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SS52 THRU SS520SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERReverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 5.0AmperesFEATURESMECHANICAL DATAMAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICSPlastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0Metal silicon junction ,majority carrier conduction For surface mount applications Low power loss ,high efficiencyHigh current capability ,Low forward voltage drop Low profile packageBuilt-in strain relief ,ideal for automated placement For use in low voltage ,high frequency inverters,free wheeling ,and polarity protection applicationsHigh temperature soldering guaranteed:260 C/10 seconds at terminalsCase : JEDEC SMC(DO-214AB) molded plastic bodyT erminals : solder plated ,solderable per MIL-STD-750,method 2026Polarity : color band denotes cathode end Weight : 0.007ounce,0.21 gram(Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified ,Single phase ,half wave ,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.)Dimensions in inches and (millimeters)SMC(DO-214AB)0.260(6.60)0.305(7.75)Notes : 1.Pulse test: 300 s pulse width,1% duty cycle2. P .C.B. mounted 0.55X0.55"(14X14mm) copper pad areas3.Measured at 1MHz and reverse voltage of4.0 volts10.010.0010.0110.110200.11030609012050101101000.20.40.60.81.01.61.41.2FIG.1-FORWARD CURRENT DERATING CURVEFIG.2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENTFIG.3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICSFIG.4-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T ( A M P E R E S )I N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (m A )P E A K F O R W A R D S U R G EC U R R E N T (A MP E R E S )INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)REVERSE VOLTAGE. VOLTS T , PULSE DURATION ,sec.PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE%NUMBER OF CYCLES AT 60Hz101100.10.10.011101001001000100FIG.5-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEFIG.6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCEJ U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )T R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E , C / W204060801001201502.03.04.05.01.0A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T A M P E R E SLEAD TEMPERATURE ( C)2SS52 THRU SS520SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERReverse Voltage - 20 to 200 Volts Forward Current - 5.0Amperes。
⼯作电压5V的双向TVS⼆极管哪个品牌型号⽐较好⼯作电压5V的双向TVS⼆极管哪个品牌型号⽐较好？电⼦产品在使⽤中经常会遇到意外的电压瞬变和浪涌，从⽽导致电⼦产品的损坏，损坏的原因是电⼦产品中的半导体器件(包括⼆极管、晶体管、可控硅和集成电路等)被烧毁或击穿。
电压的瞬变和浪涌⽆处不在，电⽹、雷击、爆破，就连⼈在地毯上⾏⾛都会产⽣上万伏的静电感应电压，这些，都是电⼦产品的隐形致命杀⼿。
因此，为了提⾼电⼦产品的可靠性和⼈体⾃⾝的安全性，必须对电压瞬变和浪涌采取防护措施。
这次华强北IC代购⽹⼩编为⼤家推荐⼀款⼯作电压为5V的双向TVS⼆极管，希望对⼤家的产品选型提供帮助。
VISHAY——SMBJ5 0A实际应⽤介绍VISHAY的这款双向TVS⼆极管是专门为保护敏感的电⼦设备⽽设计的，SMBJ5 0A具有15KV 空⽓放电和30KV接触放电的ESD防护等级，⼩于1ps的响应速率、600w的10/1000us、duty ⼩于0.01%的尖峰能量浪涌能量容量，并且反向⼯作电压为5V，65A下的钳位电压为9V，这些主要的电⽓特性使其⾮常适合在接⼝保护中。
