高效率3.3伏和1.2伏双路输出降压DCDC芯片
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dcdc芯片参数摘要:1.引言2.dcdc 芯片的概念和分类3.dcdc 芯片的主要参数4.dcdc 芯片参数的选择和应用5.结论正文:1.引言在电子设备中,dcdc 芯片是一种常见的电源管理芯片,用于将输入电压转换为所需的输出电压,以满足不同电子设备的电源需求。
了解dcdc 芯片的参数对于选择和使用dcdc 芯片至关重要。
2.dcdc 芯片的概念和分类dcdc 芯片,即直流到直流芯片,是一种电源管理芯片,用于将输入直流电压转换为所需的输出直流电压。
根据工作原理和输出电压的不同,dcdc 芯片可分为多种类型,如降压型、升压型、双向型等。
3.dcdc 芯片的主要参数dcdc 芯片的主要参数包括:(1) 输入电压范围:dcdc 芯片的输入电压范围决定了其可用的电源类型,通常包括最低输入电压、最高输入电压和推荐输入电压。
(2) 输出电压:dcdc 芯片的输出电压决定了其转换后的电源电压,通常有一个最小输出电压和一个最大输出电压。
(3) 输出电流:dcdc 芯片的输出电流决定了其能够提供的最大电流,通常有一个最小输出电流和一个最大输出电流。
(4) 转换效率:dcdc 芯片的转换效率是指其将输入电压转换为输出电压时的能量转换效率,通常以百分比表示。
(5) 输入电压变化率:dcdc 芯片的输入电压变化率决定了其对输入电压变化的响应速度,通常以伏特/秒表示。
(6) 输出电压纹波:dcdc 芯片的输出电压纹波是指其输出电压的波动程度,通常以百分比表示。
(7) 负载调整率:dcdc 芯片的负载调整率决定了其输出电压随负载变化的变化程度,通常以百分比表示。
4.dcdc 芯片参数的选择和应用在选择dcdc 芯片时,应根据实际应用需求选择合适的参数,如输入电压范围、输出电压、输出电流等。
同时,应注意dcdc 芯片的转换效率、输入电压变化率、输出电压纹波和负载调整率等参数,以保证电源的稳定性和可靠性。
在实际应用中,dcdc 芯片可用于各种电子设备的电源管理,如计算机、通信设备、工业控制设备等。
3.3V降压1.5V,3V降压1.5V稳压LDO和DC芯⽚
调输出电压,可采⽤贴⽚电感,节省空间。
PW2052采⽤SOT23-5的便捷封装型号,更适合
与⼩型空间有限制的产品。
PW2058和PW2051,PW2052,PW2053四款的脚位是PIN对PIN的,能在同个PCB布
局板⼦上,灵活切换不同功率输出的电路系统来进⾏测试和验证,很⼤⽅便了⼯程师的前期
测试和开发时间。
PW205X的PCB设计建议和PCB布局图⽚和建议。
和典型应⽤电路图
LDO线性稳压电路图:
PW6566系列是使⽤CMOS技术开发的低压差,⾼精度输出电压,低消耗电
流正电压型电压稳压器。
由于内置有低通态电阻晶体管,因⽽压差低,能够获得较⼤的
输出电流。
为了使负载电流不超过输出晶体管的电流容量,内置了过载电流保护电路、
短路保护电路。
PW6566系列采⽤SOT-23-3L环保材质封装。
.
