VCP填孔电镀工艺配方介绍

SHEN ZHEN SHENHUAGUO PCB TECHNOLOGY CO.LTD 版本： A.0页码：- 1 -文件V C P连续电镀作业指导书名称SHEN ZHEN SHENHUAGUO PCB TECHNOLOGY CO.LTD 版本： A.0页码：- 2 -文件V C P连续电镀作业指导书名称SHEN ZHEN SHENHUAGUO PCB TECHNOLOGY CO.LTD版 本： A.0 页 码：- 3 -文件名称V C P 连续电镀作业指导书1. TOC 含量标准:TOC ≤5000ppm2. CVS/TOC 外发分不合格时处理方法:a. TOC 超标时立即安排碳处理，碳处理前如继续使用需对生产板做热冲击测试，如孔铜异常立即停止生产。

b. CVS 分析光剂不合格时，首先根据分析结果对药水进行调整。

同时进行 HULL CELL 测试和热冲击测试，两种测试都无异常时可继续生产，如有异常，须对此期间生产板进行隔离评估。

5.3 设备能力5.5单轨式垂直连续电镀铜设备开机前注意事项:5.5.1合在电箱面板上电源总开关（扳到ON 位置），启动上料区控制电箱面板上的控制电源按钮。

5.5.2确认各紧急停止及拉绳开关处于正常状态。

5.5.3确认温度，液位，循环泵，过滤泵，整流器，纯水，冰水系统，添加泵，鼓风机，气压是否正常。

项目范围 数量 功率 备注生产板最大尺寸 622mm*547mm / / / 生产板最小尺寸 355mm*406mm / / / 生产板最大厚度 3.2mm / / / 生产板最小厚度 0.2mm / / / 最快输送速度 1.1m/min / / 最慢输送速度 0.3m/min / / 均匀性要求 ≤5% 电流密度40ASF ，孔铜25um 延展性要求 ≥20% / / / 深镀能力0.25mm 孔径，纵横比 6.4：1 的通孔，电镀参数：25ASF ×50min ，深能力≧85%。