通讯接⼝的应⽤：下图所⽰为SMBJ5 0A的RS-485通讯接⼝典型应⽤，在保护RS-485接⼝不被静电或者浪涌损坏的情况下，通常⽤SMBJ5.0CA来做接⼝保护。
当静电或者浪涌电压⾼于5V时，SMBJ5 0A 会开始⼯作，将电压钳位在很低的位置，如果电流超过了峰值电流IPP话，最终电压会被钳位在9V左右，从⽽保护了后⼀级的器件不被损坏。
RS-485接⼝保护电路运放集成电路的应⽤：由于集成运放对外界电应⼒⾮常敏感，因此在使⽤运放的过程中，如果因操作失误或采取了不正常的⼯作条件，往往会出现过⼤的电压或电流，特别是浪涌和静电脉冲，从⽽很容易使运放受损或失效。
在其稳压输出端加上SMBJ5 0A，可以保护使⽤该电源的仪器设备，同时还可以吸收电路中晶体管的集电极到发射极间的峰值电压，从⽽保护晶体管。
常用二三极管品牌二三极管是一种常见的电子元器件，广泛应用于电子设备中的电路设计和电流控制。
在市场上，存在着许多不同品牌的二三极管供应商，每个品牌都有其自身的特点和优势。
以下是一些常用的二三极管品牌的介绍。
1. 三极管品牌：1.1 ABC SemiconductorABC Semiconductor是一家知名的半导体公司，专注于三极管的研发和生产。
他们提供了多种型号的三极管，包括NPN型和PNP型。
ABC Semiconductor的产品以其高性能、可靠性和稳定性而闻名。
1.2 XYZ ElectronicsXYZ Electronics是一家全球领先的电子元器件制造商，其产品范围包括各种类型的三极管。
他们的三极管具有低噪声、高频率和高电流处理能力等特点，适用于各种应用场景。
1.3 DEF SemiconductorsDEF Semiconductors是一家专注于高性能三极管的公司。
他们的产品具有低电压损耗、高温度耐受能力和快速开关特性，适用于高频率和功率放大等应用。
2. 二极管品牌：2.1 GHI ElectronicsGHI Electronics是一家专注于二极管制造的公司，他们提供了多种不同类型的二极管，包括整流二极管、肖特基二极管和发光二极管等。
他们的产品具有高效能、低功耗和长寿命的特点。
2.2 JKL SemiconductorsJKL Semiconductors是一家知名的半导体公司，其二极管产品广泛应用于各种电子设备中。
他们的二极管具有高速开关、低反向漏电流和高温度耐受能力等特点，适用于各种电路设计需求。
2.3 MNO ElectronicsMNO Electronics是一家提供各种二极管解决方案的公司。
他们的产品包括普通二极管、快恢复二极管和肖特基二极管等，适用于不同的应用场景。
MNO Electronics的二极管具有高可靠性、低功耗和快速开关特性。
以上仅是常见的二三极管品牌的介绍，市场上还有许多其他品牌可供选择。
常用二三极管品牌一、引言二三极管是电子元器件中常用的一种器件，广泛应用于电子电路中的开关、放大、整流等功能。
本文将介绍几个常用的二三极管品牌及其特点，以帮助读者在选择合适的二三极管时做出明智的决策。
二、品牌一：ABC电子ABC电子是一家知名的电子元器件制造商，其二三极管产品系列多样且质量可靠。
以下是ABC电子的几款常用二三极管产品：1. 二极管型号：ABC123- 优点：高可靠性、低功耗、快速开关速度- 应用：常用于电源管理、信号放大等领域2. 三极管型号：ABC456- 优点：高电流放大倍数、低噪声、高频特性好- 应用：常用于音频放大、射频放大等领域3. 三极管型号：ABC789- 优点：高电压承受能力、低饱和压降、高温度工作能力- 应用：常用于开关电源、高压电路等领域三、品牌二：XYZ科技XYZ科技是一家专注于半导体器件生产的公司，其二三极管产品在市场上享有很高的声誉。
以下是XYZ科技的几款常用二三极管产品：1. 二极管型号：XYZ123- 优点：超高速开关、低反向漏电流、高耐压能力- 应用：常用于高频开关电路、光电子器件等领域2. 三极管型号：XYZ456- 优点：高电流放大倍数、低噪声、高频特性好- 应用：常用于音频放大、射频放大等领域3. 三极管型号：XYZ789- 优点：高电压承受能力、低饱和压降、高温度工作能力- 应用：常用于开关电源、高压电路等领域四、品牌三：123电子123电子是一家专业从事电子元器件研发和制造的公司，其二三极管产品在市场上备受认可。
以下是123电子的几款常用二三极管产品：1. 二极管型号：123ABC- 优点：快速恢复速度、低反向漏电流、高温度工作能力- 应用：常用于电源管理、光电子器件等领域2. 三极管型号：123XYZ- 优点：高电流放大倍数、低饱和压降、高频特性好- 应用：常用于音频放大、射频放大等领域3. 三极管型号：123DEF- 优点：高电压承受能力、低噪声、高可靠性- 应用：常用于开关电源、高压电路等领域五、总结本文介绍了几个常用的二三极管品牌及其特点。
双向瞬态抑制TVS⼆极管型号⼤全过电压防浪涌保护器件TVS瞬态电压抑制⼆极管，是⼀种⾼效新型的电路保护元件，凭借其⾃⾝独有的优势：半导体⼯艺、稳定可靠、玻璃钝化⼯艺、导通电压精准、PS秒级响应速度、瞬态功率⼤、击穿电压偏差⼩、低漏电流、低动态内阻、箝位电压易控制、封装形式多样、⼩体积易安装等等，被⼴泛应⽤于敏感电⼦产品中，如汽车电⼦、⼯业设备、通讯设备、消防电⼦、家电等等。
TVS⼆极管种类很多，根据⽅向可分为单向TVS和双向TVS；根据极性可分为单极性TVS和双极性TVS；根据外形可分为贴⽚TVS和直插TVS；根据功率可分为⼤功率TVS和⼩功率TVS……接下来，TVS⼆极管⼚家东沃电⼦DOWOSEMI重点要分享的是有关双向TVS⼆极管的话题。
双向TVS⼆极管和单向TVS有什么区别呢？如何区分双向TVS⼆极管？双向TVS⼆极管型号有哪些？双向TVS⼆极管和单向TVS⼆极管的区别单向和双向TVS管伏安特性曲线和相关参数说明如下图：从上图可以看出，双向TVS⼆极管伏安特性曲线在第⼀象限与第三象限极性相反，特性相似、当单向TVS⼆极管反向偏置时，它有两种⼯作模式：待机（⾼阻抗）或钳制（相对的低阻抗），详见单向TVS⼆极管伏安特性曲线第三象限。
在应⽤⽅⾯的区别，⼀般⽽⾔，单向TVS应⽤在直流电路中，双向TVS应⽤在交流电路中，具体详情建议咨询专业的技术员。
如何区分双向TVS⼆极管？双向：bi-directional unit，简称Bi；单向：uni-directional unit，简称Uni。
关于TVS⼆极管如何区分单双向这个问题，最可靠的⽅法就是查看对应料号的产品⼿册，其中Bi列表中表⽰的是单向，Uni列表中表⽰的是双向。
当然还可以根据型号更直观地辨别，TVS⼆极管型号尾缀CA是双向，A的话是单向，如3KP33CA是双向TVS⼆极管，3KP33A是单向TVS。
当然，不同品牌供应商对TVS⼆极管型号命名⽅式还是略有差异的，⼀般⽽⾔，都是国标统⼀的型号，不会存在太⼤的差异。
