICBO,正向结电压UBE。
(a.变大,d.变小,c.不变)4、温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
(a.上移,b.下移,c.左移,d.右移,e.增大,f.减小,g.不变)1.22 用大于号(>)、小于号(<)或等号(=)填空:1、在本征半导体中,电子浓度空穴浓度;2、在P型半导体中,电子浓度空穴浓度;3、在N型半导体中,电子浓度空穴浓度。
1.23 判断下列说法是否正确,并在相应的括号内画√或×。
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
()2、在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。
()3、P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( )4、PN 结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。
( )5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
( )6、由于PN 结交界面两边存在电位差,所以,当把PN 结两端短路时就有电流流过。
( )7、PN 结方程可以描述PN 结在的正向特性和反向特性,也可以描述PN 结的反向击穿特性。
( )8、通常的BJT 管在集电极和发射极互换使用时,仍有较大的电流放大作用。
( )9、通常的JFET 管在漏极和源极互换使用时,仍有正常的放大作用。
( )10、有人测得某晶体管的U BE =0.7V ,I B =20μA ,因此推算出r be =U BE /I B =0.7V/20μA=35k Ω。
( )11、有人测得晶体管在U BE =0.6V ,I B =5μA ,因此认为在此工作点上的r be 大约为26mV/I B =5.2k Ω。
( )12、有人测得当U BE =0.6V ,I B =10μA 。
考虑到当U BE =0V 时I B =0因此推算得到0.6060()100BE be B U r k I ∆-===Ω∆- ( )1.24 选择正确的答案填空:1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN 型还是PNP 型)与三个电极时以测出 最为方便。
a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流2、一个硅二极管在正向电压U D =0.6V 时,正向电流I D =10mA 。
若U D 增大到0.66V (即增加10%),则电流I D 。
a.约为11mA (也增加10%);b.约为20mA (增大1倍);c.约为100mA (增大到原先的10倍);d.仍为10mA (基本不变)。
3、设电路中保持V=5V 不变,当温度为20℃时测得二极管的电压U D =0.7V 。
当温度上升到40℃时,则U D 的大小将是 。
a. I =2mAb. I <2mAc. I >2mA1.25 填空:1、半导体中载流子的基本运动形式有:和。
2、二极管的最主要特性是,它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向的特性的。
3、在常温下,硅二极管的开启电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V;锗二极管的开启电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。
4、场效应管从结构上分成和两大类型。
它们的导电过程仅仅取决于载流子。
5、场效应管属于控制型器件。
6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参于导电。
7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。
场效应管从结构上分成和两大类型,它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。
8、场效应管属于控制型器件,而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。
9、晶体三极管用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.1 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.2在基本共射放大电路中,负载电阻RL 减小时,输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.3 在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.4在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.7以下电路中,可用作电压跟随器的是[ ]A.差分放大电路 B.共基电路C.共射电路 D.共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性2.9 对于图2.9所示的复合管,穿透电流为(设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)A.ICEO = ICEO2↓ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =(1+β2)ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图2.9 [ ]2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是[ ]B.饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真2.11对于基本共射放大电路, Rb 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.12在基本共射放大电路中,信号源内阻RS 减小时,输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定2.13 在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.14 在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3KΩ的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为。
2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结、集电结。
2.17 对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大,b.减小,c.不变),选择正确的答案填入空格。
1、Rb 减小时,输入电阻Ri。
2、Rb 增大时,输出电阻Ro。
3、信号源内阻Rs 增大时,输入电阻Ri。
4、信号源内阻Rs 减小时,电压放大倍数||||oussUAU=。
5、负载电阻RL 增大时,电压放大倍数||||oussUAU=。
6、负载电阻RL 减小时,输出电阻Ro。
2.18 选择正确的答案填空。
1、复合管的额定功耗是。
(a.各晶体管额定功耗之和;b.前面管子的额定功耗;c.后面管子的额定功耗;d.各晶体管额定功耗的平均值)2、复合管的反向击穿电压等于。