200mm单晶硅片几何尺寸

单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板详细参数：单晶硅太阳能板100W尺寸：963x805x35MM净重：11KGS工作电压：33.5V 工作电流：2.99A开路电压：41.5V短路电流：3.57A蓄电池：24v二、产品特点：采用平均转换效率在15%^上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合IEC61215和电气保护II级标准。

太阳能电池转换效率高。

而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。

太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装，气密性、耐候性好，抗腐蚀。

阳极氧化铝边框：机械强度高，具有良好的抗风性和防雹性，可在各种复杂恶劣的气候条件下使用，便于安装。

太阳能电池板在制造时，先进行化学处理，表面做成了一个象金字塔一样的绒面，能减少反射，更好地吸收光能。

采用双栅线，使组件的封装的可靠性更高。

太阳能电池板阵列抗冲击性能佳，符合IEC国际标准。

太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA材料以及TPT复合材料，组件气密性好，抗潮，抗紫外线好，不容易老化。

直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。

带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度：-40 C〜+90C 使用寿命可达20年以上，衰减小于20% 三、问题集锦：1、什么是太阳能电池答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。

现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99. 99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。

硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。

太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。

2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。

凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。

3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。

本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。

3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。

一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。

符号为ρ，单位为Ω·cm 。

3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。

排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。

3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。

又称少数载流子寿命，简称少子寿命。

寿命符号τ，单位为μs 。

3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。

连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。

在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。

3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。

3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。

太阳能级单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级单晶硅片的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。

本标准适用于太阳能电池用的太阳能级单晶硅片（以下简称单晶硅片）。

2 规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。

凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可以使用这些文件的最新版本。

凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。

GB/T 2828.1-2003 计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划3 术语和定义3.1本产品导电类型为p-型半导体硅片导电类型是指半导体材料中多数载流子的性质所决定的导电特性，本产品导电类型是p-型半导体，其多数载流子为空穴的半导体。

3.2杂质浓度单位体积内杂质原子的数目。

本产品的主要杂质是指氧含量、碳含量。

3.3体电阻率单位体积的材料对于两平行面垂直通过的电流的阻力。

一般来说，体电阻率为材料中平行电流的电场强度与电流密度之比。

符号为ρ，单位为Ω·cm 。

3.4四探针测量材料表面层电阻率的一种探针装置。

排列成一直线、间距相等的四根金属探针垂直压在样品表面上，使电流从两外探针之间通过，测量两内探针的电位差。

3.5寿命晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔，它等于非平衡少数载流子浓度衰减到其始值的1/e(e=2.718)所需的时间。

又称少数载流子寿命，简称少子寿命。

寿命符号τ，单位为μs 。

3.6孪晶在晶体中晶体是两部分，彼此成镜象对称的晶体结构。

连接两部分的界面称为孪晶或孪晶边界。

在金刚石结构中，例如硅，孪晶面为（111）面。

3.7单晶不含大角晶界或孪晶界的晶体。

3.8直拉法（CZ）本产品单晶硅的生长方式为直拉法，其工艺为沿着垂直方向从熔体中拉制单晶体的方法，又称切克劳斯基法，表示符号为CZ。

硅⽚知识硅⽚等级标准⼀、优等品1：硅⽚表⾯光滑洁净。

2：TV：220±20µm。

3：⼏何尺⼨：边长125±ffice:smarttags" />同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1mm。

垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.3。

⼆、合格品⼀级品：1：表⾯有少许污渍、轻微线痕。

2：220±20µm ≤TV≤220±30µm。

3：⼏何尺⼨：边长125±0.5mm；对⾓150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；边长103±0.5mm、对⾓135±0.5mm；边长150±0.5mm 、156±0.5mm、对⾓203±0.5mm、200±0.5mm。

同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1.2mm。

垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.5。

⼆级品：1：表⾯有少许污渍、线痕、凹痕，轻微崩边。

2：220±30µm ≤TV≤220±40µm。

3：凹痕：硅⽚表⾯凹痕之和≤30µm。

4：崩边范围：崩边⼝不是三⾓形状，崩边⼝长度≤1mm，深度≤0.5mm5：⼏何尺⼨：边长125±0.52mm；对⾓150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；边长103±0.52mm、对⾓135±0.52mm；边长150±0.52mm 、156±0.52mm、对⾓203±0.52mm、200±0.52mm。

