高性能碳化硅的成型及烧结工艺研究

碳化硅烧结工艺技术简介碳化硅是一种重要的无机非金属材料，具有优异的高温、高硬度、高强度、高导热性和耐腐蚀性能。

碳化硅烧结工艺技术是将粉末形式的碳化硅材料在高温下进行烧结，使其形成致密的块状材料。

这种工艺技术广泛应用于高温、耐腐蚀等领域。

工艺步骤1. 原料制备碳化硅烧结工艺的第一步是制备碳化硅粉末。

一般采用高纯度的硅和石墨粉作为原料，在高温下进行反应生成碳化硅。

得到的碳化硅粉末需要进行粒度分级，以保证烧结后的坯体质量。

2. 造粒将得到的碳化硅粉末进行造粒，目的是提高粉末的流动性和绿坯的成型性。

造粒方法包括湿法造粒和干法造粒两种。

湿法造粒一般采用喷雾干燥法，将碳化硅粉末悬浮在溶液中，通过喷雾干燥使其形成颗粒状。

干法造粒则采用机械化方法，通过辊压或压片等方式将碳化硅粉末压制成颗粒。

3. 成型将造粒得到的碳化硅粉末进行成型。

常用的成型方法有压制成型、注浆成型和挤出成型等。

其中，最常用的是压制成型。

将碳化硅粉末放入模具中，在一定的温度和压力下进行压制，使其成型成绿坯。

4. 烧结将成型的绿坯进行烧结。

碳化硅烧结工艺中一般采用高温烧结的方法，常用的烧结设备有电炉和高频炉。

烧结过程中，绿坯在高温下进行结晶和致密化，使其形成致密块状的碳化硅材料。

烧结温度和时间根据需求进行调控，以获得理想的材料性能。

5. 加工和表面处理经过烧结的碳化硅块材料需要进行加工和表面处理，以满足特定的工程要求。

加工包括切割、研磨、钻孔等，表面处理包括抛光、涂层等。

这些步骤的目的是给碳化硅材料提供最终的形状和表面质量，以便于后续的应用。

工艺优势1.高温性能优异：碳化硅具有高熔点和高热导率，能够在高温下长时间稳定工作，因此在高温领域有广泛的应用，如高温炉、轻质隔热材料等。

2.高硬度和高强度：碳化硅具有极高的硬度和强度，能够耐受大部分物理和化学侵蚀，因此在耐磨、耐腐蚀的工作环境中具有广泛的应用，如磨具、切削工具等。

3.优良的导热性：碳化硅具有高导热性能，能够快速传导和散热，因此在散热器等应用中具有重要作用。

碳化硅陶瓷的合成方法综述碳化硅陶瓷具有机械强度高、耐高温、抗氧化性强、热稳定性能好、热导率大、耐磨损性能好、耐化学腐蚀性能好、硬度高、抗热震性能好等优良的特性。

碳化硅是所有非氧化物陶瓷中抗氧化性能最好的一种。

碳化硅陶瓷不仅在高新技术领域发挥着重要的作用,而且在冶金、机械、能源和建材化工等热门领域也拥有广阔的市场。

随着高新技术的不断发展,对碳化硅陶瓷的要求也越来越高,需要不同层次和不同性能的各种产品。

早在20 世纪50 年代,Popper[ 1] 首次提出反应烧结制备碳化硅。

其基本原理是:具有反应活性的液硅或硅合金,在毛细管力的作用下渗入含碳的多孔陶瓷素坯,并与其中的碳反应生成碳化硅,新生成的碳化硅原位结合素坯中原有的碳化硅颗粒,浸渗剂填充素坯中的剩余气孔,完成致密化的过程。

1．1 常压烧结1．1．1 固相烧结单一陶瓷粉体烧结常常属于典型的固相烧结，即在烧结过程中没有液相形成。

陶瓷坯体的致密化主要是通过蒸发和凝聚、扩散传质等方式来实现的。

其烧结过程主要由颗粒重排、气孔填充和晶粒生长等阶段组成。

同时，固相烧结可以通过合适的颗粒级配、适当的烧结温度和较短的保温时间等工艺参数来实现致密化烧结。

自20世纪7O年代，Prochazkal6在高纯度的SiC中加人少量的B和C作为烧结助剂，在2050℃成功地固相烧结出致密度高于98 的SiC陶瓷以来，固相烧结就一直很受关注。