vcp电镀线工作原理
VCP电镀线的工作原理如下：
1. 电源供电：将电源与VCP电镀线连接，提供所需要的电能。

2. 电解液：在VCP电镀线的电解槽中添加电解液，通常是由
金属盐、溶剂和添加剂组成的溶液。

电解液中的金属离子参与电沉积过程。

3. 极板：在电解槽中，两根金属极板（阳极和阴极）悬挂在电解液中。

阳极通常是需要电镀的金属物品，而阴极则可能是一个较大的金属片。

4. 电流通过：通过调整电源电压和电流，使电流从阳极流向阴极。

电流的方向决定了金属离子的沉积方向。

5. 电沉积：当电流通过阳极时，阳极上的金属开始溶解，形成金属离子。

这些金属离子在电解液的影响下被吸引到阴极上。

在阴极上，金属离子接收电子并沉积成金属。

这个过程称为电沉积。

6. 金属沉积层的形成：随着金属离子的不断沉积，金属沉积层逐渐形成在阳极上。

沉积层的厚度和均匀性取决于电流密度、电解液组成和操作条件等因素。

7. 控制工艺参数：通过调整电流密度、电解液成分和温度等工艺参数，可以控制金属沉积层的质量、厚度和表面状态。

8. 结束电镀：当达到所需的金属沉积层厚度或其他要求时，停止电源供电，结束电镀过程。

金属沉积层经过清洗和处理后，可以得到最终的电镀产品。

vcp电镀流程和原理
VCP（Vacuum Coating Process）是一种利用真空环境下的电子束蒸发技术进行电镀的流程和原理。

VCP电镀流程包括以下几个步骤：
1. 准备底材：首先将需要进行电镀的物体作为底材，确保表面平整、清洁和无油污等杂质。

2. 预处理：对底材进行预处理，包括去除表面氧化层、清洗和干燥等步骤，以确保表面无杂质和污染。

3. 进入真空腔室：将底材放入真空腔室内，确保腔室内的真空状态。

4. 电子束蒸发：在真空腔室中加入所需的金属材料，通常使用电子束炉将金属材料蒸发，通过高能电子束轰击，使金属材料原子从固态到气相的转变。

5. 沉积：蒸发的金属原子在真空腔室内沉积在底材表面上，形成金属膜层。

沉积速率和膜层厚度可以通过控制蒸发时间和金属材料的蒸发速率来调节。

6. 进行后处理：电镀后可以进行一些后处理步骤，比如清洗、抛光和检测等，以提高电镀层的质量和外观。

除了上述步骤外，VCP电镀的原理是基于真空腔室中的金属材料蒸发和沉积的过程。

在真空状态下，由于金属材料的固态结构变得不稳定，加热金属材料可以使其原子从固态变为气相，然后在底材表面沉积形成金属膜层。

蒸发的金属原子会以分子束的形式沉积在底材表面，形成致密、均匀和具有优异性能的电镀层。

5.5单轨式垂直连续电镀铜设备开机前注意事项:5.5.1合在电箱面板上电源总开关（扳到ON 位置），启动上料区控制电箱面板上的控制电源按钮。

5.5.2确认各紧急停止及拉绳开关处于正常状态。

5.5.3确认温度，液位，循环泵，过滤泵，整流器，纯水，冰水系统，添加泵，鼓风机，气压是否正常。

5.5.4确认各进水管，排水管阀门是否处于正常位置。

5.5.5检查各感应器，限位开关，传输装置是否异常。

5.6单轨式垂直连续电镀铜设备开关机步骤: 5.6.1开机前确认事项：5.6.1.1确认各周边设备处于开启状态。

5.6.1.2检查各阳极升降机构是否归定位，上下料是否在原位，完成后待机完成指示灯亮起。

5.6.1.3确认整流器模式为自动模式。

5.6.2开启自动运转，按下自动按钮3秒钟后，发出开机提示音6秒后，系统自动运行。

5.6.3从监控系统里输入产品资料，确认上料资料无误后传送到PLC ，把上料/不上料开关打到上料，设备开始上板；把上料/不上料开关打到不上料，设备停止上板。

当传动速度不同时必须清除前处理槽和铜槽前所有产品才能在上板。

5.6.4当上料完成后，待所有生产板下料完毕，按下触摸屏里的自动停机画面里的停止按钮3秒后，系统开始自动关闭程序，各移载升降回到起始位，待机完成指示灯亮起，项目范围 数量 功率 备注生产板最大尺寸 622mm*547mm / / / 生产板最小尺寸 355mm*406mm / / / 生产板最大厚度 3.2mm / / / 生产板最小厚度 0.2mm / / / 最快输送速度 1.1m/min / / 最慢输送速度 0.3m/min / / 均匀性要求 ≤5% 电流密度40ASF ，孔铜25um 延展性要求 ≥20% / / / 深镀能力0.25mm 孔径，纵横比 6.4：1 的通孔，电镀参数：25ASF ×50min ，深能力≧85%。

上料区电源控制按纽系统停止运转。

5.6.5关闭所有周边设备，按下控制电箱上的控制电源停止按钮，切断控制电源。

vcp电镀工艺流程VCP电镀工艺流程VCP（Vacuum Channel Plasma）电镀工艺是一种新型的真空离子电镀技术，它通过在真空环境下产生的等离子体中激活金属离子，使其以高速度沉积在工件表面，形成一层均匀致密的金属镀层。