同⼼度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm。

垂直度：任意两边的夹⾓：90°±0.8。

三级品：1：表⾯有油污但硅⽚颜⾊不发⿊，有线痕和硅落现象。

硅抛光片的几何参数及一些参数定义集成电路硅片的规格要求比较严格，必须有一系列参数来表示和限制。

主要包括：硅片的直径或边长，硅片的厚度、平整度、翘曲度及晶向的测定，下面分别一一讨论。

1.硅片的直径（边长），硅片的厚度是硅片的重要参数。

如果硅片的直径（边长）太大，基于硅片的脆性，要求厚度增厚，这样就浪费昂贵的硅材料，而且平整度难于保证，对后续加工及电池的稳定性影响较大，再说单晶硅的硅锭直径也很难产生很大；直径或边长太小，厚度减小，用材少，平整度相对较好，电池的稳定性较好，但是硅片的后续加工会增加电极等方面的成本。

一般情况下，太阳能电池的硅片是根据硅锭的大小设置直径或边长的大小，一般的圆形单晶、多晶硅硅片的直径为（76.2mm）或（101.6mm），而单晶正方形硅片的边长为100mm、125mm、150mm；多晶正方形硅片的边长为100mm、150mm、210mm。

2.硅片的平整度是硅片的最重要参数，它直接影响到可以达到的特征线宽和器件的成品率。

对于太阳能硅片则影响转换效率和寿命，不同级别集成电路的制造需要不同的平整度参数，平整度目前分为直接投影和间接投影，直接投影的系统需要考虑的是整个硅片的平整度，而分步进行投影的系统需要考虑的是投影区域的局部的平整度。

太阳能硅片要求较低，硅片的平整度一般用TIR和FPD这两个参数来表示。

（1）TIR(TotalIndicationReading)表示法对于在真空吸盘上的硅片的上表面，最常用的参数是用TIR来表示。

如图一所示，假定一个通过对于硅片的上表面进行最小二次方拟合得到的参考平面，TIR定义则为相对于这一参考平面的最大正偏差与最大负偏差之和。

TIR=a+b图一、TIR 和FPD 的定义图二、BOW 的定义（2）FPD(Focal Plane Deviation)表示法如果选择的参考面与掩膜的焦平面一致，FPD 定义则是相对于该参考面的正或负的最大偏差中数值较大的一个，如图一所示。

单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板详细参数：单晶硅太阳能板200W尺寸：1559x798x35MM净重：15KGS工作电压：40V工作电流：5.25A开路电压：47.7V短路电流：5.75A蓄电池：24v二、产品特点：采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合IEC61215和电气保护II级标准。

太阳能电池转换效率高。

而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。

太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装，气密性、耐候性好，抗腐蚀。

阳极氧化铝边框：机械强度高，具有良好的抗风性和防雹性，可在各种复杂恶劣的气候条件下使用，便于安装。

太阳能电池板在制造时，先进行化学处理，表面做成了一个象金字塔一样的绒面，能减少反射，更好地吸收光能。

采用双栅线，使组件的封装的可靠性更高。

太阳能电池板阵列抗冲击性能佳，符合IEC国际标准。

太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA材料以及TPT复合材料，组件气密性好，抗潮，抗紫外线好，不容易老化。

直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。

带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度：-40℃～+90℃使用寿命可达20年以上，衰减小于20%。

三、问题集锦：1、什么是太阳能电池答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。

现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99.99998%，也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。

硅材料是用二氧化硅（SiO2，也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。

单晶硅片的技术标准1 范围本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本要求适用于单晶硅片的采购及其检验。

2 规范性引用文件ASTM F42-02 半导体材料导电率类型的测试方法ASTM F26 半导体材料晶向测试方法F84 直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法ASTM F1391-93 太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法ASTM F121-83 太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法ASTM F 1535 用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子复合寿命的实验方法3 术语和定义TV ：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；TTV :总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差（标准测量是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mn处4点和中心点）；位错:晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密度：单位体积内位错线的总长度（cm/cm3），通常以晶体某晶面单位面积上位错蚀坑的数目来表示；崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。

密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条4分类单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125’ 1251 （mm）125’ 125 H （mm）156’ 156（mm。

5技术要求外观见附录表格中检验要求。

外形尺寸方片TV为200士20 um,测试点为中心点；方片TTV小于30um,测试点为边缘6mn处4点、中心1点；硅片TTV以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚度的15%相邻C段的垂直度：90°士；其他尺寸要求见表1。

