硫化镉量子点印迹材料的制备及其电致发光性质研究

硫化镉纳米晶的制备与光学特性研究随着纳米技术的不断发展，纳米晶材料在科学领域中得到了广泛的应用。

作为一种重要的半导体材料，硫化镉纳米晶因其独特的光学性质而备受关注。

本文将介绍硫化镉纳米晶的制备方法以及其光学特性的研究结果。

制备硫化镉纳米晶的方法有多种途径，其中最常用的是溶剂热合成法。

该方法主要利用有机溶剂中的镉和硫化物离子，通过热处理使其形成纳米晶。

实验中，一般使用辛醇作为有机溶剂，并添加适量的镉盐和硫源。

随后，在高温条件下，将反应体系保持一段时间，使得镉和硫矿物发生反应，生成硫化镉纳米晶。

通过调节反应时间、温度和溶剂体系等参数，可以控制硫化镉纳米晶的尺寸和形貌。

硫化镉纳米晶的光学特性主要体现在其发光性质上。

由于其尺寸和形态的限制，硫化镉纳米晶的能带结构与体相材料不同，导致其吸收和发射的光谱特性发生变化。

一般来说，较小的硫化镉纳米晶粒子会表现出蓝移的光吸收和发射峰，而较大的粒子则表现出红移。

这种尺寸相关的光学性质使得硫化镉纳米晶有广泛的应用潜力。

通过进一步研究硫化镉纳米晶的光学特性，可以了解其光电行为以及在光电器件中的应用潜力。

其中，硫化镉纳米晶的光致发光、光电导等特性值得关注。

在研究中，一种常见的方法是使用光致发光光谱仪对其进行表征。

实验结果显示，硫化镉纳米晶在受到激发光照射后，会在可见光区域发射特定波长的荧光。

这表明硫化镉纳米晶具有较高的发光效率，适用于光电器件中的发光二极管等应用。

此外，硫化镉纳米晶还具有一些特殊的光学特性，如量子限域效应和光学非线性性质。

量子限域效应是指纳米晶尺寸减小到纳米尺度时，由于电子在三个空间方向上的限制，其行为会呈现出经典行为与量子行为的混合特征。

这导致硫化镉纳米晶中的电子在量子限域效应的作用下，能级结构发生显著的改变。

光学非线性性质是指硫化镉纳米晶在受到强光照射时，会产生非线性光学效应，如倍频、和频和差频等。

这些特殊的光学特性使得硫化镉纳米晶在光通信、光计算等领域有着重要的应用前景。

氧化镉量子点的制备及其光学性质研究氧化镉量子点是一种特殊的纳米材料，具有广泛应用前景。

在能源、生物医学、光电子学等领域，氧化镉量子点均有潜在的应用价值。

本文将重点探讨氧化镉量子点的制备方法和光学性质研究。

一、氧化镉量子点的制备方法氧化镉量子点的制备方法有多种，目前常用的方法主要有化学法、微乳液法、水热法和溶剂热法等。

1. 化学法利用化学还原法来制备氧化镉量子点，是一种简单而经济的方法。

首先，在有机溶剂中将镉盐和还原剂一起加热，然后在氧化剂的作用下进行氧化，最后可以得到氧化镉量子点。

这种方法制备的氧化镉量子点尺寸可控范围较小，但其产量低且工艺条件要求很高。

2. 微乳液法微乳液法的步骤比较复杂，但它的优点是产量高，可控性较好。

该法是通过合理控制微乳液的组成、控制反应条件和处理过程等方式来制备氧化镉量子点。

由于微乳液中氧化镉物种浓度非常低，所以可以有效避免氧化镉形成可溶性化合物的情况。

3. 水热法水热法制备氧化镉量子点的步骤相对简单，主要是利用高温高压反应条件、特定的原料摩尔比和合理控制反应时间等条件来控制氧化镉量子点的尺寸和分散度等方面的性质。

