二极管和三极管的工作原理是什么
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一、二极管三极管MOS器件基本原理P-N结及其电流电压特性晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流:。
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0 。
当外加的反向电压高到一定程度时, p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。
正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区,其中大部分空穴能够到达集电结的边界,并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区,形成集电极电流 IC 。
在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。
绝大部分的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。
首页[1][2][3]下一页尾页由于 VBE 很小,所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。
在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib,在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic,有c/ib=β,现了双极晶实体管的电流放大作用。
金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应,在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。
当栅 G 电压 VG 增大时, p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽,而电子逐渐积累到反型。
二极管和三极管工作原理二极管和三极管是我们常见的电子器件,也是电子工程学习的基础。
它们的工作原理十分简单,但又具有一定的神奇之处。
本文将会详细介绍二极管和三极管的工作原理。
一、二极管的工作原理1.材料的类型二极管主要由P型半导体和N型半导体材料构成。
P型材料掺杂了具有正电荷的杂原子,N型材料则掺杂了具有负电荷的杂原子。
2.载流子的扩散二极管两端分别连接P型材料和N型材料,这时,电子就会从N型材料中向P型材料中扩散,同时,空穴也从P型材料中向N型材料中扩散。
由于P型材料中充分掺杂了杂原子,因此空穴非常多,电子相对较少;而N型材料中掺杂的是负电荷杂原子,因此电子非常多,空穴相对较少。
这样,空穴和电子的扩散速度是不同的,导致了两边的电荷不平衡,形成了正负两极。
3.正向和反向偏置当二极管的正极向P型材料连接,负极向N型材料连接时,这就是正向偏置。
在这种情况下,电子和空穴可以更加自由地流动,形成了一个低电阻通路,电流可以通过二极管。
而当二极管的正极与N型材料连接,负极与P型材料连接时,这就是反向偏置。
在这种情况下,P型材料的电子和N型材料的空穴被迫移向中间的P-N结,形成一个高电阻区域,电流无法通过二极管。
二、三极管的工作原理1.结构三极管由三个掺杂不同型号的半导体材料构成,分别是负偏控制区域,正偏控制区域和输出区域。
其中负偏控制区域和输出区域都是N 型材料,而正偏控制区域是P型材料。
2.正向和反向偏置在正向偏置状态下,正偏控制区域的P型材料中注入电子,因此电子流向N型材料的输电区域。
同时,P型材料中的空穴流向基极,经过集电极扩散到输出区域的N型材料中。
这样就形成了从输出区域N 型材料中的电子,向依次进入正偏控制区域P型材料中的基极,再到达负偏区域N型材料中的电流路径,从而放大电流的效果。
而在反向偏置状态下,所有区域中的电子都被迫向正偏控制区域的P型材料中移动,抵消空穴电荷。
这样就形成了一条阻止电流流过集电极的高阻抗路径,从而避免了电路被破坏。
光耦的工作原理
光耦是一种电子元件,其工作原理基于光电效应。
它由一个发光二极管和一个光敏三极管组成。
发光二极管是光耦的光源。
当通过发光二极管的正向电流时,它会发出光。
发光二极管的发光波长通常在红外、红色或可见光范围。
光敏三极管是光耦的探测器。
它的基结区域具有光电效应,即当光线照射到光敏三极管时,光的能量将被转化为电能。
光敏三极管的导通能力取决于光线的强度。
光耦的工作原理是将发光二极管和光敏三极管通过透明的隔离罩相隔一定距离。
当发光二极管被激活时,产生的光线通过隔离罩传输到光敏三极管。
光敏三极管接收到光线后,根据光的强度变化,其电阻值也将发生相应的变化。
这样,可以利用光耦来实现输入与输出之间的电隔离。
当需要将发光二极管连接到电路的输入端时,光敏三极管会根据光线的变化产生相应的电信号,从而实现输入信号的检测和隔离。
相反,当需要将电路的输出信号隔离开时,光耦则将输入信号转化为光信号,通过光敏三极管传输,并再次转化为电信号输出到外部电路中。
总之,光耦通过发光二极管和光敏三极管之间的光敏效应实现输入与输出之间的电隔离,使得不同电路之间能够进行信号的传输和隔离,从而起到保护和隔离电路的作用。
