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光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号：LW-BZ-009-A1版本：A/1版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制：日期:审核：日期：批准：日期:实施日期:发布日期:文件更改申请单硅片检验标准1目的规范多晶硅片检测标准。
2适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。
3定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS20血阻率测试、少子寿命测试 WT-200Q3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUXCF,距离眼睛40cm,成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。
翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即 a值）。
弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即 z值）硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。
崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度0 0.5mm长度0 1.5mmt不能崩透的缺损属于崩边c 缺口：光强430-650LUX,目光与硅片成30-45 ° ,距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口, 看不到的不属于缺口。
水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。
表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。
游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘 5mrmA内的黑色区域。
微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞ 10个。
4 职责权限4.1技术部负责制定硅片检验标准；4.2质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。
5正文5.1表面质量表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。
对整包硅片重点查看B4 （崩边），B7 （线痕）、B8 （厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。
5.2外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数厚度（T） 200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（WARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（2）加工工艺知识多晶硅加工成单晶硅棒：多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。
其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。
CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。
而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。
另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩劲生长使之消失掉。
缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4-6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。
太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
线切割单晶硅片检验规范1、目的:为明确产品质量要求，加强产品质量管控，特制订本规范。
2、适用范围适用于线切割后单晶硅片(125×125)和(156×156)的品质检验。
3、主要内容精选模板A．检验项目及要求：检测环境要求（温度20~28℃，湿度不大于60%）B．判定：a. 成品检验结果的判定:①以每根晶棒所切片数为一单位，按表1抽检方案对其进行外观检测，根据检测结果对合格品进行分类包装;②针对尺寸﹑电阻率﹑导电型号检测时,如发现一片不合格，则针对不合格项目进行全检，除去不合格品后,按其等级进行包装。
b. 出厂检验结果的判定:抽检判别不合格的批不合格产品，可以针对不合格项目进行全检，除去不合格品后，合格品可以重新组批。
重新送检的产品，复检时可以只对上次检验不合格项目进行检验判别。
c. 如客户有特殊质量要求时按客户的质量标准为依据。
4.包装、储运A．将每一收缩袋装满100片，并用封口机将其封口，标签上注明产品规格、数量、晶体编号；B．每四包硅片装入一包装盒内，两包之间用两片珍珠棉隔开，两端用硬泡沫板、瓦棱板固定；C．用胶带将包装盒封牢,顶盖上粘贴标签，注明产品名称、规格、晶体编号、数量、包装日期，加盖检验章；D．将规格相同、性能相似的硅片每六盒装入一纸箱内，用胶带将纸箱封牢,外标签上注明产品名称、规格、数量、包装日期，加盖检验章；E．包装箱外侧须印刷有：“易碎”、“小心轻放”、“防潮”、等标识，并标明产品名称、规格、数量、生产商名称及地址、毛重、净重等字样；F．每批产品须附产品质保书；G．产品应储存在清洁、干燥的环境中；H．运输过程中应轻装轻卸，防震、防潮、防挤压。
5、相关记录《单晶硅片检验报告单》. .精选模板。
单晶硅片的技术标准1 范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26 半导体材料晶向测试方法F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mn处4点和中心点）；位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125’ 1251 （mm）125’ 125 H （mm）156’ 156（mm。
