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第一章 思考题与习题1.1. 半导体材料都有哪些特性？为什么电子有源器件都是由半导体材料制成的？1.2. 为什么二极管具有单向导电特性？如何用万用表判断二极管的好坏？ 1.3. 为什么不能将两个二极管背靠背地连接起来构成一个三极管？ 1.4. 二极管的交、直流等效电阻有何区别？它们与通常电阻有什么不同？ 1.5. 三极管的放大原理是什么？三极管为什么存在不同的工作状态？ 1.6. 如图P1-1(a)所示的三极管电路，它与图P1-1(b)所示的二极管有何异同？1.7.稳压二极管为何能够稳定电压？1.8.三极管的交、直流放大倍数有何区别？共射和共基电流放大倍数的关系是什么？1.9.三极管的输入特性和输出特性各是什么？1.10. 如图P1-2所示，设I S ＝10－11A ，U T ＝26mV ，试计算u i =0，0.3V ，0.5V ，0.7V 时电流I 的值，以及u i =0.7V 时二极管的直流和交流等效电阻。
解：由I= I S *(exp(U i / U T )-1) 当U i =0时，I=0；当U i =0.3V 时，I=1.026×10－6A ； 当U i =0.5V 时，I=2.248×10－3A ； 当U i =0.7V 时，I=4.927A ； 直流等效电阻R= U i /I = 0.7V/4.927A = 0.142 Ω∵exp(U i / U T )>>1∴交流等效电阻R d = 26/I = 26/4927 = 5.277×10－3 Ω(a)(b)图P1-1图P1-2u i Di1.11. 电路如图P1-3所示，二极管导通电压U D ＝0.7V ，U T ＝26mV ，电源U ＝3.3V ，电阻R ＝1k Ω，电容C 对交流信号可视为短路；输入电压u i 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？解：U ＝3.3V>>100mV ，I ＝（U －U D ）/R ＝ (3.3－0. 7)/1k = 2.6 mA 交流等效电阻：R d = 26/I = 10 Ω 交流电流有效值：Id = Ui/Rd = 1 mA1.12. 图P1-4(a)是由二极管D 1、D 2组成的电路，二极管的导通电压U D ＝0.3V 、反向击穿电压足够大，设电路的输入电压u 1和u 1如图P1-4(b)所示，试画出输出u o 的波形。
+U o-第四章~第八章复习题填空●.二极管是利用PN 结的_____特性，稳压管是利用PN 结的_____特性。
●.三极管的结构特点是_____区、_____结、_____端子。
●.三极管的电流分配关系__________。
●.截止失真的产生条件：静态工作点Q_____和输入信号_____。
●.只有U F _____U R 才有最大输出动态范围。
●.微变等效电路的基本思想是将非线性元件三极管用_____电路来代替。
●._____耦合放大电路各级Q 点相互独立，_____耦合放大电路温漂小，_____耦合放大电路能放大直流信号。
●、若某放大电路的电压放大倍数为100，则换算为对数电压增益是_____dB 。
另一放大电路的对数电压增益为80 dB ，则相当于电压放大倍数为_____倍。
●、电路的频率响应，是指对于不同频率的输入信号放大倍数的变化情况。
高频时放大倍数下降，主要是因为_____的影响；低频时放大倍数下降，主要是因为_____的影响。
●、当输入信号频率为f L 或f H 时．放大倍数的幅值约下降为中频时的_____，或者是下降了_____dB 。
此时与中频时相比．放大倍数的附加相移约为_____。
●、一放大电路如图1-3所示，当逐渐增大输入电压u i 幅度时，u o 波形首先出现了底被削平的情况，即出现 失真，为了消除失真应 R b 或 R c 。
图1-3●、电路如图1-4所示，已知稳压管D Z1，D Z2的稳定电压值分别为6V ，15V ，则开路电压U 0 = V 。
图1-4●、电路如图1-5所示，电路的开路电压U ab = V 。
(图中二极管为理想二极管)＋u ib图1-5●、某三极管各电极对“地”电压如图1-6所示，由此可判断该三极管处于______状态。
