单晶硅缺陷的分析
钟丽菲
【摘要】摘要：晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷，观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律：中间尺寸大，密度小，边缘尺寸小，密度大，验证缺陷对杂质的吸收。
【期刊名称】湖南科技学院学报
【年(卷),期】2011(032)004
【总页数】3
【关键词】关键字：单晶硅；缺陷；化学腐蚀法；消除与控制
0 引言
硅是全球第一产业——电子信息技术产业以及新能源产业——太阳能光伏电池产业的基础材料[1]。随着网络时代的到来,半导体产业将发展到新的高潮。为适应深亚微米、亚四分之一微米甚至纳米级集成电路的要求，硅单晶材料在增大直径的同时，对其结构、电学、化学特征的研究也将日益深入；缺陷控制、杂质行为、杂质与缺陷的相互作用以及提高晶片的表面质量仍将是工艺技术研究的主攻方向。另外, 在光伏工业中广泛采用太阳能电池用单晶硅和铸造多晶硅, 在这些材料中存在着高密度的位错, 金属杂质或晶界等缺陷, 而这些缺陷和杂质的交互作用使得太阳能电池的转换效率显著下降, 因此观察这些硅材料中缺陷和杂质的交互作用对于采用合适的吸杂工艺提高太阳能电池的转化效率有着十分重要的作用[2]。
由于缺陷影响硅单晶的质量，对器件也有不良影响，我们不得不研究其性质、