5技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200士20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um,测试点为边缘6mn处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%相邻C段的垂直度：90°士；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型:硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mmf羊片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°;位错密度w 3000pcs/cm2;氧碳含量：氧含量w 20ppma碳含量w。
硅片的检测1：硅片表面光滑洁净2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3二、合格品一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5二级品：1：表面有少许污渍、线痕。
凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8三级品：1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片气孔片：硅片中间有气孔外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准海关总署、国家经贸委关于下发《单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准》的通知（2001年6月14日署税发［2001］252号）广东分署，各直属海关：将《单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准（ＨＤＢ／ＹＤ００３－２０００）》印发你们，自２００１年８月１日起实施。
本标准实施后，各地外经贸主管部门应严格按本标准审批加工贸易合同（包括结转深加工），各地海关应严格按本标准进行备案、核销，２００１年８月１日前，仍按原标准审批、备案、核销加工贸易合同。
附件：单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准《（ＨＤＢ／ＹＤ００３－２０００）》及编制说明。
ＨＤＢ／ＹＤ００３－２０００单晶硅棒、单晶硅片加工贸易单耗标准（商品编号：２８０４６１１０、３８１８００１１）１、范围本标准规定了以多晶硅（商品编号２８０４６１９０）为主要原料加工制成４英寸、５英寸单晶硅棒（商品编号２８０４６１１０）和单晶硅片（商品编号３８１８００１１）的加工贸易单耗标准。
本标准适用于海关和外经贸部门对用多晶硅（商品编号２８０４６１９０）加工生产单晶硅棒（商品编号２８０４６１１０）、单晶硅片（商品编号３８１８００１１）的加工贸易企业进行加工贸易单耗备案，审批和核销管理。
２、定义本标准采用以下定义：多晶硅加工单晶硅棒单耗指：在正常生产条件下，加工生产每公斤单晶硅棒所耗用多晶硅质量（ｋｇ）。
（包括净耗和工艺损耗）单晶硅棒加工单晶硅片净耗指：在正常生产条件下，物化在每千片单晶硅片中单晶硅棒的质量（ｋｇ）。
多晶硅加工单晶硅棒损耗率（％）：单晶硅棒在正常加工过程中，因生产工艺所必需但不能物化在成品中的多晶硅耗用量占多晶硅投入量的百分比。
单晶硅棒加工单晶硅片损耗率（％）：单晶硅片在正常加工过程中，因生产工艺所必需但不能物化在成品中的单晶硅棒耗用量占单晶硅棒投入量的百分比。
３、单、损耗标准３．１原料的品质规格原料品质为免洗料，符合相关国内或国际行业技术标准规定及合同对产品质级的认定。
工业和信息化部关于修订《光伏制造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》的公告文章属性•【制定机关】工业和信息化部•【公布日期】2024.11.15•【文号】工业和信息化部公告2024年第33号•【施行日期】2024.11.15•【效力等级】部门规范性文件•【时效性】现行有效•【主题分类】电子信息正文中华人民共和国工业和信息化部公告2024年第33号关于修订《光伏制造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》的公告为贯彻落实党中央、国务院决策部署，进一步加强光伏行业规范管理，推动产业加快转型升级和结构调整，推动我国光伏产业高质量发展，工业和信息化部对《光伏制造行业规范条件》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法》进行了修订，现予以公告。
《光伏制造行业规范条件（2021年本）》和《光伏制造行业规范公告管理暂行办法（2021年本）》（工业和信息化部公告2021年第5号）同时失效。
工业和信息化部2024年11月15日光伏制造行业规范条件（2024年本）为加强光伏行业管理，引导产业加快转型升级和结构调整，推动我国光伏产业高质量发展，根据国家有关法律法规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》等政策，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定本规范条件。
本规范条件是鼓励和引导行业技术进步和规范发展的引导性文件，不具有行政审批的前置性和强制性。
一、生产布局与项目设立（一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求，符合当地国土空间规划、社会经济发展规划和环境保护规划等要求，符合区域生态环境分区管控及规划环评要求。
（二）光伏制造项目未建设在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的自然保护区、饮用水水源保护区、生态功能保护区，已划定的永久基本农田及生态保护红线，以及法律、法规规定禁止建设工业企业的区域内。
好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01单晶硅片检验标准.版本号：A/1 页码：第1页共4页生效日期：2009-7-15一、目的为明确产品质量要求，加强产品质量管控，使公司单晶生产成品执行的检测工作有据可依，特制定本标准。
二、适用范围适用于线切割后太阳能级单晶硅片的品质检验。
三、主要内容1、检测环境要求：温度18～28℃，湿度不大于60%。
