铀的阴极真空蚀刻

真空渗碳铼带用于痕量铀同位素比的测量徐常昆;陈彦;李力力【摘要】离子化效率低是制约热电离质谱(T IM S)准确测量痕量铀同位素比的主要因素之一.对铼带进行渗碳处理能够增强铀的离子化效率,从而提高T IM S测量痕量铀的能力.本研究采用简易的渗碳装置,在不同条件下对铼带进行渗碳处理.采用全蒸发法测量痕量铀样品的离子化效率及同位素比,对比不同渗碳条件对离子化效率及质量歧视系数的影响.较优的渗碳条件为:苯蒸气压0.1 Pa,渗碳电流2.5 A,渗碳时间1 h.采用这种铼带对10 pg铀样品的离子化效率可达0.25％,约是双带法的5倍.对于10 pg样品,235 U/238 U测量的外精度在1％以内,234 U/238 U、236U/238 U测量的外精度小于5％.渗碳铼带还能够实现对1～2 pg铀样品的测量,对1 pg的CRM020A、2 pg的IRMM184样品,235 U/238 U测量的外精度小于1％,234 U/238 U测量的外精度小于5％.【期刊名称】《质谱学报》【年(卷),期】2019(040)005【总页数】7页(P460-466)【关键词】渗碳铼带;热电离质谱法(TIMS);全蒸发;离子化效率;痕量铀【作者】徐常昆;陈彦;李力力【作者单位】中国原子能科学研究院,北京 102413;中国原子能科学研究院,北京102413;中国原子能科学研究院,北京 102413【正文语种】中文【中图分类】O657.63铀的第一电离电位较高，较难电离，在使用热电离质谱(TIMS)进行测量时，需要采用适当的方法增强铀的离子化效率[1]。

通常采用的方法是双带法，此外还可使用树脂微球[2]、含碳发射剂[3-4]、电镀法[5]、磷酸发射剂[6]、微孔离子发射剂[7]等。

双带法的操作较复杂、测量温度高、灵敏度一般，多用于μg量级铀样品的测量；而对于痕量铀样品的测量，添加发射剂可以有效增强样品的离子化效率，但一些发射剂容易引入本底干扰，影响测量结果。

铀及铀合金的防腐电镀层的研究
电镀层可以为铀及铀合金提供有效的保护，影响镀层对基体的防腐蚀性能的关键因素是镀层的致密性和结合力。

三氯化铁蚀刻剂能提供适宜的表面粗糙度而使镀层与基体形成良好的机械结合，而且较为稳定。

在水和氯化物溶液中，致密的镍镀层对铀及铀合金呈现出一定的物理保护作用，一旦有了孔隙，则腐蚀速度将因局部电偶腐蚀而增加。

锌镀层对铀及铀合金提供了牺牲阳极的电化学保护。

经铬酸盐钝化的Ni+Zn镀层，对铀及铀合金呈现出最佳的物理保护和牺牲阳极保护。

Zn-Ni合金镀层尽管自身耐蚀性很好，能对铀及铀合金提供物理屏障及牺牲阳极的双重保护作用，但存在镀层致密性和钝化问题以致其对铀及铀合金的防护能力不及Ni+Zn双重镀层。

随着Zn-Ni合金电镀及钝化工艺的成功研究，Zn-Ni合金必将发挥其优越的防腐蚀性能而在铀及铀合金的防腐蚀方面得到充分应用。

铀及铀合金的防腐蚀电镀层都存在镀层致密性较差的问题，这主要是电镀过程中阴极副反应氢分子的吸附所致。

为了进一步提高镀层的致密性，改善镀层的物理化学性能，可以采用脉冲电镀来获取结晶更细致、镀层内应力更低、氢含量更低的性能优良的镀层。

另外，应采用无氰镀锌来消除氰化物的危害。

电辅助强化浸出低品位铀矿中铀的实验研究低品位铀矿因铀含量低、硅酸盐对铀的严重包裹以及存在大量的难溶的四价铀U（Ⅳ）,导致铀的回收极其困难。

本研究提出了电辅助强化浸出低品位铀矿中铀的工艺,其基本原理是以金属铁为阳极,惰性石墨为阴极,在电场作用下促进阳极铁的逐步溶解而提供氧化剂Fe³⁺,将U（Ⅳ）转化为U（Ⅵ）,同时利用电场促进杂质离子向电极迁移,降低杂质离子在浸出过程中形成的沉淀对矿物颗粒表面包裹的影响。

重点研究了电辅助工艺参数对铀浸出率的影响,通过查明浸出过程中铀矿的工艺矿物学性质变化,探讨了电辅助对铀浸出的影响机理,构建了电辅助浸出的动力学方程,获得的主要结果如下:电辅助工艺参数研究结果表明,电辅助强化浸出能显著提高铀的浸出率,电极材料、浸出温度、硫酸浓度是影响铀浸出的主要因素。

在优化条件下,电辅助强化浸出比直接酸浸的铀浸出率增加了38%。

浸出过程中铀矿的工艺矿物学研究结果表明,常规酸浸下铀矿的物相组成及形貌结构未有明显变化,而电辅助浸出过程能降低部分硅酸盐矿物的结晶度,促进矿物颗粒表面孔隙的形成,提高了铀的解离率。