4. 溶剂热法溶剂热法是一种新兴的制备氧化镉量子点的方法。

该法利用溶剂的高温高压作用，将具有一定还原性的有机物与氧化镉相生长在一起，最终得到氧化镉量子点。

该方法具有简单、环保、高效的特点，适用于大规模工业化生产。

二、氧化镉量子点的光学性质研究氧化镉量子点具有很好的光学性质，而这种性质对优化氧化镉量子点的应用具有非常重要的意义。

现在，研究者们主要关注的是氧化镉量子点的荧光性质和吸收性质。

1. 荧光性质荧光是氧化镉量子点一种桥梁，也是其最为重要的性质之一。

氧化镉量子点在受紫外线激发后，会发出强烈的荧光，且颜色分布范围较广。

荧光产生的机制涉及到氧化镉量子点表面的化学反应，以及其尺寸、形状和表面修饰等因素的影响。

2. 吸收性质吸收光谱是衡量氧化镉量子点吸收性质的重要指标，也是其光学性质研究的关键之一。

高质量硫化铅量子点的制备及其电致发光器件的研究高质量硫化铅量子点的制备及其电致发光器件的研究一、引言近年来，量子点材料因其独特的光电性质，在光电领域受到了广泛关注。

硫化铅量子点(PbS QDs)作为一种重要的半导体材料，具有可调控的能隙、窄的发光谱、长寿命以及高的荧光量子效率等特性，因此成为研究的热点之一。

然而，制备高质量的硫化铅量子点仍然面临着许多挑战。

本文旨在探讨高质量硫化铅量子点的制备方法，并研究其作为电致发光器件的应用。

二、高质量硫化铅量子点的制备方法1. 水热法水热法是一种常用的制备硫化铅量子点的方法，其原理是利用水热反应在高温高压的条件下使金属离子与硫化物反应生成纳米颗粒。

该方法制备的硫化铅量子点具有较小的尺寸分布和较高的荧光量子效率，但是制备过程中存在对温度、时间和反应物配比等条件的严格控制要求。

2. 溶剂热法溶剂热法是另一种常用的制备硫化铅量子点的方法，其原理是利用溶剂的热分解作用使金属离子与硫源反应生成纳米颗粒。

该方法相比水热法更容易控制反应条件，且反应过程较为简单。

然而，溶剂热法制备的硫化铅量子点尺寸分布较大，荧光量子效率较低。

3. 其他制备方法除了水热法和溶剂热法，还有一些其他方法可用于制备硫化铅量子点，例如热分解法、微乳液法、微乳凝胶法等。

这些方法各有优劣，可以根据具体需求选择适合的方法。

三、硫化铅量子点作为电致发光器件的研究1. 器件结构设计硫化铅量子点可以作为电致发光器件的发光层，因其优异的光电性质，有望实现高效的电致发光效果。

器件的结构设计包括选择合适的电极材料、发光层厚度的优化以及引入合适的电荷控制层等。

2. 化学表面修饰为了提高硫化铅量子点的电致发光性能，常常采用化学表面修饰的方法。

例如，利用有机小分子或高分子材料对硫化铅量子点进行表面修饰，可以改善器件的稳定性、电子传输速率以及光学性能等。

3. 光电器件性能测试对制备的硫化铅量子点电致发光器件进行性能测试是非常重要的。

水分散性硫化镉纳米粒子的制备、表征及荧光性质的研究与应用（可编辑）分类号______________________________ 密级______________________________ UDC______________________________ 编号______________________________ 硕士学位论文水分散性硫化镉纳米粒子的制备、表征及荧光性质的研究与应用学位申请人: 杨海舰学科专业 : 应用化学指导教师 : 钟昀副教授答辩日期: 2013华东交通大学届硕士学位论文及及水荧荧分散光光性性性硫质质的的化镉研研究究纳米与与粒应应子用用的制备、表征及荧光性质的研究与应用基础科学学院杨海舰独创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。

尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果,也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。

与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。

本人签名_______________日期____________关于论文使用授权的说明本人完全了解华东交通大学有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留送交论文的复印件,允许论文被查阅和借阅。

