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回流炉作业指导书一、概述回流炉是一种用于加热和燃烧工艺中废气的设备，其主要功能是回收热能并减少污染物的排放。
本作业指导书旨在提供回流炉的操作指导和安全注意事项，以确保作业人员的安全和设备的正常运行。
二、操作指导1. 准备工作在进行回流炉作业之前，作业人员应先进行以下准备工作：- 确保所有操作人员已经接受过相关的培训，并具备操作回流炉所需的技能和知识；- 确保回流炉的供电和燃气系统正常运行，并且各种安全设施完好；- 检查回流炉的热交换器和管道是否清洁，并清除任何堵塞物；- 确保回流炉的控制系统和仪表工作正常，并进行必要的校准。
2. 操作步骤按照以下步骤进行回流炉的操作：- 打开回流炉的主电源，确保电源稳定；- 打开燃气供应阀门，并调节燃气流量到适当的水平；- 打开点火装置，并点火燃烧器，确保燃烧器点火成功；- 监测回流炉的温度和压力，确保它们在安全范围内；- 根据需要调节燃气流量和燃烧器的火焰大小，以达到所需的加热效果；- 定期检查回流炉的运行状态，包括温度、压力、燃气流量等，并进行必要的调整；- 在作业结束时，先关闭燃气供应阀门，然后关闭回流炉的主电源。
三、安全注意事项在进行回流炉作业时，必须遵守以下安全注意事项：1. 穿戴个人防护装备，包括耐高温手套、防护眼镜、防护服等；2. 确保作业区域通风良好，以防止有害气体积聚；3. 注意回流炉的温度和压力，避免触摸热表面或过高压力的部件；4. 不要将易燃物品放置在回流炉附近，以防止火灾；5. 确保回流炉的燃气系统正常运行，避免燃气泄漏；6. 在操作回流炉时，严禁饮酒或服用药物，以免影响判断力和反应能力；7. 在异常情况下，立即停止作业并报告相关人员，不得擅自处理。
四、常见故障处理在回流炉作业过程中，可能会遇到一些常见故障，如燃烧器点火失败、燃气供应中断等。
对于这些故障，作业人员应按照以下步骤进行处理：1. 燃烧器点火失败：- 检查燃气供应是否正常，确保燃气流量充足；- 检查点火装置是否工作正常，如有故障，及时更换或修理；- 清洁燃烧器和点火装置，以确保无堵塞或污染。
M5111-4W/UM系列高温扩散/氧化系统维修手册中国电子科技集团公司第四十八研究所2007年2月目录1．设备型号涵义 (1)1.1型号的组成 (1)1.2各代号涵义 (1)2．电气图纸的代号规定 (2)2.1电气制图代号定义 (2)2.2元器件编号规定 (3)2.3电气接线编号规定 (3)2.4电气转接端口定义 (3)2.5计算机转接端口定义 (7)3．故障判别与维修 (11)3.1温度控制系统 (11)3.1.1温控仪上显示oooo (11)3.1.2炉子不能升温 (11)3.1.3面板上的超温指示灯亮 (12)3.1.4炉温失控 (12)3.1.5面板上的短路指示灯亮 (13)3.2自动推拉舟系统 (13)3.2.1不能自动进出舟 (13)3.2.2不能自动停舟 (14)3.3气体流量控制系统 (14)3.3.1气动阀不能受控打开 (14)3.3.2触摸屏上无气体流量显示 (14)3.3.3气体流量总是显示最大值 (15)3.3.4气体流量显示值波动大 (15)3.4 H/O合成氧化系统 (16)3.4.1火不能点燃 (16)3.4.2系统误报警 (16)1．