2、硅片分类原则：项目内容A符合《硅单晶切割片企业内控标准》的硅片B物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、边缘、色差、外圆未磨光、尺寸不良（边长、对角线）、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－B级品判定标准C物理参数合格，但外观存在：线痕、崩边、尺寸不良（边长、对角线）、应力、花片、污片、倒角差、厚度异常、TTV异常，且符合下表－C级品判定标准不合格品物理性能不合格或缺角、缺口、亮点、穿孔；备注：电阻率按照0.5~1Ω.cm，1~3Ω.cm，3~6Ω.cm单独包装入库2、判定标准（见下表）：批准审核编制修改履历页码内容状态备注受控好亚光伏能源有限公司文件编号：Q09-PZ-01 单晶硅片检验标准版本号：A/1页码：第2页 共4页生效日期：2009-7-15内容 项目检测标准A等外品不合格品备注BC厚度T 及 厚度偏差TV 总厚度变化TTV WARP ：① 180u m ±20 u m ； ② 200 u m ±20 u m ③ TTV ≤30um ； ④warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um① 180u m ±25 u m ； ② 200 u m ±25u m ③ TTV ≤40 u m ④ warp ≤50um其中厚度T 为硅片中心点厚度，TV 为一批硅片中心点厚度偏差，TTV 同一张硅片厚度最大值减去最小值，warp 为硅片的翘曲度。
单晶硅片的技术标准1范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。
2 规范性引用文件ASTM F42-02半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26半导体材料晶向测试方法F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点）；位错：晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm3)，通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。
密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4 分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125′125Ⅰ(mm)、125′125Ⅱ(mm)、156′156(mm)。
5 技术要求外观见附录表格中检验要求。
外形尺寸方片TV为200±20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%；相邻C段的垂直度：90o±；其他尺寸要求见表1。
表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型：硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mm样片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°；位错密度≤3000pcs/cm2；氧碳含量：氧含量≤20ppma，碳含量≤。
单晶硅片产品说明书Manual of the Monocrystalline silicon Wafer一、产品说明（Explain ）：单晶硅片是单晶电池片的主要原料,是通过线切割方式将单晶硅棒加工而成。
The Monocrystalline silicon Wafer are the Main raw materials who Produce the Monocrystalline cells.It come from Monocrystalline Silicon Stick二、产品参数(parameters )：名称（Name ）：单晶硅片（Monocrystalline silicon wafer ） 类型（Model ）：8"名称 Type 内容 Detail 参数 Paramaters晶体生长方式 Crystal GrowthodCZ 掺杂剂Dopant species掺杂B Dopant B导电类型Conductivity TypeP 少子寿命 Life Time≥10μs特征 Characters晶向Growing Orientation‹100›±3° 电阻率 Resistivity 1-3Ω²cm 碳含量Carbon Concentration≤5.0*1017氧含量Oxygen Concentration≤1.0*1018 位错密度Dislocation Density≤3000/cm 2 尺寸 Size边长 Width 156mm ³156mm ±0.5mm对角线 Diameter 200mm ±0.5mm 倒角宽度 Chamfer Width21.81mm ±1.0mm 厚度 Thickness200±20μm 倒角角度 Chamfer Angle 45°±10° 垂直度 Verticality 90°±0.25° 外观 Appearence线痕深度 Saw Mark ≤15μm 翘曲度 Warp ≤70μm 总厚度偏差TTV≤40um崩边 Edge Defect 深度（Width ）≤0.3mm ；长度（Length ）≤0.5mm ；数量（Quantity ）≤3个表面质量 Surface无裂痕、明显线痕、凹坑、缺口、孔洞No cracks and pin holes visiblewith the naked eye 表面沾污Surface Contamination无肉眼可视沾污 No Stains By Visual三、使用注意事项（Note ）：1. 易碎，搬运时轻拿轻放，避免磕碰；Gently, To avoid collision；2.请避光保存；Please From light3.请在以下环境保存环境Please Save it in this place:温度:25℃±3℃湿度：50%±15Temperature:25℃±3℃Humidity50%±15。
太阳能级单晶硅片
1 范围
本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。
本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。
2 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义
3.1
本产品导电类型为p-型半导体硅片