2.7V2V1V图1-6●、负反馈放大器的方框图由______、______、______三部分组成。
●、反馈网络的输入端是基本放大电路的______端。
电路分析与电⼦电路基础BUPT版总结Chapter 1 - 4Chapter 5：基本半导体元件晶体⼆极管：1）设室温情况下某⼆极管的反偏电压绝对值为1V，则当其反偏电压值减少100mV时，反向电流的变化是基本不发⽣变化。
2）⼆极管发⽣击穿后，在击穿区的曲线很陡，反向电流变化很⼤，但两端的电压降却⼏乎不变。
3）⼆极管的反向击穿分为雪崩击穿和齐纳击穿两类。
4）齐纳击穿的反向击穿电压⼩于6V。
5）⼆极管的电击穿是可逆的，⽽热击穿不可逆。
6）在P型半导体中，空⽳是多⼦，⾃由电⼦是少⼦。
7）对P型半导体：在室温下，当温度升⾼时，空⽳（多⼦）的浓度将会近似不变，⾃由电⼦（少⼦）的浓度将会升⾼。
8）温度每增加10摄⽒度，硅或锗⼆极管的反向饱和电流约增为原来的2倍。
9）⼆极管的伏安特性曲线可以被分为三个⼯作区域，分别为正向⼯作区（包括死区）、反向⼯作区和反向击穿区。
10）⽆论温度有多⾼，本征半导体中⾃由电⼦的浓度等于空⽳的浓度。
11）⼆极管的反向电流⼤⼩主要决定于少⼦的浓度（少数载流⼦的漂移运动）。
12）N、P型半导体对外显电中性。
13) 稳压⼆极管⼯作时应处于反向击穿区。
14) 稳压⼆极管在使⽤时应串联限流电阻R z，并与负载R L并联在⼀起。
15）稳压管的稳压作⽤是通过限流电阻R z的电流调节作⽤实现的。
双极性晶体三极管：1）NPN型三极管的发射结正偏、集电结反偏，则集电极电位最⾼，发射极电位最低。
2）某放⼤电路在负载开路时的输出电压为12V，接⼊9k欧姆的负载电阻后输出电压降为 9V，这说明放⼤电路的输出电阻为3k欧姆。
3）三极管的结构特点：基区薄、发射区的掺杂浓度⼤、集电结⾯积⼤。
4）放⼤电路的有效输⼊信号必须加在发射结上。
5）对于硅管当U CE >= 1V时，集电结就已经反偏。
6）三极管的输出特性曲线分为三个⼯作区：截⾄区、放⼤区、饱和区。
7）三极管⼯作状态：截⽌（发射结与集电结都反偏）、放⼤（发射结正偏，集电结反偏）、饱和（发射结与集电结都正偏）。
《电路与电子学基础》实验目录实验1 戴维南和诺顿等效电路 (4)实验2 一阶电路的过渡过程 (6)实验2.1 电容器的充电和放电 (6)实验2.2 电感中的过渡过程 (9)实验3交流电路的性质 (12)实验3.1 串联交流电路的阻抗 (12)实验3.2 串联谐振 (17)实验4 桥式整流电路 (21)实验5 基本放大电路电路 (23)实验5.1 NPN三极管分压偏置电路 (23)实验5.2 射极跟随器 (25)实验6 差动放大器 (28)实验7 集成运算放大器应用 (32)实验7.1 反相比例放大器 (32)实验7.2 加法电路 (34)实验1 戴维南和诺顿等效电路一、实验目的1.对一个已知网络，求出它的戴维南等效电路。
2.对一个已知网络，求出它的诺顿等效电路。
3.确定戴维南定理的真实性。
4.确定诺顿定理的真实性。
5.对一个已知网络，确定它的戴维南等效电路。
6.对一个已知网络，确定它的诺顿等效电路。
二、实验器材直流电压电源 1个直流电压表 1个直流电流表 1个电阻数个三、实验准备1.戴维南定理任何一个具有固定电阻和电压源的线性二端网络，都可以用一个串联电阻的等效电压源来代替。
这个等效电压源的电压可称为戴维南电压V th，它等于原网络开路时的端电压V oc，如图1-1所示。
串联电阻可称为戴维南电阻R eq，它等于原网络两端的开路电压V oc除以短路电流I sc。
所以V th=V ocReq=V oc/I sc短路电流Isc可在原网络两端连接一个电流表来测量，如图1-2所示（注：电流表具有很小的内阻，可视为短路。
）短路电流Isc也可在原网络的输出端连接一短路线来计算。
确定戴维南电阻Req的另一个方法是，将源网络中所有的电压源用短路线代替，把所有的电流源短路，这时输出端的等效电阻就是Req。
在实验室里对一个未知网络确定其戴维南电阻Req的最好方法是，在未知网络两端连接一个可变电阻，然后调整阻值直至端电压等于开路电压Voc的一半，这时可变电阻的阻值就等于戴维南电阻Req。