VCP电镀工艺具有操作简单、镀层精细、成本低廉等优点，被广泛应用于电子、航空航天等领域。

VCP电镀工艺的流程主要包括材料准备、设备设置、真空抽气、加热预处理、金属镀层、冷却退火等步骤。

首先，进行材料准备。

将待镀件进行清洗、抛光等处理，确保表面干净无杂质。

接下来，进行设备设置。

安装好离子镀膜设备，并设置好镀液的成分和浓度，以及相关的工艺参数。

然后，进行真空抽气。

将待镀件放入真空室内，通过抽气装置将真空室内的气体抽除，达到所需的真空度。

接着，进行加热预处理。

将真空室内的待镀件加热至一定温度，以提高金属离子的活性，增加金属镀层的附着力和致密度。

接下来，进行金属镀层。

在真空室内产生离子等离子体，并将金属离子激活。

激活的金属离子会通过辅助电极引导，以高速度沉积在待镀件的表面，形成金属镀层。

最后，进行冷却退火。

将镀好的工件进行冷却处理，使金属镀层的结构更加均匀致密，提高其抗腐蚀性和硬度。

整个VCP电镀工艺流程简单高效，且镀层质量稳定可靠。

相比传统的电镀工艺，VCP电镀工艺具有以下优点：1. 操作简单：VCP电镀工艺无需繁琐的操作步骤，只需基本的设备设置和参数调节，降低了操作难度。

2. 镀层精细：VCP电镀工艺通过在真空环境下进行镀层，可控制金属离子的沉积速度和位置，使得镀层更加均匀细致。

3. 成本低廉：VCP电镀工艺无需使用昂贵的镀液和电镀设备，可通过较低成本的设备和材料，实现金属镀层的制备。

总的来说，VCP电镀工艺在电镀行业中具有广泛的应用前景。

随着科技的不断发展，VCP电镀工艺将不断改进和创新，使得电镀工艺更加高效、环保和可持续。

线路板VCP电镀铜添加剂的应用实例(周生电镀导师)六年前本人写过一篇文章《ST-2000镀铜光亮剂配方的应用实例》，其中写道：ST2000最早是日本公司配方，后被乐思收购。

经过多年的应用和不断改进，ST2000已经成为最常用和应用最广泛的PCB镀铜光亮剂之一，更有后来的高深镀能力镀铜光亮剂，专门针对高纵横比的微小孔的通孔镀铜。

当时的切片数据如下：当时的结论如下：在6年前，88%的深镀能力已经可以保证当时的高端PCB的生产，对于垂直电镀线TP值达到88%就是一款优良的PCB镀铜添加剂了。

但是ST2000已经不能满足今天高端PCB的生产要求了，特别是VCP贯孔要求TP值100%甚至更高，填孔电镀更是要求TP值大于200%。

PCB镀铜的主要目的是加厚通孔中的铜层厚度，如果TP值低于100%，则大量的金属铜被加厚在铜面上了。

对于填孔而言，要求铜面镀1微米厚度的铜层，孔里能达到2微米以上的铜厚。

这就对镀铜光亮剂提出了新的要求，ST2000显然是做不到的。

目前市场上能够满足上述要求的有麦德美的VF100、VF200、OMG的PC630等产品，都具有高TP值特征，TP值在100-250%。

我们对比实验结果如下：（通常电流不会这么大，一般30ASF就是大电流了）4ASD大电流镀铜30分钟，板厚2毫米，孔径0.25毫米，厚径比8;1,测试结果：孔中央铜厚度与面铜厚度比值（TP）乐思镀铜 40-41%赛伦巴斯 43-44%OMG 52-53%4ASD的超大电流对小孔镀铜是极大考验，对比结果能看出OMG的优势，在OMG基础上改进的配方可以做到70-75%的TP，正常20-30ASF的电流，TP值轻松超过100%。