学校可以公布论文的全部或部分内容,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。

保密的论文在解密后遵守此规定,本论文保密期 X年。

本人签名____________导师签名__________日期___________ 摘要水分散性硫化镉纳米粒子的制备、表征及荧光性质的研究与应用摘要硫化镉纳米材料属于 IIB-VIA族化合物,能带隙 2.42eV,是一种重要的纳米半导体材料。

具有高量子产率、水分散性的量子点在众多领域展示出重要的应用价值,如生物成像、水相离子检测及生物荧光标记等等。

硫化镉量子点的合成及其光限幅效应郑立思;冯苗;詹红兵【摘要】Four kinds of CdS quantum dots (Qds) with four different surface-capping organic groups were prepared by a colloidal chemical method. The linear and nonlinear optical properties of the materials were characterized using transmission electron microscopy (TEM), ultraviolet-visible (UV-Vis) absorption spectroscopy, photoluminescence (PL) spectroscopy, and Z-scan measurements. The results show that the particle size, the surface morphology, and the defect concentration are the main factors that determine the nonlinear optical properties.%采用胶体化学法制备了四种表面修饰有不同有机功能团的CdS量子点(QDs),利用透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、光致发光(PL)光谱、开孔Z扫描技术分别研究了四种CdS样品的线性光学和非线性光学性能.结果表明:颗粒大小、表面形貌和缺陷浓度是影响CdS QDs非线性光学性能的主要因素.【期刊名称】《物理化学学报》【年(卷),期】2012(028)001【总页数】5页(P208-212)【关键词】硫化镉;表面修饰;光限幅;Z扫描【作者】郑立思;冯苗;詹红兵【作者单位】福州大学材料科学与工程学院,福州350108;福州大学材料科学与工程学院,福州350108;福州大学材料科学与工程学院,福州350108【正文语种】中文【中图分类】O644在过去的几年里,半导体材料由于具有良好的被动光限幅性能,受到人们的广泛关注.1,2对于宏观块体材料而言,更多的研究兴趣在于其单光子诱导自由载流子吸收引起的非线性光学(NLO)性能.3近年来,半导体量子点(QDs)的合成、4,5表征和应用受到越来越多的关注.6-10半导体QDs的物理性能主要由激子空间禁闭引起.与宏观块体材料相比,QDs的量子尺寸效应导致线性吸收光谱发生蓝移.11理论研究表明,金属纳米晶的三阶非线性极化率与其半径的三次方成反比,12颗粒尺寸越小,其三阶非线性极化率越大.对于半导体QDs,虽然其粒径非常小(1-10 nm),但相应的非线性效应却并不显著,目前对半导体QDs在光限幅领域应用的研究较少.13尽管如此,溶液的自我修复功能和较大的光损伤阈值,依然为我们研究溶液中半导体QDs 的NLO性能提供便利的条件.本文通过胶体化学法制备了四种CdS QDs,其表面分别修饰有不同的有机基团,如图1所示.利用透射电镜(TEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、荧光(PL)光谱、开孔Z 扫描技术分别研究了四种CdS样品的线性光学和NLO性能.3-巯丙基三乙氧基硅烷(MPS)、巯基乙酸(TA)、卞硫醇(BM)、11-巯基十一烷酸(MUA)均购于Sigma-Aldrich公司;N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、硫化钠(Na2S)、氢氧化钠(NaOH)均购于国药集团化学试剂有限公司.实验所用的水为去离子水,各种化学试剂均为分析纯.