下载文档原格式
1考答案第一部分:判断、选择题(40%)第二部分:非选择题(60%)三、填空题（本大题每格1分、共40分）：1、截止、饱和2、4、13、10、14、非、非5、调整管、基准电路、取样电路、比较放大6、A 、B7、饱和、截止、放大8、输入、输出9、逻辑关系、逻辑代数、真值表、逻辑表达式、波形图、开关元件 10、010********* 11、保持、翻转 12、共发射极、共集电极、共基极 13、相位平衡、幅度平衡 14、与、或、非 15、Y=AB 、有0出0全1出1 16、积、和四、计算分析题（本大题2小题、共8分）：（5分）1、(1)静态工作点：（3分）解：VV V V RE IEQ RC ICQ VCC VCEQ uA mA ICQ IBQ mA IEQ ICQ mAKVV IEQ VKK KV Rb Rb Rb VCC VBQ VVBEQ VBEQVBQ IEQ 7.53.331260503331.17.044102010122127.0Re=--=⨯-⨯-=====≈=-==+⨯=+⨯==-=β2CP D Q /Q A 0011B 0101Y 1000(2)输入电阻和输出电阻：（2分） 解：（3分）2、（1）反相比例运算电路（1分） （2） 解 （2分） 五、化简下列逻辑函数式：（本大题2小题、共6分）（3分）1、ABD C AB AB Y ++= （3分） 2、C B AC AB Y ++=六、分析题（本大题2小题、共6分）： （3分）1、（3分）2、（2分）（1） （1分）（2） 或D AB ABDAB +=+=K Rc ro mAmVrbe rbe Rb Rb ri 1742326)1(300‖2‖1==Ω=++=≈=βV VK KViRi RfVo 511050-=⨯-=-=C B AB C B A C B ABC AB C B A ABC C B AB AC C B AB +=+++=+++=++=)()(B A Y +=B A Y •=。
答案及解析115答案第一章电路模型和电路定律【题1】：由U A B 5 V 可得：IA C 2.5 A：U DB 0 ：U S 125. V。
【题2】：D。
【题3】：300；-100。
【题4】：D。
【题5】： a i i 1 i 2 ； b u u1 u2 ； c u u S i i S R S ； d i iS1RSu u S 。
【题6】：3；-5；-8。
【题7】：D。
【题8】：PU S 1 50 W ；P U S 2 6 W ；P U S3 0 ；P I S 1 15 W ；P I S2 14 W ；P I S 3 15 W 。
【题9】：C。
【题10】：3；-3。
【题11】：-5；-13。
【题12】：4（吸收）；25。
【题13】：0.4。
1【题14】：3 I 1 2 3 ；IA 。
3【题15】：I 4 3 A；I 2 3 A；I 3 1A；I 5 4 A。
【题16】：I 7 A；U 35 V；X 元件吸收的功率为P U I 245 W。
【题17】：由图可得U E B 4 V；流过 2 电阻的电流I E B 2 A；由回路ADEBCA 列KVL 得U A C 2 3I ；又由节点 D 列KCL 得I C D 4 I ；由回路CDEC 列KVL 解得；I 3 ；代入上式，得U A C 7 V。
【题18】：P1 P2 2 II212222 ；故I I122；I 1 I 2 ；⑴KCL：43I I ；I 11 12858A；U I 1 I 1 V 或 1.6 V；或I 1 I2 。
S 2 15⑵KCL：43I I ；I1 121 8 A；U S 24V。
第二章电阻电路的等效变换【题1】：[解答]I9 47 3ab 9 4 8.5 V；A =0 .5 A ；U II 1 U 6ab . A ；P 6 1.2 5 W = 7 .5 W ；吸1 252收功率7.5W。
【题2】：[解答]【题3】：[解答] C。
第1章 半导体器件的特性1.1知识点归纳1.杂质半导体与PN 结在本征半导体中掺入不同杂质就形成N 型和P 型半导体。
半导体中有两种载流子，自由电子和空穴，载流子因浓度而产生的运动成为扩散运动，因电位差而产生的运动成为漂移运动。
在同一种本征半导体基片上制作两种杂质半导体，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，就形成了PN 结。
其基本特性是单向导电性。