SM05 THRU SM36PROTECTION PRODUCTS TVS Diode ArrayDescriptionFeaturesCircuit Diagram Schematic & PIN ConfigurationThe SM series of transient voltage suppressors (TVS)are designed to protect components which areconnected to data and transmission lines from voltage surges caused by ESD (electrostatic discharge), EFT (electrical fast transients), and lightning .TVS diodes are characterized by their high surge capability, low operating and clamping voltages, and fast response time. This makes them ideal for use as board level protection of sensitive semiconductorcomponents. The dual-junction common-anode design allows the user to protect one bidirectional data line or two unidirectional lines. The low profile SOT23package allows flexibility in the design of crowded circuit boards.The SM series will meet the surge requirements of IEC 61000-4-2 (Formerly IEC 801-2), Level 4, Human Body Model for air and contact discharge.ApplicationsMechanical Characteristicsu Cellular Handsets and Accessories u Portable Electronics u Industrial Controls u Set-Top BoxuServers, Notebook, and Desktop PCu 300 watts peak pulse power (tp = 8/20µs)u Transient protection for data & power lines toIEC 61000-4-2 (ESD) 15kV (air), 8kV (contact)IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (tp=5/50ns)IEC 61000-4-5 (Lightning) 12A (tp=1.2/50µs)u Protects one bidirectional line or two unidirectional linesu Working Voltages: 5V, 12V, 15V, 24 and 36V u Low clamping voltageu Solid-state silicon avalanche technologyu JEDEC SOT23 packageu Molding compound flammability rating: UL 94V-0u Marking : Marking Codeu Packaging : Tape and Reel per EIA 481Absolute Maximum RatingElectrical Characteristics50M S re t e m a r a P l o b m y S sn o i t i d n o C mu m i n i M la c i p y T mu m i x a M s t i n U e g a t l o V f f O -d n a t S e s r e v e R V M W R 5V e g a t l o V n w o d k a e r B e s r e v e R V R B I t A m 1=6V t n e r r u C e g a k a e L e s r e v e R I R V M W R C °52=T ,V 5=02A µeg a t l o V g n i p m a l C V C I P P ,A 1=s µ02/8=p t 8.9V t n e r r u C e s l u P k a e P m u m i x a M I p p s µ02/8=p t 71A e c n a t i c a p a C n o i t c n u J C j 2o t 1n i P V R z H M 1=f ,V 0=053F p ec n a t i c a p a C n o i t c n u J C jd n a 3o t 1n i P 3o t 2n i P V R zH M 1=f ,V 0=004Fp gn i t a R l o b m y S e u l a V s t i n U )s µ02/8=p t (r e w o P e s l u P k a e P P k p 003s t t a W t n e i b m A o t n o i t c n u J ,e c n a t s i s e R l a m r e h T q A J 655W /C °e r u t a r e p m e T g n i r e d l o S d a e L T L ).c e s 01(062C °e r u t a r e p m e T g n i t a r e p O T J 521+o t 55-C °er u t a r e p m e T e g a r o t S T GT S 051+o t 55-C°21M S re t e m a r a P l o b m y S sn o i t i d n o C mu m i n i M la c i p y T mu m i x a M s t i n U e g a t l o V f f O -d n a t S e s r e v e R V M W R 21V e g a t l o V n w o d k a e r B e s r e v e R V R B I t A m 1=3.31V t n e r r u C e g a k a e L e s r e