所用仪器设备为:磁力搅拌器(85-1,上海梅颖浦仪器仪表制造有限公司)、旋转蒸发仪(R-1001N,郑州长城科工贸有限公司)、低温冷却液循环泵(DLSB-5/20,郑州长城科工贸有限公司)、高速台式离心机(TGL-18C,上海安亭科学仪器厂)、透射电子显微镜(JEM-2010,日本JEOL公司)、UV-Vis分光光度计(UV-2450,Shimadzu公司)、荧光分光光度计(FL/FS TCSPC 920,Deinburgh公司).NLO性能测试采用一套标准的Z扫描系统,14,15光源为高斯脉冲,由一台调Q Nd:YAG脉冲激光器产生,脉宽为8 ns.光束经空间过滤除去高式模式,通过一个焦距为30 cm的凸透镜汇聚用于测试.激光器的输出波长为532或1064 nm,脉冲频率为1 Hz,入射单脉冲能量在微焦和毫焦范围内可调.在与Z轴成45°角的直线位置探测样品的散射光强.测试前,将样品预先用合适的溶剂分散,然后盛于光程为5 mm的石英比色皿中.为了避免可能存在的热效应或光诱导形状转变,在测试过程中,不间断地搅拌悬浮液样品,以变换入射激光对样品的轰击点.在激光轰击前后,均对样品进行UV-Vis吸收光谱检测,以检测激光辐射是否改变样品的线性光学特性.根据Z扫描数据计算样品的归一化透过率与入射光能量密度之间的关系,最终得到光限幅效应曲线.取MPS的DMF溶液(0.02 mol·L-1,120 mL)与氯化镉的水溶液(2 mol·L-1,1.5 mL)混合,搅拌15 min后,向其中逐滴滴加硫化钠水溶液(1.07 mol· L-1,1.5 mL).室温下避光,磁力搅拌4 h,得到黄色混合物.再通过缓慢减压蒸馏的方式将黄色混合物中的水除去,期间补充新纯化的DMF溶剂以免QDs发生团聚.最后,高速离心三次后,上层黄色清液即为CdS-MPS溶液.根据文献,16取TA(150 μL)加入到CdCl2水溶液(0.001 mol·L-1,270 mL)中,磁力搅拌15 min,形成淡蓝色混浊液.然后,用NaOH(0.01 mol·L-1)溶液调节反应混合物的pH值至11.接着,向上述混合液中逐滴滴加Na2S水溶液(0.015 mol·L-1,10 mL),避光,室温下持续搅拌1 h.反应后,通过缓慢减压蒸馏的方式将黄色混合物中的水蒸出.当混合物的体积减少到原来的1/10时,停止蒸馏.最后,采用无水甲醇作为沉淀剂,沉淀分离,得到黄色CdS-TA胶状物.取BM的DMF溶液(5 mol·L-1,80 mL)加入至CdCl2水溶液(1.5 mol·L-1,2 mL)中,磁力搅拌15 min.然后将Na2S水溶液(0.75 mol·L-1,2 mL)逐滴滴加至上述混合液中,避光,室温下持续搅拌4 h.反应后,通过缓慢减压蒸馏的方式将黄色混合物中的水除去,期间补充新纯化的DMF溶剂以免QDs颗粒团聚.最后,高速离心三次,除去氯化钠,得到黄色CdS-BM溶液.取MUA的DMF溶液(0.15 mol·L-1,40 mL)与CdCl2水溶液(0.8 mol·L-1,2 mL)混合,搅拌15 min后,向其中逐滴滴加Na2S水溶液(0.8 mol·L-1,2 mL).室温下避光,磁力搅拌4 h,得到黄色混合物.再通过缓慢减压蒸馏的方式将黄色混合物中的水除去,期间补充新纯化的DMF溶剂以免QDs发生团聚.最后,高速离心三次,上层黄色清液即为CdS-MUA溶液.图2是各CdS QDs样品的TEM照片.可以看出,在这四种含巯基的有机分子存在条件下,体系中的S2-与Cd2+可反应生成CdS QDs.与文献17报道类似,CdS QDs的外形为球形,分散性良好,粒度较小,约为3-5 nm.加入的表面修饰剂不同,最终生成CdS颗粒的平均粒径也有区别.从图中可以看出, CdS-TA的粒径最小,CdS-BM和CdS-MUA次之, CdS-MPS的粒径最大.这是由于MPS容易水解,在CdS表面形成二氧化硅层.也正是因为这层二氧化硅层,使CdS-MPS的HRTEM难以聚焦,无法获得清晰的HRTEM照片.图3是各CdS QDs样品的UV-Vis吸收光谱图,各样品均有一个位于340-450 nm 处的CdS特征吸收峰,对应于导带中的电子态与价带中的空穴态的第一光学允许跃迁.18随着QDs尺寸的增加,吸收峰出现宽化弥散的现象.我们注意到,处于最蓝端的是CdS-TA的最大吸收峰,中心位于350 nm.其它三个样品的吸收光谱以CdS-BM、CdS-MUA、CdSMPS的顺序依次红移.由吸收光谱可知,四种CdS QDs的带隙Egʹ分别为2.99 eV(CdS-TA)、2.76 eV (CdS-BM)、2.73 eV(CdS-MUA)和2.70eV(CdS-MPS).吸收带隙与颗粒半径之间满足有效质量近似理论的Brus公式:19公式(1)中ΔE为能量的蓝移量,R为粒径大小和分别为电子和空穴的有效质量,ε为介电常数.随着带隙逐渐向长波方向移动,QDs尺寸逐渐增加.四种CdS QDs的光致发光光谱如图4所示.