PW6566系统采⽤固定输出电压:3.3V,3V,2.8V,2.5V,1.8V,1.5V,1.2V等。
9V降压3.3V,12V降压3.3V的DC-DC降压芯片,外围极简3A的LDO,持续稳定输出芯片方案,稳压芯片,开关芯片,低纹波低功耗电源IC,给MCU供电和3A降压IC,给单片机供电和降压方案,降压芯片和电路图方案9V降压3.3V,12V降压3.3V给MCU供电,要求输出电压稳定,低纹波等,9V降压3.3V,12V降压3.3V降压到1A,2A,3A的大电流降压电路芯片,DC-DC降压芯片虽然在静态功耗上比LDO大很多倍,但是LDO线性稳压的特点,所以LDO不适合100MA以上应用,建议用DC-DC降压方案。
DC-DC降压芯片方案的优势,在于能量的降压换效率上,由于DC-DC降压换效率高,普遍90%左右。
在大电流输出功率时,DC-DC做到了LDO无法取代的地步。
LDO线性稳压,由于能量降压换效率在60%左右,能量的损耗就表现在温度上了,降压换成了热量,通过芯片来挥发。
DC-DC降压方案:PW2162是一颗DC-DC同步降压降压换器芯片,输入电压范围4.5V-16V,最大负载电流2A,可调输出电压,频率600kHZ高频率,可采用贴片电感,节省空间,采用SOT23-6封装形式。
PW2162是一颗高效率,高集成的2A同步整流降压降压换器,PW2162可在宽输入电压范围工作:4.5V-16V,可调输出电压,内部集成了MOS管整流,节省了外部肖特基二极管,效率也得到提高。
PW2162典型应用电路图PW2162的PCB布局设计建议:同时PW2163的输入电压最大可以3A,脚位和电路是和一样的。
PW2312是一颗DC-DC同步降压降压换器芯片,输入电压范围4V-30V,最大负载电流1.2A,可调输出电压,频率1.4MHZ高频率,可采用贴片电感,节省空间,采用SOT23-6封装形式。
LDO线性方案:。
LDO产品输入电压输出电压输出电流静态功耗封装PW6566 1.8V~5.5V 1.2V~5V多250mA 2uA SOT23-3PW62184V~18V 3V,3.3V,5V 100MA 3uA Sot23-3PW6206 4.5V~40V 3V,3.3V,5V 150MA 4.2uA Sot23/89PW8600 4.5V~80V 3V,3.3V,5V 150MA 2 uA Sot23-3从上表个来看,最合适的是PW6218;,但是12V和18V的电压接近,可以选用更宽范围的LDO,如PW6206来进行演兵等。
3.3V降压1.2V,3V降压1.2V稳压芯片,降压芯片,芯片,(稳定1.2V,可达3A芯片),(稳定输出,外围简单),稳定可靠芯片选型,电源芯片,高效率大电流电源芯片,
3.3V降压1.2V电源芯片,3V降压1.2V电源芯片,输出电流1A,2A,3A和以下电流的降压芯片表格。
3.3V和3V跟1.2V都是低压,两个之间的压差效率,所以效率和工作温度这块都会比较优秀,输入和输出的最低压差外是越小越好。
1,如果电流比较小,可以用LDO:
PW6566 系列是使用CMOS 技术开发的低压差,高精度输出电压,低消耗电流正电压型电压稳压器。
由于内置有低通态电阻晶体管,因而压差低。
3.3V降压1.2V,可以输出1A以下,1A,2A,3A,3V降压1.2V可以输出1A以下,1A,2A,3A的降压芯片,不同输出电流,芯片内置的整流MOS管也是不一,在成本上也是
0.7A以下,推荐是PW2057,固定输出1.2V版本,外围也是很简单,简洁。
0.8A以下,推荐是PW2058,是性价比除了PW2057外,最高的了
1.5A以下,推荐是PW2051,。
GM2102双路降压转换器芯片GM21021、产品简介GM2102是一款宽输入范围、高效降压转FCOT换器芯片,3.3V输出可提供最大120mA电流,1.2V输出最大可提供120mA电流。
其独创FCOT 技术,减少了外围器件和增加了可靠性在典型负载下可达到最大88%效率,其内置EMI抑制电路,有非常低的EMI噪声,能够满足内置天线的NBIOT以及LoRa等无线小模块对周边EMI要求。