二极管和三级管工作原理二极管是一种具有两个极性的电子器件,它是由P型半导体和N型半导体组成。
二极管有一个重要的特性——它只能让电流从P型区域流向N型区域,而不能反过来。
因此,当一个二极管连接到电路中时,电流会像从正极到负极一样流过它,这就是二极管的主要作用。
当在N型区域施加正电压,并在P型区域施加负电压时,电子就会从N型区域移动到P 型区域,这一过程使得电流能够通过二极管,二极管处于导通状态。
反之,当在N型区域施加负电压,并在P型区域施加正电压时,电子就会被吸引到N型区域,这就使得电流在二极管处无法流通,二极管处于截止状态。
因此,二极管的操作是可以通过对其控制电压来实现。
二极管在电路中有很多用途,例如,用作整流电路和稳压电路。
它们也常用于防止反向电压过高以致于元器件损坏。
此外,二极管还可以用于制造发光二极管(LED)和光电二极管。
三极管与二极管不同的是,在它的材料中包含三个不同的区域,其中两个是P型半导体,以及一个N型半导体。
因此,三极管比二极管多了一个极,它的三个极分别是发射极、基极和集电极。
三极管可以看作是一个电流放大器,可以通过控制基极电压,使电流在集电极和发射极之间流通。
当在基极施加正电压时,三极管转为导通状态。
在这种状态下,电流可以从发射极流向集电极。
此时,三极管的放大系数非常大。
也就是说,非常小的输入电流就能够控制大量的输出电流。
另一方面,当在基极施加负电压时,三极管将会被截止。
这时,它的放大系数将变成零,电流无法从发射极流向集电极。
三极管的操作可以被描述成一个电阻与电流之间的关系。
正如上述所述,当三极管处于导通状态时,其操作就像一个低电阻一样,因此电流能够很容易地通过三极管。
另一方面,当三极管处于截止状态时,其操作就像一个高电阻一样,因此电流无法通过三极管。
三极管有许多被广泛应用的用途。
它们被用于放大电路和开关电路。
三极管也被用于制造一些特定的元器件,例如操作放大器和数字逻辑门。
此外,三极管经常用于调节电源电压和电流。
二极管和三极管原理二极管原理:二极管是一种有两个电极(即阴极和阳极)的半导体器件。
它基于PN结的特性,PN结是由P型半导体和N型半导体直接相接而形成的结构。
在正向偏置电压下,P型半导体为正极,N型半导体为负极,形成正向电流。
而在反向偏置电压下,P型半导体为负极,N型半导体为正极,形成反向电流。
二极管的主要原理是PN结的单向导电性。
当二极管正向偏置时,P区与N区之间的电子就会向前移动,同时空穴则向后移动,形成正向电流。
而在反向偏置时,由于PN结上有一个势垒,阻碍了电子和空穴的移动,所以几乎没有电流通过。
因此,二极管可以用来控制电流的流向。
二极管的特性使其在电子设备中有广泛的应用。
例如,它可以用作整流器,将交流电转换为直流电。
当正弦波信号通过二极管时,只有正半周期能通过,负半周期将被阻止,从而将交流电转换为直流电。
此外,二极管还可用于稳压电路、振荡器等。
三极管原理:三极管是一种三个电极(即基极、发射极和集电极)的半导体器件。
它是由两个PN结(即P型和N型)组成的。
PNP型和NPN型是两种常见的三极管。
PNP型的集电极和基极为负极,发射极为正极;NPN型的集电极和基极为正极,发射极为负极。
三极管的原理是基于PNP或NPN结的放大作用。
当三极管的基极接受到一个小信号电流时,这个电流通过PN结的放大作用,导致大量的电子或空穴流向集电极。
这样,三极管就能够将小信号放大成大信号。
具体来说,当三极管处于截止状态时,集电极和发射极之间的电流非常小。
当三极管处于饱和状态时,集电极和发射极之间的电流非常大。
通过控制基极电流的大小,可以在截止和饱和之间控制三极管的工作状态,从而实现对信号的放大。
三极管具有放大、开关、振荡等功能,因此在电子电路中有广泛的应用。
例如,三极管可以用于构建放大器,将小信号放大到足够大的程度。
此外,它还可以用于逻辑门电路、时钟发生器等。
三极管和稳压二极管的稳压电路原理
三极管和稳压二极管常用于稳压电路,通过控制电流或者电压的方式,确保输出电压在一定范围内保持稳定。
稳压二极管(Zener二极管)是一种特殊的二极管,其工作在反向击穿区,当反向电压超过其特定的击穿电压时,会产生稳定的反向电压。
稳压二极管通过选择合适的反向击穿电压,可以实现稳定的电压输出。
常用的稳压二极管有电压范围从2V 到200V不等。
三极管稳压电路通常使用晶体三极管(BJT)或场效应管(FET)。
这些三极管通常工作在饱和区或者放大区,通过控制电流的方式,保持输出电压稳定。
稳压电路中,三极管通常作为一个调节器或者稳压器的元件使用。
在稳压电路中,稳压二极管或者三极管通常连接在电源和负载之间,通过稳压元件的特性,调节和维持输出电压的稳定性。
稳压二极管或者三极管在电流和电压变化时,可以自动调整其电阻来维持输出电压稳定。
需要注意的是,稳压二极管和稳压三极管并不是真正意义上的完美稳压器,其输出电压仍然会有一定的波动范围。
为了实现更精确的稳压电路,可以通过组合使用稳压二极管、稳压三极管和其他辅助元件,以及负反馈电路来改善稳定性和减小波动范围。
三极管检波和二极管检波三极管检波和二极管检波都是无线电通信中用于检测调制在高频信号上的低频信号(即信息)的方法。
以下是这两种检波方式的区别:
1. 工作原理:三极管检波的工作原理是利用三极管的放大作用,将高频信号通过三极管放大后,再将其输出到负载上。