由于在PL测试之前,各样品的最大吸收峰的吸光度均调节至0.3左右,因此可以排除浓度对样品发光效率的影响.从图中可以看出,CdS-TA的最大发射峰位于523 nm,其余三个样品的最大发射峰均位于560 nm附近.由于量子尺寸效应,半导体QDs荧光发射峰随颗粒尺寸的增加而红移.QDs荧光发射主要有激子发射、陷阱发射和杂质能级复合发光三种形式.由于实验未涉及掺杂,杂质能级复合发光可以忽略.电子和空穴直接复合,产生激子态发光.但在纳米粒子表面存在许多悬键,形成了表面缺陷态.当半导体QDs受到光激发后,光生载流子以极快的速度受限于表面缺陷态而产生表面态发光,即陷阱发射.激子发射一般位于吸收边附近而陷阱发射较宽且有较大的Stokes位移.在图4中,不论是CdS-TA纳米粒子,还是其它三种粒子,它们的第一激子吸收峰均在350 nm左右,而它们的发射峰均在530-560 nm附近.这个结果表明,四种CdS QDs 530-560 nm 附近的荧光发射均归因于陷阱发射.相比之下,CdS-TA QDs的发射峰形窄,强度高,发光效率明显大于其它三种CdS QDs.这可能是由于TA分子链较短,CdS-TA QDs 表面存在更多的缺陷,对电子和空穴的俘获能力最强,电子和空穴一旦产生就被俘获,使得它们直接复合的几率很小,陷阱发射强度最高.量子产率是指纳米微粒受激发发出的光子数目与激发光源光子数目之比.以罗丹明B为标准,假定其荧光量子产率为97%,分别测量罗丹明B和QDs样品的吸光度和荧光光谱,并通过积分得到相应的荧光强度的面积.测量中罗丹明B和QDs溶液的吸光度都小于0.1,通过如下公式计算:20Φu=Φs(As/Au)(Fu/Fs)(λs/λu)(nu/ns)2 (2)公式(2)中,Φu、Φs分别表示待测样品和标准物的荧光量子产率;Au、As分别为待测样品和标准物在激发波长下的吸收值;Fu、Fs分别为待测样品和标准物在校正发射光谱下的积分面积;λu、λs分别为待测样品和标准物的激发波长;nu、ns分别为待测样品和标准物溶剂的折射率.其中s代表标准样(罗丹明B), Φs=97%,u代表被测样QDs.经实验、计算得到,CdS-MPS、CdS-TA、CdSBM和CdS-MUA的荧光量子产率分别为7.93%、27.1%、7.24%和6.54%.四种尺寸不同的CdS QDs样品在纳秒激光照射下的光限幅曲线如图5所示.随着激光入射能量密度的不断增加,各样品的归一化透过率在第一阶段基本不变,均出现降低的趋势.当入射激光能量密度增大到0.4 J·cm-2时,四种CdS QDs悬浮液的归一化透过率开始有不同程度的降低,表明光限幅效应开始起作用.从图中可以看出,与其它三个样品相比,CdS-TA QDs的光限幅效应明显最弱.当入射激光能量密度达到2 J·cm-2时,其它三个粒径较大的CdS QDs的透过率已降低到0.65附近,CdS-TA 的归一化透过率约为0.90.半导体QDs的量子尺寸效应造成不同粒径大小的CdS QDs表现出的光限幅效应也不相同.21一方面,随着颗粒尺寸的增大,激子极化几率增大.相应地,激子振动强度也随之增大,又因为QDs的非线性极化率正比于激子振动强度的平方,故非线性极化率也增加.22另一方面,从非线性散射(NLS)机理的角度解释,对于粒径较大的QDs,在激光照射下所形成的散射中心尺寸较大,有利于增强NLS作用,使光限幅效应增大.在测试过程中,不间断搅拌悬浮液样品,以变换入射激光对样品的轰击点,达到有效地避免可能存在的热效应或光诱导转变.此外由于各种巯基表面修饰剂的加入,使QDs表面与溶剂产生的相互作用,表面偶极效应也可能对样品的光限幅效应产生一定的影响.采用胶体化学法制备了表面分别修饰MPS、TA、BM和MUA等四种不同有机基团的CdS QDs,并利用TEM、UV-Vis吸收光谱、PL光谱、开孔Z扫描技术等分别研究了四种CdS样品的线性光学和NLO性能.结果表明,随着颗粒尺寸的增大,吸收峰与发射峰均发生红移和宽化的现象,但样品对于纳秒激光脉冲的光限幅效应却明显增强.光限幅研究结果表明,颗粒大小、表面形貌和缺陷浓度是影响CdS QDs NLO性能的主要因素.QDs在光限幅领域的应用很大程度取决于与其它材料的复合及由此产生的强化效果.【相关文献】(1) Jia,W.L.;Douglas,E.P.;Guo,F.G.;Sun,W.F.Appl.Phys. Lett.2004,85,6326.(2)Venkatram,N.;Rao,D.N.;Akundi,M.A.Opt.Express 2005, 13,867.