2、应用范围■工业应用■智能电网■智能家居■水表、气表集抄3、特色■工作电压:5~28V■ESD HBM±4KV■典型负载下有88%系统效率■低EMI设计,非常适合内置天线小功率无线系统4、封装类型■EMSOP85、功能引脚定义序号名称说明1VIN电源输入2EN使能3SW1 1.2V开关管端口4VFB1 1.2V反馈5GND地6V3P3 1.2V DCDC输入电压端口7VFB3 3.3V反馈8SW3 3.3V开关管端口6、典型应用电路图1典型应用电路图7、极限参数符号说明大小单位VIN最大电源电压30V SW3 3.3V开关管端口电压GND-0.3~28V SW1 1.2V开关管端口电压GND-0.3~5.5V VFB1 1.1V反馈电压GND-0.3~5.5V VFB3 3.3V反馈电压GND-0.3~5.5VV3P3 3.3V电压GND-0.3~5.5VEN使能电压GND-0.3~5.5VTj最大结温170℃Θja热阻40℃/W Tstg储存温度-60~160℃Pd1最大消耗功率(SOT23-5)0.5WESD HBM4000V 8、电气特性直流特性(VIN=12V,L=3.3uH,TA=+25℃,除非特别注明)参数符号条件最小典型最大单位供电电压VIN71228V空载工作电流IQ400800μAFB反馈电压VFB3 1.1 1.17 1.25V VFB10.650.700.75VFB输入电流VFB3000nA VFB1000nA开关频率FSW 3.3uH电感,负载电流120mA600KHZUVLO VIN=12VVin=3.3V12to3.3dcdc3.3to1.1dcdc52.8VUVLO_HYS0.1V 使能电压EN 2.55V 使能迟滞EN_HYS3V 使能上拉电阻85K R 关断静态电流IQD500u开关导通时间TON VIN=12V,VOUT=3.3VVIN=3.3V,VOUT=1.1V350500nS开关电阻Ron SW3SW1500300mRmR9、典型特性VOUT3P3IL=10~120mAVOUT1P1IL=10~120mAEMI测试,知用EM5030-3探头(20dB衰减),EMI检波方式10、封装外形尺寸EMSOP8广州国梦电子科技有限公司电话:一八六二〇一四〇一五六刘经理E-mail:lyf_gmdz@。
dcdc负电压芯片
DCDC负电压芯片是一种能够将输入电压转化为负电压输出的电子器件。
它通常用于一些特定的应用领域,比如医疗设备、测试仪器、通信设备等。
DCDC负电压芯片一般具备以下特点:
1. 高效率:由于负电压的产生通常需要通过对输入电压进行反相操作,因此DCDC负电压芯片需要具备高效率的转换能力,以减少能量的损耗。
2. 宽输入电压范围:DCDC负电压芯片通常能够适应广泛的输入电压范围,从几伏到几十伏不等。
3. 稳定输出电压:负电压输出需要具备稳定性,以确保被驱动的电路或设备正常运行。
4. 过载和短路保护:为了保证芯片的安全性和可靠性,DCDC
负电压芯片通常会集成过载和短路保护功能,以避免电流过大损坏芯片。
5. 小尺寸和轻量化:为了满足一些轻便设备和紧凑空间应用的需求,DCDC负电压芯片通常会采用小尺寸和轻量化的设计。
总之,DCDC负电压芯片是一种能够将输入电压转换为负电压输出的芯片,具备高效率、宽输入电压范围、稳定输出电压、过载和短路保护等特点。
dcdc芯片参数摘要:一、引言二、dcdc 芯片的定义与作用三、dcdc 芯片的主要参数1.输入电压2.输出电压3.输出电流4.转换效率5.开关频率6.工作温度四、dcdc 芯片参数对性能的影响1.输入电压对性能的影响2.输出电压对性能的影响3.输出电流对性能的影响4.转换效率对性能的影响5.开关频率对性能的影响6.工作温度对性能的影响五、如何选择合适的dcdc 芯片六、结论正文:一、引言随着科技的不断发展,电子设备日益普及,电源技术也在不断进步。
dcdc 芯片作为电源系统的重要组成部分,承担着电压转换的重要任务。
本文将对dcdc 芯片的参数进行详细介绍,以帮助大家更好地理解和选择合适的dcdc 芯片。