2.半导体二极管一个PN 结引出电极后就构成了二极管，加上正向偏压时形成扩散电流，电流与电压呈指数关系，加反向电压时，产生漂移电流，其数值很小。
体现出单向导电性。
3晶体管晶体管具有电流放大作用，对发射极正向偏置集电极反向偏置时，从射区流到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流B I ，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流C I ，体现出B I 对C I 的控制，可将C I 视为B I 控制的电流源。
晶体管有放大、饱和、截止三个工作区域。
4.场效应管场效应管是电压控制器件，它通过栅-源电压的电场效应去控制漏极电流，因输入回路的PN 结处于反向偏置或输入端处于绝缘状态因此输入电阻远大于晶体管。
场效应管局又夹断区（即截止区）、横流区（即线性区）和可比阿安电阻区三个工作区域。
学完本章后应掌握：1.熟悉下列定义、概念和原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN 结，耗尽层，导电沟道，二极管单向导电性，晶体管和场效应管的放大作用及三个工作区域。
2.掌握二极管、稳压管、晶体管，场效应管的外特性，主要参数的物理意义。
1.2习题与思考题详解1-1试简述PN 结的形成过程。
空间电荷压，阻挡层，耗尽层和势垒压等名称是根据什么特性提出来的。
答：PN 结的形成过程：当两块半导体结合在一起时，P 区的空穴浓度高于N 区，于是空穴将越过交界面由P 区向N 区扩散；同理，N 区的电子浓度高于P 区，电子越过交界面由N 区向P 区扩散。
多子由一区扩散到另一区时，形成另一区的少子并与该区的多子复合，因此，在交界面的一侧留下带负电荷的受主离子，另一侧留下带正电荷的施主离子。
答案及解析 115答案第一章电路模型和电路定律【题 1】：由 U AB 5V 可得： I AC 2.5A ：U DB0：U S125. V 。
【题 2】： D 。
【题 3】： 300； -100 。
【题 4】： D 。
【题 5】： a ii 1 i 2 ； b uu 1 u 2 ； cu uSi i S R S ； di iS1。
u u SR S【题 6】： 3；-5； -8。
【题 7】： D 。
【题 8】： P US1 50 W ； P US26W ；P US30 ； P IS115 W ； P IS214W ；P IS315W 。
【题 9】： C 。
【题 10】： 3； -3。
【题 11】：-5 ； -13。
【题 12】： 4（吸收）；25。
【题 13】： 0.4。
【题 14】： 3 I123；I1 。
A3【题 15】： I 4 3A ； I 2 3A ； I 3 1A ； I 5 4 A 。
【题 16】： I7 A ；U 35 V ； X 元件吸收的功率为 PUI245W 。
【题 17】：由图可得 U E B4 V ；流过2电阻的电流 I E B 2 A ；由回路 ADEBCA 列 KVL 得U AC 2 3I ；又由节点D 列 KCL 得I CD4 I ；由回路 CDEC 列 KVL 解得； I3 ；代入上式，得 U AC7 V 。
【题 18】：P 1 2 I 1 22 ；故 22I 2 ；P 22I 1I 2； I 1I 2KCL ： 43 I 1；I 1 8 8 ⑴ I 1A ；U S 2I 11 I 1V 或1.6V ；或 I 1I2 。
255⑵ KCL ： 4 3 8A ；U SI 1I 1；I 1。
2 4 V2第二章 电阻电路的等效变换【题 1】： [解答 ]94 A =0 .5 A ； U ab4 8.5 V ；I3 9 I 7Uab66 1.25 W = 7.5 W ；吸I 121.25A ； P收功率 7.5W 。
限幅电路如图所示，设D为理想二极管，输入电压v i为正弦波，其振幅大于V R。
试绘出输出电压v O的波形。
解：(1)当v i<V R时（V R>0），二极管D导通，相当于短接，v O=v i，输出为正弦波。
当v i>V R时，二极管D截止，相当于断路，输出电压v O=V R，被限幅在V R值上。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R的正弦波被限制在V R上。
输出波形如图—（a）所示。
(2)当v i<V R（V R<0）时，二极管D导通，相当于短接，v O=v i，输出为正弦波（输出为负半周部分波形）。
