【CN110085663A】一种半导体PN结及制作方法【专利】

新型半导体材料专利（正文）本专利描述了一种新型半导体材料，该材料具有优异的电子传输性能和独特的物理特性。

该材料的研发背景、制备方法、性能评估以及应用前景将在以下几个方面进行详细介绍。

1. 研发背景半导体材料作为现代电子技术的基础，其性能对电子器件的性能和功能起着重要影响。

然而，传统半导体材料在一些方面存在局限性，如传输速度和能量损耗。

因此，研发一种具有优异性能和潜在应用领域的新型半导体材料成为科研人员的迫切需求。

2. 制备方法本专利中，我们提出了一种制备新型半导体材料的方法。

该方法首先利用化学合成技术合成出原始材料，然后采用物理气相沉积技术将原始材料转化为所需半导体材料。

该制备方法简单、高效，并且可以控制材料的成分和结构。

3. 性能评估为了评估所制备的新型半导体材料的性能，我们进行了一系列实验。

首先，我们测量了材料的导电性能，结果表明该材料具有优异的电子传输率和载流子迁移率。

其次，我们对材料的热稳定性、机械强度以及光学特性进行了评估，结果显示该材料在各个方面均表现出色。

最后，我们还制作了一些半导体器件，并测试了其性能，验证了该材料在器件应用方面的潜力。

4. 应用前景基于对新型半导体材料的性能评估，我们认为该材料在许多领域具有广阔的应用前景。

首先，该材料可以用于高性能集成电路的制备，提高电子器件的运行速度和能效。

其次，该材料还可以应用于光电器件领域，如太阳能电池和光电传感器等。

此外，该材料的优良性能也有望在能源存储、传感器技术以及生物医学领域得到应用。

5. 专利价值本专利所描述的新型半导体材料具有独特的物理特性和广泛的应用前景，因此具备很高的商业价值和科研意义。

该专利的授权将保护该材料的知识产权，确保研发团队在市场竞争中获得有利地位。

结语本专利描述了一种新型的半导体材料，重点介绍了其研发背景、制备方法、性能评估以及应用前景。

该材料具有出色的电子传输性能和独特的物理特性，有望在电子器件、光电器件、能源存储等领域发挥重要作用。

专利名称：半导体器件的制作方法专利类型：发明专利
发明人：宁先捷
申请号：CN200910201067.0申请日：20091210
公开号：CN102097377A
公开日：
20110615
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶圆上形成暴露出NMOS管的光阻胶PR；进行离子注入，形成NMOS管的漏极和源极；在晶圆表面形成反相图形材料，且NMOS 管之上的反相图形材料和PMOS管之上的反相图形材料的上表面高度相同；对PMOS管的PR之上的反相图形材料和NMOS管之上的反相图形材料进行去除，且NMOS管之上保留的反相图形材料和PMOS管之上的PR的上表面高度相同；去除PR，进行离子注入，形成PMOS管的漏极和源极。

采用该方法能够简化半导体器件制作的工艺流程。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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专利名称：一种半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：孙超
申请号：CN202010362746.2
申请日：20200430
公开号：CN111564496A
公开日：
20200821
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请实施例公开一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有源区、漏区、以及连接所述源区和所述漏区的沟道区；隔离结构，位于所述半导体衬底内；所述隔离结构遮挡在所述源区和所述漏区之间，以阻隔所述源区和所述漏区之间的直线电流路径；栅极结构，至少位于所述半导体衬底的所述沟道区之上。

申请人：长江存储科技有限责任公司
地址：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
国籍：CN
代理机构：北京派特恩知识产权代理有限公司
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专利名称：半导体器件及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：尹海洲,朱慧珑,张珂珂
申请号：CN201210229543.1
申请日：20120703
公开号：CN103531455A
公开日：
20140122
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成T型伪栅极结构；去除T型伪栅极结构，留下T型栅极沟槽；在T型栅极沟槽中填充金属层，形成T型金属栅极结构。

依照本发明的半导体器件制造方法，通过形成T型伪栅极以及T型栅极沟槽，避免了后续金属栅极填充工艺中的悬挂现象以及孔洞形成，提高了器件性能。

申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3#
国籍：CN
代理机构：北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：陈红
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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910345056.3(22)申请日 2019.04.26(30)优先权数据10-2018-0099284 2018.08.24 KR(71)申请人 三星电子株式会社地址 韩国京畿道(72)发明人 金一焕　姜芸炳　李忠善　(74)专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112代理人 赵南　张青(51)Int.Cl.H01L 21/60(2006.01)H01L 21/56(2006.01)(54)发明名称制造具有再分布层的半导体封装件的方法(57)摘要一种制造半导体封装件的方法包括：在硅衬底的第一表面处形成多个沟槽；在所述多个沟槽中的每一个内形成导电焊盘；在硅衬底的第一表面上形成再分布层；在再分布层的第一表面上形成外部连接端子；去除硅衬底以暴露每个导电焊盘；安装半导体芯片以使其连接至导电焊盘；以及形成密封件以覆盖半导体芯片的至少一个表面。

权利要求书2页 说明书10页 附图16页CN 110858549 A 2020.03.03C N 110858549A权　利　要　求　书1/2页CN 110858549 A1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括步骤：在硅衬底的第一表面处形成多个沟槽；随后，在所述多个沟槽中的每一个内形成导电焊盘；随后，在所述硅衬底的第一表面上形成再分布层；随后，在所述再分布层的第一表面上形成外部连接端子；随后，去除所述硅衬底以暴露每个导电焊盘；随后，安装半导体芯片以使其连接至所述导电焊盘；以及形成密封件以覆盖所述半导体芯片的至少一个表面。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述导电焊盘的步骤之后，在所述硅衬底的第一表面上顺序地沉积阻挡层和种子层，其中，所述再分布层设置在所述种子层上。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述阻挡层包括钛，并且所述种子层包括铜。