表1单晶硅片尺寸要求图1硅单晶片尺寸示意图材料性质导电类型:硅片电阻率：见下表；硅片少子寿命：见下表（此寿命为2mmf羊片钝化后的少子寿命）；晶向：表面晶向<100>+/°;位错密度w 3000pcs/cm2;氧碳含量：氧含量w 20ppma碳含量w。

单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板详细参数：单晶硅太阳能板200W尺寸：1559x798x35MM净重：15KGS工作电压：40V工作电流： 5.25A开路电压：47.7V短路电流： 5.75A蓄电池：24v二、产品特点：采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合IEC61215 和电气保护II 级标准。

太阳能电池转换效率高。

而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。

太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装，气密性、耐候性好，抗腐蚀。

阳极氧化铝边框：机械强度高，具有良好的抗风性和防雹性，可在各种复杂恶劣的气候条件下使用，便于安装。

太阳能电池板在制造时，先进行化学处理，表面做成了一个象金字塔一样的绒面，能减少反射，更好地吸收光能。

采用双栅线，使组件的封装的可靠性更高。

太阳能电池板阵列抗冲击性能佳，符合IEC 国际标准。

太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA材料以及TPT复合材料，组件气密性好，抗潮，抗紫外线好，不容易老化。

直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS 塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。

带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度：-40 C〜+90 C使用寿命可达20年以上，衰减小于20%三、问题集锦：1、什么是太阳能电池答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。

现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有碲华镉电池、铜铟硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99.99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。

硅材料是用二氧化硅（SiO2,也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。

光伏单晶硅片尺寸光伏单晶硅片是太阳能电池板的核心组件，其尺寸是影响太阳能电池板性能和效率的重要因素之一。

本文将从不同角度探讨光伏单晶硅片的尺寸对太阳能电池板的影响。

一、尺寸对光伏单晶硅片的制造成本的影响光伏单晶硅片的制造成本与其尺寸密切相关。

通常情况下，光伏单晶硅片的制造成本与硅材料的使用量成正比。

因此，较大尺寸的光伏单晶硅片相比于较小尺寸的光伏单晶硅片，制造成本会相对较高。

然而，随着制造技术的进步和规模化生产的推广，光伏单晶硅片尺寸的增大也能够带来经济效益。

二、尺寸对太阳能电池板功率输出的影响光伏单晶硅片的尺寸直接影响着太阳能电池板的功率输出。

一般来说，较大尺寸的光伏单晶硅片能够提供更大的光吸收面积，从而捕捉更多的太阳能，并将其转化为电能。

因此，相对于较小尺寸的光伏单晶硅片，较大尺寸的光伏单晶硅片能够输出更高的功率，实现更高的太阳能转化效率。

三、尺寸对太阳能电池板结构设计的影响光伏单晶硅片的尺寸也对太阳能电池板的结构设计产生影响。

较大尺寸的光伏单晶硅片需要更多的支撑材料以保证其稳定性和强度，这可能导致太阳能电池板的结构设计更为复杂。

而较小尺寸的光伏单晶硅片则可以更灵活地适应不同的结构设计要求。

四、尺寸对太阳能电池板安装和维护的影响光伏单晶硅片的尺寸也会对太阳能电池板的安装和维护带来一定影响。

较大尺寸的光伏单晶硅片可能需要更大的安装空间和更牢固的支撑结构，增加了安装的难度和成本。

而较小尺寸的光伏单晶硅片则可以更方便地安装和维护，适用于一些空间有限的场合。

光伏单晶硅片的尺寸对太阳能电池板的制造成本、功率输出、结构设计以及安装和维护等方面都有一定的影响。

在实际应用中，需要综合考虑这些因素，选择合适尺寸的光伏单晶硅片，以实现太阳能电池板的高效能转化和稳定运行。

随着技术的进步和市场的需求，相信光伏单晶硅片尺寸的优化将进一步推动太阳能发电产业的发展。

太阳能硅片尺寸演变
太阳能硅片尺寸演变从最早的125mm开始，一路变大，先后经历了156mm、158.75mm、166mm等一系列尺寸。

2013年底，五个主要厂家牵头统一了标准为M1（边距156.75mm，直径205mm）和M2（边距156.75mm，直径210mm）硅片。

除了M1、M2将边距上调至156.75mm之外，M2又进一步减小单晶硅片倒角，增大了对角，以此在不改变组件尺寸的情况下，通过提升2.2%的硅片面积使组件功率提升了一个档（5Wp以上）。