(3)Auston,D.H.;Ballman,A.A.;Bhattacharya,P.;Bjorklund,G.J.;Bowden,C.;Boyd,R.W.;Brody,P.S.;Burnham,R.;Byer,R.L.;Carter,G.;Chemla,D.;Dagenais,M.;Dohler,G.;Efron,U.;Eimerl,D.;Feigelson,R.S.;Feinberg,J.;Feldman,B.J.;Garito,A.F.;Garmire,E.M.;Gibbs,H.M.;Glass,A.M.;Goldberg,L.S.;Gunshor,R.L.;Gustafson,T.K.;Hellwarth,R.W.;Kaplan,A.E.;Kelley,P.L.;Leonberger,F.J.;Lytel,R.S.;Majerfeld,A.;Menyuk,N.;Meredith,G.R.;Neurgaonkar,R.R.;Peyghambarian,N.G.;Prasad,P.;Rakuljic,G.;Shen,Y.R.;Smith,P.W.;Stamatoff,J.;Stegeman,G.;Stillman,G.;Tang,C.L.;Temkin,H.;Thakur,M.;Valley,G.C.;Wolff,P.A.;Woods, C.Appl.Opt.1987,26,213.(4)Murry,C.B.;Norris,D.J.;Bawendi,M.G.J.Am.Chem.Soc. 1993,115,8706.(5) Vossmeyer,T.;Katsikas,L.;Giersig,P.I.G.;Diesner,K.;Chemseddine,A.;Eychmuller,A.;Weller,H.J.Phys.Chem. 1994,98,7665.(6) Sun,Y.;Riggs,J.E.Int.Rev.Phys.Chem.1999,18,43.(7) McConnell,W.;Novak,J.;Brousseau,L.,III;Fuierer,R.; Tenent,R.;Feldheim,D.J.Phys.Chem.B 2000,104,8925.(8)Yin,H.Y.;Xu,Z.D.;Zheng,Y.F.;Wang,Q.S.;Chen,W.X. Acta Phys.-Chim.Sin.2004,20,1308.[殷好勇,徐铸德,郑遗凡,汪庆升,陈卫祥.物理化学学报,2004,20,1308.](9) Zhang,Q.B.;Feng,Z.F.;Han,N.N.;Lin,L.L.;Zhou,J.H.; Lin,Z.H.Acta Phys.-Chim.Sin.2010,26,2927.[张桥保,冯增芳,韩楠楠,林玲玲,周剑章,林仲华.物理化学学报,2010, 26,2927.](10) Wen,L.Q.;Lü,J.Q.;Lü,H.Q.;Zhou,X.W.;Sun,T.Q.Acta Phys.-Chim.Sin.2008,24,725.[文立群,吕鉴泉,吕汉清,周兴旺,孙婷荃.物理化学学报,2008,24,725.](11) Qi,L.M.;Colfen,H.;Antonietti,M.Nano Lett.2001,1,61.(12) Hache,F.;Richard,D.;Flytzanis,C.J.Opt.Soc.Am.B 1986,3, 1647.(13) Sun,Y.P.;Riggs,J.E.;Rollins,H.W.;Radhakishan,G.J.Phys. Chem.B 1999,103,77.(14) Sheik-Bahae,M.;Said,A.A.;Wei,T.H.;Hagan,D.J.;Van Stryland,E.W.IEEE J.Quantum Electron.1990,26,760.(15) Zheng,C.;Du,Y.H.;Feng,M.;Zhan,H.B.Appl.Phys.Lett. 2008,93,143108-1-3.(16) Colvin,V.L.;Goldstein,A.N.;Alivisatos,A.P.J.Am.Chem. Soc.1992,114,5221.(17) Chen,S.;Zhu,J.;Shen,Y.F.;Hu,C.H.;Chen,ngmuir 2007,23,850.(18) Li,J.B.;Wang,L.W.Phys.Rev.B 2005,72,125325-1-15.(19) Brus,L.J.Phys.Chem.1986,90,2555.(20) Ci,Y.X.;Jia,X.Chin.J.Anal.Chem.1986,14,616.[慈云祥,贾欣.分析化学,1986,14,616.](21) Coter,D.;Burt,M.G.;Manning,R.J.Phys.Rev.Lett.1992,68, 1200.(22) Kang,K.I.;McGinnis,B.P.Phys.Rev.B 1992,45,3465.。

