芯片工艺流程图及说明

晶片镀膜甩胶清洗2
3
酸洗1
去胶甩胶曝光6
7
显影烘烤8
绿色 GaN--P 层 0.63μm (带低掺杂）黄色 GaN--N 层1.6μm 深灰 蓝宝石衬底430μm
透明电极层（梅红色） Ni=20Å，Au=90Å光刻胶（浅橘色）Primer +S1818
LED芯片工艺流程图
C9 Led-B375/325-Mesa
光刻胶（棕黄色） Primer +SPR220-3.0
曝光
SiO2钝化膜甩胶显影11前烘烘烤
1213
灰色 SiO2 PTI 700，200º C，1,000 Å
甩胶曝光氧等离子
16显影预清洗
17N极镀膜
18
光刻胶（红色）
镀N极电极（宝石蓝）曝光P极镀膜
显影22剥离
2123
镀引线电极（金色） Ti=200 Å / Au=10,000 Å
曝光氧等离子
显影
烘烤蚀刻
45
）Primer +S1818 = 2.05μm
氧等离子体
干法刻蚀去胶
9退火
10
-Mesa
蚀刻深度： 0.9 ± 0.1µm
氧等离子
刻蚀去胶
1415
甩胶
剥离20
退火
19
光刻胶（红色） 电极（宝石蓝）
EV2
蓝膜
研磨
24
1008蓝膜贴在晶园上并等待30分钟。

把1008蓝膜慢慢拉起，并目检
研磨后为95±5μm。

sic功率芯片生产工序解释说明以及概述1. 引言1.1 概述：本篇长文旨在探讨SIC功率芯片的生产工序并进行解释说明。

SIC（碳化硅）功率芯片作为一种新兴的半导体器件，具有高温、高频、高压等特点，广泛应用于电力电子领域。

对于理解和掌握SIC功率芯片的生产工序，能够帮助人们更好地了解其制造过程，进一步推动相关技术与行业的发展。

1.2 文章结构：本文分为四个主要部分：引言、SIC功率芯片生产工序解释说明、SIC功率芯片生产工序概述以及结论。

在引言部分，我们将对文章整体内容进行概述，并介绍各个章节的内容安排。

接下来的章节将详细介绍SIC功率芯片生产工序的具体步骤和关键要点。

最后，在结论部分，我们将总结所述内容，并提出改进建议，展望未来的发展趋势和影响评估。

1.3 目的：本篇长文的目标是全面而详尽地介绍SIC功率芯片生产工序。

通过深入剖析每个环节，并阐明其原理和作用，我们旨在为读者提供一个全面了解SIC功率芯片制造过程的参考资料。

同时，通过总结和展望，我们也希望能够激发研究人员对于SIC功率芯片生产工艺的改进与创新，并促进相关技术与应用的发展。

2. sic功率芯片生产工序解释说明：2.1 工序简介:在sic功率芯片的生产过程中，需要经历一系列的工序。

这些工序包括原材料准备与处理以及芯片制造过程。

通过这些工序，我们能够将原材料转化为功能完整且可靠的sic功率芯片。

2.2 原材料准备与处理:在开始制造sic功率芯片之前，必须对原材料进行准备和处理。

这些原材料主要由硅碳化物和其他必要成分组成。

首先，根据特定的设计需求，需要选择适当的原材料，并确保其质量符合要求。

在原材料处理阶段，常见的处理方法包括机械研磨、溶液混合和高温反应等。

通过这些方法，可以有效地改变原材料的形态和性质，使其更适合后续的加工操作。

2.3 芯片制造过程:一旦原材料准备完成并达到所需规格，接下来就是芯片制造过程。

该过程通常包括以下几个关键步骤：a) 沉积：将经处理的原材料沉积在基板上形成薄膜。

二、封装结构图三、电池片的结构示意图1.金属电极主栅线（正极）；2.金属上电极细栅线；晶体硅组件封装工艺封装结构图4.减反射膜；5.顶区层；6.体区层（基区层）；四、工艺简介及要求A、电池片初选：将从仓库领来的电池片按工艺要求进行初选（以外观尺寸为主）5.作业准备:6.作业指导：并作好标识．7.1检查分好类的片外观、颜色是否对板，员工操作方法是否正确.8.工艺要求（检验标准）8.1电池片外观检测工艺要求：在线100%检测1）单、多晶硅芯片,与表面成35℃角日常光照情况下观察表面颜色，呈“褐色、紫、兰”三色，目目视无明显色差、水痕、手印。