VCP镀铜可使用单剂型生产补充及极低的消耗量(0.075-0.2ml /Amp.Hr) 。

若为生产高阶产品，也可改用双剂型控制，且可以CVS 及HullCell 进行分析控制管理。

此类添加剂中不含任何染料，且添加剂本身之稳定性极佳，副产物不易生成，可延长活性碳过滤周期。

vcp电镀镀铜工艺流程VCP电镀镀铜是一种常用的表面处理工艺，可以在金属或非金属表面形成一层均匀、光滑、具有良好导电性的铜薄膜。

下面将详细介绍VCP电镀镀铜的工艺流程。

第一步，准备工作。

首先，清洗工件表面，去除油污、氧化物等杂质。

可以使用化学清洗剂或机械清洗的方法，确保工件表面干净。

第二步，活化工件表面。

通过活化剂处理，提高工件表面的粘附性，使铜能够更好地附着在工件表面。

常用的活化剂有化学或电化学方法，可以根据具体情况选择。

第三步，镀铜。

将活化后的工件放置在电镀槽中，与铜阳极连接，通过电解液中的电流，将阳极溶解出的铜离子在阴极上还原，使铜镀在工件表面。

保持适当的电流密度和电镀液的温度、PH值以及搅拌状态等参数，控制镀铜的质量和工艺效果。

第四步，整理工件表面。

在镀铜完成后，工件表面可能会有一些不均匀或不良的铜镀层，需要进行整理。

可以使用钢丝刷或研磨布等工具，轻轻打磨表面，使其更加光滑、均匀。

第五步，清洗工件。

将镀铜完成的工件清洗干净，去除电镀槽中的电解液、沉淀物和杂质。

可以使用水或酸碱溶液进行清洗，确保工件表面干净无污染。

第六步，后处理。

根据需要，对镀铜层进行后处理，可以涂覆一层保护漆，防止氧化或腐蚀。

也可以进行抛光处理，提高镀铜层的亮度和光洁度。

第七步，检验。

对镀铜工作完成的工件进行检验，检查铜镀层的厚度、附着力和外观质量等指标是否符合要求。

总结一下，VCP电镀镀铜是一种主要用于金属或非金属表面处理的工艺，具有均匀、光滑、导电性好等特点。

工艺流程包括准备工作、活化、镀铜、整理、清洗、后处理和检验等步骤。

通过合理控制每个步骤的参数，可以获得符合要求的镀铜层，从而提高工件的品质。

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201711457482.3(22)申请日 2017.12.28(71)申请人 韶关硕成化工有限公司地址 512700 广东省韶关市乳源县侯公渡经济开发区氯碱特色产业园(72)发明人 彭学文　简锦坡　(74)专利代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 44245代理人 雷月华　裘晖(51)Int.Cl.C25D 3/38(2006.01)(54)发明名称垂直连续电镀（VCP）高TP值酸性镀铜光泽剂及制备方法和应用(57)摘要本发明公开了一种垂直连续电镀高TP值酸性镀铜光泽剂及制备方法和应用。

该酸性镀铜光泽剂包含以下浓度的组分：光亮剂0.2～0.8g/200ml，高温载体1.0～2.0g/200ml，整平剂0.1～0.2g/200ml，抑制剂A 0.5～1.0g/200ml，抑制剂B 10～30g/200ml，抑制剂C 0.5～1.0g/200ml，酸铜走位剂1.0～3.0g/200ml。

该酸性镀铜光泽剂能使柔性线路板垂直连续电镀酸性镀铜中孔内镀铜厚度是板面镀铜厚度的1.5～2.5倍，且所镀铜具有良好的延展性和耐冷热冲击性能，满足线路板镀通孔导通能力要求。

权利要求书2页 说明书6页 附图1页CN 108130564 A 2018.06.08C N 108130564A1.一种垂直连续电镀(VCP)高TP值酸性镀铜光泽剂，其特征在于，包含以下浓度的组分：所述光亮剂为噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠，所述高温载体为聚乙烯亚胺烷基盐，所述整平剂为氯化硝基四氮唑蓝，所述抑制剂A为脂肪胺聚氧乙烯醚，所述抑制剂B为聚环氧乙烷聚环氧丙烷单丁基醚，所述抑制剂C为脂肪胺乙氧基磺化物。

2.根据权利要求1所述的一种垂直连续电镀(VCP)高TP值酸性镀铜光泽剂，其特征在于，所述垂直连续电镀(VCP)高TP值酸性镀铜光泽剂包含以下含量的组分：所述光亮剂为噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠，所述高温载体为聚乙烯亚胺烷基盐，所述整平剂为氯化硝基四氮唑蓝，所述抑制剂A为脂肪胺聚氧乙烯醚，所述抑制剂B为聚环氧乙烷聚环氧丙烷单丁基醚，所述抑制剂C为脂肪胺乙氧基磺化物。