设备型号涵义1.1 型号的组成按照部颁标准，我所高温扩散/氧化系统的型号由如下代号组成：M 5 1 11 — 4 W / UM型所企业代号（中国电子科技集团公司第48所）特点代号设计顺序号主参数（1100℃）品种代号（扩散设备）形式代号（掺杂设备）类别代号（表面处理和薄膜淀积设备）1.2 各代号涵义M 薄膜淀积设备5 掺杂设备1 扩散掺杂设备13 主参数，最高使用温度1300℃1 炉膛有效内径φ150mm，适用于3〞硅片工艺2 炉膛有效内径φ180mm，适用于4〞硅片工艺3 炉膛有效内径φ250mm，适用于6〞硅片工艺4 炉膛有效内径φ300mm，适用于8〞硅片工艺W 微控H 悬臂舟A 内燃式B 外燃式S 双温区2．电气图纸的代号规定2.1电气制图代号定义按照国家电气制图标准，我所常用电气图纸器件代号如下：2.2元器件编号规定* * * * *0—公共器件，1—下层，2—中下层，3—中上层，4—上层 1—电控柜，2—净化台，3—炉体柜，4—气源柜如电控柜中下层第5号插头座编号为：X1205 ；净化台照明开关的编号为：S20052.3电气接线编号规定* * * * *001～099 ；其他线号从101～999 。
规范四十八所扩散炉常规维护项目的操作二、适用范围适用于佳诚太阳能有限公司电池车间扩散一到四线工序三、规范性引用文件四十八所扩散炉操作说明书四、职责设备人员:1、检查温控仪表及热电偶是否正常2、检查触摸屏是否偏移,矫正3、检查电气线路按钮开关及指示灯是否正常4、检查插片房风机是否正常5、检查变压器及炉体接线端子是否老化、发黑等现象6、保养完后,确认每台炉管加热、流量正常工艺人员:1、负责协助生产拆装废液瓶夹子2、检查有毒气体管道密封性和老化程度,是否需要更换生产员工:1、检查传动是否平滑,有无震动和异响,加润滑油2、清理净化滤网,必要时更换3、清理废气室及废气管滴下的偏磷酸4、检查恒温水槽不锈钢源瓶座是否有积水,清理5、检查恒温水槽液位是否过低;控温等是否正常6、检查气路是否有漏气现象,更换卡套和四通阀7、检查废液瓶内废液,是否需要清理五、设备主要技术参数 :六、设备介绍与操作1.1总体结构总体结构分为四大部分,见平面安装图 1,从右到左为:控制部分、推舟净化部分、电阻加热炉部分、气源部分。
图 1 软着陆扩散炉平面安装图1.2分部件结构1.2.1工控机控制框图见图 2。
图 2在控制柜的底层, 安装有四管控制系统的推舟控制装置、保护电路、电路转接控制板及各层的开关、保险等 , 前盖板上装有三相电源指示灯及照明、净化、抽风开关等。
该柜内有 220V 的交流电,也有 15V 、 5V 直流电和控制信号线,检修时请注意区分及安全,谨防接错和短路。
1.2.2推舟净化部分推舟净化柜的顶部装有照明灯;正面是悬臂桨推拉舟机构,推舟水平运动采用步进电机 +减速机 +同步带 +同步带轮的传动机构,推动悬臂桨水平移动;推舟垂直运动采用步进电机 +减速机 +升降机的驱动机构,推动推舟底板整体上下移动。
导轨的两端和上下运动的两端都装有限位开关和极限保护开关。
靠近炉口的净化柜顶部设有漏斗状的抽气罩,与外接抽风系统连接后,用来排掉出舟时散发的大量高温有毒气体。
1 范围本标准制定了Tempress/Centrotherm/捷佳创DS-300A扩散炉的扩散参数、加工步骤、过程控制要点以及检测项目等内容。
本标准适用于作为多晶电池扩散工序作业指导书、检验规范编制的依据。