硫化镉纳米粒子的制备及其荧光性质研究张东日;柳海兰;韩顺玉;陈凡【期刊名称】《延边大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2010(036)004【摘要】采用溶胶-凝胶法,以硫脲作为修饰剂,制备了硫化镉(CdS)纳米粒子.X射线衍射谱表明,产物为立方闪锌矿晶型CdS纳米粒子,其晶粒平均大小为4.38nm.红外和紫外可见光光谱显示,产物表面吸附有硫脲分子,而且在235nm处有很强的吸收峰.CdS的荧光光谱显示,样品A在409nm和520nm处有2个发射峰,分别对应于激子和缺陷发射;样品B在409nm处有激子发射峰,而没有缺陷发射峰,这表明表面缺陷基本消失,说明增加硫脲的用量可以很好地修饰CdS纳米粒子的表面.【总页数】4页(P349-352)【作者】张东日;柳海兰;韩顺玉;陈凡【作者单位】延边大学工学院,化学工程与工艺系,吉林,延吉,133002;延边大学工学院,化学工程与工艺系,吉林,延吉,133002;延边大学工学院,化学工程与工艺系,吉林,延吉,133002;延边大学工学院,化学工程与工艺系,吉林,延吉,133002【正文语种】中文【中图分类】O64【相关文献】1.硫化镉纳米粒子的合成及荧光猝灭法测定Cu 2+的初步研究 [J], 刘迪;程伟青;严拯宇2.功能性硫化镉纳米粒子荧光增敏法测定诺氟沙星 [J], 曹凤歧;李丹;严拯宇3.硫化镉纳米粒子荧光淬灭测定柳氮磺吡啶 [J], 张犁黎;郑行望;屈颖娟;刘环宇4.基于聚集荧光增强体系的掺杂纳米粒子的可调控荧光发射与能量传递性质研究[J], 钱妍;杨国强;李沙瑜;王双青;于贵;刘云圻;孙晓波;徐新军;王潜;许慧君5.表面修饰的硫化镉纳米粒子与牛血清白蛋白相互作用的荧光光谱研究 [J], 黄风华;彭亦如因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。