v e R I R V M W R C°52=T ,V 21=1A µeg a t l o V g n i p m a l C V C I P P ,A 1=s µ02/8=p t 91V t n e r r u C e s l u P k a e P m u m i x a M I p p s µ02/8=p t 21A e c n a t i c a p a C n o i t c n u J C j 2o t 1n i P V R z H M 1=f ,V 0=021F p ec n a t i c a p a C n o i t c n u J C jd n a 3o t 1n i P 3o t 2n i P V R zH M 1=f ,V 0=051FpElectrical Characteristics (Continued)51M S re t e m a r a P l o b m y S s n o i t i d n o C m u m i n i M l a c i p y T mu m i x a M s t i n U e g a t l o V f f O -d n a t S e s r e v e R V M W R 51V e g a t l o V n w o d k a e r B e s r e v e R V R B I t A m 1=7.61Vt n e r r u C e g a k a e L e s r e v e R I R V M W R C °52=T ,V 51=1A µeg a t l o V g n i p m a l C V C I P P sµ02/8=p t ,A 1=42V t n e r r u C e s l u P k a e P m u m i x a M I p p s µ02/8=p t 01A e c n a t i c a p a C n o i t c n u J C j 2o t 1n i P V R z H M 1=f ,V 0=57F p e c n a t i c a p a C n o i t c n u J C j3o t 2d n a 3o t 1n i P V R zH M 1=f ,V 0=001Fp 42M S re t e m a r a P l o b m y S sn o i t i d n o C mu m i n i M l a c i p y T mu m i x a M s t i n U e g a t l o V f f O -d n a t S e s r e v e R V M W R 42V e g a t l o V n w o d k a e r B e s r e v e R V R B I t A m 1=7.62Vt n e r r u C e g a k a e L e s r e v e R I R V M W R C °52=T ,V 42=1A µeg a t l o V g n i p m a l C V C I P P sµ02/8=p t ,A 1=34V t n e r r u C e s l u P k a e P m u m i x a M I p p s µ02/8=p t 5A e c n a t i c a p a C n o i t c n u J C j 2o t 1n i P V R z H M 1=f ,V 0=05F p ec n a t i c a p a C n o i t c n u J C j3o t 2d n a 3o t 1n i P V R zH M 1=f ,V 0=06Fp 63M S re t e m a r a P l o b m y S s n o i t i d n o C m u m i n i M l a c i p y T mu m i x a M s t i n U e g a t l o V f f O -d n a t S e s r e v e R V M W R 63V e g a t l o V n w o d k a e r B e s r e v e R V R B I t A m 1=04Vt n e r r u C e g a k a e L e s r e v e R I R V M W R C °52=T ,V 63=1A µeg a t l o V g n i p m a l C V C I P P sµ02/8=p t ,A 1=06V t n e r r u C e s l u P k a e P m u m i x a M I p p s µ02/8=p t 4A e c n a t i c a p a C n o i t c n u J C j 2o t 1n i P V R z H M 1=f ,V 0=04F p ec n a t i c a p a C n o i t c n u J C j3o t 2d n a 3o t 1n i P V R zH M 1=f ,V 0=54FpTypical CharacteristicsNon-Repetitive Peak Pulse Power vs. Pulse Time1020304050607080901001100255075100125150Ambient Temperature - T A (oC)% o f R a t e d P o w e r o r I P PPower Derating CurvePulse Waveform0102030405060708090100110051015202530Time (µs)P e r c e n t o f I P Ple v e L t s r i F k a e P t n e r r u C )A (k a e P t n e r r u C s n 03t a )A (k a e P t n e r r u C s n 06t a )A (t s eT eg a t l o V tc a t n o C ()e g r a h c s i D )V k (ts e T e g a t l o V r i A ()e g r a h c s i D )V k (15.74822251844435.2221668436188510.010.11100.11101001000Pulse Duration - tp (µs)P e a k P u l s e P o w e r - P P P (k W )IEC 61000-4-2 Discharge ParametersESD Pulse Waveform (Per IEC 61000-4-2)Applications InformationDevice Schematic & Pin Configuration Device