当v i>V R时，二极管D截止，相当于断路，输出电压v O=V R。
分析结果是，本电路只输出小于V R值的正弦波部分，大于V R的正弦波被限制在V R上。
输出波形如图—（b）所示。
(3)当v i<V R（V R>0）时，二极管D导通，相当于短路，v O=V R，输出直流电压V R。
当v i>V R时，二极管D截止，相当于断路，输出电压v O=v i，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R值的正弦波部分，小于V R的输出波被限制在V R上。
输出波形如图—（c）所示。
(4)当v i<V R（V R>0）时，二极管D截止，相当于断路，v O=V R，输出直流电压V R。
当v i>V R时，二极管D导通，相当于短接，输出电压v O=v i，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R值的正弦波部分，小于V R的输出波被限制在V R上。
输出波形如图—（d）所示。
im=3V R。
Vv O=－2U iU O。
U i，上式说明，U i=0时，输出电压为40V时，二极管D1当40V<U i<80V时，D1、D2均导通，此时若U i>80V，则D2截止，输出电压U O，V(BR)CEO=15V。
电路第五版课后习题答案电路分析是电子工程和电气工程领域中的核心课程之一，它涉及到对电路系统的行为和特性的分析。
《电路》第五版作为一本经典的教科书，其课后习题对于学生理解和掌握电路分析的基本概念和方法至关重要。
以下是一些可能的习题答案示例，但请注意，具体的答案应与您所使用教科书的习题内容相匹配。
习题1：基尔霍夫电压定律（KVL）解答：基尔霍夫电压定律指出，在一个闭合回路中，沿着回路方向电压降的代数和等于电压升的代数和。
要应用KVL，首先需要识别电路中的所有回路，并为每个回路设置一个方向（通常为逆时针方向）。
然后，对每个回路应用KVL，将电压降和电压升相加，设置等式为零。
习题2：基尔霍夫电流定律（KCL）解答：基尔霍夫电流定律表明，进入任何节点的电流之和等于流出该节点的电流之和。
应用KCL时，需要识别电路中的所有节点，并为每个节点写出电流守恒方程。
电流进入节点为正，流出节点为负。
习题3：节点分析解答：节点分析是一种基于KCL的电路分析方法，它通过为电路中的每个节点写出方程来求解未知电压。
首先，选择一个参考节点（通常为接地点），然后为其他节点写出KCL方程。
通过解方程组，可以找到电路中所有节点的电压。
习题4：网孔分析解答：网孔分析是另一种基于KVL的电路分析方法，它通过为电路中的每个网孔写出方程来求解未知电流。
每个网孔的方程都是基于KVL 的，即沿着网孔的路径电压降之和等于电压升之和。
通过解方程组，可以找到电路中所有网孔的电流。
习题5：戴维南定理解答：戴维南定理指出，任何线性双端网络都可以用一个单一的电压源和一个内阻来等效。
要应用戴维南定理，首先需要将网络中的所有独立电源短路，然后计算开路条件下的输入阻抗。
最后，将网络等效为一个电压源和一个内阻的串联组合。
习题6：最大功率传输定理解答：最大功率传输定理说明，当负载阻抗等于源阻抗的复共轭时，负载上可以获得最大功率。
要应用此定理，需要计算源阻抗，并将其与负载阻抗相匹配，以实现最大功率传输。
电路(第5版)习题答案电路是电子工程领域的基础课程之一，它涉及到电流、电压、电阻、电容、电感等基本概念，以及这些概念在电路分析中的应用。
《电路（第5版）》是一本广泛使用的教科书，它不仅包含了电路理论的基础知识，还涉及了更高级的主题，如交流电路分析、半导体器件和放大器设计等。
习题是理解和掌握电路知识的重要部分，以下是一些习题的答案示例，以帮助学生复习和巩固所学知识。
习题1：确定电路中某点的电压。
答案：要确定电路中某点的电压，首先需要画出电路图，并使用基尔霍夫电压定律（KVL）或基尔霍夫电流定律（KCL）进行分析。
KVL指出，沿着闭合回路的电压之和等于零。
通过应用这些定律，可以计算出电路中任意点的电压。
习题2：计算一个简单串联电路的总电阻。
答案：在串联电路中，电阻器是首尾相连的。
串联电路的总电阻等于各个电阻值的和。
如果电路中有R1、R2和R3三个电阻器，那么总电阻R_total = R1 + R2 + R3。
习题3：确定一个并联电路的总电流。
答案：并联电路中，电流会分流到各个支路中。