导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。
3.2
杂质浓度
单位体积内杂质原子的数目。
本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。
3.3
体电阻率
单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。
一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。
符号为ρ，单位为Ω·cm 。
3.4
四探针
测量材料表面层电阻率的一种探针装置。
排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。
3.5
寿命
晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。
又称少数载流子寿命，简称少子寿命。
寿命符号τ，单位为μs 。
3.6
孪晶
在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。
连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。
在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。
3.7
单晶
不含大角晶界或孪晶界的晶体。
3.8
直拉法（CZ）
本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。
3.9
对角线
横穿圆片表面，通过晶片中心点且不与参考面或圆周上其他基准区相交的直线长度。
3.10
硅片中心厚度
硅片中心点垂直于表面方向穿过硅片的距离为硅片中心厚度。
3.11
厚度允许偏差
硅片厚度的测量值与标称值的最大允许差值。
3.12
总厚度变化 (TTV)
在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测量的硅片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。
3.13
翘曲度
硅片中心面与基准片面之间的最大和最小距离的差值。
翘曲度是硅片一种体性质而不是表面特性。
3.14
崩边
硅片边缘或表面未贯穿硅片的局部损伤区域，当崩边在硅片边缘产生时，其尺寸有径向深度和周边弦长给出。
3.15
缺角
上下贯穿硅片边缘的缺损。
3.16
裂纹、裂痕
延伸到硅片表面，有可能贯穿，也可能不贯穿整个硅片厚度的解理或裂纹或裂痕。
3.17
C角
单晶方棒四个角用滚磨机滚出圆弧形。
3.18
晶向
同一个格子可以形成方向不同的晶列，每一个晶列定义了一个反向，称为晶向。
3.19
晶向偏离度
晶体的轴与晶体方向不吻合时，其偏离的角度称为晶向偏离度。
4 技术要求
4.1 外观要求
外观要求见表1。
4.2 规格尺寸及极限偏差
4.2.1规格尺寸及极限偏差应符合表2、表3、表4规定。
4.2.2 单晶硅片对角线（Φ）、边长（W）、C角尺寸（C）见图1。
图1
4.3 理化指标
理化指标应符合表5规定。
项目
指标
A等B等
1 生长方式CZ CZ
2 晶向〈100〉〈100〉
3 晶向偏离度/（°）﹤±1.5 ±1.5
4 导电类型P P
5 掺杂剂Boron（B）Boron（B）
6 氧含量/（atoms/cm3）≤ 1.0×1018 1.0×1018
7 碳含量/（atoms/cm3）≤ 5.0×1017 5.0×1017
8 电阻率范围（ρ）/（Ω·cm） 1.0～3.0，3.0～6.0 1.0～3.0，3.0～6.0
9 少子寿命（τd）/（μs）≥10（钝化后）10（钝化后）
单晶硅片从该编号的单晶硅棒切割出来，该单晶硅棒的编号含义如下。
□□□□□□
晶棒位置
晶棒序号
该炉出炉的晶棒根数
出炉总数
炉号
年号
示例：单晶硅棒编号为090809322B表示该硅棒是2009年第8号炉出的第93炉的2根晶棒中的第2根晶棒，该截断晶棒在原出炉晶棒的B段，见图2。
头 A段 B段 C段尾
图2
5 试验方法
5.1 感官要求
在室温下，光线明亮的室内手感、目测检查。
5.2 规格尺寸
5.2.1 中心厚度和总厚度变化（TTV）
中心厚度和总厚度变化使用相应精度的千分表测量。
5.2.2 边长和对角线
边长和对角线使用相应精度的游标卡尺测量。
5.2.3 C角
C角使用90°角尺测量。
5.2.4 翘曲度
翘曲度使用塞尺测量。
5.2.5 线痕
线痕使用粗糙度测量仪测量。
5.2.6 崩边
崩边长度和深度使用相应精度的游标卡尺测量并目测。
5.3 理化指标
5.3.1 生长方式
生长方式由单晶硅棒生长炉而决定，因此检查单晶硅棒生长炉是否符合要求。
5.3.2 晶向和晶向偏离度
晶向和晶向偏离度使用晶向仪测量。
5.3.3 导电类型和掺杂剂
导电类型使用型号测试仪测量，掺杂剂用电阻率测试仪测量。
5.3.4 氧含量和碳含量
氧含量和碳含量使用氧碳含量测试仪测量。
5.3.5 电阻率
电阻率使用四探针电阻率测试仪测量。
5.3.6 少子寿命
少子寿命使用少子寿命测量仪测量。
6 检验规则
6.1 单晶硅片应经生产厂质检部门检验合格后，并附产品合格证方可出厂发货。
6.2 检验应逐批进行，采用GB/T 2828.1-2003的规定进行检验。
6.3 检验组批：以同一种型号、规格和等级的合格硅片组成一个检验批次。
6.4 单位产品：单晶硅片的单位产品为片。
6.5 批质量：以每百单位产品的不合格品数（即片）计算。
6.6 抽样方法：采取随机抽样的方法抽取。
6.7 检验项目：为本标准第4.1、4.2、4.3条。
6.8 抽样方案：采用正常检验一次抽样方案。
检验水平、接收质量限（AQL）见表6。
6.9逐批检验时，正常检验一次抽样方案按GB/T 2828.1-2003中表2-A制定出的表7进行操作。
表7：正常检验一次抽样方案
6.10 检验结果判定
当样本检验中发现的不合格数小于或等于其对应的接收数（Ac）时，则判定该批产品为可接收。
如果样本中发现的不合格数大于或等于其对应的拒收数（Re）时，则判定该批产品为不可接收。
7 标志、包装、运输和储存
7.1 标志
单晶硅片合格证标志内容如下：
a)泰州德通电气有限公司标志；
b)规格；
c)电阻率；
d)编号；
e)数量；
f)厚度；
g)日期；
h)分选员和检验员。
7.2 包装
单晶硅片每400片装入塑料泡沫包装盒内，每4只塑料泡沫包装盒装入瓦楞纸板外包装箱。
7.3 运输
运输工具应干燥、防雨，装卸时应轻拿、轻放，避免挤压，堆高限层应小于4层。
7.4 储存
产品应在清洁、干燥、常温的库房中存放，并按等级和规格分别堆放，堆高限层应小于4层。