北京邮电大学2009 ——2010 学年第2学期“ 电路分析基础”期末考试试题4学分(B)考试注意事项一、学生参加考试须带学生证或学院证明，未带者不准进入考场。
学生必须按照监考教师指定座位就坐。
二、书本、参考资料、书包等与考试无关的东西一律放到考场指定位置。
三、学生不得另行携带、使用稿纸，要遵守《北京邮电大学考场规则》，有考场违纪或作弊行为者，按相应规定严肃处理。
四、学生必须将答题内容做在试卷上，做在草稿纸上一律无效。
题号一二三四五六七八九十十一总分满分15 20 5 6 6 6 8 8 10 10 6得分阅卷教师15个空格，每空1分，15分）电路的理想化是有条件的，这个条件与所分析电路的工作特点有关。
集总参数电路假设实际电路的尺寸远______（大或小）于电路工作时的电磁波波长。
对于理想电压源而言，不允许_____（短或断）路。
对于具有n个节点，b条支路的平面电路，可列出______个独立的KCL方程。
互易性表示一个网络的激励和响应互换位置时，相同激励下的响应_______。
在电路中有许多电路元件成对偶关系，例如电阻R与电导G，那么对于电容C的对偶元件是________。
所有储能元件初始状态为零的电路对激励的响应称为______响应。
当二阶电路无外加激励，仅有初始储能时，若特征根为两个不等负实根，电路过度过程处于______状态。
二阶RLC串联电路，当R=_____时，电路发生等幅振荡。
9. 在正弦稳态电路中，若设某电感元件两端的电压()L u t 与流过该电感的电流()L i t 为非关联参考方向，则()L i t 超前()L u t ________°。
10. 在正弦交流稳态电路中，定义了如下几个功率：有功功率，无功功率，复功率和视在功率，其中不满足功率守恒定律的是__________。
11. 在正弦交流稳态电路中，总是消耗有功功率的元件是_________。
12. RLC 串联谐振电路的特性阻抗ρ=______。
大学 20 ——————20 20 学年第学年第学年第 1 1 学期学期《电子电路基础》期末考试试题（B）考试注意事项一、学生参加考试须带学生证或学院证明，未带者不准进入考场。
学生必须按照监考教师指定座位就坐二、书本、参考资料、书包等与考试无关的东西一律放到考场指定位置。
三、学生不得另行携带、使用稿纸，要遵守《北京邮电大学考场规则》，有考场违纪或作弊行为者，按相应规定严肃处理。
四、学生必须将答题内容做在试题卷面上学生必须将答题内容做在试题卷面上学生必须将答题内容做在试题卷面上，，做在草稿纸上一律无效做在草稿纸上一律无效。
五、试卷的最后一页是草稿纸试卷的最后一页是草稿纸试卷的最后一页是草稿纸，，可以撕下可以撕下来使用来使用来使用，，交卷时不必上交交卷时不必上交。
考试课程考试时间年 月 日 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分满分 1016 25 15 10 16 8得分 阅卷教师、单项选择填空题选择填空题（（本大题共10小题小题，，每小题1分，共10分（）（每题的四个选项中有一个是最佳选项每题的四个选项中有一个是最佳选项每题的四个选项中有一个是最佳选项，，请你先在本试卷上答题卷上答题，，然后将全部答案汇总到本题末尾的表格中然后将全部答案汇总到本题末尾的表格中））1、放大器的饱和失真属于 。
A ．非线性失真B ．交越失真C ．线性失真D ．相位失真 2、 无需外给偏压只采用自给偏置（自生偏压）方式就可工作的场效应管有 。
A ．N 沟道场效应管都行B ．N 沟道增强型MOS 管C ．P 沟道耗尽型MOS 管D ．P 沟道增强型MOS 管3、集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
A. 指标参数准确B. 参数不受温度影响 C ．参数稳定 D ．参数的相对值一致性好4、差分放大电路采用恒流源偏置的主要优点是 。
A ．提高差模电压放大倍数B . 提高共模电压放大倍数C . 提高单端输出时的共模抑制比D ．提高差模输入电阻 5、测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是在固定输入电压和相位的情况下 。