并联电路的总电流是各个支路电流之和。
如果电路中有两条支路，其电流分别为I1和I2，那么总电流I_total = I1 + I2。
习题4：计算一个RLC串联电路的谐振频率。
答案： RLC串联电路的谐振频率可以通过以下公式计算：f_res = 1 / (2π√(LC))，其中L是电感值，C是电容值。
谐振频率是电路的自然振荡频率，在这个频率下，电路的阻抗达到最小。
习题5：解释超前和滞后相位的概念，并计算一个交流电路中电容器的相位角。
答案：在交流电路中，电流和电压的相位可能会不同。
超前相位意味着电流领先于电压，而滞后相位则意味着电流落后于电压。
对于电容器，其相位角通常为滞后90度。
电容器的相位角可以通过公式φ = -cos^-1(Xc/R)计算，其中Xc是电容器的电容反应，R是电路中的总电阻。
习题6：计算一个二极管整流电路的输出电压。
电路第五版课后答案详解第一章1. 课后习题1.1(a)答案：根据基尔霍夫电压定律，电路中各个节点的电压之和等于0。
根据此原理，可以得出以下方程：V1 - V2 + V3 = 0将各个电压的数值代入方程，可以解得：V1 = 5V(b)答案：根据基尔霍夫电流定律，电路中各个节点的电流之和等于0。
根据此原理，可以得出以下方程：I1 - I2 + I3 = 0将各个电流的数值代入方程，可以解得：I1 = 10A2. 课后习题1.2(a)答案：根据欧姆定律，电压和电流的关系可以用以下方程表示：V = I*R将已知的电流和电阻的数值代入方程，可以解得：V = 2V(b)答案：根据欧姆定律，电压和电流的关系可以用以下方程表示：V = I*R将已知的电压和电阻的数值代入方程，可以解得：I = 0.5A3. 课后习题1.3(a)答案：根据欧姆定律，电压和电阻的关系可以用以下方程表示：V = I*R将已知的电流和电阻的数值代入方程，可以解得：V = 12V(b)答案：根据欧姆定律，电压和电阻的关系可以用以下方程表示：V = I*R将已知的电压和电阻的数值代入方程，可以解得：I = 4A第二章1. 课后习题2.1(a)答案：根据欧姆定律，电压和电流的关系可以用以下方程表示：V = I*R将已知的电流和电阻的数值代入方程，可以解得：V = 15V(b)答案：根据欧姆定律，电压和电阻的关系可以用以下方程表示：V = I*R将已知的电压和电阻的数值代入方程，可以解得：I = 0.05A2. 课后习题2.2(a)答案：根据基尔霍夫电压定律，电路中各个闭合回路上的电压之和等于0。
根据此原理，可以得出以下方程组：V1 - V2 + V3 = 0I1*R1 - I2*R2 + I1*R3 = 0将各个电压和电流的数值代入方程，可以解得：V1 = 10VV2 = 5VV3 = 5VI1 = 2AI2 = 1A(b)答案：根据基尔霍夫电流定律，电路中各个节点的电流之和等于0。
1.5 限幅电路如图P1.5所示，设D 为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解：(1)当v i <V R 时（V R >0），二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R ，被限幅在V R 值上。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（a ）所示。
(2)当v i <V R （V R <0）时，二极管D 导通，相当于短接，v O =v i ，输出为正弦波（输出为负半周部分波形）。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =V R 。
分析结果是，本电路只输出小于V R 值的正弦波部分，大于V R 的正弦波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（b ）所示。
(3)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 导通，相当于短路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 截止，相当于断路，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（c ）所示。
(4)当v i <V R （V R >0）时，二极管D 截止，相当于断路，v O =V R ，输出直流电压V R 。
