硅晶体生长及缺陷形成与控 制-lecture for undergraduates2014

第4章单晶硅及其杂质和缺陷

单晶硅中可能出现的各种缺陷分析缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷：点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。线缺陷：线缺陷指二维尺度

硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示实验安排：4人/组时间：两小时地点：北方工业大学第三教学楼2403房间实验所用主要设备：金相显微镜一、实验目的硅单晶中的各种缺陷对器件的性能有很大的影响，它会造成扩散结面不平整，使晶体管中出现管道，引起p-n结的反向漏电增大等。各种缺陷的产生和数量的多少与晶体制备工艺和器件工艺有关。晶体缺陷的实验观察方法有许多种，如透射电子显微镜、

第三节硅单晶一、直拉硅单晶1961年1月，上海有色金属研究所第三研究室组建直拉硅单晶研制组，从制作设备开始，制成华东地区第一台直拉硅单晶炉。8月26日拉出1根重30克的硅单晶，受到复旦大学谢希德教授的称赞。11月又试制成掺磷、电阻率1～10欧姆·厘米的硅单晶。［硅单晶］1961年12月，上海金属加工厂在国产直筒式直拉硅单晶炉上试拉单晶，翌年2月拉制出重36克

单晶硅中可能出现的各种缺陷缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷：点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。线缺陷：线缺陷指二维尺度很小

单晶硅中可能出现的各种缺陷缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷：点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。线缺陷：线缺陷指二维尺度很小

原生直拉无位错硅单晶中漩涡缺陷的观察

单晶硅中可能出现的各种缺陷分析缺陷，是对于晶体的周期性对称的破坏，使得实际的晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷之中，有着多种分类方式，如果按照缺陷的维度，可以分为以下几种缺陷：点缺陷：在晶体学中，点缺陷是指在三维尺度上都很小的，不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很小，只在某些位置发生，只影响邻近几个原子，有被称为零维缺陷。线缺陷：线缺陷指二维尺度

第五章 单晶硅的制备及其缺陷和杂质

第二章晶体结构的缺陷(第4讲)

硅锗晶体中的杂质和缺陷

硅单晶加工及质量要求

硅中缺陷

2.4 硅单晶漩涡缺陷的检测解析

硅单晶的制备

第一章硅单晶生长和硅片准备硅 (Si) 材 料 现 在 是 电 子 工 业 中 最 重 要 的 半 导 体 材 料， 因 此VLSI 技 术 几 乎 完 全 以 硅 材 料 为 基 础。"silicon" 这 名 称 来 源 于 拉 丁 语 "silex" 或 "silicis"，意 思 是 燧 石。 地 壳 中 硅 含 量 丰 富, 仅 次 于 氧， 达

单晶硅缺陷的分析原作者: 钟丽菲摘要：晶体硅中的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。用常规化学腐蚀法显示出单晶硅中的缺陷，观察典型的位错。通过实验发现缺陷分布的一般规律：中间尺寸大，密度小，边缘尺寸小，密度大，验证缺陷对杂质的吸收。关键字：单晶硅；缺陷；化学腐蚀法；消除与控制0引言硅是全球第一产业--电子信息技术产业以及新能源产业--太阳能光伏电池产业

第四章 硅锗晶体中的杂质和缺陷分解

浅谈硅片缺陷的控制【摘要】太阳能是一种清洁、高效和永不衰竭的新能源，光伏发电具有安全可靠、无噪声、无污染、制约少、故障率低、维护简便等优点，近年发展势头迅猛。硅片作为太阳能电池的核心元件，其质量直接影响到太阳能电池的整体性能。本文介绍了硅片缺陷控制的技术措施。【关键词】硅片；缺陷控制引语在光伏产业中，硅片的质量在很大程度上影响到成品太阳能电池的短路电流、和断