目前市场上出现两种主流尺寸：G1方单晶（边距158.75mm）和M6（边距166mm）大硅片；G1方单晶本质上和M6尺寸是一样的，区别只是在于是否保留硅片的倒角。

硅片的特征尺寸1. 硅片概述硅片是一种重要的半导体材料，广泛应用于电子和光电子器件制造。

它具有优异的半导体特性和可控的电学性能，因此被广泛用于集成电路、太阳能电池、传感器等领域。

2. 硅片制备过程硅片的制备过程主要包括原料准备、单晶生长、切割和抛光等步骤。

2.1 原料准备硅片的原料主要是高纯度的多晶硅。

多晶硅通过化学方法提纯，去除杂质，得到高纯度的硅块。

2.2 单晶生长单晶生长是指将高纯度硅块通过熔融法或气相沉积法生长成大尺寸、高质量的单晶硅。

在熔融法中，将多晶硅块放入石英坩埚中，在高温下加热，使其熔化。

然后，在合适的条件下，将石英坩埚缓慢冷却，使熔融硅逐渐结晶成单晶硅。

2.3 切割在单晶生长完成后，需要将单晶硅切割成薄片，即硅片。

切割可以使用钻石刀片或线锯等工具进行。

2.4 抛光切割后的硅片表面存在一定的粗糙度和杂质，需要进行抛光处理。

抛光过程中，使用研磨液和研磨机械将硅片表面不断磨去，直到得到平整、光滑的表面。

3. 硅片的特征尺寸硅片的特征尺寸是指其在制造过程中所需的关键尺寸参数。

这些参数对于器件性能和制造工艺有重要影响。

3.1 直径硅片的直径是指切割后的圆形硅片的直径大小。

常见的硅片直径有2英寸、4英寸、6英寸、8英寸等。

随着技术进步，硅片直径逐渐增大，以提高集成度和降低制造成本。

3.2 厚度硅片的厚度是指切割后薄片的厚度大小。

常见的硅片厚度有0.5毫米、0.3毫米、0.2毫米等。

硅片的厚度对于器件性能和制造工艺都有重要影响，较薄的硅片可以提高器件速度和降低功耗。

3.3 表面粗糙度硅片的表面粗糙度是指硅片表面的平整程度。

通常使用Ra值来描述表面粗糙度，Ra值越小表示表面越光滑。

表面粗糙度对于光电子器件尤其重要，因为它直接影响到光学性能。

3.4 掺杂浓度硅片的掺杂浓度是指在制备过程中向硅中引入掺杂物的浓度。

掺杂可以改变硅片的导电性能，并用于制造PN结、MOS结构等器件。

常见的掺杂物有磷、硼等。

单晶硅太阳能电池板，铝合金边框，钢化玻璃面板详细参数：单晶硅太阳能板100W尺寸：963x805x35MM净重：11KGS工作电压：33.5V工作电流：2.99A开路电压：41.5V短路电流：3.57A蓄电池：24V二、产品特点：采用平均转换效率在15%以上的优质单晶硅太阳电池单片，具有优良的弱光响应性能，符合IEC61215和电气保护II级标准。

太阳能电池转换效率高。

而且太阳能电池板阵列一次性性能佳。

太阳能电池板阵列的表面采用高透光绒面钢化玻璃封装，气密性、耐候性好，抗腐蚀。

阳极氧化铝边框：机械强度高，具有良好的抗风性和防雹性，可在各种复杂恶劣的气候条件下使用，便于安装。

太阳能电池板在制造时，先进行化学处理，表面做成了一个象金字塔一样的绒面，能减少反射，更好地吸收光能。

采用双栅线，使组件的封装的可靠性更高。

太阳能电池板阵列抗冲击性能佳，符合IEC国际标准。

太阳能电池板阵列层之间采用双层EVA材料以及TPT复合材料，组件气密性好，抗潮，抗紫外线好，不容易老化。

直流接线盒：采用密封防水、高可靠性多功能ABS塑料接线盒，耐老化防水防潮性能好；连接端采用易操作的专用公母插头，使用安全、方便、可靠。

带有旁路二极管能减少局部阴影而引起的损害。

工作温度：-40C〜+90C使用寿命可达20年以上，衰减小于20%。

三、问题集锦：1、什么是太阳能电池答：太阳能电池是基于半导体的光伏效应将太阳辐射直接转换为电能的半导体器件。

现在商品化的太阳能电池主要有以下几种类型：单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池，目前还有确华镉电池、铜锢硒电池、纳米氧化钛敏化电池、多晶硅薄膜太阳能电池及有机太阳能电池等。