当v i >V R 时，二极管D 导通，相当于短接，输出电压v O =v i ，输出正弦波。
分析结果是，本电路只输出大于V R 值的正弦波部分，小于V R 的输出波被限制在V R 上。
输出波形如图1.5—（d ）所示。
1.6 双向限幅电路如图P1.6所示，设D 1、D 2为理想二极管，输入电压v i 为正弦波，其振幅大于V im =3V R 。
试绘出输出电压v O 的波形。
解：(1)当vi >V R 时（V R >0），二极管D 1导通，相当于短接，二极管D 2截止，相当于断路，此时有v O =V R 。
输出电压被限幅在V R 上。
(2)当－V R <v i <V R 时，二极管D 1、D 2均截止，v O =v i ，输出为正弦波。
(3)当v i <－V R 时，二极管D 1截止，相当于断路，二极管D 2导通，相当于短路，输出电压v O =－V R ，输出电压被限幅在－V R 上。
由分析结果得本电路输出波形如图P1.6av i V v V 图1.5(a) v i V v V 图1.5(b) i V v O V 图1.5(c) i V v O V 图1.5(d)v R 图1.6 v i V v O V -V R -V R1.7 双向限幅器如图P1.7所示，设D 1、D 2为理想二极管，输入电压U i 由0~100V 作线性变化。
绘出相应于U i 的输出电压U O 随时间的变化曲线。
解：首先分析当v i =0时的输出电压U O 。
U i =0时D 1截止（相当于断路），D 2导通（相当于短接），等效电路如图P1.7a 所示。
电路的电流为12R1R2R R V V I +-=所以输出电压U O 为VV V R R R V V V IR V 40200100200208080212R1R2R22R2O =⨯+--=+--=-=U上式说明，U i =0时，输出电压为40V ，因此输出电压曲线的起点电压为40V ，且当U i <40V 时，二极管D 1总处于截止状态，所以输出电压不变，保持U O =40V 。
当40V<U i <80V 时，D 1、D 2均导通，此时U O =U i 。
若U i >80V ，则D 2截止，输出电压U O 被箝位在80V 。
根据以上分析，作出输出电压曲线如图P1.7b 所示。
1.15 晶体管3DG8的输出特性如图P1.15所示，已知它的P CM =200mW ，I CM =20mA ，V (BR)CEO =15V 。
(1)定出安全工作区； (2)定出放大区；(3)当V CE =6V 时，能否使I C 工作在30mA?为什么?解：(1)安全区由P CM =200mW 决定的集电结最大功耗曲线、I CM =20mA 和V (BR)CEO =15V 三条曲线确定，为了较准确地描绘出集电结最大功耗P CM 的曲线，在曲线上取相应的三点，即V (BR)CEO =15V 时的I C1、I CM =20mA 时的V CE1和V CE =12V 时的I C2。
把以上三个数据代入P CM =I C V CE =200mW 中P CM =I C1V (BR)CEO = I C1⨯15V=200mW ， 得I C1≈13mA ；O D 1 D 2 图1.7OD 1 D 2 1.7aU i /U 图1.7bP CM =I CM V CE1=20mA ⨯ V CE1=200mW ，得V CE1=10V ； P CM =I C2V CE = I C2⨯12V=200mW ，得I C2≈17mA(2)放大区的范围是在安全工作区内再剔除截止区和饱区。
如图P1.15(b)所示(3)当I C2.1 在图P2.1各电路中的电容对信号可视为短路，试定性分析各电路能否正常放大，为什么？CE /V i C 5图P1.15.(a)CE /V i C 5 图P1.15(a) CE /V i C 5图P1.15(b)v (a) v I图P2.1解： (1)图P2.1(a)所示电路能否工作与否，与输入v I 有很大的关系，如果v i =v I ,则放大电路在输入信号负半周时处于截止状态，输出信号将产生严重失真。
但输入信号含有直流成份的话，如v I =0.7V+0.2sin t ，则电路可能正常工作。
(2)图P2.1(b)所示电路不能正常工作，因直流电源V BB 把v I 的交流成份短路，令电路无信号放大。
(3)图P2.1(c)所示电路不能正常工作，因为本电路的晶体管是PNP 型，集电极电位应是最低的。