虽然SiC-B-C体系固相烧结SiC需要较高的烧结温度，烧结晶粒粗大，均匀性差，而且SiC陶瓷具有较低的断裂韧性、较高的裂纹强度敏感性和典型的穿晶断裂模式，但是固相烧结的烧结助剂含量低，杂质少，晶界几乎不残留低熔点物质，烧结后的SiC陶瓷高温稳定性好、热导能力强l7剖。

因此，固相烧结在SiC陶瓷烧结中具有潜在的应用价值。

目前，采用SiC-B-C烧结体系来进行固相烧结SiC陶瓷的厂家主要有美国的GE公司。

1．1．2 液相烧结由于陶瓷粉体中总有少量的杂质，大多数材料在烧结过程中都会或多或少地出现液相。

碳化硅烧结工艺技术碳化硅烧结工艺技术是一种先进的制备方法，它可以制备出高质量、高性能的碳化硅材料。

碳化硅烧结工艺技术主要包括原材料的选取、混合、成型、烧结和后处理等环节。

下面将对这些环节进行详细介绍。

一、原材料的选取碳化硅烧结工艺技术需要选择高纯度的碳化硅粉末和适当比例的添加剂。

其中，碳化硅粉末应该具有较高的纯度和细度，以保证最终制备出来的碳化硅材料具有优异的物理性能。

添加剂可以起到促进烧结过程中颗粒之间互相结合的作用，同时也可以控制晶粒尺寸和形态。

二、混合将选好的原材料进行混合是制备高质量碳化硅材料不可缺少的步骤。

混合过程中需要注意掌握好添加剂与碳化硅粉末之间比例和均匀性，以保证最终制备出来的样品具有均匀性和稳定性。

三、成型成型是将混合好的原材料进行压缩成所需形状和尺寸的过程。

常用的成型方法包括等静压、注塑、挤压等。

其中，等静压是最常用的成型方法，它可以制备出具有高密度和均匀性的碳化硅材料。

四、烧结烧结是将成型好的样品在高温下进行加热处理，使得颗粒之间相互结合形成致密的材料。

在烧结过程中需要掌握好温度、时间和气氛等参数，以保证最终制备出来的样品具有良好的致密性和机械性能。

五、后处理后处理是对制备好的碳化硅材料进行表面处理和加工加工，以满足实际应用需求。

常用的后处理方法包括抛光、涂层、激光切割等。

其中，抛光可以提高样品表面质量和光学性能；涂层可以提高样品耐腐蚀性能；激光切割可以制备出具有复杂形状和高精度尺寸的碳化硅器件。

总之，碳化硅烧结工艺技术是一种先进的制备方法，它可以制备出高质量、高性能的碳化硅材料。

在具体操作过程中需要注意掌握好原材料的选取、混合、成型、烧结和后处理等环节，以保证最终制备出来的样品具有优异的物理性能和应用性能。

sic陶瓷常压烧结以"SIC陶瓷常压烧结"为题，本文将介绍SIC陶瓷的常压烧结工艺和特点。

1. 引言SIC（碳化硅）陶瓷是一种具有优异性能的工程陶瓷材料，其主要特点包括高硬度、高强度、耐高温、耐腐蚀等。

而常压烧结是一种常用的SIC陶瓷制备工艺，本文将从工艺流程、工艺条件以及材料特性等方面介绍SIC陶瓷常压烧结的相关内容。

2. 工艺流程SIC陶瓷常压烧结的工艺流程主要包括原料制备、成型、烧结和表面处理等步骤。

首先，将SIC粉末与其他添加剂按一定比例混合，并经过球磨等工艺进行均匀混合，以提高材料的致密性。

然后，将混合料进行成型，常见的成型方法有压制、注塑和挤出等。

成型后的坯体需要经过干燥处理，以去除水分和有机物。

接下来，将干燥后的坯体进行烧结，烧结温度一般在1900~2200摄氏度之间，烧结时间根据陶瓷的要求而定。

最后，通过机械加工和表面处理，得到符合要求的SIC陶瓷制品。

3. 工艺条件SIC陶瓷常压烧结的工艺条件对于制备高质量的陶瓷制品非常重要。

其中，烧结温度是影响陶瓷致密性和晶粒尺寸的关键因素，过低或过高的温度都会影响烧结效果。

