模拟电子技术_放大电路分析-小信号模型分析法

试卷四一. 选择合适答案填入空内.(每空2分,共20分)1. u GS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有________。

A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管2.已知图所示电路中V CC=12V，Rc=3KΩ，静态管压降U CEQ=6V；并在输出端加负载电阻R L，其阻值为3KΩ。

若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将____。

A.R w减小B.R c减小C.V CC减小3.选用差动放大电路的原因是____。

A.克服温漂B.提高输入电阻C.稳定放大倍数4. 集成运放制造工艺使得同类半导体管的______。

A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一致性好5. 当信号频率等于放大电路的f L或f H时，放大倍数的值约下降到中频时的_____。

A.0.5B.0.7C.0.9即增益下降_____。

A.3dBB.4dBC.5dB6. 交流负反馈是指_____。

A.阻容耦合放大电路中所引入的负反馈B.只有放大交流信号时才有的负反馈C.在交流通路中的负反馈7. 若图所示电路中晶体管饱和管压降的数值为∣U CES∣，则最大输出P om=_______。

8. 在整流电路中，是利用二极管的单相导通性将交流电转变为（）A.脉动的直流电B.电压C.电量D.功率9.电压串联反馈与电流串联反馈的放大类型为（）A.电压、互阻B.电压、互导C. 电流、互导D.电流、互阻二. 判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入空内. (每空1分,共10分)1. 结型场效应管外加的栅—源电压应使栅—源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS大的特点。

（）2. 电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；（）3.只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度变化而变化。

（ C ）4.有源负载可以增大放大电路的输出电流。

（ Y ）5. 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。

课程教学大纲课程名称：模拟电子技术英文名称：Analog Electronics Technique课程编号：001011003培训对象：（高等教育）课程性质：必修，考试总学时数：理论56学时，实践16学时学分：4开课学期：第二学年春季学期二〇二一年二月一、课程目标本课程授课对象为电子、电气等专业学生，通过本课程的学习，使学员掌握模拟电子技术的基本理论，掌握常用半导体器件及分立元件电路的基本分析方法，掌握集成运算放大器在信号的产生电路、运算电路和处理电路中的应用，培养学员的工程意识和工程思维能力，锻炼学员的实际动手能力，具备初步的工程实践能力和科技创新能力，为后续课程的学习和工作奠定基础。

二、课程设计（一）思路理念《模拟电子技术》是电子、通信等专业的一门重要的专业基础课程，具有较强的理论性和实践性。

着眼于学生未来任职能力和工程实践能力，立足“学生为主、教师为导”课堂教学，夯实基础，学以致用。

使学生通过学习该课程能够做到理论基础扎实、实践能力加强、创新能力提高，对模拟电子电路会读（读懂电路图）、会算（分析计算性能指标）、会选（选取合适器件）、会用（灵活用于实际电子电路），增加学科前沿内容，完善其知识结构和实践技能，培养学员的工程素养和创新能力。

（二）内容设计构建模拟电子技术课程的整体知识框架，注重知识点之间的相互关联，沿“先分立后集成”的主体思路，教学内容由常用半导体器件、常用半导体器件组成的基本放大电路、放大电路的频率特性、放大电路引入反馈对电路性能改善的分析判断、集成运放内部电路、集成运放的线性应用和非线性应用、稳压电源等章节组成。

在一条主线的牵引下，牵引出各章节的相关知识点，层次分明、条理清晰。

准确把握课程的重点和难点内容，并结合实际科研成果和前沿学科内容，拓展模拟电子电路的实际应用，激发学员自主实践的兴趣，注重引导学员利用所学知识解决工程实际问题。

组织学员参加各种科技创新竞赛，培养学员的自主学习能力和科技创新能力。

第二章基本放大电路本章内容简介本章首先讨论半导体三极管（BJT ）的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

随后着重讨论BJT放大电路的三种组态，即共发射极、共集电极和共基极三种放大电路。

内容安排上是从共发射极电路入手，再推及其他两种电路，并将图解法和小信号模型法，作为分析放大电路的基本方法。

（一）主要内容：◊半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种基本组态◊静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响◊用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标◊共集电极电路和共基极电路的工作原理◊三极管放大电路的频率响应（二）教学要点：从半导体三极管的结构及工作原理入手，重点介绍三种基本组态放大电路的静态工作点、动态参数（电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻）的计算方法，H参数等效电路及其应用。

（三）基木要求：◊了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数◊了解半导体三极管放大电路的分类◊掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及动态工作情况◊理解放大电路的工作点稳定问题◊掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响2.1半导体三极管（BJT）2.1.1BJT的结构简介：半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。

结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。

2.1.2BJT的电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。

外部条件：发射结正偏，集电结反偏。

i B =(l_Q )x* a1-a 2.三极管的三种组态共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE 表示。

共基极接法，基极作为 公共电极，用CB 表示。

共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC 表示。

q =必耳=«厶=厶/⑴《）BJT 的三种组态4. 放大作用综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传 输，然后到达集电极而实现的。

1.集成运算放大器是一种高增益直接耦合放大器，他作为基本的电子器件，可以实现多种功能电路，如电子电路中的比例，积分，微分，求和，求差等模拟运算电路。

2.运算放大器工作在两个区域：在线性区，他放大小信号；输入为大信号时，它工作在非线性区，输出电压扩展到饱和值om V 。

3.同向放大电路和反相放大电路是两种最基本的线性应用电路。

由此可推广到求和，求差，积分，和微分等电路。

这种由理想运放组成的线性应用电路输出与输入的关系（电路闭环特性）只取决于运放外部电路的元件值，而与运放内部特性无关。

4.对含有电阻、电容元件的积分和微分电路可以应用简单时间常数RC 电路的瞬态相应，并结合理想运放电路的特性进行分析。

5.PN 结是半导体二极管和组成其他半导体器件的基础，它是由P 型半导体和N 型半导体相结合而形成的。

绝对纯净的半导体掺入受主杂质和施主杂质，便可制成P 型半导体和N 型半导体。

空穴参与导电是半导体不同于金属导电的重要特点。

6.当PN 结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄，有电流流过；而外加反向电压时，耗尽区变宽，没有电流流过或电流极小，这就是半导体二极管的单向导电性，也是二极管最重要的特性。

7.二极管的主要参数有最大整流电流，最高反向工作电压，和反向击穿电压。

在高频电路中，还要注意它的结电容，反向恢复时间，最高工作频率。

8.由于二极管是非线性器件，所以通常采用二极管的简化模型来分析设计二极管电路。

主要有理想模型，恒压降模型，折线模型，小信号模型等。

在分析电路的静态或大信号情况时，根据信号输入的大小，选用不同的模型，只有当信号很微小，且有一静态偏置时，才采用小信号模型。

指数模型主要在计算机模拟中使用。

9.齐纳二极管是一种特殊的二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性，来构成简单的稳压电路，要特别注意稳压电路限流电阻的选取。

齐纳二极管的正想特性和普通二极管相近。

10.其他非线性二段器件，如变容二极管，肖特基二极管，光电、激光、发光二极管等均具有非线性的特点，其中光电子器件在信号处理，存储和传输中获得了广泛的应用。