2 引用文件C-IS-008《多晶电池生产各工序工艺技术参数》3 产品或在制品生产环境3.1 环境要求：级别：三千级；温度范围18℃--25℃，湿度:40%--70%.3.2 外围要求：3.2.1 Tempress扩散炉外围要求排风要求：废排压力：≤-20mmH203.2.2 Centrotherm扩散炉外围要求3.2.2.1 排风要求总排风：大于1000m³/h单体：大于1000m³/h气柜废排：大于1000m³/hHousing：大于1000m³/h鼓泡器：大于1000m³/h3.2.2.2冷却水要求进水要求：温度：15℃--25℃，最高27℃，最小流量65L/min，去除悬浮物和颗粒，最大压强8bar绝对值出水要求：比进水至少小4Bar，温度最高40℃3.2.2.3 气体要求压缩空气：无水、无油，压力4Bar—8Bar工艺气体的纯度至少达到99.9999%，半导体级要求氮气压强：400kpa—1000kpa氧气压强：400kpa—1000kpa3.2.3捷佳创扩散炉冷却水：软水，温度：18℃--26℃，水压：4Bar--8Bar工艺气体的纯度至少达到99.9999%，半导体级要求氮气压强：400kPa--1000kPa氧气压强：400kPa--1000kPa3.2.3捷佳创扩散炉冷却水：软水，温度：18℃--26℃，水压：0.2MPa--0.4MPa氮气：0.3MPa--0.6MPa压缩空气:0.4MPa--0.6MPa废气排气口: 大于250㎡/h排气口：大于300㎡/h4 安全防护措施着装要求：戴手套、口罩，穿净化服。
5 工艺准备及易耗品Centrotherm扩散炉及机械手、tempress扩散炉、捷佳创扩散炉、方块电阻测试仪、石英舟、防热手套、橡胶手套、口罩、少子寿命测试仪、R2D机械手。
扩散工艺规范篇一：扩散设备工艺处理规范(学习)1．目的规范扩散工艺人员处理问题的标准和方法，确保工艺控制的统一管理。
2．适用范围适用于扩散工艺人员。
3．职责本工艺规范由电池事业部工艺人员制定修改并执行。
4. 方块电阻监控4.1单晶及多晶方块电阻—-返工控制范围定义此控制范围仅作为产品是否返工的标准。
4.2单晶及多晶方块电阻—-工艺控制范围定义工艺人员以此控制范围为依据，对各生产线方块电阻进行调控。
5.扩散工序各种返工处理要求5.1扩散方块电阻偏大、偏小、片内不均匀的返工工艺人员应对方块电阻偏大、偏小、片内不均匀的炉管进行原因分析，问题处理以后,应第一时间通知扩散当班工序长，恢复相应炉管的使用。
5.1.1单晶方块电阻偏大、偏小、片内不均匀（1）单晶方块电阻的单片平均值＞48Ω/sq或者单点＞50Ω/sq），将偏大的硅片挑出，经二次清洗后，再按照返工工艺程序进行加扩。
对于片内偏差＞10Ω/sq的，工艺人员应结合制绒工序对重量的要求，考虑是否返工，返工步骤：扩散后硅片经二次清洗后，在按照正常工艺从一次清洗开始。
（2）单晶方块电阻的单片平均值＜42Ω/sq或者单点＜40Ω/sq），工艺人员确认以后，将材料放行，按照正常工艺生产。
如果方块电阻明显偏小（单片平均值＜35Ω/sq），工艺人员应结合制绒工序对重量的要求，考虑是否返工。
返工步骤：扩散后硅片经二次清洗后，在按照正常工艺从一次清洗开始。
5.1.2多晶方块电阻偏大、偏小、片内不均匀（1）多晶方块电阻的单片平均值＞57Ω/sq或者单点＞60Ω/sq），将偏大的硅片，再按照返工工艺程序进行加扩。
倘若存在以下状况，硅片应从一次清洗开始返工：（a）生产未按照文件操作，已经卸片（b）硅片受到其它污染（c）片内偏差＞12Ω/sq 。
（2）多晶方块电阻的单片平均值＜51Ω/sq或者单点＜48Ω/sq），返工步骤：扩散后硅片应从一次清洗开始返工。
5.2扩散返工工艺规定5.2.1此返工工艺仅限扩散方块电阻偏大的内部返工处理。