2）电极图形清晰、完整、断线形。

背电极完整，无明显凸起的“铝珠”。

3）芯片边缘缺角面积不超过1m㎡，数量不超过3个．4）芯片受光面不规则缺损处面积小于1 m㎡，数量不超过2个5）正放芯片于工作台上，以塞尺测量芯片的弯曲度，“125片”的弯曲度不超过0.75mm.B、划片：以初检好的片为原料，在激光划片机上编好划片程序，对片进行有意图分割1.目的：按工艺要求的电性能及尺寸将电池片切割成所需要的产品2.所需工具及工装：激光划片机、标识签、物料盒、游标卡尺、镊子、酒精、无尘布。

3.材料：初检好的芯片4.工人劳保配置：防尘工服、工鞋、工帽、口罩、指套5.作业准备:及时清洁工作台及工作区域地面，做好工艺卫生，工具摆放整齐有序.6.作业指导：6.1按操作规程开启激光划片机，检查设备是否正常6.2输入相应程序6.3在不出激光情况下试走一个循环，确认设备运行系统正常6.4将白纸置于工作台面上，输出激光，调焦距和起始点6.5置白纸于工作台上，出激光（使纸边紧贴X轴、Y轴基线上，并不能弯曲）试走一个循环6.6取下白纸用卡尺测量到精确为止6.7置电池片于工作台面上（片背面向上），输出激光，调电流进行切割，试划浅色线条后再次测量确认电池片大小是否在工艺允许的公差范围内。

6.8工作完成后，按设备操作规程关机7.作业过程中检查：7.1检查电池片外观完整与否，尺寸大小是否符合工艺要求7.2检查电池片是否存在隐裂8.工艺要求（检验标准）8.1片的切割面不得有锯齿现象8.2激光切割深度目测为电池片厚度的2/3，电池片尺寸公差为±0.02mm8.3每次作业时必须更换手指套，不得裸手角电池片，保持电池片干净C、电池分选：通过测试电池的电气参数对其进行分类1.目的：通过分类是为了有效的将外观、性能或相近的电池组合在一起，以提高电池的利用率，做出高品质的电池组件。

COB工艺制程简介1.芯片的焊线连接：1.1芯片直接封装简介：现代消费性电子产品逐渐走向轻、薄、短、小的潮流下，COB（Chip On Board）已成为一种普遍的封装技术。

COB的关键技术在于Wire Bonding（俗称打线）及Molding （封胶成型），是指对裸露的集成电路芯片(IC Chip)，进行封装，形成电子组件的制程，其中IC藉由焊线(Wire Bonding)、覆晶接合(Flip Chip)、或卷带接合(Tape Automatic Bonding；简称TAB)等技术，将其I/O经封装体的线路延伸出来。

集成电路芯片必须依照设计和外界的电路连接，方能成为具有一定功能的电子组件就如我们所看到的"IC"就是这种已封装好、有外引脚的封装的集成电路。

1.2芯片的焊线连接方式简介：IC芯片必须与封装基板完成电路连接才能发挥既有的功能，现时市面上流行的焊线连接方式有三类 :打线接合(Wire Bonding)、卷带自动接合(Tape Automated Bonding，TAB)与覆晶接合(Flip Chip，FC)，分述如下：1.2.1打线接合（Wire Bonding）打线接合是最早亦为目前应用最广的技术，此技术首先将芯片固定于导线架上，再以细金属线将芯片上的电路和导线架上的引脚相连接。

而随着近年来其它技术的兴起，打线接合技术正受到挑战，其市场占有比例亦正逐渐减少当中。

但由于打线接合技术之简易性及便捷性，加上长久以来与之相配合之机具、设备及相关技术皆以十分成熟，因此短期内打线接合技术似乎仍不大容易为其它技术所淘汰。

图1.2a打线接合的示意图1.2.2卷带式自动接合（Tape Automated Bonding，TAB）卷带式自动接合技术首先于1960年代由通用电子（GE）提出。

卷带式自动接合制程，即是将芯片与在高分子卷带上的金属电路相连接。

而高分子卷带之材料则以polyamide为主，卷带上之金属层则以铜箔使用最多。