此外，烧结时间也会对陶瓷的性能产生影响，过短的时间可能导致烧结不完全，而过长的时间则会导致晶粒长大。

此外，压制力和添加剂的选择也会对烧结效果产生影响。

4. 材料特性SIC陶瓷常压烧结后，具有许多优异的特性。

首先，SIC陶瓷的硬度非常高，仅次于金刚石和立方氮化硼。

其次，SIC陶瓷具有优异的耐高温性能，可在高达1600摄氏度的温度下长时间稳定工作。

此外，SIC陶瓷还具有良好的耐腐蚀性能，可在酸、碱等恶劣环境下使用。

而且，SIC陶瓷的导热性能也非常好，可用于高温传热领域。

此外，SIC陶瓷还具有良好的机械性能和尺寸稳定性，可用于制备精密零部件。

5. 应用领域SIC陶瓷常压烧结后，可以应用于众多领域。

在机械工程领域，SIC 陶瓷常用于制造轴承、密封件、喷嘴等零部件。

碳化硅构件成型工艺碳化硅是一种具有优异性能的陶瓷材料，长期以来被广泛应用于各种领域。

在制造碳化硅构件的工艺中，成型工艺是至关重要的一环。

碳化硅构件成型工艺是指将碳化硅粉末经过一系列工艺步骤加工成所需形状和尺寸的构件的过程。

本文将对碳化硅构件成型工艺进行研究和探讨。

首先，在碳化硅构件成型工艺中，原料的选择至关重要。

碳化硅的原料主要是碳化硅粉末，其性能直接影响最终构件的质量。

一般来说，粉末的颗粒度越小，构件的密实度和硬度就越高。

因此，在选择碳化硅粉末时，需要考虑颗粒度、形状和纯度等因素，以确保最终构件的性能满足要求。

其次，在碳化硅构件成型工艺中，成型方法的选择也是影响构件质量的重要因素。

传统的成型方法包括压模成型、注射成型和挤压成型等。

压模成型是将碳化硅粉末放入模具中，经过一定压力下进行压制，然后烧结得到构件。

注射成型是将碳化硅粉末与粘结剂混合后，通过注射成型机注入模具中，经过加热固化得到构件。

挤压成型则是将碳化硅粉末放入挤出机中，经过挤压形成所需形状的构件。

不同的成型方法适用于不同形状和尺寸的构件，选择合适的成型方法可以提高构件的成型效率和质量。

此外，在碳化硅构件成型工艺中，烧结工艺的控制也是至关重要的。

烧结是指将成型好的碳化硅构件放入炉内，通过加热使其结合成致密的陶瓷材料的过程。

在烧结过程中，需要控制温度、保温时间以及气氛等参数，以确保构件的致密度和硬度达到标准。

同时，还需要考虑烧结过程中可能出现的缺陷，如气孔、裂纹等，并采取相应的措施进行修复。

最后，在碳化硅构件成型工艺中，后续工艺处理也是影响构件性能的重要因素。

后续工艺处理包括研磨、抛光、涂层等步骤，可以进一步提高构件的表面质量和性能。

例如，通过研磨可以去除构件表面的毛刺和瑕疵，提高其表面光洁度；通过涂层可以增加构件的抗氧化性和耐磨性。

这些后续工艺处理对于碳化硅构件的最终性能起着至关重要的作用。

综上所述，碳化硅构件成型工艺是一个综合性的工艺体系，涉及原料选择、成型方法、烧结工艺以及后续工艺处理等多个环节。

高纯度碳化硅陶瓷的制备及其应用研究高纯度碳化硅陶瓷是一种高温材料，具有优异的耐腐蚀、耐热性能和机械性能等特点，被广泛应用于航天、电子、化工等领域。

本文将重点讨论高纯度碳化硅陶瓷的制备及其应用研究。

一、高纯度碳化硅陶瓷的制备高纯度碳化硅陶瓷的制备通常采用化学气相沉积（CVD）技术或烧结工艺。

CVD技术是在高温下，将气态前体物质在基材表面沉积，形成陶瓷薄膜或陶瓷制品的过程。

其优点是可实现复杂形状、高纯度、均匀性好、制品尺寸精度高等。

烧结工艺则是将碳化硅粉末制成坯体，经高温烧结形成。

在CVD制备高纯度碳化硅陶瓷时，前体物质常用的有SiH4、C2H2、CH4等，可以在不同的反应温度、反应压力、气体流量等条件下实现对陶瓷性能的调控。