无镉量子点制备技术及显示应用研究近年来，随着电子产品的迅速普及，显示技术也得到了长足的发展。

在显示技术中，量子点显示技术因其独特的发光特性和优异的色彩表现力备受关注。

传统的量子点制备技术中使用的镉等有害金属元素给环境和人体健康带来了负面影响，因此无镉量子点制备技术的研究备受关注。

本文将对无镉量子点制备技术及其在显示应用中的研究进行探讨。

一、无镉量子点制备技术无镉量子点制备技术是近年来备受关注的研究领域之一。

传统的量子点显示技术中所使用的镉元素对环境和人体健康造成了严重影响，因此研究人员开始寻找替代品来制备无镉量子点。

硫化镉量子点是传统量子点显示技术中应用最广泛的一种材料，而硫化锌量子点因其无毒无害的特性受到了研究人员的密切关注。

研究者们通过不同的化学方法或物理手段来制备无镉量子点，以期望能够替代现有的镉量子点技术。

1. 化学法制备化学法是目前制备无镉量子点的主要手段之一。

在这种方法中，研究人员使用工业上相对环保的硫化锌及其他金属元素来进行制备无镉量子点。

研究表明，利用这种方法制备的硫化锌量子点具有较好的发光性能，并且对环境和人体健康没有负面影响。

化学法制备无镉量子点的工艺成本相对较低，具有较好的产业化前景。

这些无镉量子点制备技术的研究为量子点显示技术的发展提供了新的思路和可能性。

在未来，研究人员还将继续深入探索无镉量子点的制备方法，并不断改进其性能，以满足显示技术的需求。

二、无镉量子点在显示应用中的研究除了在制备技术上的研究外，无镉量子点在显示应用中的研究也备受关注。

传统的镉量子点显示技术由于使用了有害金属元素，存在着潜在的安全隐患，因此研究人员开始尝试将无镉量子点应用到显示技术中，以期望能够降低其安全风险。

1. 光电转换器件无镉量子点在光电转换器件中具有广阔的应用前景。

利用无镉量子点材料制备的光电转换器件可以实现更好的能量转换效率，同时避免了环境和人体健康的负面影响。

通过研究无镉量子点在光电转换器件中的应用，研究人员可以为新型显示技术的发展提供技术支持。

硫化镉量子点
1. 什么是硫化镉量子点？
硫化镉量子点是由硫化镉（CdS）材料制成的，具有纳米级粒子大
小的光电材料。

它们是一种半导体材料，具有独特的光学和电学性质。

2. 硫化镉量子点的特性
硫化镉量子点的尺寸在1-50纳米之间，因此它们具有高比表面积
和高反应性。

它们的颜色可以根据其大小编程，因此它们通常被称为“巨人磁荧光飞轮”。

此外，硫化镉量子点还具有以下特性：
- 高量子效率
- 稳定性
- 抗划伤性
- 可光电激活性
3. 硫化镉量子点的制备方法
硫化镉量子点的制备方法可以分为两类：化学合成方法和物理制
备方法。

其中，最常见的化学合成方法包括：
- 热分解方法
- 水热法
- 溶液法
- 光化学法等
4. 硫化镉量子点的应用领域
由于硫化镉量子点具有独特的光学和电学特性，因此它们在许多
领域中具有广泛的应用前景，包括：
- 生物成像
- 光电化学催化
- 能源转换
- 传感器
- 纳米电子学
- LED和荧光显示器等
此外，硫化镉量子点还可以与其他材料结合使用，形成复合材料，以扩展它们的应用范围。

5. 硫化镉量子点的发展前景
随着纳米材料的发展和应用，硫化镉量子点作为一种光电材料的
应用前景仍然非常广阔。

同时，随着人们对环境和健康的关注，研究
人员还在探索各种新的制备方法和应用领域，以提高硫化镉量子点的
可持续性和安全性。

总之，硫化镉量子点作为一种具有广泛应用前景的纳米材料，将对许多领域的发展产生积极影响。