晶体硅（单晶、多晶）太阳能电池需要高纯度的硅原料，一般要求纯度至少是99.99998%,也就是一千万个硅原子中最多允许2个杂质原子存在。

硅材料是用二氧化硅（SiO2,也就是我们所熟悉的沙子）作为原料，将其熔化并除去杂质就可制取粗级硅。

要看棒子直径的，因为不同的直径，1公斤拉的长度不一样，1公斤6寸理论长度是24.3mm，而6.5寸理论长度是20.08mm，而8寸理论长度是13.67mm。

又因为线切的线槽是0.33mm，所以1公斤6寸的理论上能切24.3/0.33=73.64片，6.5寸是20.08/0.33=60.85片，8寸是13.67/0.33=41.42片。

实际生产中还有破片等情况，所以实际片数与理论值不一样。

实际片数一般要比理论片少个2-5片左右。

滚珠丝杠副的安装与使用一、润滑为使滚珠丝杠副能充分发挥机能，在其工作状态下，必须润滑，润滑方式主要有以下两种：润滑脂润滑脂的给脂量一般是螺母内部空间容积的1/3，我厂滚珠丝杠副出厂时在螺母内部已加注GB7324-94 2#锂基润滑脂；润滑油润滑油的给油量标准如表16所示，但是随行程、润滑油的种类、使用条件（热抑制量）等的不同而有所变化。

请注意使用。

表16 润滑油的给油量标准（间隔3分钟）轴颈(mm) 给油量(cc)4～8 0.0310～14 0.0515～18 0.0720～25 0.1028～32 0.1536～40 0.2545～50 0.3055～63 0.4070～100 0.50100～160 0.60二、防尘滚珠丝杠副与滚动轴承一样，如果污物及异物进入就很快使它磨耗，成为破损的原因。

因此，考虑有污物异物（切削碎削）进入时，必须采用防尘装置（折皱保护罩、丝杠护套等），将丝杠轴完全保护起来。

另外，如没有异物，但有浮尘时可在滚珠螺母两端增加防尘圈，请用户根据需要按编号规则选定合适规格型号。

三、使用滚珠丝杠副在使用时应注意以下事项：滚珠螺母应在有效行程内运动，必要时要在行程两端配置限位，以避免螺母越程脱离丝杠轴而使滚珠脱落。

如螺母脱离丝杠轴或滚珠脱落，请与我厂联络。

滚珠丝杠副由于传动效率高，不能自锁，在用于垂直方向传动时，如部件重量未加平衡，必须防止传动停止或电机失电后，因部件自重而产生的逆传动。

CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY1．画出一50cm 长的单晶硅锭距离籽晶10cm 、20cm 、30cm 、40cm 、45cm 时砷的掺杂分布。

（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm -3） 2．硅的晶格常数为5.43?．假设为一硬球模型： (a)计算硅原子的半径。

(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm -3)?(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。

3．假设有一l0kg 的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm 的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?4．一直径200mm 、厚1mm 的硅晶片，含有5.41mg 的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?(b)硼原子间的平均距离。

5．用于柴可拉斯基法的籽晶，通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长的开始。

如果硅的临界屈服强度为2×106g/cm2，试计算此籽晶可以支撑的200mm 直径单晶硅锭的最大长度。

6．在利用柴可拉斯基法所生长的晶体中掺入硼原子，为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶端的浓度高?7．为何晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的大?8．对柴可拉斯基技术，在k 0=0.05时，画出C s /C 0值的曲线。

9．利用悬浮区熔工艺来提纯一含有镓且浓度为5×1016cm -3的单晶硅锭。

一次悬浮区熔通过，熔融带长度为2cm ，则在离多远处镓的浓度会低于5×1015cm -3？10．从式L kx s e k C C /0)1(1/---=，假设k e =0.3，求在x/L=1和2时，C s /C 0的值。

11．如果用如右图所示的硅材料制造p +-n 突变结二极管，试求用传统的方法掺杂和用中子辐照硅的击穿电压改变的百分比。

12．由图10.10，若C m =20％，在T b 时，还剩下多少比例的液体?13．用图10.11解释为何砷化镓液体总会变成含镓比较多?14．空隙n s 的平衡浓度为Nexp[-E s /(kT)]，N 为半导体原子的浓度，而E s 为形成能量。