在烧结工艺中，制备高纯度碳化硅陶瓷需要保证原料粉末的纯度、粒度和均匀性，同时控制烧结温度和时间，以获得高度致密的陶瓷制品。

二、高纯度碳化硅陶瓷的应用1. 航空航天领域高纯度碳化硅陶瓷在航空航天领域中具有广泛应用。

其高强度、高温稳定性能使其成为火箭发动机和航天器热防护材料的理想选择。

例如，美国NASA在其火星探测项目中使用了碳化硅陶瓷材料作为热盾材料，以保护探测器在进入大气层时受热腐蚀的损坏。

2. 电子领域高纯度碳化硅陶瓷在电子领域中应用广泛。

其高硬度、高抗磨损性能使其成为半导体材料加工中的重要组成部分，如切割盘等；其优异的导热性能使其成为电子散热材料的理想选择。

同时，碳化硅陶瓷在电气绝缘和高频电磁波等领域也具有应用前景。

3. 化工领域高纯度碳化硅陶瓷在化工领域中也有应用。

其耐腐蚀性能、高温稳定性能等特点使其成为化工设备和熔融金属等高温介质的理想材料。

例如，碳化硅陶瓷制成的过滤器可过滤高温、高压的熔融金属和玻璃等物质。

三、高纯度碳化硅陶瓷未来的发展方向高纯度碳化硅陶瓷在以上领域中均具有广泛应用，但其生产成本和研发难度较高，限制了其在市场上的推广。

未来发展方向主要集中于以下几个方面：1. 降低生产成本尽管CVD工艺能够达到高度纯净、均匀的陶瓷制品，但其制造成本过高，限制了其在市场中的推广。

一、引言碳化硅陶瓷是一种非常重要的陶瓷材料，具有高温强度、抗腐蚀和高热导率等优良性能，因此在航空航天、电子、光学等领域有着广泛的应用。

碳化硅陶瓷的制备及性能研究一直备受关注，而其密度是衡量其质量的重要指标之一。

烧结温度是影响碳化硅陶瓷密度的一个重要因素，因此研究烧结温度对碳化硅陶瓷密度的影响具有重要意义。

二、碳化硅陶瓷的制备方法1. 原料准备：通常采用碳化硅粉末和适量的添加剂作为原料，碳化硅粉末的粒度、纯度及其添加剂的种类和用量都会对制备后的陶瓷密度产生影响。

2. 混合：将碳化硅粉末和添加剂进行充分混合，以确保添加剂均匀分散在碳化硅粉末中。

3. 成型：将混合后的原料进行成型，常用的成型方法包括压制、注塑、浇铸等。

4. 烧结：将成型后的陶瓷坯体放入烧结炉中进行烧结，烧结温度、时间和气氛对陶瓷的性能有重要影响。

三、烧结温度对碳化硅陶瓷密度的影响1. 烧结温度过低会造成碳化硅陶瓷未充分烧结，导致陶瓷密度较低。

2. 烧结温度过高可能会导致碳化硅陶瓷晶粒长大过快，使得陶瓷内部产生较大的孔隙，从而影响陶瓷密度。

3. 烧结温度的选择需综合考虑碳化硅陶瓷的成分、添加剂、烧结环境等因素来确定。

四、研究方法1. 实验材料：选取工业级碳化硅粉末和添加剂作为原料。

2. 实验设计：分别对不同烧结温度下制备的碳化硅陶瓷进行密度测试，对比分析烧结温度对碳化硅陶瓷密度的影响。

3. 实验步骤：包括原料制备、混合、成型、烧结、密度测试等步骤。

4. 实验仪器：密度测试常采用排水法、气体置换法等方法，可选用密度计进行测试。

五、实验结果与分析1. 进行实验后得出不同烧结温度下制备的碳化硅陶瓷密度随着烧结温度的增加呈现出先升高后降低的趋势。

2. 烧结温度较低时，陶瓷密度较低，可能是由于未充分烧结导致的。

3. 随着烧结温度的升高，碳化硅陶瓷的密度也随之增加，但当烧结温度过高时，密度反而下降，可能是因为晶粒长大导致陶瓷内部产生大的孔隙所致。

4. 综合分析得出最佳烧结温度范围，以获得较高密度的碳化硅陶瓷。

碳化硅的生产工艺一、碳化硅的概述碳化硅是一种非金属材料，具有优异的耐高温、耐腐蚀、耐磨损等性能，广泛应用于电子、机械、冶金等领域。