二、dcdc 芯片的定义与作用dcdc 芯片,即直流直流转换器芯片,是一种将一种电压等级的直流电转换为另一种电压等级的直流电的电子器件。
它可以将输入电压变换为稳定的输出电压,以满足不同电子设备的电压需求。
三、dcdc 芯片的主要参数1.输入电压:dcdc 芯片的输入电压决定了其适应的电源范围。
常见的输入电压有3.3V、5V、12V 等。
2.输出电压:dcdc 芯片的输出电压应与设备的电压需求相匹配,以确保设备正常工作。
输出电压有多种规格,如3.3V、5V、12V 等。
3.输出电流:dcdc 芯片的输出电流决定了其负载能力。
根据设备电流需求选择合适的输出电流规格。
4.转换效率:dcdc 芯片的转换效率是指输出功率与输入功率之比,反映了电源的能量转换效率。
高转换效率有利于节能和降低系统温度。
5.开关频率:dcdc 芯片的开关频率影响其体积、效率和电磁干扰。
开关频率越高,体积越小,效率越高,但电磁干扰也越严重。
6.工作温度:dcdc 芯片的工作温度影响其可靠性和寿命。
根据实际应用环境选择合适的工作温度范围。
四、dcdc 芯片参数对性能的影响1.输入电压对性能的影响:输入电压过高或过低都可能影响dcdc 芯片的性能,导致输出电压不稳定或损坏芯片。
GM2102双路降压转换器芯片GM2102
1、产品简介
GM2102是一款宽输入范围、高效降压转FCOT换器芯片,3.3V输出可提供最大120mA电流,1.2V输出最大可提供120mA电流。
其独创FCOT 技术,减少了外围器件和增加了可靠性在典型负载下可达到最大88%效率,其内置EMI抑制电路,有非常低的EMI噪声,能够满足内置天线的NBIOT以及LoRa等无线小模块对周边EMI要求。
2、应用范围
■工业应用
■智能电网
■智能家居
■水表、气表集抄3、特色
■工作电压:5~28V
■ESD HBM±4KV
■典型负载下有88%系统效率
■低EMI设计,非常适合内置天线小功率无线系统
4、封装类型
■
EMSOP8
5、功能引脚定义
序号名称说明
1VIN电源输入
2EN使能
3SW1 1.2V开关管端口
4VFB1 1.2V反馈
5GND地
6V3P3 1.2V DCDC输入电压端口
7VFB3 3.3V反馈
8SW3 3.3V开关管端口
6、典型应用电路
图1典型应用电路图
7、极限参数
符号说明大小单位VIN最大电源电压30V SW3 3.3V开关管端口电压GND-0.3~28V SW1 1.2V开关管端口电压GND-0.3~5.5V VFB1 1.1V反馈电压GND-0.3~5.5V VFB3 3.3V反馈电压GND-0.3~5.5V
V3P3 3.3V电压GND-0.3~5.5V
EN使能电压GND-0.3~5.5V
Tj最大结温170℃
Θja热阻40℃/W Tstg储存温度-60~160℃
Pd1最大消耗功率(SOT23-5)0.5W
ESD HBM4000V 8、电气特性
直流特性(VIN=12V,L=3.3uH,TA=+25℃,除非特别注明)
参数符号条件最小典型最大单位供电电压VIN71228V
空载工作电流IQ400800μA
FB反馈电压VFB3 1.1 1.17 1.25V VFB10.650.700.75V
FB输入电流VFB3000nA VFB1000nA
开关频率FSW 3.3uH电感,负载电流120mA600KHZ
UVLO VIN=12V
Vin=3.3V
12to3.3dcdc
3.3to1.1dcdc
5
2.8
V
UVLO_HYS0.1V 使能电压EN 2.55V 使能迟滞EN_HYS3V 使能上拉电阻85K R 关断静态电流IQD500u
开关导通时间TON VIN=12V,VOUT=3.3V
VIN=3.3V,VOUT=1.1V
350
500
nS
开关电阻Ron SW3
SW1
500
300
mR
mR
9、典型特性
VOUT3P3IL=10~120mA
VOUT1P1IL=10~120mA
EMI测试,知用EM5030-3探头(20dB衰减),EMI检波方式
10、封装外形尺寸
EMSOP8
广州国梦电子科技有限公司电话:一八六二〇一四〇一五六刘经理
E-mail:lyf_gmdz@。