(4)图P2.1(d)所示电路不能正常工作，因为电路中的栅源电压不是反偏，不符合这种类型结型场效应管的工作特性。
分别画出图P2.2中各放大电路的直流通路和交流通路。
2.2解：(1)a 图的直流通路和交流通路分别如下所示。
(2)b 图的直流通路和交流通路分别如下所示v (c)VDD v I (d)v L (a)v (b)DD(a)图直流通路R (a)图交流通路 C 1 R v v2.3 电路及晶体管的特性P2.3所示。
(1)作负载线，找出静态工作点Q 和放大器的动态范围。
若要获得尽可能大的动态范围，R B 应取多大的数值？(2)电路其他参数不变，R C 由2k Ω变为5.1k Ω，Q 点移至何处？ (3)电路其他参数不变，R B 由16k Ω变为32k Ω，Q 点移至何处？ (4)电路其他参数不变，V CC 由9V 减至6V ，Q 点移至何处？解：(1)作直流负载线并找出Q 点，先求出Q 点的I BQ 值μA 50mA 05.0k Ω16V)7.05.1(BBEQBB BQ ==-=-=R V V I找出直流负载线的I CMmA 5.429C CC CM===R V I 找出直流负载线的V CEMV 9CC CEM ==V V在图上作出直流负载线，得出其QI BQ =50μA ，V CEQ =5.4V ；I CQ =动态范围∆V OP-P =2⨯3.6V=7.2V∆I OP-P =2⨯1.9mA=3.8mA 若要使动态范围最大，忽略三极管的饱和电压时，工作点Q m 应处于直流负载线的中点，即V CEQ =4.5V 处，由直流负载线得出对应的I BQ =62.5μA ， 此时的基极电阻值为 Ω≈Ω=-=-=k 13k 8.12mA0625.0V )7.05.1(BQBEQBB B1I V V R(2)当R C =5.1k Ω而其他条件均不变化时，此时的I BQ =50μA 、V CEM =V CC =9V 不变，但I CM 发生变化，其数值为1.8mA 5.1k Ω9V CCC CM===R V I 再作负载线如右图所示，v (a) +V i C /mA CE /V25μA (b)/VμA i C /mA CE /V25μAA i C /查得V CEQ =1V ，I CQ =1.6mA(3)电路其他参数不变，R B 由16k Ω变为32k Ω，Q 点移至何处？ 此时直流负载线的V CEM =9V 不 变，I CM =4.5mA 不变，只是I BQ 变了。
25μ55mA 02.0k Ω32V )7.05.1(7.0B BB BQ ==-=-=R V I Q 点位置如右图所示，得出 V CEQ =7.2V ，I CQ =0.9mA(4)电路其他参数不变，V CC 由9V 减至6V ，Q 点移至何处？此时直流负载线的I CM 和V CEM 均发生改变，但I BQ 不变仍为50μA 。
3mA 2k Ω6VC CC CM ===R V I V CEM = V CC =6V作出直流负载线如右图所示，并查出 V CEQ =2.6V ，I CQ =1.8mA2.4 放大电路和晶体管的特性仍如图P2.3所示。
(1)求静态工作点附近的 h fe 和h fi ；(2)画出简化的h 参数等效电路，计算A V 、R i 和R o 。
解： (1)可由输出特性曲线直接计算得出h fe ，方法如下：在v CE =4V 处找出I B =25μA 和75μA 两条曲线，并读出相应的I C 为0.8mA 和2.8mA ，然后根据h fe 的定义得40025.0075.08.08.2B1B2C1C2B C fe =--=--=∆∆=I I I I I I h 计算静态工作点必须令信号源v i =0，即将其短路。
mA 05.0mA 160.71.5mA 167.0BB B =-=-=V I m A 2m A 05.040B fe C E =⨯==≈I h I I i C/mA/V25μAi C /CE /V25μAi C /CE /V 25μA(b)v (a) +VΩ=Ω=++=++=k I h h 733.0733m A0.2m V26)401(200m V 26)1(200E fe ie(2) 画出简化的h 参数等效电路如右图所示。
8.4733.016240ie B c fe V .-≈+⨯-=+-=h R R h AΩ=+=+=k h R R 733.16733.016ie B i Ω==k R R 2C O2.5 放大电路如图P2.5所示，晶体管为3DG6，其h fe =60。