其生产工艺主要包括原料处理、烧结成型、后处理等环节。

二、原料处理1. 原材料选择碳化硅的主要原料为石墨和二氧化硅，其中石墨应选用高纯度的天然石墨或人工石墨，二氧化硅应选用高纯度的石英粉。

2. 原材料混合将经过筛分和清洗后的石墨和二氧化硅按一定比例混合均匀，并加入适量的助剂，如粘结剂、增塑剂等。

三、烧结成型1. 热压成型将混合后的原材料放入模具中，在高温高压下进行加压成型。

通常采用真空或惰性气体保护下进行。

2. 真空热压成型将混合后的原材料放入真空下的模具中，在高温高压下进行加压成型。

由于真空环境下气体分子极少，因此可避免气体与原材料反应，可得到更高的纯度。

3. 热等静压成型将混合后的原材料放入模具中，在高温下进行等静压成型。

该方法适用于大尺寸、复杂形状的碳化硅制品。

四、后处理1. 精密加工将烧结后的碳化硅制品进行精密加工，如车削、磨削、抛光等，以获得精确尺寸和表面质量。

2. 氧化处理将碳化硅制品置于氧化炉中，在高温下进行氧化处理。

该过程能够使碳化硅表面形成一层致密的二氧化硅保护层，提高其耐蚀性和耐磨性。

3. 表面涂层在碳化硅制品表面涂覆一层陶瓷或金属涂层，以改善其抗氧化性和耐蚀性。

五、总结以上是碳化硅生产工艺的主要环节。

在实际生产中，还需根据不同产品要求进行具体调整和优化。

通过不断的技术革新和工艺改进，碳化硅制品的性能和质量将得到不断提升，为各行业的发展做出更大的贡献。

碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究
首先，无压烧结是一种常用的碳化硅陶瓷制备方法。

其工艺过程主要包括原料处理、混合、成型、干燥和烧结等环节。

在原料处理和混合过程中，需要选择高纯度的碳化硅粉末，并控制其粒度和分布等物理特性。

成型则可以通过注塑成型或压坯成型等方式实现。

干燥一般采用自然干燥或低温干燥的方法。

最后，将成型坯体置于高温炉中进行烧结，烧结温度可根据材料的要求进行调控。

其次，碳化硅陶瓷的性能对于其应用具有重要的影响。

在机械性能方面，碳化硅陶瓷具有很高的硬度和抗磨性，可用于制作高速切削工具。

此外，碳化硅陶瓷还具有优异的力学强度和疲劳性能，可用于制作高负荷、高强度的结构部件。

在耐腐蚀性方面，碳化硅陶瓷具有优异的耐酸碱性和耐氧化性，可用于制作化学反应器和催化剂承载体等。

此外，碳化硅陶瓷还具有优异的热稳定性和导热性能，可用于制作高温炉膛和热交换器等。

然而，碳化硅陶瓷在无压烧结过程中也存在一些问题。

首先，由于碳化硅粉末具有高的表面能，易于吸湿，因此在原料处理和成型过程中需要采取适当的措施防止湿气影响成型及烧结品质。

其次，碳化硅陶瓷的烧结温度较高，烧结过程中容易发生烧结收缩不均匀的问题，导致制品形状不良和裂纹等缺陷的产生。

此外，在无压烧结过程中，还需要考虑陶瓷材料的烧结助剂选择及添加量的控制，以提高烧结体的致密化程度。

综上所述，碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究对于发展碳化硅陶瓷的应用具有重要的意义。

通过优化烧结工艺和材料配方等方面的研究，可以进一步提高碳化硅陶瓷的制备质量和性能，满足不同领域对碳化硅陶瓷的需求。

论文题目：碳化硅技术陶瓷无压烧结工艺研究论文类型：应用型专业：本科生：（签名）指导老师：（签名）摘要碳化硅陶瓷具有诸多优异的性能，被广泛应用于许多领域，碳化硅陶瓷制备常用无压烧结工艺。