专利名称：一种半导体器件及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：汪宁,苏永波,丁芃,王大海,金智申请号：CN202010119889.0
申请日：20200226
公开号：CN111216034A
公开日：
20200602
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂层对GaSb晶圆的表面进行研磨，由于碳化钨与GaSb晶圆之间，不只是物理研磨，还包括化学反应，且碳化钨涂层的颗粒粒径在纳米级别，因此，对GaSb晶圆进行处理的减薄过程与抛光过程合二为一，从而能够减少减薄后抛光的过程，无需对厚度和误差进行再次进行修整和去除，从而减少了工艺过程，通过一体化减薄和抛光过程，即可达到传统意义上的镜面抛光要求。

申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：温可睿
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(10)申请公布号 CN 102751171 A(43)申请公布日 2012.10.24C N 102751171 A*CN102751171A*(21)申请号 201110099353.8(22)申请日 2011.04.20H01L 21/00(2006.01)G01N 1/32(2006.01)(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层申请人深圳方正微电子有限公司(72)发明人金波 宋世涛(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291代理人黄志华(54)发明名称用于显现半导体芯片PN 结的溶液及显现方法(57)摘要本发明实施例公开了一种用于显现半导体芯片PN 结的溶液及显现方法，涉及半导体芯片制作领域，用于提高PN 结中的N 型结的显现效果。

本发明中，所述溶液由氢氟酸、氟化铵、硝酸和水组成。

将所述溶液加热到设定温度，将半导体芯片在加热后的所述溶液中浸泡设定时间，以使半导体芯片的N 型结显现出来。

采用本发明，能够提高PN结中的N 型结的显现效果。

(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书3页 附图2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书 1 页 说明书 3 页 附图 2 页1/1页1.一种用于显现半导体芯片PN 结的溶液，其特征在于，该溶液由氢氟酸、氟化铵、硝酸和水组成。

2.如权利要求1所述的溶液，其特征在于，氢氟酸的质量分数比为1.7％-1.9％，氟化铵的质量分数比为6.9％-7.7％，硝酸的质量分数比为47.0％-53.0％，水的质量分数比为38.4％-44.4％。

3.如权利要求2所述的溶液，其特征在于，氢氟酸的质量分数比为1.8％，氟化铵的质量分数比为7.3％，硝酸的质量分数比为50.0％，水的质量分数比为40.9％。

4.一种使用权利要求1或2或3所述的溶液显现半导体芯片PN 结的方法，其特征在于，该方法包括：将所述溶液加热到设定温度；将半导体芯片在加热后的所述溶液中浸泡设定时间，以使半导体芯片的N 型结显现出来。

专利名称：pn结及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：梁凌燕,李秀霞,曹鸿涛,罗浩,刘权,秦瑞锋申请号：CN201410852975.7
申请日：20141231
公开号：CN104576713A
公开日：
20150429
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种pn结及其制备方法，该pn结包括n型Si半导体层和位于所述n型Si半导体层中部区域的p型SnO半导体层，其中，所述n型Si半导体层上设置有第一电极；所述p型SnO半导体层上设置有第二电极。

本发明的pn结有明显的整流效应，可应用于发光二极管、太阳能电池、光电探测器、气敏传感器等半导体器件，扩大了氧化亚锡的应用范围。

申请人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
地址：315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
国籍：CN
代理机构：广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人：李芙蓉
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pn结的工艺流程【pn 结的工艺流程】一、pn 结的历史其实啊，pn 结的发现和发展可是电子学领域的一个重要里程碑。

早在 19 世纪，科学家们就开始对半导体材料进行研究。

但真正对 pn 结有深入理解和应用，那还是在 20 世纪中期。

当时，随着半导体技术的不断进步，人们逐渐认识到 pn 结在电子器件中的关键作用。

比如说，早期的晶体管就是基于 pn 结的原理制造出来的。

这一发现，就像是给电子世界打开了一扇全新的大门，让各种电子产品变得越来越小巧、功能越来越强大。

说白了就是，pn 结的历史虽然不算特别长，但它对现代科技的影响那可是极其深远的。

二、pn 结的制作过程1. 准备半导体材料首先呢，得准备好制作 pn 结的半导体材料，通常是硅（Si）或者锗（Ge）。

这就好比我们做饭得先有食材一样。

硅和锗就像是电子世界的“大米和面粉”，是最基础的原料。

2. 掺杂接下来就是关键的掺杂步骤啦。

我们把一些杂质原子掺入到半导体材料中。

比如说，向硅中掺入硼（B）原子，就形成了 p 型半导体；掺入磷（P）原子，就形成了 n 型半导体。

这掺杂就好比是给汤里加盐或者加糖，改变了汤的味道，杂质的加入改变了半导体的电学性质。

3. 形成 pn 结有了 p 型和 n 型半导体后，通过一些工艺，比如扩散或者离子注入，让它们紧密接触，这样就形成了 pn 结。

这个过程就好像把两块不同口味的蛋糕拼在一起，形成了一个独特的结构。

三、pn 结的特点1. 单向导电性pn 结一个非常重要的特点就是单向导电性。

这意味着电流只能从 p 区流向 n 区，而反向则很难通过。

举个例子，这就像单行道一样，车辆只能朝着规定的方向行驶，反过来就不行。

2. 电容特性其实啊，pn 结还有一定的电容特性。

它的电容会随着外加电压的变化而变化。

这就有点像一个可以伸缩的弹簧，压力大了弹簧压缩，压力小了弹簧伸展。

3. 伏安特性pn 结的伏安特性也是其重要特点之一。

电流和电压之间的关系不是简单的线性关系，而是有着独特的曲线。