而二极管检波则是利用二极管的单向导电性,将高频信号通过二极管整流后,输出低频信号。
2. 输出信号:由于三极管具有放大作用,因此三极管检波的输出信号幅度较大,可以驱动较大的负载。
而二极管检波的输出信号幅度较小,通常需要经过放大器进行放大后才能驱动较大的负载。
3. 响应速度:由于三极管内部存在电荷移动,因此三极管检波的响应速度较慢,无法适应高速信号的检波。
而二极管检波的响应速度较快,可以适应高速信号的检波。
4. 适用场景:三极管检波适用于需要放大低频信号的场景,例如音频信号的放大。
而二极管检波适用于需要高速响应的场景,例如通信、雷达等。
综上所述,三极管检波和二极管检波各有其特点,具体选择哪种检波方式需要根据实际需求来决定。
二极管三极管二极管三极管是电子学中常用的基本元件,这两种元件具有许多共同的特性,广泛应用于各种电子系统,如家用电器、计算机、汽车和消费电子等领域。
本文将简要介绍这两种元件的工作原理和应用。
二极管是一种由两个接口(正、负)组成的半导体元件,它只能在正和负两个方向上放电,不能双向放电。
当在正电极施加正电压时,二极管放出电流,被叫做开启或正向电流,通常称作“封开”电流。
另外,当施加的电压为负时,二极管会禁止通过电流,被称为关闭或反向电流。
二极管的两极电压越低,其电阻就越大,反之亦然,由此它可以改变电流的宽度,从而起到调节电阻的作用。
三极管是一种由三个接口(正、负、基极)组成的半导体元件,它可以同时使正负两个电极有电流通过也可以用基极(中间极)对正负电极进行控制。
三极管分为NPN型和PNP型,它们主要功能是放大电压,承担电流放大和信号转换的功能。
另外,三极管也可用于控制或监测外部电路电压,以及在某些特殊的应用上可以做成逻辑门,如双路电路(OR、AND等)。
二极管三极管可广泛应用于各种领域,其普及程度很高。
二极管主要用作电流流转开关,因其具有低成本、高可靠性、简易控制等优点,在家庭电器、汽车电子系统、电池充电器、供电调节器、矩阵开关系统、流量传感器、漏电检测器、视频放大器等电子系统中使用十分普遍。
三极管的应用比二极管更加广泛,在电子系统中担当起放大信号、节流、电路控制等重要作用。
其应用于计算机的存储器,中国的第一台大型计算机曾是使用三极管技术。
三极管也广泛应用于测量、控制和电源系统,通用用于增大驱动信号,促使电机、放大器或直流电压调节器等大功率电子设备更加有效。
以上是二极管三极管的工作原理和应用简介。
可以看出,二极管三极管是电子元件中重要的基本元件,它们因具有简单、可靠、低成本等特点,而被应用于电子系统的各个领域,成为电子技术中不可或缺的重要元素。
三极管和稳压二极管的稳压电路原理稳压电路是一种常用的电路,用于使电压在一定范围内稳定。
三极管和稳压二极管是两种不同的稳压电路,下面将详细介绍它们的稳压电路原理。
三极管稳压电路是一种基于负反馈原理的电路,它通过反馈电路控制输出电压的变化,使得输出电压稳定在设定值。
三极管稳压电路的基本原理如下:1.工作原理:三极管依托PN结的特性,提供了一个具有放大功能的开关。
当输出电压低于设定值时,三极管处于导通状态,将电流输入负载。
当输出电压达到设定值时,三极管进入截止状态,停止输入电流。
2.反馈电路:稳压电路中的反馈电路起到测量输出电压并调节三极管工作状态的作用。
反馈电路在输入电压和输出电压之间建立一个反馈回路,通过比较两者的差异,产生一个反馈信号,用于控制三极管。
3.电流调节器:稳压电路中的电流调节器用于调整输入电流,使得输出电压稳定在设定值。
在三极管稳压电路中,电流调节器通常是通过调节电流源电阻来实现。
三极管稳压电路具有以下特点:1.稳定性好:通过反馈回路控制,使得输出电压稳定在设定值,对电源波动和负载变化具有一定的抑制能力。
2.反应速度快:基于三极管的开关特性,响应速度比较快,适用于对电压稳定性要求较高的电路。
3.可靠性高:三极管是一种常见的电子元件,有良好的可靠性和稳定性。
二、稳压二极管电路原理稳压二极管电路是一种基于Zener二极管特性的电路,它通过Zener 二极管的击穿特性来稳定输出电压。
稳压二极管电路的基本原理如下:1.工作原理:稳压二极管是一种功能类似于普通二极管的二极管,其特点是在逆向电压达到设定值时,可以击穿,形成一个稳定的逆向电压。
当逆向电压小于设定值时,稳压二极管处于正常工作状态;当逆向电压大于设定值时,稳压二极管击穿并维持在设定的电压范围内。
2.电压稳定:稳压二极管通过选择适当的击穿电压,可以实现对输出电压的稳定控制。
在稳压二极管击穿之前,它在逆向偏置下是一个具有高电阻的二极管,只有在逆向电压超过其击穿电压时,它才具有较低的电阻值。
二级管三极管的工作原理二极管和三极管都是常见的半导体器件,它们在电子电路中起着重要的作用。
1. 二极管(Diode)的工作原理:二极管由P型半导体和N型半导体组成。
P型半导体中的杂质原子掺入了少量的三价元素,如硼;N型半导体中的杂质原子掺入了少量的五价元素,如磷。
当P型半导体与N型半导体相接触时,形成的结叫做P-N结。
二极管的工作原理基于P-N结的特性。
当二极管处于正向偏置时,即P端连接正电压,N端连接负电压,P-N结会变窄,形成导电通道。
电流可以顺利通过二极管,使其正常工作。
这时二极管呈现低电阻状态,称为导通状态。
当二极管处于反向偏置时,即P端连接负电压,N端连接正电压,P-N结会变宽,形成一个高电阻区域,阻止电流通过。