无压烧结具有操作简单、成本低、可制备形状复杂和大尺寸的碳化硅部件，而且相对容易实现工业化等特点，因此无压烧结是碳化硅陶瓷制备中最有前途的烧结方法。

本实验采用无压烧结，在α-SiC粉体中添加不同含量粒度为1µm的β-SiC，烧结助剂为碳化硼，粘结剂为酚醛树脂，保护气氛为氩气，烧结温度为2010℃，烧结时间为40min。

分析烧结体的性能，确定烧结体性能最佳时的β-SiC添加量。

实验结果表明：β-SiC添加量为10％wt时，烧结体体积密度最高，可达3.128g/cm3。

初步确定最佳的β-SiC添加量为10％wt。

关键词：无压烧结，α-SiC，β-SiC，固相烧结Subject ：Study on Technology of Pressureless sintering Silicon Carbide CeramicThesis ：ApplicationSpecialty ：Inorganic nonmetal material engineeringName ：Rui Du （Signature）Instructor：Xiaogang Wang （Signature）ABSTRACTSilicon carbide ceramic with excellent properties has been widely used in many fields, pressureless sintering is the most commonly method of silicon carbide ceramic preparation. With the advantage of simple operation, low cost, prepared for complicated shape and large size silicon carbide components, and relatively easy to implement industrialized features ,pressureless sintering is the most promising method for preparation of the silicon carbide ceramic.Pressureless sintering is used in the experiment.Add ing different content of β-SiC into α-SiC,boron carbide acts ac sintering aids, phenolic resin serves as binder, argon gas acts as protective atmosphere,sintering temperature is 2010℃,sintering time is 40 min.Analysis the properties of sintered body and d etermine the best properties of sintered body with β-SiC addition.The experiment show that the volume density of sintered body is the highest with 10%wt β-SiC addition,and 3.128g/cm3is achieved.So we can get the optimum β-SiC addition is 10%wt.KEY WORDS：pressureless sintering,α-SiC,β-SiC, Solid-phase sintering目录1 前言 (1)1.1 碳化硅的简介 (1)1.1.1 碳化硅的起源及发展 (1)1.1.2 碳化硅的结构 (1)1.1.3 碳化硅的性能及应用 (3)1.2 碳化硅的粉体制备 (3)1.3 碳化硅陶瓷成型工艺 (5)1.3.1注浆成型 (6)1.3.2 可塑成型 (6)1.3.3 等静压成型 (7)1.3.4 模压成型 (7)1.4 碳化硅的烧结工艺 (7)1.4.1 反应烧结 (8)1.4.2 重结晶烧结 (8)1.4.3 热压烧结 (8)1.4.4 无压烧结 (8)1.5 国内外研究现状及生产需要 (9)1.6 研究内容 (10)2 实验 (11)2.1 实验原料 (11)2.1.1 碳化硅 (11)2.1.2 碳化硼 (13)2.1.3 酚醛树脂 (14)2.1.4 聚乙二醇 (15)2.1.5 四甲基氢氧化氨水溶液 (15)2.1.6 油酸 (15)2.2 实验设备 (16)2.3 实验流程图 (17)2.4 实验过程 (18)2.4.1浆料制备 (18)2.4.2 浆料喷雾造粒 (18)2.4.3 级配的设计 (20)2.4.4 粉料成型 (22)2.4.5 坯体烧结 (22)3 实验结果与分析讨论 (24)3.1 体积密度、维氏硬度的测试与分析 (24)3.1.1 体积密度的测试与分析 (24)3.1.2 维氏硬度的测试与分析 (26)3.2 X衍射（XRD）的测试与分析 (27)3.3 扫描电镜（SEM）的测试与分析 (29)3.1.1 温度对无压烧结陶瓷致密度影响 (29)4 结论 (33)5 存在问题与改进方法 (34)致谢 (35)参考文献 (36)1 前言1.1 碳化硅的简介1.1.1 碳化硅的起源及发展碳化硅（Silicon Carbide，缩写为SiC）是一种人造材料，以石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。