低品位铀矿的浸出动力学研究结果表明,直接酸浸和电辅助浸出的反应过程均受外扩散控制,表观活化能分别为12.839 k J/mol和12.88706k J/mol,浸出动力学方程分别为1-^2/3a-（1-α）^2/3=Kdt=K0（H₂SO₄）^-2.39885（S/L）^-2.47553 e^-1544.29/T t和1-^2/3a-（1-α）^2/3=Kdt=k0（H₂SO₄）^0.6398（S/L）^-13.69754 e^-1549.95558/T t,说明电辅助强化浸出的表观活化能比常规酸浸高,说明电辅助强化浸出对铀浸出率和反应速率的提高都优于常规酸浸条件。

HG-AFS法测定铀钼矿钼反萃取液、净化液中砷含量周京霞;杜振霞【摘要】Arsenic in the uranium molybdenum ore molybdenum reverse extract liquid,purify liquid was determined by hydride generation-atomic fluorescence spectrometric method. Instument main working conditions were as follows:negative high voltage 280 V, lamp current 60 mA, atomization device height 9 mm, the carrier gas flow rate 400 mL/min, the sheielding gas flow rate 1 000 mL/min. Arsenic mass concentration was linear with fluorescence intensity in the range of 0–40 µg/L, r=0.999 8. Detection limit of As was 0.037 µg/mL,the relative standard deviation was less than 5%(n=6), addtion recovery rate was 90.5%–102.5%. For solution of molybdenum with acid and heteropoly acid and other oxides exist, thiourea ascorbic acid mixed solution was taken for prereduction. The uranium did not affect the determination of arsenic as its content in the solution was about 0.1 g/L. The method can be used for determination of arsenic which content in the uranium molybdenum ore molybdenum reverse extract liquid,purify liquid is 0.005–4 g/L.% 建立氢化物发生–原子荧光光谱法(HG–AFS)测定铀钼矿钼反萃取液、净化液中砷含量的分析方法。

工业技术科技创新导报 Science and Technology Innovation Herald90金属铀自1789年被发现以来，在核工业领域得到了广泛的应用。

铀具有复杂的5f电子能带结构，化学性质十分活泼，室温环境条件下，即可与空气中的氧和水汽等发生反应，生成铀氧化物和氢化物等腐蚀产物，降低材料的使用性能和服役寿命[1-2]。

铀表面的腐蚀防护已经成为制约其应用的关键工程技术之一。

随着表面科学技术的不断发展，经过多年的摸索和实践积累，我国核材料科研工作者在铀表面腐蚀防护问题上取得了长足的进步，逐步建立起了一整套相对完善的铀表面腐蚀防护技术支撑体系。

该文主要介绍我国在铀表面腐蚀防护技术领域的发展历程，综合比较了各种技术手段的优缺点，并在此基础上对未来铀表面腐蚀防护技术的发展趋势进行了预测。

1 金属铀表面腐蚀防护技术目前，在金属铀的腐蚀防护问题上，国内外普遍采用的是物理阻隔方法，即通过在铀表面形成一定厚度的保护层来阻止材料表面与外界环境的接触。

国内在20世纪60年代初就开始了铀材料的腐蚀与防护研究，按照铀表面保护层形成方式、机理的不同，可以将已有腐蚀防护技术分为电镀、气体表面钝化、表面合金化、离子注入、离子镀膜等几种。

近几年来，随着表面科学技术水平的提高，各种新的复合表面改性处理方法不断涌现，在铀表面腐蚀防护问题上发挥了越来越重要的作用。

1.1 电镀电镀是指以被镀基体金属为阴极，通过电解氧化还原作用，将预镀金属盐类中的阳离子在基体表面沉积出来，形成镀层的一种表面加工方法。

国内从20世纪70年代末开始，就已经进行了铀上电镀化学层的尝试。

鲜晓斌等[3]在铀上进行了电镀Ni-P化学层的工艺研究，扫描电镜和X射线衍射测试结果表明，镀层组织在室温下为稳定的非晶态，局部存在短程有序尺度差异，高温下则转变为N i 和N i 3P 的晶态组织。

王庆富等[4]采用脉冲电镀和氨基磺酸镍镀液在铀表面成功制备出了晶粒尺寸大小约为45.5 n m 的镍镀层。

真空蚀刻技术：一项改良的超细线路蚀刻技术
佚名
【期刊名称】《电子电路与贴装》
【年(卷),期】2004(000)001
【摘要】蚀刻过程是PCB生产过程中基本步骤之一，简单的讲就是基底铜被抗蚀层覆盖．没有被抗蚀层保护的铜与蚀刻剂发生反应，从而被咬蚀掉．最终形成设计线路图形和焊盘的过程，当然．蚀刻原理用几句话就可以轻而易举地描述，但实际上蚀刻技术的实现还是颇具有挑战性，特别是在生产徽细线路时，很小的线宽公差要求，不允许蚀刻过程存在任何差错．因此蚀刻结果要恰到好处，不能变宽。

也不能过蚀。

【总页数】3页(P33-35)
【正文语种】中文
【中图分类】TN405
【相关文献】
1.真空蚀刻技术—一种改良过的适用于生产超精密板的蚀刻技术 [J], 赵英
2.红细胞电镜冷冻蚀刻技术的图像识别及真空喷镀 [J], 钟秀容;陈文列;吴翊钦;慕容慎行
3.线路板蚀刻废液资源化综合利用及废水零排放技术的浅析 [J], 金梁云
4.线路板蚀刻废液提铜后的废水处理技术改进及应用 [J], 王永成;方益民;吴阳东;刘杨
5.印制线路板蚀刻废液资源化处理零排放技术 [J], 罗文浩
因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。