Connection OptionsThe SM series is designed to protect one bidirectionalor two unidirectional data or I/O lines operating at 5 to36 volts. Connection options are as follows:l Bidirectional: Pin 1 is connected to the data lineand pin 2 is connected to ground (Since the deviceis symmetrical, these connections may be re-versed). For best results, the ground connectionshould be made directly to a ground plane on theboard. The path length should be kept as short aspossible to minimize parasitic inductance. Pin 3 isnot connected.l Unidirectional: Data lines are connected to pin 1 and pin 2. Pin 3 is connected to ground. For best results, this pin should be connected directly to aground plane on the board. The path length should be kept as short as possible to minimize parasiticinductance.Circuit Board Layout Recommendations for Suppres-sion of ESD.Good circuit board layout is critical for the suppression of fast rise-time transients such as ESD. The following guidelines are recommended (Refer to application note SI99-01 for more detailed information):l Place the TVS near the input terminals or connec-tors to restrict transient coupling.l Minimize the path length between the TVS and the protected line.l Minimize all conductive loops including power and ground loops.l The ESD transient return path to ground should be kept as short as possible.l Never run critical signals near board edges.l Use ground planes whenever possible.RS-232 Transceiver ProtectionExampleOutline Drawing - SOT23Ordering Informationr e b m u N t r a P g n i k r o W e g a t l o V le e R r e p y t Q e z i S l e e R C T .50M S V 5000,3h c n I 7G T .50M S V 5000,01h c n I 31C T .21M S V 21000,3h c n I 7G T .21M S V 21000,01h c n I 31C T .51M S V 51000,3h c n I 7G T .51M S V 51000,01h c n I 31C T .42M S V 42000,3h c n I 7G T .42M S V 42000,01h c n I 31CT .63M S V63000,3hc n I 7Marking Codesre b m u N t r a P g n i k r a M e d o C 50M S 50M 21M S 21M 51M S 51M 42M S 42M 63M S 63M。
安森美低厚度SOD-123FL封装
佚名
【期刊名称】《电子产品世界》
【年(卷),期】2003(000)07B
【摘要】安森美半导体为TVS元件和肖特基二极管系列推出低厚度SOD-123FL 封装。
SOD—123FL封装器件可直接替代电路板中的SOD-123(JEDEC DO219)封装器件。
SOD-123FL封装的W／mm2热性能比SOD—123提高达149％，比SMA提高达90.5％，比PowerMite提高达26.5%。
SOD-123FL厚度（最大为1mm）比标准SOD-123封装低25%，
【总页数】1页(P104)
【正文语种】中文
【中图分类】TN405
【相关文献】
1.安森美半导体推出采用极紧凑、低厚度封装的业界最小MOSFET [J],
2.安森美半导体推出采用紧凑SOIC-8封装的高能效同步稳压器 [J], 邹勉;
3.安森美半导体推出多款新LDO线性稳压器,含超小XDFN封装器件 [J],
4.安森美推出低厚度SOD－123FL封装元件 [J],
5.安森美半导体推出针对下一代接口的低电容、低钳位电压ESD保护器件 [J],因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
sod123二极管参数
SOD123型号是一种二极管封装类型，具体的二极管参数会根据具体的二极管型号而有所差异。
一般来说，SOD123封装的二极管参数包括以下几个方面：
1. 最大可反向电压（VRRM）：表示二极管能够承受的最大反向电压，单位为伏特（V）。
2. 最大可持续反向电压（VR）：表示二极管能够长时间承受的反向电压，单位为伏特（V）。
3. 最大正向电流（IF）：表示二极管正向电流的最大值，单位为安培（A）。
4. 电压降（VF）：表示二极管正向导通时的电压降，也称为正向压降，单位为伏特（V）。
5. 最大反向漏电流（IR）：表示二极管在最大可反向电压下的反向漏电流，单位为安培（A）。
6. 瞬态热阻（RθJA）：表示二极管的瞬态热阻，即在单位时间内从二极管到环境的热阻，单位为摄氏度/瓦特（℃/W）。
需要注意的是，具体的二极管型号会有不同的参数范围，可以根据具体的型号手册或数据表来获取详细的参数值。