这时二极管呈现高电阻状态,称为截止状态。
2. 三极管(Transistor)的工作原理:三极管由三个不同类型的半导体材料组成,分别是发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)。
三极管的工作原理基于不同类型材料间的电子流动。
当三极管处于放大区工作时,发射极与基极之间的结被正向偏置,集电极与基极之间的结被反向偏置。
这时,发射极注入的电子会通过基极控制集电极的电流。
基极电流的微小变化将引起集电极电流的显著变化。
三极管的这种特性使其具有放大作用。
当三极管处于截止区工作时,发射极与基极之间的结被反向偏置,集电极与基极之间的结被正向偏置。
这时,电流无法从发射极流向集电极,三极管处于截止状态。
请注意,以上是对二极管和三极管工作原理的简要描述,实际情况可能更为复杂,涉及到电流、电压、电子流动等更多的细节。
二极管和三极管的工作原理是什么
二极管工作原理(正向导电,反向不导电)
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。
当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。
(这也就是导电的原因)
当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。
(这也就是不导电的原因)
三极管的工作原理(电流放大作用)
三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。
但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。
IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔI C/ΔIB, Δ表示变化量。
),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
放大电路的组成原理(应具备的条件)
(1):放大器件工作在放大区(三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置)
(2):输入信号能输送至放大器件的输入端(三极管的发射结)
(3):有信号电压输出。
判断放大电路是否具有放大作用,就是根据这几点,它们必须同时具备。
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:储管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面介绍的是NPN硅管的电流放大原理。
图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多数载流子(电子)极基区的多数载流子(控穴)很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给,从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得:
Ie=Ib+Ic
这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所谓电流放大作用,I c与Ib是维持一定的比例关系,即:
β1=Ic/Ib
式中:β--称为直流放大倍数,
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为:
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大,所以有时为了方便起见,对两者不作严格区分,β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件,但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用,通过电阻转变为电压放大作用。
以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大原理
1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE。
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC。
晶体三极管的电流放大作用
晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
这是三极管最基本的和最重要的特性。
我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。
电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变
三极管的电流放大原理晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。
而每一种又有NP N和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
图一:晶体三极管(NPN)的结构
图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。